CN102802297A - 应用于背光源的操作电路及其相关方法 - Google Patents

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CN102802297A CN2011101345890A CN201110134589A CN102802297A CN 102802297 A CN102802297 A CN 102802297A CN 2011101345890 A CN2011101345890 A CN 2011101345890A CN 201110134589 A CN201110134589 A CN 201110134589A CN 102802297 A CN102802297 A CN 102802297A
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Abstract

一种应用于背光源的操作电路及其相关方法,该操作电路包含有至少一电流控制电路,其中该电流控制电路包括一晶体管、一运算放大器以及一开关模块。该晶体管具有一栅极、一第一、第二电极,该第一电极耦接于一发光元件;该运算放大器包括正输入端、负输入端、正输出端以及负输出端;该开关模块耦接于一参考电压、该晶体管以及该运算放大器之间,受控切换而改变该运算放大器的该正、负输入端与该参考电压及该晶体管的第二电极之间的连接关系,以及该正、负输出端与该栅极与该第二电极之间的连接关系,以抵消该运算放大器的电压偏移值,使该发光元件的该电流具有一固定平均值。

Description

应用于背光源的操作电路及其相关方法
技术领域
本发明涉及一种应用于一背光源的操作电路,尤指一种应用于发光二极管背光源的操作电路及其相关方法。
背景技术
请参考图1,图1为公知背光模块控制系统100的示意图。如图1所示,背光模块控制系统100包含有一发光二极管串110、一电流控制电路120、以及一电阻Rext,其中发光二极管串110包含有多个发光二极管,且电流控制电路120包含有一运算放大器122以及一晶体管M1。在背光模块控制系统100的操作上,电流控制电路120利用运算放大器122形成一负反馈机制,使得反馈电压Vfb等于参考电压Vref,因而提供一稳定的电流I_LED给发光二极管串110,其中,电流值I_LED=Vfb/Rext
然而,由于工艺上的限制,运算放大器122的输入级无法做到完全匹配,因而导致运算放大器122的输入端具有一电压偏移值(offset voltage)ΔV,因此,在实际电路中,每个电流控制电路120会因为其运算放大器122所具有的电压偏移值ΔV不同,使得提供给各发光二极管串110的电流值I_LED不同,因此,当多个发光二极管串110和电流控制电路120共同组成一背光模块时,由于提供给每一路发光二极管串110的电流I_LED均不相同,将造成背光模块亮度不均匀。
此外,背光模块控制系统100一般而言是使用高压在进行操作(供应电压Vo约在30V~60V之间),因此,电流控制电路120一般会使用特殊的高压工艺来实现,而无法以低压工艺来实现,成本昂贵。
发明内容
因此,本发明的目的之一在于提供一种应用于一背光源的操作电路及其相关方法,其每一路的发光元件会具有实质上相同的亮度,且操作电路中的电流控制电路可以使用低压工艺来实现,以解决上述的问题。
根据本发明一实施例,一种应用于一背光源的操作电路包含有至少一电流控制电路,其中该背光源包含有至少一发光元件,该发光元件包含有至少一发光单元,该至少一电流控制电路耦接于该发光元件,用以控制该发光元件的一电流,该电流控制电路包含有:一第一晶体管、一运算放大器以及一开关模块。该第一晶体管,具有一栅极、一第一电极以及一第二电极,其中该第一电极耦接于该发光元件,且该第二电极耦接于一电阻;该运算放大器,具有一正输入端、一负输入端以及一正输出端、一负输出端;该开关模块耦接于一参考电压、该第一晶体管的该第二电极、该运算放大器的该正输入端以及该负输入端之间,且用以切换该运算放大器的该正输入端以及该负输入端与该参考电压以及该第一晶体管的该第二电极之间的连接关系,另外切换运算放大器的该正输出端以及该负输出端与该第一晶体管的栅极的连接关系,以抵消该运算放大器的电压偏移值,使该发光元件的该电流具有一固定平均值。
根据本发明另一实施例,披露一种应用于一背光源的操作方法,其中该背光源包含有至少一发光元件,该发光元件包含有至少一发光单元,该操作方法包含有:提供至少一电流控制电路,耦接于该发光元件,用以控制该发光元件的一电流,其中该电流控制电路包含有一第一晶体管以及一运算放大器,该第一晶体管具有一栅极、一第一电极以及一第二电极,其中该第一电极耦接于该发光元件,且该第二电极耦接于一电阻;该运算放大器,具有一正输入端、一负输入端以及一正输出端、一负输出端,其中该正输出端、负输出端耦接到该第一晶体管的该栅极;以及切换该运算放大器的该正、负输入端以及该正、负输出端与该参考电压以及该第一晶体管的该栅极与第二电极之间的连接关系,以抵消该运算放大器的电压偏移值,使该发光元件的该电流具有一固定平均值。
根据本发明另一实施例,一种应用于一背光源的操作电路包含有至少一电流控制电路、一晶体管以及一控制电压产生单元,其中该背光源包含有至少一个发光元件,该发光元件包含有至少一发光单元。该至少一电流控制电路耦接于该发光元件,且用以控制该发光元件的一电流;该晶体管具有一栅极、一第一电极以及一第二电极,其中该第一电极耦接于该发光元件,以及该第二电极耦接于该电流控制电路;该控制电压产生单元耦接于该晶体管,且用来产生一控制电压至该晶体管的该栅极。
根据本发明另一实施例,披露一种应用于一背光源的操作方法,其中该背光源包含有至少一个发光元件,该发光元件包含有至少一发光单元,该操作方法包含有:提供至少一电流控制电路,耦接于该发光元件,用以控制该发光元件的一电流;提供一晶体管,具有一栅极、一第一电极以及一第二电极,其中该第一电极耦接于该发光元件,以及该第二电极耦接于该电流控制电路;以及产生一控制电压至该第二晶体管的该栅极。
附图说明
图1为公知背光模块控制系统的示意图。
图2为根据本发明一实施例的应用于一背光源的操作电路的示意图。
图3为根据本发明一实施例的控制开关模块中各个开关元件的控制信号的时序图。
图4为当图3所示的控制信号A=1、AB=0时开关模块的示意图。
图5为当图3所示的控制信号A=0、AB=1时开关模块的示意图。
图6为根据本发明一第一实施例的一种应用于一背光源的操作方法的流程图。
图7为根据本发明一第二实施例的一种应用于一背光源的操作方法的流程图。
主要元件符号说明
100  背光模块控制系统        110、210  发光二极管串
120、220  电流控制电路       122、222  运算放大器
200  操作电路                230  开关模块
240  第一控制电压产生单元
250  第二控制电压产生单元
252  模拟数字转换器          254  数字模拟转换器
260  芯片                    M1~M6  晶体管
Rext、R1~R4  电阻           D1~D3  二极管
600~602、700~704  步骤
具体实施方式
请参考图2,图2为根据本发明一实施例的应用于一背光源的操作电路200的示意图,其中该背光源包含有至少一个发光元件,且每一发光元件包含有至少一发光单元,在本实施例中,每一发光单元为一发光二极管,以及该发光元件为一发光二极管串210。如图2所示,操作电路200包含有晶体管M2、M3、一电阻Rext、一电流控制电路220、一第一控制电压产生单元240以及一第二控制电压产生单元250,其中电流控制电路220包含有一运算放大器222、一开关模块230以及一晶体管M1,开关模块230包含有多个开关元件,其用来切换运算放大器222的两个输入端与一参考电压Vref以及一反馈电压Vfb之间的连接关系,及运算放大器222的两个输出端与晶体管M1的栅极的连接关系,使反馈系统成负反馈状态,第一控制电压产生单元240包含有两个电阻R1、R2、三个晶体管M4、M5、M6以及三个二极管D1、D2、D3,以及第二控制电压产生单元250包含有两个电阻R3、R4、一模拟数字转换器252以及一数字模拟转换器254。
此外,需注意的是,虽然图2所示的操作电路200仅包含有一个发光二极管串210以及其相对应的电路(晶体管M2、M3、电阻Rext、电流控制电路220以及第二控制电压产生单元250...等),但此仅为一范例说明。在本发明的其它实施例中,操作电路200可以具有多个发光二极管串210及其相对应的电路,也即图2所示的发光二极管串210、晶体管M2、M3、电阻Rext、电流控制电路220以及第二控制电压产生单元250可以具有很多组。
此外,操作电路200中的电流控制电路220、晶体管M1、M3、第二电压控制电路250以及部分的第一电压控制电路240制作于一芯片260中,操作电路200中位于芯片260外的电路为一印刷电路板上的外挂元件,且芯片260使用一低压工艺来实现(例如芯片260的耐压为9V)。此外,在本实施例中,晶体管M3与M4的耐压高于晶体管M1、M5、M6的耐压。
请同时参考图2、图3,其中图3为根据本发明一实施例的控制开关模块230中各个开关元件的控制信号C、CB、A、AB的时序图。在图3所示的控制信号中,控制信号C为用来控制发光二极管串210的导通/截止的一脉冲宽度调变信号,控制信号CB为控制信号C的一反相信号,而控制信号A、AB则是通过一些逻辑电路将控制信号C进行处理所产生的。
在操作电路200的操作上,首先,请参考图4,在一第一时段(也即图3所示的控制信号C的第一个周期的主动时段(高电压电平)),此时C=1、A=1且AB=0,开关模块230被控制以将运算放大器222的一正输入端耦接于参考电压Vref,且将运算放大器222的一负输入端耦接于晶体管M1的源极,而运算放大器222的正输出端耦接于晶体管M1的栅极,让反馈系统成负反馈状态。假设运算放大器222具有电压偏移值(offsetvoltage)ΔV,则反馈电压Vfb会等于(Vref+ΔV),也即此时流经发光二极管串210与晶体管M1~M3的电流I_LED为(Vref+ΔV)/Rext
接着,请参考图5,在一第二时段(也即图3所示的控制信号C的第二个周期的主动时段(高电压电平)),此时C=1、A=0且AB=1,开关模块230被控制以将运算放大器222的该正输入端耦接于晶体管M1的源极,且将运算放大器222的该负输入端耦接于参考电压Vref,而运算放大器222的负输出端耦接于晶体管M1的栅极,让反馈系统成负反馈状态。假设运算放大器222具有电压偏移值ΔV,则反馈电压Vfb会等于(Vref-ΔV),也即此时流经发光二极管串210与晶体管M1~M3的电流I_LED为(Vref-ΔV)/Rext
如上所述,当发光二极管串210在被导通时,其上的电流I_LED会依序地为(Vref+ΔV)/Rext、(Vref-ΔV)/Rext(Vref+ΔV)/Rext、(Vref-ΔV)/Rext...,如此一来,发光二极管串210在被导通时的平均电流就会等于(Vref/Rext)。因此,假设具有多个发光二极管串,且每一个发光二极管串所对应的运算放大器的电压偏移值均不相同,利用上述操作电路200的操作方式可以让每一个发光二极管串在被导通时的电流均等于(Vref/Rext),而使得所有的发光二极管串的亮度一致。
此外,在图2所示的实施例中,运算放大器222为一差动输出,然而,在本发明的其它实施例中,运算放大器222的输出端后,使用控制信号A、AB来控制的两个开关可被放置到运算放大器222内,使运算放大器222也可为单端输出。
另一方面,参考图2,由于当发光二极管串210被截止的时候(也即图3所示的控制信号C=0时),发光二极管串210下方耦接于晶体管M2的端点的电压值会高达30V以上,为了避免芯片260中的电路被烧坏,因此在图2所示的实施例中,晶体管M2及M3被设计来避免芯片260中的电路被烧坏。
在本发明的一实施例中,晶体管M2为一高压元件,其用来阻挡上述当发光二极管串210被截止时端点的电压值会高达30V以上的问题,但由于晶体管M2所能承受的温度有一定的限制,因此晶体管M2操作的电流与电压乘积不能太大,因此,晶体管M2的栅极的控制电压CTRLB需要特别的设计。在本实施例中,当发光二极管串210被导通的时候(也即图3所示的控制信号C=1),第一控制电压产生单元240所输出的控制电压CTRLB具有电压值14V,以使得晶体管M2被操作于一三级管区(trioderegion)以避免晶体管M2过热;而当发光二极管串210被截止的时候(也即图3所示的控制信号C=0),第一控制电压产生单元240所输出的控制电压CTRLB具有电压值8V,以使得晶体管M2为一未使能(disable)状态,且芯片260的端点电压值Vsen也能被控制在8V以下,以避免超过芯片260的耐压。
此外,为了使得控制电压CTRLB能在14V与8V之间切换,在本实施例中,改变控制电压CTRLA的电压电平以使得控制电压CTRLB可以通过电阻R1、R2对供应电压Vo进行分压来产生。详细来说,当发光二极管串210被导通的时候(也即图3所示的控制信号C=1),晶体管M6的栅极电压被设为0V,此时二极管D1~D3为顺向导通且晶体管M4~M6为未使能状态,因此,控制电压CTRLA为8V,而控制电压CTRLB此时为14V;另一方面,当发光二极管串210被截止的时候(也即图3所示的控制信号C=0),此时二极管D1~D3不导通且晶体管M4~M6为使能状态,因此控制电压CTRLA的电压电平为0V,而控制电压CTRLB此时为8V。
需注意的是,图2所示的控制电压CTRLA、CTRLB的电压电平,以及晶体管M4~M6栅极的电压电平仅为一范例说明,而并非作为本发明的限制。此外,图2所示的第一控制电压产生单元240的电路架构也仅为一范例说明,只要第一控制电压产生单元240所产生的控制电压CTRLB可以使得晶体管M2在发光二极管串210被导通时操作于三级管区,且使得晶体管M2在发光二极管串210被截止时为一未使能状态,这些设计上的变化均应隶属于本发明的范畴。
此外,在操作电路200中,Vsen的电压操作范围很大,约0.5~8.5V,因此,为了让晶体管M1永远操作在安全区域里,Vsen的电压电平经由电阻R3、R4分压后输入至模拟数字转换器252中以产生一数字信号,之后数字模拟转换器254接收该数字信号以产生控制电压Vc。简单来说,第二控制电压产生单元250根据Vsen的电压电平来动态调整控制电压Vc,也即若是Vsen的电压电平越高,则控制电压Vc的电压电平也越高;Vsen的电压电平降低,控制电压Vc的电压电平也随之降低,以避免晶体管M1跨压过大而损坏。
此外,图2所示的第二控制电压产生单元250的电路架构也仅为一范例说明,只要第二控制电压产生单元250所产生的控制信号Vc可以随着Vsen的电压电平而动态地调整,这些设计上的变化均应隶属于本发明的范畴。
此外,在本发明的另一实施例中,芯片260也可以使用高压工艺来实现,而图2所示的晶体管M2、M3以及第一控制电压单元240与第二控制电压单元250可以自操作电路200中移除,也即晶体管M1的漏极直接连接于发光二极管串210,只要电流控制电路220具有开关模块230以切换运算放大器222的两个输入端与一参考电压Vref以及一反馈电压Vfb之间的连接关系,另外切换运算放大器222的两个输出端与晶体管M1的栅极的连接关系,使反馈系统成负反馈状态,这设计上的变化应隶属于本发明的范畴。
此外,在本发明的另一实施例中,图2所示的电流控制电路220可以替换为其它形式的电流控制电路(例如图1所示的公知电流控制电路120),而不一定要具有如图2所示的开关模块230,也即,只要芯片260使用低压工艺来实作,且电流控制电路与发光二极管串210之间具有晶体管M2以避免芯片的端点电压Vsen超过芯片耐压,这设计上的变化应隶属于本发明的范畴。
请参考图6,图6为根据本发明一第一实施例的一种应用于一背光源的操作方法的流程图,其中该背光源包含有多个发光元件,每一发光元件包含有至少一发光单元。参考图2、图6,流程叙述如下:
步骤600:提供至少一电流控制电路,耦接于该发光元件,用以控制该发光元件的一电流,其中该电流控制电路包含有一晶体管与一运算放大器,该晶体管具有一栅极、一第一电极以及一第二电极,其中该第一电极耦接于该发光元件,且该第二电极耦接于一电阻;该运算放大器具有一正输入端、一负输入端以及一正输出端、一负输出端。
步骤602:切换该运算放大器的该正输入端以及该负输入端与一参考电压以及该第二电极之间的连接关系,并切换该运算放大器的该正输出端及该负输出端与该栅极的连接关系,以抵消该运算放大器的电压偏移值,使该发光元件的该电流具有一固定平均值。
请参考图7,图7为根据本发明一第二实施例的一种应用于一背光源的操作方法的流程图,其中该背光源包含有多个发光元件,每一发光元件包含有至少一发光单元。参考图2、图7,流程叙述如下:
步骤700:提供至少一电流控制电路,耦接于该发光元件,用以控制该发光元件的一电流。
步骤702:提供一晶体管,具有一栅极、一第一电极以及一第二电极,其中该第一电极耦接于该发光元件,以及该第二电极耦接于该电流控制电路。
步骤704:产生一控制电压至该晶体管的该栅极。
如前所述,其中产生该控制电压至该晶体管的该栅极的步骤还包含有:当该发光元件被导通时,控制该晶体管操作于一三级管区,且当该发光元件被截止时,控制该晶体管为一未使能状态。以及其中产生该控制电压至该晶体管的该栅极的步骤还包含有:
根据该晶体管的该第一电极的电压电平以产生一数字信号,并接收该数字信号以产生该控制电压。
本发明提出的背光源的操作电路与相关方法中,可以消除因为运算放大器的偏移电压值的影响,而使得每一路的发光二极管串具有相同的电流,进而使得所有的发光二极管串的亮度一致。此外,操作电路中的芯片使用一低压工艺来实作,以降低芯片的制作成本。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰,皆应属本发明的涵盖范围。

Claims (22)

1.一种应用于一背光源的操作电路,所述背光源包含有至少一发光元件,所述发光元件包含有至少一发光单元,所述操作电路包含有:
至少一电流控制电路,耦接于所述发光元件,用以控制所述发光元件的一电流,其中,所述电流控制电路包含有:
一第一晶体管,具有一栅极、一第一电极以及一第二电极,其中所述第一电极耦接于所述发光元件,且所述第二电极耦接于一电阻;
一运算放大器,具有一正输入端、一负输入端以及一正输出端、一负输出端;以及
一开关模块,耦接在所述第一晶体管、所述运算放大器以及一参考电压之间,用以切换所述运算放大器的所述正输入端以及所述负输入端与所述参考电压以及所述第一晶体管的所述第二电极之间的连接关系,并用以切换所述运算放大器的所述正输出端以及所述负输出端与所述第一晶体管的栅极的连接关系,以抵消所述运算放大器的电压偏移值,使所述发光元件的所述电流具有一固定平均值。
2.根据权利要求1所述的操作电路,其中,在一第一时段,所述开关模块被控制以将所述运算放大器的所述正输入端耦接于所述参考电压,且将所述运算放大器的所述负输入端耦接于所述第一晶体管的所述第二电极,另外所述运算放大器的所述正输出端耦接于所述第一晶体管的栅极;以及在一第二时段,所述开关模块被控制以将所述运算放大器的所述正输入端耦接于所述第一晶体管的所述第二电极,且将所述运算放大器的所述负输入端耦接于所述参考电压,另外所述运算放大器的所述负输出端耦接于所述第一晶体管的栅极。
3.根据权利要求2所述的操作电路,其中,所述第一时段与所述第二时段分别为一脉冲宽度调变信号的两个相邻周期的主动时段,且所述脉冲宽度调变信号用来控制所述发光元件的导通/截止。
4.根据权利要求1所述的操作电路,还包含有:
一第二晶体管,具有一栅极、一第一电极以及一第二电极,其中所述第一电极耦接于所述发光元件,以及所述第二电极耦接于所述第一晶体管的所述第一电极;以及
一第一控制电压产生单元,耦接于所述第二晶体管,用来产生一第一控制电压至所述第二晶体管的所述栅极。
5.根据权利要求4所述的操作电路,其中,当所述发光元件被导通时,所述第一控制电压产生单元控制所述第二晶体管操作于一三级管区;以及当所述发光元件被截止时,所述第一控制电压产生单元控制所述第二晶体管为一未使能状态。
6.根据权利要求1所述的操作电路,还包含有:
一第三晶体管,具有一栅极、一第一电极以及一第二电极,其中所述第一电极耦接于所述发光元件,以及所述第二电极耦接于所述第一晶体管的所述第一电极;以及
一第二控制电压产生单元,耦接于所述第三晶体管,用来根据所述第三晶体管的所述第一电极的电压电平以产生一第二控制电压至所述第三晶体管的所述栅极。
7.根据权利要求6所述的操作电路,其中,所述第二控制电压产生单元包含有:
一模拟数字转换器,用来根据所述第三晶体管的所述第一电极的电压电平以产生一数字信号;以及
一数字模拟转换器,耦接于所述模拟数字转换器,用来接收所述数字信号以产生所述第二控制电压。
8.根据权利要求1所述的操作电路,其中,所述发光单元为一发光二极管,以及所述发光元件为一发光二极管串。
9.一种应用于一背光源的操作方法,所述背光源包含有至少一发光元件,所述发光元件包含有至少一发光单元,所述操作方法包含有:
提供至少一电流控制电路,耦接于所述发光元件,用以控制所述发光元件的一电流,其中,所述电流控制电路包含有:
一第一晶体管,具有一栅极、一第一电极以及一第二电极,其中所述第一电极耦接于所述发光元件,且所述第二电极耦接于一电阻;以及
一运算放大器,具有一正输入端、一负输入端以及一正输出端、一负输出端;以及
切换所述运算放大器的所述正输入端以及所述负输入端与一参考电压以及所述第一晶体管的所述第二电极之间的连接关系,并切换所述运算放大器的所述正输出端以及所述负输出端与所述第一晶体管的栅极的连接关系,以抵消所述运算放大器的电压偏移值,使所述发光元件的所述电流具有一固定平均值。
10.根据权利要求9所述的操作方法,其中,切换所述运算放大器的所述正输入端以及所述负输入端与所述参考电压以及所述第一晶体管的所述第二电极之间的连接关系,且切换所述运算放大器的所述正输出端以及所述负输出端与所述第一晶体管的栅极的连接关系的步骤包含有:
在一第一时段,将所述运算放大器的所述正输入端耦接于所述参考电压,且将所述运算放大器的所述负输入端耦接于所述第一晶体管的所述第二电极,另外所述运算放大器的正输出端耦接于所述第一晶体管的栅极;以及
在一第二时段,将所述运算放大器的所述正输入端耦接于所述第一晶体管的所述第二电极,且将所述运算放大器的所述负输入端耦接于所述参考电压,另外所述运算放大器的负输出端耦接于所述第一晶体管的栅极。
11.根据权利要求10所述的操作方法,其中,所述第一时段与所述第二时段分别为一脉冲宽度调变信号的两个相邻周期的主动时段,且所述脉冲宽度调变信号用来控制所述发光元件的导通/截止。
12.根据权利要求9所述的操作方法,还包含有:
提供一第二晶体管,具有一栅极、一第一电极以及一第二电极,其中所述第一电极耦接于所述发光元件,以及所述第二电极耦接于所述第一晶体管的所述第一电极;以及
产生一第一控制电压至所述第二晶体管的所述栅极。
13.根据权利要求12所述的操作方法,其中,产生所述第一控制电压至所述第二晶体管的所述栅极的步骤包含有:
当所述发光元件被导通时,控制所述第二晶体管操作于一三级管区;以及
当所述发光元件被截止时,控制所述第二晶体管为一未使能状态。
14.根据权利要求9所述的操作方法,还包含有:
提供一第三晶体管,具有一栅极、一第一电极以及一第二电极,其中所述第一电极耦接于所述发光元件,以及所述第二电极耦接于所述第一晶体管的所述第一电极;以及
根据所述第三晶体管的所述第一电极的电压电平以产生一第二控制电压至所述第三晶体管的所述栅极。
15.根据权利要求14所述的操作方法,其中,根据所述第三晶体管的所述第一电极的电压电平以产生所述第二控制电压的步骤包含有:
根据所述第三晶体管的所述第一电极的电压电平以产生一数字信号;以及
接收所述数字信号以产生所述第二控制电压。
16.根据权利要求9所述的操作方法,其中,所述发光单元为一发光二极管,以及所述发光元件为一发光二极管串。
17.一种应用于一背光源的操作电路,所述背光源包含有至少一个发光元件,所述发光元件包含有至少一发光单元,所述操作电路包含有:
至少一电流控制电路,耦接于所述发光元件,用以控制所述发光元件的一电流;
一晶体管,具有一栅极、一第一电极以及一第二电极,其中所述第一电极耦接于所述发光元件,以及所述第二电极耦接于所述电流控制电路;以及
一控制电压产生单元,耦接于所述晶体管,用来产生一控制电压至所述晶体管的所述栅极。
18.根据权利要求17所述的操作电路,其中,当所述发光元件被导通时,所述控制电压产生单元控制所述晶体管操作于一三级管区;以及当所述发光元件被截止时,所述控制电压产生单元控制所述晶体管为一未使能状态。
19.根据权利要求17所述的操作电路,其中,所述控制电压产生单元包含有:
一模拟数字转换器,用来根据所述晶体管的第一电极的电压电平以产生一数字信号;以及
一数字模拟转换器,耦接于所述模拟数字转换器,用来接收所述数字信号以产生所述控制电压。
20.一种应用于一背光源的操作方法,所述背光源包含有至少一个发光元件,所述发光元件包含有至少一发光单元,所述操作方法包含有:
提供至少一电流控制电路,耦接于所述发光元件,用以控制所述发光元件的一电流;
提供一晶体管,具有一栅极、一第一电极以及一第二电极,其中所述第一电极耦接于所述发光元件,以及所述第二电极耦接于所述电流控制电路;以及
产生一控制电压至所述晶体管的所述栅极。
21.根据权利要求20所述的操作方法,其中,产生所述控制电压至所述晶体管的所述栅极的步骤包含有:
当所述发光元件被导通时,控制所述晶体管操作于一三级管区;以及
当所述发光元件被截止时,控制所述晶体管为一未使能状态。
22.根据权利要求20所述的操作方法,其中,产生所述控制电压至所述晶体管的所述栅极的步骤包含有:
根据所述晶体管的所述第一电极的电压电平以产生一数字信号;以及
接收所述数字信号以产生所述控制电压。
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