CN102832562A - 一种消除gisvfto残余电荷的泄漏电阻系统 - Google Patents

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Abstract

一种消除GISVFTO残余电荷的泄漏电阻系统，本发明将双断口隔离开关（1）直接与高压导体（9）相连并通过高压导体（9）连接至大功率电阻片（2），大功率电阻片（2）的中段位置直接通过上铁氧体磁环（3）连接至GIS外壳（5），大功率电阻片（2）的末端通过下铁氧体磁环（3）连接至GIS外壳（5），GIS外壳（5）直接接地（4），最终将VFTO脉冲（7）携带的残余电荷消耗吸收殆尽。本发明实现了GIS内部VFTO脉冲残余电荷消除，安装属于一体化安装，使用方便，具有占地面积小，安全可靠，效果明显等显著优点。

Description

一种消除GISVFTO残余电荷的泄漏电阻系统
技术领域
本发明涉及用于GIS本体残余电荷测量、消除和无害化技术领域。
背景技术
GIS（Gas Insulated Switchgear，气体绝缘组合电器）作为加工工艺复杂，安全性高，一直被用于电力系统供电质量要求高的场合，实现尽可能的不间断供电，承担着大容量、大负荷的供电系统。然而GIS由于其内部充有SF6气体，该气体绝缘强度高，迄今为止绝缘性能最高的绝缘气体，虽然其绝缘性能强度，但随之带来的是SF6气体内部由于隔离开关或断路器动作时产生高幅值的快速暂态过电压（VFTO，Very Fast Transient Overvoltage），这种VFTO脉冲波的前沿非常陡，其前沿多在10ns至几十ns之间。快前沿的脉冲虽然幅值没有雷电冲击电压高，但由于其前沿陡，导致其对电力设备的影响方式也不同，面对常规绝缘结构设计，主要应对的是雷电电压水平，因而VFTO脉冲波的影响也越严重。大量电力生产经验表明，绕组类电气设备和二次类设备对与VFTO的防护较差，引起设备大量出现故障。因此，VFTO对与GIS的威胁非常严重。同时，随着VFTO陡波的出现，也给GIS本体带来了大量的残余电荷。这些残余电荷数量大，残留在GIS设备中，致使GIS设备内部电场分布不均匀，绝缘强度明显降低。因此，如何消除VFTO发生过后，GIS本体内部的残余电荷是目前GIS绝缘的一个重要问题。
发明内容
本发明的目的在于解决目前没有直流局放测试系统，提出一种直流电压极性转换用局放测试系统，是用于消除残余电荷的影响的泄漏电阻系统。
本发明是通过下列技术方案来实现的。
一种消除GISVFTO残余电荷的泄漏电阻系统，包括双断口隔离开关、大功率电阻片、上铁氧体磁环、盆式绝缘子、下铁氧体磁环，本发明特征是：双断口隔离开关直接与高压导体相连并通过高压导体连接至大功率电阻片，大功率电阻片的中段位置直接通过上铁氧体磁环连接至GIS外壳，大功率电阻片的末端通过下铁氧体磁环连接至GIS外壳，GIS外壳直接接地，最终将VFTO脉冲携带的残余电荷消耗吸收殆尽。
 下面结合附图及实例进一步说明本发明内容。
附图说明
图1消除GISVFTO残余电荷的泄漏电阻系统示意图。
图中：1、双断口隔离开关；2、大功率电阻片；3、上铁氧体磁环；4、接地；5、GIS外壳；6、盆式绝缘子；7、VFTO脉冲；8、下铁氧体磁环；9、高压导体。
具体实施方式
一种消除GISVFTO残余电荷的泄漏电阻系统，包括双断口隔离开关1、大功率电阻片2、上铁氧体磁环3、盆式绝缘子6、下铁氧体磁环8，本发明特征是：双断口隔离开关1直接与高压导体9相连并通过高压导体9连接至大功率电阻片2，大功率电阻片2的中段位置直接通过上铁氧体磁环3连接至GIS外壳5，大功率电阻片2的末端通过下铁氧体磁环3连接至GIS外壳5，GIS外壳5直接接地4，最终将VFTO脉冲7携带的残余电荷消耗吸收殆尽。
如图1所示，该图给出了消除GISVFTO残余电荷的泄漏电阻系统示意图。图中主要表明双断口隔离开关1在GIS本体运行状态情况下，隔离开关1双断口均断开，保持零电位状态，但当GIS内部VFTO脉冲7消失后，由于GIS内部存在大量空间电荷和残余电荷，使得高压导体9本身带有大量电荷，不能通过人体或者电力设备直接与之连接，此时需通过双断口隔离开关1连接至高压导体9，相当于给VFTO脉冲7串联大功率电阻片2，两只上铁氧体磁环3、下铁氧体磁环8分别连接至大功率电阻片2的中部和尾端，然后直接接地4，形成电路通道将大量电荷消散和消除。

Claims (1)

1.一种消除GISVFTO残余电荷的泄漏电阻系统，包括双断口隔离开关（1）、大功率电阻片（2）、上铁氧体磁环（3）、盆式绝缘子（6）、下铁氧体磁环（8），其特征是：双断口隔离开关（1）直接与高压导体（9）相连并通过高压导体（9）连接至大功率电阻片（2），大功率电阻片（2）的中段位置直接通过上铁氧体磁环（3）连接至GIS外壳（5），大功率电阻片（2）的末端通过下铁氧体磁环（3）连接至GIS外壳（5），GIS外壳（5）直接接地（4）。
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