CN102778906B - 二级恒温控制半导体激光器 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种二级恒温控制半导体激光器，它包括半导体激光器、用于控制所述半导体激光器温度的一级恒温控制电路、恒温控制腔和二级恒温控制装置；所述恒温控制腔由保温腔体和设置在所述保温腔体腔口的导热块构成，所述二级恒温控制装置包括二级恒温控制电路、温度传感器TS和热电制冷片TEC；所述半导体激光器、所述一级恒温控制电路和所述温度传感器TS均设置在所述恒温控制腔内，所述热电制冷片TEC一侧设置在所述导热块外侧，所述二级恒温控制电路分别连接所述温度传感器TS和所述热电制冷片TEC。本发明具有体积小、功耗低、温度适用范围广、性能可靠、使用方便的优点。

Description

二级恒温控制半导体激光器

技术领域

本发明涉及一种恒温控制装置，具体的说，涉及了一种二级恒温控制半导体激光器。

背景技术

半导体激光器具有单色性好、相干性好、方向性好、体积小、重量轻、转换效率高、耗电量小等特点，在国防、通信、工业等领域得到了越来越多的应用。可调谐半导体激光器因其波长可调谐的特点而得到了广泛的应用，但是，该激光器对工作条件的要求非常苛刻，温度的变化会影响其发射波长、输出功率等参数，从而对测试结果产生严重影响。

（1）温度对波长的影响。半导体激光器在工作电流恒定的情况下，温度每升高1℃，激光波长将增加0.1~0.3nm。在气体探测领域，每种气体分子有固有的吸收光谱，只有半导体激光器的波长准确地调谐在被测气体的吸收峰时，光通过气体才会产生吸收，通过分析光强信息，才能够探测气体的浓度，波长稍微偏移就会严重影响测量的结果，所以必须稳定激光器的输出波长；

（2）温度对输出功率、寿命的影响。温度升高会造成激光器阈值电流增大，从而使输出功率下降，减少使用寿命。

由此可见，对半导体激光器的温度进行控制是很有必要的，基于此，一般的激光器内部都集成了热敏电阻和热电制冷器。而目前对半导体激光器的温度控制大都采用一级温控，即利用专用的温度控制芯片，对激光器内部集成的热电制冷器进行加热或制冷来控制激光器的温度。这种控制方式，在激光器工作环境温度范围较宽的情况下，控制的效果很不理想。而另一种控制方式是采用市面上销售的激光二极管温度控制器进行控制，这种方式虽然效果较好，但是体积大、价格昂贵，性价比较低。

为了解决以上存在的问题，人们一直在寻求一种理想的技术解决方案。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术的不足，从而提供一种体积小、功耗低、温度适用范围广、性能可靠、使用方便的二级恒温控制半导体激光器。

为了实现上述目的，本发明所采用的技术方案是：一种二级恒温控制半导体激光器，它包括半导体激光器、用于控制所述半导体激光器温度的一级恒温控制电路、恒温控制腔和二级恒温控制装置；所述恒温控制腔由保温腔体和设置在所述保温腔体腔口的导热块构成，所述二级恒温控制装置包括二级恒温控制电路、温度传感器TS和热电制冷片TEC；所述半导体激光器、所述一级恒温控制电路和所述温度传感器TS均设置在所述恒温控制腔内，所述热电制冷片TEC一侧设置在所述导热块外侧，所述二级恒温控制电路电连接所述温度传感器TS以便采集所述恒温控制腔内的环境温度，所述二级恒温控制电路连接所述热电制冷片TEC以便根据采集的环境温度控制所述热电制冷片TEC的一侧进行加热或制冷。

基于上述，它还包括散热块，所述散热块设置在所述热电制冷片TEC另一侧。

基于上述，所述一级恒温控制电路包括微处理器模块U1、DA转换模块U2、运算放大器A、温度控制芯片U3、第一H桥电路以及分别集成在所述半导体激光器内部的热敏电阻RT和热电制冷器CL；所述微处理器模块U1连接所述DA转换模块U2的输入端，所述DA转换模块U2的输出端连接所述运算放大器A的反相输入端，所述热敏电阻RT的一端连接所述运算放大器A的同相输入端，所述热敏电阻RT的另一端接地，所述运算放大器A的输出端接所述温度控制芯片U3，所述温度控制芯片U3通过所述H桥电路连接所述热电制冷器CL以便控制所述热电制冷器CL的一侧进行加热或制冷。

基于上述，所述温度控制芯片U3是型号为LTC1923的温度控制芯片。

基于上述，所述二级恒温控制电路包括微处理器单元U4、第二H桥电路和H桥驱动电路，所述微处理器单元U4连接所述温度传感器TS，所述微处理器单元U4通过所述H桥驱动电路连接所述第二H桥电路，所述热电制冷片TEC跨接在所述第二H桥电路的两个接入端之间，所述热电制冷片TEC的正接入端连接所述第二H桥电路的第一接入端，所述热电制冷片TEC的负接入端连接所述第二H桥电路的第二接入端。

基于上述，所述热电制冷片TEC的正接入端和所述第二H桥电路的第一接入端之间以及所述热电制冷片TEC的负接入端和所述第二H桥电路的第二接入端之间均连接有LC滤波电路，所述LC滤波电路由一个电感和一个电容组成。

基于上述，所述H桥电路包括两个P型MOS管和两个N型MOS管；所述第一P型MOS管的栅极作为所述H桥电路的第一使能端，所述第一P型MOS管的漏极接电源，所述第一P型MOS管的源极接所述第一N型MOS管的漏极，所述第一N型MOS管的源极接地，所述第一N型MOS管的栅极作为所述H桥电路的第二使能端；所述第二P型MOS管的栅极作为所述H桥电路的第三使能端，所述第二P型MOS管的漏极接电源，所述第二P型MOS管的源极接所述第二N型MOS管的漏极，所述第二N型MOS管的源极接地，所述第二N型MOS管的栅极作为所述H桥电路的第四使能端；所述第一P型MOS管的源极作为所述H桥电路的第一接入端，所述第二P型MOS管的源极作为所述H桥电路的第二接入端。

基于上述，所述H桥驱动电路包括四路驱动电路，其中，所述第一驱动电路包括三极管Q5、电阻R1和电阻R2，所述三极管Q5的基极经所述电阻R1连接到所述微处理器单元U4的第一控制端，所述三极管Q5的集电极经所述电阻R2连接到电源，所述三极管Q5的发射极接地，所述三极管Q5的集电极和所述电阻R2的公共接点连接所述第二H桥电路的第一使能端；

所述第二驱动电路包括三极管Q6、三极管Q7、电阻R3、电阻R4、电阻R5和电阻R6，所述三极管Q6的基极经所述电阻R3连接到所述微处理器单元U4的第一控制端，所述三极管Q6的集电极经所述电阻R4连接到电源，所述三极管Q6的发射极接地，所述三极管Q6的集电极和所述电阻R4的公共接点经所述电阻R5连接所述三极管Q7的基极，所述三极管Q7的发射极接电源，所述三极管Q7的集电极经所述电阻R6接地，所述三极管Q7的集电极和所述电阻R6的公共接点连接所述第二H桥电路的第二使能端；

所述第三驱动电路包括三极管Q8、电阻R7和电阻R8，所述三极管Q8的基极经所述电阻R7连接到所述微处理器单元U4的第二控制端，所述三极管Q8的集电极经所述电阻R8连接到电源，所述三极管Q8的发射极接地，所述三极管Q8的集电极和所述电阻R8的公共接点连接所述第二H桥电路的第三使能端；

所述第四驱动电路包括三极管Q9、三极管Q10、电阻R9、电阻R10、电阻R11和电阻R12，所述三极管Q9的基极经所述电阻R9连接到所述微处理器单元U4的第二控制端，所述三极管Q9的集电极经所述电阻R10连接到电源，所述三极管Q9的发射极接地，所述三极管Q9的集电极和所述电阻R10的公共接点经所述电阻R11连接所述三极管Q10的基极，所述三极管Q10的发射极接电源，所述三极管Q10的集电极经所述电阻R12接地，所述三极管Q10的集电极和所述电阻R12的公共接点连接所述第二H桥电路的第四使能端。

本发明相对现有技术具有突出的实质性特点和显著进步，具体的说，本发明在一级恒温控制的基础上，采用简单的二级恒温控制对半导体激光器进行恒温控制，很好地稳定了半导体激光器的温度，提高了半导体激光器的工作环境适应能力，并尽可能地减小了保温腔体的体积，降低了功耗。

附图说明

图1是本发明的结构示意图。

图2是一级恒温控制电路的电路原理图。

图3是二级恒温控制装置的电路原理图。

具体实施方式

下面通过具体实施方式，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。

如图1所示，一种二级恒温控制半导体激光器，它包括半导体激光器1、用于控制所述半导体激光器1温度的一级恒温控制电路2、恒温控制腔、二级恒温控制装置和散热块3，所述恒温控制腔由保温腔体4和设置在所述保温腔体4腔口的导热块5构成，所述二级恒温控制装置包括二级恒温控制电路6、温度传感器TS7和热电制冷片TEC8。

所述恒温控制腔能有效阻止其内部环境与外部环境进行热交换，以使恒温控制的效果不受外部环境的影响，所述保温腔体4的材料可以选用隔热材料；所述热电制冷片TEC8一侧设置在所述导热块5的外侧，以实现所述热电制冷片TEC8与所述恒温控制腔内部环境之间的热交换，所述散热块3设置在所述热电制冷片TEC8的另一侧，以使所述热电制冷片TEC8能与外部环境进行有效的热交换，其中，所述导热块5和所述散热块3的材料均可以使用铜或铝等导热金属制作；为了便于所述热电制冷片TEC8与所述导热块5和所述散热块3之间很好地进行热交换，所述导热块5、所述散热块3和所述热电制冷片TEC8接触的地方可以涂上导热硅脂。

所述半导体激光器1、所述一级恒温控制电路2和所述温度传感器TS7均设置在所述恒温控制腔内，所述二级恒温控制电路6电连接所述温度传感器TS以便采集所述恒温控制腔内的环境温度，所述二级恒温控制电路6连接所述热电制冷片TEC8以便根据采集的环境温度控制所述热电制冷片TEC8的一侧进行加热或制冷。

图2、图3是本发明中具体的恒温控制的电路原理图。

如图2所示，所述一级恒温控制电路包括微处理器模块U1、DA转换模块U2、运算放大器A、型号为LTC1923的温度控制芯片U3、第一H桥电路以及分别集成在所述半导体激光器内部的热敏电阻RT和热电制冷器CL；所述微处理器模块U1连接所述DA转换模块U2的输入端，所述DA转换模块U2的输出端连接所述运算放大器A的反相输入端，所述热敏电阻RT的一端连接所述运算放大器A的同相输入端，所述热敏电阻RT的另一端接地；所述运算放大器A的输出端接所述温度控制芯片U3，所述温度控制芯片U3连接所述第一H桥电路，其中，所述第一H桥电路包括P型MOS管Q11、P型MOS管Q13、N型MOS管Q12和N型MOS管Q14；所述P型MOS管Q11的栅极连接所述温度控制芯片U3的第一控制端，所述P型MOS管Q11的漏极接电源，所述P型MOS管Q11的源极接所述N型MOS管Q12的漏极，所述N型MOS管Q12的源极接地，所述N型MOS管Q12的栅极连接所述温度控制芯片U3的第二控制端，所述P型MOS管Q13的栅极连接所述温度控制芯片U3的第三控制端，所述P型MOS管Q3的漏极接电源，所述P型MOS管Q13的源极接所述N型MOS管Q14的漏极，所述N型MOS管Q14的源极接地，所述N型MOS管Q14的栅极连接所述温度控制芯片U3的第四控制端，所述P型MOS管Q11的源极作为所述第一H桥电路的第一接入端，所述P型MOS管Q13的源极作为所述第一H桥电路的第二接入端；所述热电制冷器CL的正接入端CL+连接所述第一H桥电路的第一接入端，所述热电制冷器CL的负接入端CL-连接所述第一H桥电路的第二接入端，所述温度控制芯片U3根据所述运算放大器A比较的结果控制所述热电制冷器CL的电流大小及方向，实现对所述半导体激光器1的加热或制冷，从而完成一级恒温控制。

如图3所示，所述二级恒温控制电路6包括微处理器单元U4、第二H桥电路和H桥驱动电路，所述微处理器单元U4连接所述温度传感器TS以便采集所述恒温控制腔内的环境温度；

所述第二H桥电路包括P型MOS管Q1、P型MOS管Q3、N型MOS管Q2和N型MOS管Q4；所述P型MOS管Q1的栅极作为所述H桥电路的第一使能端，所述P型MOS管Q1的漏极接电源，所述P型MOS管Q1的源极接所述N型MOS管Q2的漏极，所述N型MOS管Q2的源极接地，所述N型MOS管Q2的栅极作为所述H桥电路的第二使能端；所述P型MOS管Q3的栅极作为所述H桥电路的第三使能端，所述P型MOS管Q3的漏极接电源，所述P型MOS管Q3的源极接所述N型MOS管Q4的漏极，所述N型MOS管Q4的源极接地，所述N型MOS管Q4的栅极作为所述H桥电路的第四使能端；所述P型MOS管Q1的源极作为所述第二H桥电路的第一接入端，所述P型MOS管Q3的源极作为所述第二H桥电路的第二接入端；所述热电制冷片TEC的正接入端TEC+连接所述第二H桥电路的第一接入端，所述热电制冷片TEC的负接入端TEC-连接所述第二H桥电路的第二接入端。

所述微处理器单元U4通过所述H桥驱动电路连接所述第二H桥电路，所述H桥驱动电路包括四路驱动电路，其中，所述第一驱动电路包括三极管Q5、电阻R1和电阻R2，所述三极管Q5的基极经所述电阻R1连接到所述微处理器单元U4的第一控制端，所述三极管Q5的集电极经所述电阻R2连接到电源，所述三极管Q5的发射极接地，所述三极管Q5的集电极和所述电阻R2的公共接点连接所述第二H桥电路的第一使能端，通过所述微处理器单元U4控制所述三极管Q5的导通来驱动所述P型MOS管Q1的导通；

所述第二驱动电路包括三极管Q6、三极管Q7、电阻R3、电阻R4、电阻R5和电阻R6，所述三极管Q6的基极经所述电阻R3连接到所述微处理器单元U4的第一控制端，所述三极管Q6的集电极经所述电阻R4连接到电源，所述三极管Q6的发射极接地，所述三极管Q6的集电极和所述电阻R4的公共接点经所述电阻R5连接所述三极管Q7的基极，所述三极管Q7的发射极接电源，所述三极管Q7的集电极经所述电阻R6接地，所述三极管Q7的集电极和所述电阻R6的公共接点连接所述第二H桥电路的第二使能端，通过所述微处理器单元U4控制所述三极管Q6、Q7的导通来驱动所述N型MOS管Q2的导通；

所述第三驱动电路包括三极管Q8、电阻R7和电阻R8，所述三极管Q8的基极经所述电阻R7连接到所述微处理器单元U4的第二控制端，所述三极管Q8的集电极经所述电阻R8连接到电源，所述三极管Q8的发射极接地，所述三极管Q8的集电极和所述电阻R8的公共接点连接所述第二H桥电路的第三使能端，通过所述微处理器单元U4控制所述三极管Q8的导通来驱动所述P型MOS管Q3的导通；

所述第四驱动电路包括三极管Q9、三极管Q10、电阻R9、电阻R10、电阻R11和电阻R12，所述三极管Q9的基极经所述电阻R9连接到所述微处理器单元U4的第二控制端，所述三极管Q9的集电极经所述电阻R10连接到电源，所述三极管Q9的发射极接地，所述三极管Q9的集电极和所述电阻R10的公共接点经所述电阻R11连接所述三极管Q10的基极，所述三极管Q10的发射极接电源，所述三极管Q10的集电极经所述电阻R12接地，所述三极管Q10的集电极和所述电阻R12的公共接点连接所述第二H桥电路的第四使能端，通过所述微处理器单元U4控制所述三极管Q9、Q10的导通来驱动所述N型MOS管Q4的导通；需要特别说明的是，所述三极管Q7和所述三极管Q10为P型管，其余的三极管为N型管。

进一步的，为了保证流经所述热电制冷片TEC8和所属热电制冷器CL的电流的稳定，所述热电制冷片TEC8的正接入端TEC+和所述第二H桥电路的第一接入端之间连接有由电感L1和电容C1组成的LC滤波电路，所述热电制冷片TEC的负接入端TEC-和所述第二H桥电路的第二接入端之间连接有由电感L2和电容C2组成的LC滤波电路，在其它的实施例中同样可以采用这样的方式来连接H桥电路和热电制冷器。

所述一级恒温控制电路2采用负反馈，进行一级恒温控制时，首先由所述微处理器模块U1设定一个与所述半导体激光器1工作温度相对应电压的数字量，经所述DA转换模块U2的数模转换为一个电压值。所述热敏电阻RT反馈的电压值，反应了所述半导体激光器1的温度，该电压值与设定的电压值输入所述运算放大器A比较后，比较的结果输入所述温度控制芯片U3，所述温度控制芯片U3通过所述第一H桥电路控制所述热电制冷器CL上的电流大小及方向，从而实现对所述半导体激光器1进行加热或制冷，使所述半导体激光器1稳定在设定的温度。

恒温控制开始之前，所述微处理器单元U4首先设定一个温度值，开始后，所述微处理器单元U4不断采集所述温度传感器TS7检测的温度值，然后将采集的温度值与设定的温度值相比较，经过计算，再根据比较的结果控制通过所述热电制冷片TEC8的电流大小及方向，使所述热电制冷片TEC8对所述恒温控制腔进行加热或制冷，从而满足所述恒温控制腔内部恒温的要求；

当采集的温度值高于设定的温度值时，所述微处理器单元U4经过计算输出，控制所述H桥驱动电路，设置所述P型MOS管Q1、所述N型MOS管Q4同时导通，使所述第二H桥电路的电流按照从TEC+流入，TEC-流出的方向通过所述热电制冷片TEC8，所述热电制冷片TEC8对所述恒温控制腔进行制冷；

当采集的温度值低于设定的温度值时，所述微处理器单元U4控制所述H桥驱动电路，设置所述P型MOS管Q3、所述N型MOS管Q2同时导通，自动反转所述第二H桥电路的电流流向，即所述第二H桥电路的电流按照从TEC-流入，TEC+流出的方向通过所述热电制冷片TEC8，使所述热电制冷片TEC8对所述恒温控制腔进行加热，从而实现对所述恒温控制腔的恒温控制。

该二级恒温控制半导体激光器在一级恒温控制的基础上，采用简单的二级恒温控制对所述半导体激光器1进行恒温控制，很好地稳定了所述半导体激光器1的温度，提高了所述半导体激光器1的工作环境适应能力，并尽可能地减小了所述恒温控制腔的体积，降低了功耗。

最后应当说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其限制；尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细的说明，所属领域的普通技术人员应当理解：依然可以对本发明的具体实施方式进行修改或者对部分技术特征进行等同替换；而不脱离本发明技术方案的精神，其均应涵盖在本发明请求保护的技术方案范围当中。

Claims (9)

1.一种二级恒温控制半导体激光器，包括半导体激光器和用于控制所述半导体激光器温度的一级恒温控制电路，其特征在于：它还包括恒温控制腔和二级恒温控制装置；所述恒温控制腔由保温腔体和设置在所述保温腔体腔口的导热块构成，所述二级恒温控制装置包括二级恒温控制电路、温度传感器TS和热电制冷片TEC；所述半导体激光器、所述一级恒温控制电路和所述温度传感器TS均设置在所述恒温控制腔内，所述热电制冷片TEC一侧设置在所述导热块外侧，所述二级恒温控制电路电连接所述温度传感器TS以便采集所述恒温控制腔内的环境温度，所述二级恒温控制电路连接所述热电制冷片TEC以便根据采集的环境温度控制所述热电制冷片TEC的一侧进行加热或制冷。

2.根据权利要求1所述的二级恒温控制半导体激光器，其特征在于：它还包括散热块，所述散热块设置在所述热电制冷片TEC另一侧。

3.根据权利要求1或2所述的二级恒温控制半导体激光器，其特征在于：所述一级恒温控制电路包括微处理器模块U1、DA转换模块U2、运算放大器A、温度控制芯片U3、第一H桥电路以及分别集成在所述半导体激光器内部的热敏电阻RT和热电制冷器CL；所述微处理器模块U1连接所述DA转换模块U2的输入端，所述DA转换模块U2的输出端连接所述运算放大器A的反相输入端，所述热敏电阻RT的一端连接所述运算放大器A的同相输入端，所述热敏电阻RT的另一端接地，所述运算放大器A的输出端接所述温度控制芯片U3，所述温度控制芯片U3通过所述H桥电路连接所述热电制冷器CL以便控制所述热电制冷器CL的一侧进行加热或制冷。

4.根据权利要求3所述的二级恒温控制半导体激光器，其特征在于：所述温度控制芯片U3是型号为LTC1923的温度控制芯片。

5.根据权利要求1所述的二级恒温控制半导体激光器，其特征在于：所述二级恒温控制电路包括微处理器单元U4、第二H桥电路和H桥驱动电路，所述微处理器单元U4连接所述温度传感器TS，所述微处理器单元U4通过所述H桥驱动电路连接所述第二H桥电路，所述热电制冷片TEC跨接在所述第二H桥电路的两个接入端之间，所述热电制冷片TEC的正接入端连接所述第二H桥电路的第一接入端，所述热电制冷片TEC的负接入端连接所述第二H桥电路的第二接入端。

6.根据权利要求5所述的二级恒温控制半导体激光器，其特征在于：所述热电制冷片TEC的正接入端和所述第二H桥电路的第一接入端之间以及所述热电制冷片TEC的负接入端和所述第二H桥电路的第二接入端之间均连接有LC滤波电路，所述LC滤波电路由一个电感和一个电容组成。

7.根据权利要求3所述的二级恒温控制半导体激光器，其特征在于：所述H桥电路包括第一P型MOS管、第二P型MOS管、第一N型MOS管和第二N型MOS管；所述第一P型MOS管的栅极作为所述H桥电路的第一使能端，所述第一P型MOS管的漏极接电源，所述第一P型MOS管的源极接所述第一N型MOS管的漏极，所述第一N型MOS管的源极接地，所述第一N型MOS管的栅极作为所述H桥电路的第二使能端；所述第二P型MOS管的栅极作为所述H桥电路的第三使能端，所述第二P型MOS管的漏极接电源，所述第二P型MOS管的源极接所述第二N型MOS管的漏极，所述第二N型MOS管的源极接地，所述第二N型MOS管的栅极作为所述H桥电路的第四使能端；所述第一P型MOS管的源极作为所述H桥电路的第一接入端，所述第二P型MOS管的源极作为所述H桥电路的第二接入端。

8.根据权利要求5所述的二级恒温控制半导体激光器，其特征在于：所述H桥电路包括第一P型MOS管、第二P型MOS管、第一N型MOS管和第二N型MOS管；所述第一P型MOS管的栅极作为所述H桥电路的第一使能端，所述第一P型MOS管的漏极接电源，所述第一P型MOS管的源极接所述第一N型MOS管的漏极，所述第一N型MOS管的源极接地，所述第一N型MOS管的栅极作为所述H桥电路的第二使能端；所述第二P型MOS管的栅极作为所述H桥电路的第三使能端，所述第二P型MOS管的漏极接电源，所述第二P型MOS管的源极接所述第二N型MOS管的漏极，所述第二N型MOS管的源极接地，所述第二N型MOS管的栅极作为所述H桥电路的第四使能端；所述第一P型MOS管的源极作为所述H桥电路的第一接入端，所述第二P型MOS管的源极作为所述H桥电路的第二接入端。

9.根据权利要求5或6所述的二级恒温控制半导体激光器，其特征在于：所述H桥驱动电路包括第一驱动电路、第二驱动电路、第三驱动电路和第四驱动电路，其中，所述第一驱动电路包括三极管Q5、电阻R1和电阻R2，所述三极管Q5的基极经所述电阻R1连接到所述微处理器单元U4的第一控制端，所述三极管Q5的集电极经所述电阻R2连接到电源，所述三极管Q5的发射极接地，所述三极管Q5的集电极和所述电阻R2的公共接点连接所述第二H桥电路的第一使能端；

所述第二驱动电路包括三极管Q6、三极管Q7、电阻R3、电阻R4、电阻R5和电阻R6，所述三极管Q6的基极经所述电阻R3连接到所述微处理器单元U4的第一控制端，所述三极管Q6的集电极经所述电阻R4连接到电源，所述三极管Q6的发射极接地，所述三极管Q6的集电极和所述电阻R4的公共接点经所述电阻R5连接所述三极管Q7的基极，所述三极管Q7的发射极接电源，所述三极管Q7的集电极经所述电阻R6接地，所述三极管Q7的集电极和所述电阻R6的公共接点连接所述第二H桥电路的第二使能端；

所述第三驱动电路包括三极管Q8、电阻R7和电阻R8，所述三极管Q8的基极经所述电阻R7连接到所述微处理器单元U4的第二控制端，所述三极管Q8的集电极经所述电阻R8连接到电源，所述三极管Q8的发射极接地，所述三极管Q8的集电极和所述电阻R8的公共接点连接所述第二H桥电路的第三使能端；

所述第四驱动电路包括三极管Q9、三极管Q10、电阻R9、电阻R10、电阻R11和电阻R12，所述三极管Q9的基极经所述电阻R9连接到所述微处理器单元U4的第二控制端，所述三极管Q9的集电极经所述电阻R10连接到电源，所述三极管Q9的发射极接地，所述三极管Q9的集电极和所述电阻R10的公共接点经所述电阻R11连接所述三极管Q10的基极，所述三极管Q10的发射极接电源，所述三极管Q10的集电极经所述电阻R12接地，所述三极管Q10的集电极和所述电阻R12的公共接点连接所述第二H桥电路的第四使能端。