CN102799393A

CN102799393A - 双界面智能卡芯片工作状态管理方法和装置

Info

Publication number: CN102799393A
Application number: CN2012102169373A
Authority: CN
Inventors: 张祥杉; 李紫金
Original assignee: Datang Microelectronics Technology Co Ltd
Current assignee: Datang Microelectronics Technology Co Ltd
Priority date: 2012-06-27
Filing date: 2012-06-27
Publication date: 2012-11-28
Anticipated expiration: 2032-06-27
Also published as: CN102799393B

Abstract

本发明提供了一种双界面智能卡芯片工作状态管理方法和装置。涉及智能卡领域；解决了双界面智能卡芯片性能受SRAM工作状态限制的问题。该方法包括：接收指示信号，所述指示信号指示所述双界面智能卡芯片的SRAM的工作模式；所述双界面智能卡芯片启动所述指示信号指示的工作模式。本发明提供的技术方案适用于有接触式接口和非接触式接口的双界面智能卡，实现了对SRAM工作模式的切换控制。

Description

双界面智能卡芯片工作状态管理方法和装置

技术领域

本发明涉及智能卡领域，尤其涉及一种双界面智能卡芯片工作状态管理方法和装置。

背景技术

在双界面智能卡芯片中，接触式接口工作时要求SRAM高速运行，数据读写速度快，这样的静态随机存储器(SRAM)不管是平均电流和峰值电流都非常大；而在非接触式接口单独工作时，由于整个芯片的能量都是通过天线耦合过来的，获得的能量有限，要求SRAM运行时不管是平均电流和峰值电流都不能大，满足低功耗要求，而对速度的要求偏中。高速度和低功耗两者之间是一对矛盾，这样双界面卡芯片中SRAM高速和低电流不能同时满足，已有的技术方案就是在两者之间取折中，让接触式接口工作时SRAM运行速度别太快，而非接触式接口工作时SRAM的电流不能降低到很低的水平。

现有技术的缺点是：若要降低SRAM的平均电流和峰值电流，就要降低SRAM的工作速度；若要提高SRAM的工作速度，则其平均电流和峰值电流也会相应地增大，增加了SRAM上的功耗。两者相互制约，使得SRAM的工作速度不能够达到高速，其平均电流和峰值电流也不能够降低到比较低的水平，从而制约着双界面智能卡芯片的性能。

发明内容

本发明提供了一种双界面智能卡芯片工作状态管理方法和装置，解决了双界面智能卡芯片性能受SRAM工作状态限制的问题。

一种双界面智能卡芯片工作状态管理方法，包括：

接收指示信号，所述指示信号指示所述双界面智能卡芯片的SRAM的工作模式；

所述双界面智能卡芯片启动所述指示信号指示的工作模式。

优选的，上述双界面智能卡芯片工作状态管理方法还包括：

设置所述SRAM的工作模式和启动条件。

优选的，所述设置所述SRAM的工作模式和启动条件包括：

设置与有接触式接口相匹配的第一工作模式，所述第一工作模式的启动条件为所述指示信号内携带有指示启动所述第一工作模式的标识信号；

设置与非接触式接口相匹配的第二工作模式，所述第二工作模式的启动条件为所述指示信号内携带有指示启动所述第二工作模式的标识信号。

优选的，所述设置与有接触式接口相匹配的第一工作模式具体为：

将所述SRAM设置为高读写速度模式，具体为50MHz及以上的读写速度模式，在该模式下的平均电流在3mA-4mA内。

优选，所述设置与非接触式接口相匹配的第二工作模式具体为：

将所述SRAM设置为中低读写速度模式，具体为25MHz的读写速度模式，在该模式下的平均电流为0.8mA。

本发明还提供了一种双界面智能卡芯片工作状态管理装置，包括：

信号接收模块，用于接收指示信号，所述指示信号指示所述双界面智能卡芯片的SRAM的工作模式；

工作模式启动模块，用于所述双界面智能卡芯片启动所述指示信号指示的工作模式。

优选的，上述双界面智能卡芯片工作状态管理装置还包括：

设置模块，用于设置所述SRAM的工作模式和启动条件。

优选的，所述设置模块包括：

第一设置单元，用于设置与有接触式接口相匹配的第一工作模式，所述第一工作模式的启动条件为所述指示信号内携带有指示启动所述第一工作模式的标识信号；

第二设置单元，用于设置与非接触式接口相匹配的第二工作模式，所述第二工作模式的启动条件为所述指示信号内携带有指示启动所述第二工作模式的标识信号。

优选的，所述第一设置单元具体用于将所述SRAM设置为高读写速度模式。

优选的，所述第二设置单元具体用于将所述SRAM设置为中低读写速度模式。

本发明提供了一种双界面智能卡芯片工作状态管理方法和装置，接收指示信号，所述指示信号指示所述双界面智能卡芯片的SRAM的工作模式，所述双界面智能卡芯片启动所述指示信号指示的工作模式，为双界面智能卡的SRAM设置了多种适应不同接口的工作模式，实现了对SRAM工作模式的切换控制，解决了双界面智能卡芯片受SRAM工作状态限制的问题。

附图说明

图1为本发明的实施例一提供的一种双界面智能卡芯片工作状态管理方法的流程图；

图2为本发明的实施例二提供的一种双界面智能卡芯片工作状态管理装置的结构示意图；

图3为本发明的实施例二提供的又一种双界面智能卡芯片工作状态管理装置的结构示意图；

图4为图3中设置模块203的结构示意图。

具体实施方式

现有技术的缺点是：若要降低SRAM的平均电流和峰值电流，就要降低SRAM的工作速度；若要提高SRAM的工作速度，则其平均电流和峰值电流也会相应地增大，增加了SRAM上的功耗。两者相互制约，使得SRAM的工作速度不能够达到高速，其峰值电流也不能够降低到比较低的水平，从而制约着双界面智能卡芯片的性能。

为了解决上述问题，本发明提供了一种双界面智能卡芯片工作状态管理方法。下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

首先结合附图，对本发明的实施例进行说明。

本发明实施例提供了一种双界面智能卡芯片工作状态管理方法，使用该方法完成对SRAM控制的流程如图1所示，包括：

步骤101、设置SRAM的工作模式和启动条件；

在本发明实施例中，针对双界面智能卡芯片在有接触式接口工作和非接触式接口各自工作的特点的不同，提出了对SRAM的工作方式进行划分并用一组指示信号控制的方法。在SRAM的端口添加标记信号作为指示信号，可以指示多种工作状态。本发明实施例中，以两种工作模式为例进行说明。本步骤中，设置与有接触式接口相匹配的第一工作模式，所述第一工作模式的启动条件为所述指示信号内携带有指示启动所述第一工作模式的标识信号，具体的，将所述SRAM设置为高读写速度模式。

当指示信号指示第一工作模式时，代表双界面智能卡芯片在有接触式接口工作的情况下，需要SRAM工作于与有接触式接口相匹配的工作模式。接触式接口可以从外部读卡器通过接触的方式获得能量，这种方式获得的能量可以适当的大一些，整个芯片可以工作在速度较高的状态，包括SRAM也需要工作在高速数据读写方式。

例如平均电流在3mA～4mA的范围，峰值电流高达160mA(2Kx8bit的SRAM)。通过指示信号的控制，可以让SRAM的数据读写速度达到50MHz以上，而功耗相对适中就可以。需要说明的是，以上只是SRAM工作在高速数据读写方式的一种参数设定，并不是实现SRAM高速数据读写方式的唯一条件，本发明实施例对此不作限定。

同时，设置与非接触式接口相匹配的第二工作模式，所述第二工作模式的启动条件为所述指示信号内携带有指示启动所述第二工作模式的标识信号，具体的，将所述SRAM设置为中低读写速度模式。

当指示信号指示第二工作模式时，代表双界面智能卡芯片只有非接触式接口单独工作。由于双界面智能卡芯片在非接触式接口单独工作时能量是通过天线耦合过来的，获得的能量不可能大，芯片上的各个模块都必须工作在低功耗的方式，SRAM也一样必须工作在低速数据读写的方式。

例如，将平均电流控制在0.8mA左右，峰值电流为4mA左右(2Kx8bit的SRAM)。通过指示信号的控制，让SRAM的数据读写速度控制在中等速度水平，达到25MHz，而功耗得到很大的降低。需要说明的是，以上只是SRAM工作在低速数据读写方式的一种参数设定，并不是实现SRAM低速数据读写方式的唯一条件，本发明实施例对此不作限定。

步骤102、接收指示信号，所述指示信号指示所述双界面智能卡芯片的SRAM的工作模式；

本步骤中，SRAM接收指示信号，并提取该指示信号中的内容，以判定应工作在何种状态之下。

步骤103、所述双界面智能卡芯片启动所述指示信号指示的工作模式；

本步骤中，SRAM根据指示信号的指示，启动相应的工作模式，以与接口相匹配。

需要说明的是，SRAM可能有多种工作方式：高速方式和低电流方式是其中的一种划分方法，本发明实施例仅以此为例进行说明，对其他工作模式的定义方式不作限制。

下面结合附图，对本发明的实施例二进行说明。

本发明实施例提供了一种双界面智能卡芯片工作状态管理装置，其结构如图2所示，包括：

信号接收模块201，用于接收指示信号，所述指示信号指示所述双界面智能卡芯片的SRAM的工作模式；

工作模式启动模块202，用于所述双界面智能卡芯片启动所述指示信号指示的工作模式。

优选的，上述双界面智能卡芯片工作状态管理装置如图3所示，还包括：

设置模块203，用于设置所述SRAM的工作模式和启动条件。

优选的，所述设置模块203的结构如图4所示，包括：

第一设置单元2031，用于设置与有接触式接口相匹配的第一工作模式，所述第一工作模式的启动条件为所述指示信号内携带有指示启动所述第一工作模式的标识信号；

第二设置单元2032，用于设置与非接触式接口相匹配的第二工作模式，所述第二工作模式的启动条件为所述指示信号内携带有指示启动所述第二工作模式的标识信号。

优选的，所述第一设置单元2031具体用于将所述SRAM设置为高读写速度模式。

优选的，所述第二设置单元2032具体用于将所述SRAM设置为中低读写速度模式。

本发明的实施例提供的双界面智能卡芯片状态管理装置，能够与本发明的实施例所提供的一种双界面智能卡芯片状态管理方法相结合，接收指示信号，所述指示信号指示所述双界面智能卡芯片的SRAM的工作模式，所述双界面智能卡芯片启动所述指示信号指示的工作模式，为双界面智能卡的SRAM设置了多种适应不同接口的工作模式，实现了对SRAM工作模式的切换控制，解决了双界面智能卡芯片在有接触式接口工作时对SRAM高速数据读写的要求和在非接触接口单独工作时对SRAM读写数据低电流的要求的矛盾造成的双界面智能卡芯片性能受限的问题。

这样，双界面智能卡芯片由于对其两个接口工作时的特点不同，对SRAM工作方式进行划分并用一个指示信号控制的方法后，就不必在高速和低电流之间进行折中，完全可以让双界面智能卡芯片在有接触式接口工作时SRAM进行高速数据读写，在非接触式接口单独工作时SRAM做到低功耗低电流，根据情况选择SRAM的工作方式，既满足接触式工作时的高速要求，又满足非接触式单独工作时的低电流要求，无需在高速与低电流之间进行折中，从而能够很好的保证双界面智能卡芯片的性能。

本领域普通技术人员可以理解上述实施例的全部或部分步骤可以使用计算机程序流程来实现，所述计算机程序可以存储于一计算机可读存储介质中，所述计算机程序在相应的硬件平台上(如系统、设备、装置、器件等)执行，在执行时，包括方法实施例的步骤之一或其组合。

可选地，上述实施例的全部或部分步骤也可以使用集成电路来实现，这些步骤可以被分别制作成一个个集成电路模块，或者将它们中的多个模块或步骤制作成单个集成电路模块来实现。这样，本发明不限制于任何特定的硬件和软件结合。

上述实施例中的各装置/功能模块/功能单元可以采用通用的计算装置来实现，它们可以集中在单个的计算装置上，也可以分布在多个计算装置所组成的网络上。

上述实施例中的各装置/功能模块/功能单元以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。上述提到的计算机可读取存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。

任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求所述的保护范围为准。

Claims

1.一种双界面智能卡芯片工作状态管理方法，其特征在于，包括：

接收指示信号，所述指示信号指示所述双界面智能卡芯片的静态随机存储器(SRAM)的工作模式；

所述双界面智能卡芯片启动所述指示信号指示的工作模式。

2.根据权利要求1所述的双界面智能卡芯片工作状态管理方法，其特征在于，该方法还包括：

设置所述SRAM的工作模式和启动条件。

3.根据权利要求2所述的双界面智能卡芯片工作状态管理方法，其特征在于，所述设置所述SRAM的工作模式和启动条件包括：

4.根据权利要求3所述的双界面智能卡芯片工作状态管理方法，其特征在于，所述设置与有接触式接口相匹配的第一工作模式具体为：

5.根据权利要求3所述的双界面智能卡芯片工作状态管理方法，其特征在于，所述设置与非接触式接口相匹配的第二工作模式具体为：

6.一种双界面智能卡芯片工作状态管理装置，其特征在于，包括：

7.根据权利要求6所述的双界面智能卡芯片工作状态管理装置，其特征在于，该装置还包括：

设置模块，用于设置所述SRAM的工作模式和启动条件。

8.根据权利要求7所述的双界面智能卡芯片工作状态管理装置，其特征在于，所述设置模块包括：

9.根据权利要求8所述的双界面智能卡芯片状态管理装置，其特征在于，所述第一设置单元具体用于将所述SRAM设置为高读写速度模式。

10.根据权利要求8所述的双界面智能卡芯片状态管理装置，其特征在于，所述第二设置单元具体用于将所述SRAM设置为中低读写速度模式。