CN102763188A - 等离子显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种等离子显示面板，其具备前面板及与前面板对置配置的背面板。前面板具有显示电极、覆盖显示电极的电介质层和覆盖电介质层的保护层。保护层包含基底层及形成于基底层上的金属氧化物。金属氧化物是将金属氧化物粗粒子粉碎而成的。金属氧化物与金属氧化物粗粒子在波长200nm～300nm范围内具有光致发光的峰值。金属氧化物的峰值为金属氧化物粗粒子的峰值的60％以上且低于100％的强度。

Description

等离子显示面板

技术领域

在此公开的技术涉及显示设备等所采用的等离子显示面板。

背景技术

等离子显示面板(以下称为PDP)的保护层的一个功能是放出用于使地址放电产生的初始电子。为了降低地址放电的错误，公知在保护层中具有氧化镁结晶粒子的技术(例如参照专利文献1)。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：JP特开2006-134735号公报

发明内容

PDP具备前面板和与前面板对置配置的背面板。前面板具有：显示电极与覆盖显示电极的电介质层；和覆盖电介质层的保护层。保护层包含基底层以及形成于基底层上的金属氧化物。金属氧化物是将金属氧化物粗粒子粉碎而成的。金属氧化物与金属氧化物粗粒子在波长200nm～300nm的范围内具有光致发光的峰值。金属氧化物的峰值为金属氧化物粗粒子的峰值的60％以上、低于100％的强度。

附图说明

图1是表示实施方式涉及的PDP的构造的立体图。

图2是表示实施方式涉及的前面板的剖面的概略图。

图3是表示实施方式涉及的氧化镁粗粒子(magnesium oxide coarseparticles)的粉碎前的概略图。

图4是表示实施方式涉及的氧化镁粗粒子的粉碎后的概略图。

图5是表示实施方式涉及的保护层的形成方法的流程图。

图6是表示光致发光波形的图。

图7是表示施加于PDP的驱动波形的图。

图8是表示PDP的评价结果的图。

具体实施方式

[1.PDP1的构成]

本实施方式的PDP1是交流面放电型PDP。如图1所示，PDP1具有将前面板2与背面板10对置配置的构成。前面板2与背面板10的外周部被气密密封。在被密封的PDP1内部的放电空间16中，以55kPa～80kPa的压力封入Ne(氖)及Xe(氙)等的放电气体。

在前面板2所包含的前面玻璃基板3上，作为一例，配置多列由扫描电极4及维持电极5构成的一对带状的显示电极6。再有，配置有多列黑条7。在前面玻璃基板3上，按照覆盖显示电极6与黑条7的方式，形成有作为电容器起作用的电介质层8。进而，在电介质层8的表面上形成有由氧化镁(MgO)等构成的保护层9。

另外，在扫描电极4及维持电极5与前面玻璃基板3之间，也可以形成透明电极。

在背面板10所包含的背面玻璃基板11上，在与显示电极6正交的方向上，互相平行地配置多个带状的地址电极12。进而，按照覆盖地址电极12的方式形成有基底电介质层13。进而，在基底电介质层13上形成有对放电空间16进行划分的规定高度的隔壁14。在隔壁14之间形成有通过紫外线而发出红色或蓝色或绿色的光的荧光体层15。

在显示电极6与地址电极12交叉的位置上形成有放电单元。由发出红色光的放电单元、发出蓝色光的放电单元和发出绿色光的放电单元来形成进行彩色显示的像素。

[2.PDP1的制造方法]

[2-1.前面板2的制造方法]

借助光刻法，在前面玻璃基板3上形成扫描电极4及维持电极5与黑条(black stripe)7。如图2所示，扫描电极4及维持电极5具有包含用于确保导电性的银(Ag)的白色电极4b、5b。再有，扫描电极4及维持电极5为了提高图像显示面的对比度而具有包含黑色颜料的黑色电极4a、5a。白色电极4b被层叠在黑色电极4a上。白色电极5b被层叠在黑色电极5a上。

黑色电极4a、5a的材料采用包含用于确保黑色度的黑色颜料、用于使黑色颜料粘结在一起的玻璃料、感光性树脂以及溶剂等的黑色膏剂。首先，借助丝网印刷法等，在前面玻璃基板3上涂敷黑色膏剂。接着，借助干燥炉，除去黑色膏剂中的溶剂。接着，通过规定图案的光掩模，对黑色膏剂进行曝光。

白色电极4b、5b的材料采用包含银(Ag)、用于使银粘结在一起的玻璃料、感光性树脂以及溶剂等的白色膏剂。首先，借助丝网印刷法等，在已形成了黑色膏剂的前面玻璃基板3上涂敷白色膏剂。接着，借助干燥炉，除去白色膏剂中的溶剂。接着，通过规定图案的光掩模，对白色膏剂进行曝光。

接着，使黑色膏剂及白色膏剂显影，形成黑色电极图案及白色电极图案。最后，借助烧成炉(baking oven)，以规定温度对黑色电极图案及白色电极图案进行烘焙。也就是说，除去黑色电极图案中的感光性树脂及白色电极图案中的感光性树脂。再有，黑色电极图案中的玻璃料被熔融、再次凝固。还有，白色电极图案中的玻璃料被熔融、再次凝固。借助以上的工序，形成黑色电极4a、5a及白色电极4b、5b。

黑条7与黑色电极4a、5a同样地形成。另外，黑条7也可以和黑色电极4a、5a同时形成。在此，除了对黑色电极膏剂及白色电极膏剂进行丝网印刷的方法以外，还可以采用溅射法、蒸镀法等。

接着，形成电介质层8。电介质层8的材料采用包含电介质玻璃料、树脂以及溶剂等的电介质膏剂。首先，借助压模涂敷法(die coatingmethod)等，以规定厚度并按照覆盖扫描电极4、维持电极5及黑条7的方式，在前面玻璃基板3上涂敷电介质膏剂。接着，借助干燥炉，除去电介质膏剂中的溶剂。最后，借助烘焙炉，以规定温度烘焙电介质膏剂。也就是说，除去电介质膏剂中的树脂。再有，电介质玻璃料熔融、并再次凝固。借助以上的工序，形成电介质层8。在此，除了对电介质膏剂进行压模涂敷的方法以外，还可以采用丝网印刷法、旋转涂敷法等。还有，不采用电介质膏剂，也可以借助CVD(Chemical Vapor Deposition)法等，形成作为电介质层8的膜。

接着，在电介质层8上形成保护层9。保护层9的细节后述。

通过以上的工序，前面玻璃基板3上具有规定构成部件的前面板2完成。也就是说，通过在前面玻璃基板3上形成扫描电极4、维持电极5、黑条7、电介质层8及保护层9，从而前面板2完成。

[2-2.背面板10的制造方法]

借助光刻法，在背面玻璃基板11上形成地址电极12。地址电极的材料采用包含用于确保导电性的银(Ag)、用于使银粘结在一起的玻璃料、感光性树脂及溶剂等的地址电极膏剂。首先，借助丝网印刷法等，以规定厚度在背面玻璃基板11上涂敷地址电极膏剂。接着，借助干燥炉，除去地址电极膏剂中的溶剂。接着，通过规定图案的光掩模，对地址电极膏剂进行曝光。接着，地址电极膏剂被显影，形成地址电极图案。最后，借助烘焙炉，以规定温度烘焙地址电极图案。也就是说，除去地址电极图案中的感光性树脂。还有，地址电极图案中的玻璃料熔融、再次凝固。借助以上的工序，形成地址电极12。在此，除了对地址电极膏剂进行丝网印刷的方法以外，还可以采用溅射法、蒸镀法等。

接着，形成基底电介质层13。基底电介质层13的材料采用包含基底电介质玻璃料、树脂与溶剂等的基底电介质膏剂。首先，借助丝网印刷法等，在已形成地址电极12的背面玻璃基板11上，按照覆盖地址电极12的方式以规定厚度涂敷基底电介质膏剂。接着，借助干燥炉，除去基底电介质膏剂中的溶剂。最后，借助烘焙炉，以规定温度烘焙基底电介质膏剂。也就是说，除去基底电介质膏剂中的树脂。再有，基底电介质玻璃料熔融、再次凝固。借助以上的工序，形成基底电介质层13。在此，除了对基底电介质膏剂进行丝网印刷的方法以外，还可以采用压模涂敷法、旋转涂敷法等。还有，也可以不采用基底电介质膏剂，而是借助CVD(ChemicalVapor Deposition)法等来形成作为基底电介质层13的膜。

接着，借助光刻法，形成隔壁14。隔壁14的材料采用包含填料、用于使填料粘结在一起的玻璃料、感光性树脂及溶剂等的隔壁膏剂。首先，借助压模涂敷法等，以规定厚度在基底电介质层13上涂敷隔壁膏剂。接着，借助干燥炉，除去隔壁膏剂中的溶剂。接着，通过规定图案的光掩模对隔壁膏剂进行曝光。接着，隔壁膏剂被显影而形成隔壁图案。最后，借助烘焙炉，以规定温度烘焙隔壁图案。也就是说，除去隔壁图案中的感光性树脂。再有，隔壁图案中的玻璃料被熔融、再次凝固。借助以上的工序，形成隔壁14。在此，除了光刻法以外，还可以采用喷砂法等。

接着，形成荧光体层15。荧光体层15的材料采用包含荧光体粒子、粘结剂及溶剂等的荧光体膏剂。首先，借助分送法(dispensing method)等，以规定厚度在相邻的隔壁14间的基底电介质层13上及隔壁14的侧面上涂敷荧光体膏剂。接着，借助干燥炉，除去荧光体膏剂中的溶剂。最后，借助烘焙炉，以规定温度烘焙荧光体膏剂。也就是说，除去荧光体膏剂中的树脂。借助以上的工序，形成荧光体层15。在此，除了分送法以外，还可以采用丝网印刷法等。

通过以上的工序，背面玻璃基板11上具有规定构成部件的背面板10完成。也就是说，通过在背面玻璃基板11上形成地址电极12、基底电介质层13、隔壁14及荧光体层15，从而背面板10完成。

[2-3.前面板2与背面板10的组装方法]

首先，借助分送法等，在背面板10的周围形成密封部(未图示)。密封部(未图示)的材料采用包含玻璃料、粘结剂与溶剂等的密封膏剂。接下来，借助干燥炉，除去密封膏剂中的溶剂。接着，按照显示电极6与地址电极12正交的方式，将前面板2与背面板10对置配置。接着，利用玻璃料来密封前面板2与背面板10的周围。最后，通过在放电空间16中封入包含Ne、Xe等的放电气体，从而PDP1完成。

[3.保护层9的细节]

如图2所示，保护层9包含基底膜91和金属氧化物结晶粒子92a。作为一例，基底膜91是作为杂质而含有铝(Al)的氧化镁(MgO)膜。本实施方式中，将多个金属氧化物结晶粒子92a凝集在一起而成的凝集粒子92，按照在基底膜91的整个面上均匀地分布的方式附着有多个。

另外，本实施方式中，只要多个凝集粒子92附着在基底膜91中相当于显示区域的区域的整个面上即可。也就是说，凝集粒子92无需附着到基底膜91中相当于显示区域的区域之外。进而，“均匀”指的是每个放电单元中附着有至少一个凝集粒子92。进而，多个凝集粒子92中包含有2个～4个金属氧化物结晶粒子92a凝集而成的凝集粒子。

[3-1.凝集粒子92的细节]

在开始地址放电时，作为触发(trigger)的初始电子从保护层9的表面被放出到放电空间16中。认为初始电子量不足是放电延迟的主要原因。凝集粒子92及金属氧化物结晶粒子92a具有主要抑制作为地址放电中的放电延迟的效果、和改善放电延迟的温度依存性的效果。即，凝集粒子92及金属氧化物结晶粒子92a具有高的初始电子放出能力。因而在本实施方式中，作为放电脉冲上升时所需的初始电子供给部而具备凝集粒子92及金属氧化物结晶粒子92a。凝集粒子92及金属氧化物结晶粒子92a在放电脉冲上升时使初始电子丰富地存在于放电空间16中。因此，PDP1变得更加高精细，即使用于地址放电的分配时间缩短，也可以抑制放电延迟，可以进行高速驱动。

凝集粒子92并不是多个金属氧化物结晶粒子92a作为固体通过强的结合力而结合在一起的。凝集粒子92是通过静电或范德华力等将多个一次粒子集合而成的粒子。再有，凝集粒子92是在超声波等的外力的作用下，以其一部分或全部分解为一次粒子状态的程度的力来结合的。希望金属氧化物结晶粒子92a具有14面体或12面体等具备7个面以上的面的多面体形状。

[3-2.氧化镁结晶粒子96的制作方法]

本实施方式涉及的方法是基于热分解法的方法。具体是，借助烘焙炉等，烘焙具有羟基或碳酸基的氧化镁前体(以下称为前体(precursor))。借助热，除去前体所具有的羟基或碳酸基等。结果，如图3所示，制作作为金属氧化物粗粒子的氧化镁粗粒子94。氧化镁粗粒子94是将作为金属氧化物结晶的氧化镁结晶的一次粒子98多个凝集在一起而成的。

接着，借助球磨机等来粉碎氧化镁粗粒子94。如图4所示，通过进行粉碎，制作平均粒径比氧化镁粗粒子94小的氧化镁结晶粒子96。氧化镁结晶粒子96包含将氧化镁结晶的一次粒子98及多个氧化镁结晶的一次粒子98凝集在一起而成的氧化镁凝集粒子97。氧化镁凝集粒子97的粒径要比氧化镁粗粒子94的粒径小。

另外，前体是借助液相法而生成的。由此，前体本身就是一次粒子的凝集体。再有，前体并未特别地限。例如，也可以采用氢氧化镁、碱性碳酸镁、碳酸镁、草酸镁等。

另外，若前体包含很多杂质，则有时会在所制作的氧化镁结晶粒子96中混入不想要的不杂质。若混入杂质，则有时会使氧化镁结晶粒子96的特性产生偏差。由此，优选前体的杂质较少。具体是，作为前体所包含的杂质量，通过热分解法而生成了氧化镁结晶粒子96之际残留的杂质的合计量优选为0.1重量％以下，更优选为0.01重量％以下。

作为烘焙炉，采用大气炉等。烘焙温度为700℃～1500℃的范围。最优选为1200℃左右。烘焙时间虽然是依据于烘焙温度的，但为1小时～10小时的程度。例如，在烘焙温度为1200℃左右的情况下，5小时左右是适当的。烘焙炉的升温速度并未特别地限定。作为一例，优选5℃～10℃/min左右。烘焙时的气氛环境也未特别地限定。作为一例，采用大气、氧气、氮气、氩气等。其中，若采用氧化性气氛环境，则能够将前体所包含的杂质作为氧化气体来除去。即，烘焙时的气氛环境优选大气或氧气。

借助上述的工序可以制作氧化镁粗粒子94。氧化镁粗粒子94的平均粒径为1.0μm～4.0μm的范围。另外，本实施方式中平均粒径指的是体积累计平均直径(D50)。再有，平均粒径的测量中采用的是激光器衍射式粒度分布测量装置MT-3300(日机装株式会社制)。

若在保护层9中直接采用氧化镁粗粒子94，则制造装置有时会产生不良状况。例如，在通过丝网印刷法等使氧化镁粗粒子94附着的情况下，有时会在丝网板上产生破损等。进而，在组装前面板2与背面板10时，若将氧化镁粗粒子94直接用于保护层9，则有时隔壁14会被破坏。由此，优选将氧化镁粗粒子94粉碎为平均粒径更小。

本实施方式中，粉碎指的是将多个一次粒子凝集而成的金属氧化物粗粒子揉搓为规定平均粒径的金属氧化物。也就是说，借助粉碎来制作由与粉碎前相比更少的数目的一次粒子凝集而成的金属氧化物。或者，借助粉碎来制作金属氧化物的一次粒子。由此，本实施方式中，通过粉碎而制作出的金属氧化物的平均粒径也可以从金属氧化物结晶的一次粒子的大小变动为金属氧化物结晶的一次粒子多个凝集时的大小。另外，通过粉碎，金属氧化物结晶的一次粒子的粒径几乎不会变化。

但是，存在通过粉碎会使金属氧化物的初始电子放出能力降低的课题。

本实施方式中，氧化镁粗粒子94例如被球磨机粉碎。作为粉碎时的溶剂，采用乙醇。再有，除了乙醇以外，能采用甲醇、丁醇、丙醇等醇类、丙二醇、聚丙二醇、乙二醇等二醇类等有机溶剂。溶剂的使用量，相对于粉碎原料100质量部而言为20质量部～1000质量部，优选为30质量部～300质量部。

进而，也可以在溶剂中添加分散剂。分散剂是与溶剂配合使用的。分散剂例如可以采用丙烯酸系聚合物、胺系聚合物等聚合物类、硝酸、盐酸、硫酸等无机酸、草酸、柠檬酸、乙酸、苹果酸、乳酸等有机酸、甲醇、乙醇、丙醇等醇类、聚羧酸铵等表面活性剂等。在采用分散剂的情况下，分散剂的添加量相对于溶剂100质量部而言为0.1质量部～20质量部。进而，优选为0.2质量部～10质量部。

本实施方式中，氧化镁粗粒子94在各种条件下被粉碎。粉碎条件的一览、及每种粉碎条件下的光致发光的相对峰值强度如表1所示。

【表1】

粉碎中采用了具有不锈钢制的外壳(pod)的球磨机。外壳的直径为24cm。外壳的容量为8L。中间介质(球)的直径为15mm。中间介质(media)采用的是放入铁芯的尼龙球。若在中间介质采用氧化锆(ZrO₂)或氧化铝(Al₂O₃)，则会被氧化镁粗粒子94磨削。即，因为会作为不期待的杂质而混入到氧化镁结晶粒子96中，所以不是优选的。再有，中间介质相对于外壳的填充率为5体积％～30体积％。作为原料的氧化镁粗粒子的填充率为40体积％～75体积％。外壳以30R.P.M的速度旋转2小时～10小时。

接着，粉碎后的原料被从外壳排出。最终，氧化镁结晶粒子96的平均粒径处于0.3μm～2μm的范围内。也就是说，氧化镁结晶粒子96的平均粒径指的是包含了氧化镁结晶的一次粒子98及氧化镁凝集粒子97的状态下的值。

[3-3.氧化镁结晶粒子96的评价]

如表1所示，针对氧化镁粗粒子94及氧化镁结晶粒子96测量了光致发光的发光强度。另外，作为比较例，针对通过喷射研磨而被粉碎的氧化镁结晶粒子96也测量了光致发光的发光强度。光致发光测量是在以下的条件下进行的。光源采用了发光波长146nm的受激准分子灯(Ushio电机株式会社制)。受激准分子灯被设置在样本上方的100mm的位置处。借助涡轮分子泵，将真空腔室内的压力保持在1×10^-2Pa。探测器采用的是CCD一体型且波长范围为200nm～800nm的分光器(滨松光子学株式会社制)。由于入射光的波长为146nm，故认为光致发光是从样本的基本最表面开始产生的。

全部样本在波长200nm～300nm的范围内都具有发光峰值。图6中例示粉碎前(氧化镁粗粒子94)、实施例(试样编号1)及比较例的光致发光波形。虽然图6中并未示出，但各样本在波长240nm附近具有发光峰值。

如表1所示，各样本的发光峰值强度是将氧化镁粗粒子94的发光峰值强度设为100％时的相对值(相对峰值强度)。相对峰值强度最大的样本是试样编号11。试样编号11的相对峰值强度达到了99.4％。相对峰值强度最小的样本是试样编号10。试样编号10的相对峰值强度为60.6％。其中，认为相对峰值强度降低的原因是粉碎时产生的物理冲击导致氧化镁结晶粒子96的最表面受到损坏的缘故。因此，优选在将损坏限制在最小限度的同时进行粉碎。也就是说，粉碎时，通过抑制给予氧化镁结晶粒子96的能量，从而可以抑制相对峰值强度的降低。其中，在制造实际的产品之际，希望考虑生产节拍时间等来设定粉碎条件。

在波长200nm～300nm的范围内具有发光峰值意味着：氧化镁粗粒子94及氧化镁结晶粒子96具有与波长200nm～300nm的发光峰值对应的能级。认为能级可以长时间(数msec以上)捕获初始化放电时产生的电子。地址放电时若施加地址电压，则保护层9上会形成电场。被捕获的电子借助热及电场而被取出到放电空间。若可迅速且充分地得到地址放电开始所需的初始电子，则可以将放电开始时间提前。

如上所述，若波长200nm～300nm的发光峰值强度大，则认为放电延迟时间缩短。即，抑制通过氧化镁粗粒子94的粉碎而产生的波长200nm～300nm的发光峰值强度的降低，会带来放电延迟时间的缩短。

[3-4.保护层9的形成方法]

如图5所示，保护层9的形成是在形成电介质层8之后开始的。首先，在步骤1中形成基底膜91。材料例如采用包含铝(Al)的氧化镁(MgO)的烧结体。方法例如采用真空蒸镀法。具体是，通过在真空腔室内向原材料照射电子束，从而使原材料蒸发并附着在电介质层8上。电介质层8上形成主要由氧化镁(MgO)构成的基底膜91。作为一例，基底膜91的膜厚为500nm～1000nm左右。

在步骤2中形成金属氧化物膏剂膜。材料采用将凝集粒子92与有机树脂成分和稀释溶剂一起混炼而成的金属氧化物膏剂。形成金属氧化物膏剂膜的方法，例如采用丝网印刷法。具体是，通过在基底膜91上的整个面上涂敷金属氧化物膏剂，从而形成金属氧化物膏剂膜。作为一例，金属氧化物膏剂膜的膜厚为5μm～20μm左右。其中，作为在基底膜上形成金属氧化物膏剂膜的方法，除了丝网印刷法以外，还可以采用喷雾法、旋转涂敷法、压模涂敷法、狭缝涂敷法等。

在步骤3中，对金属氧化物膏剂膜进行干燥。通过干燥炉等以规定温度加热金属氧化物膏剂膜。作为一例，温度范围为100℃～150℃左右。通过加热，可以从金属氧化物膏剂膜中除去溶剂成分。

在步骤4中，烘焙干燥后的金属氧化物膏剂膜。通过烘焙炉等，以规定温度加热金属氧化物膏剂膜。作为一例，温度范围为400℃～500℃左右。烘焙时的气氛并未特别地限定。例如，采用大气、氧气、氮气等。通过加热，可以从金属氧化物膏剂膜中除去树脂成分。

借助以上的步骤，凝集粒子92离散地附着在基底膜91上。

[4.实施例]

制作PDP并对PDP1的性能进行了评价。制作出的PDP1适合于42英寸级别的高清电视。PDP1具备前面板2以及与前面板2对置配置的背面板10。再有，前面板2与背面板10的周围被密封部密封。前面板2具有显示电极6、电介质层8与保护层9。背面板10具有地址电极12、基底电介质层13、隔壁14与荧光体层15。以60kPa的内压向PDP1封入了氙(Xe)的含有量为15体积％的氖(Ne)-氙(Xe)系的混合气体。再有，显示电极6与显示电极6的电极间距离为0.06mm。隔壁14的高度为0.15mm，隔壁14与隔壁14的间隔(单元间距)为0.15mm。

在实施例的保护层9上设置了凝集粒子92。作为凝集粒子92，采用的是表1所示的氧化镁凝集粒子97。例如，试样编号1的凝集粒子92、即氧化镁凝集粒子97的粒度分布为0.49μm(D10)、1.15μm(D50)、2.41μm(D90)。另一方面，氧化镁粗粒子94的粒度分布为0.62μm(D10)、1.86μm(D50)、3.71μm(D90)。

在比较例的保护层9上设置了凝集粒子92。作为凝集粒子92采用的是借助喷射研磨将氧化镁粗粒子94粉碎而得到的氧化镁凝集粒子97。作为通过喷射研磨而得到的凝集粒子92的氧化镁凝集粒子97的相对发光峰值强度为20.3％～57.0％。相对发光峰值强度为57.0％的样本的粒度分布为0.41μm(D10)、1.20μm(D50)、2.35μm(D90)。

实施例及比较例的凝集粒子92，其平均粒径为1.1μm。实施例及比较例的凝集粒子92的被覆率为8.0％。被覆率表示在1个放电单元的区域中以凝集粒子92所附着的面积a与1个放电单元的面积b的比率。也就是说，是根据被覆率(％)＝a/b×100的公式而计算出的参数。作为测量方法，例如利用照相机来拍摄被隔壁14划分出的相当于1个放电单元的区域。接着，所拍摄到的图像被修剪为x×y的1个单元的大小。接着，修剪后的图像被2值化为黑白数据。接着，基于被2值化后的数据来求取凝集粒子92的黑区域的面积a。最后，根据a/b×100的公式来计算被覆率。

实施例与比较例中的PDP1的制造方法的不同之处仅在于氧化镁粗粒子94的粉碎方法。

[4-1.性能评价]

为了写入放电时的“放电延迟”，通过测量产生闪烁的扫描脉冲宽度(施加时间)而对PDP1的性能进行了评价。如图7所示，向扫描电极4、维持电极5、地址电极12施加了PDP1的驱动电压。仅扫描脉冲宽度成为参数，以0.1μs间隔从1.5μs变化到0.3μs。

若扫描脉冲宽度非常长，则即使扫描电极4与地址电极12之间产生的写入放电延迟，也可以在基底膜91上蓄积使扫描电极4与维持电极5之间仅能够产生维持放电的壁电荷。然而，若缩短扫描脉冲宽度，则在写入放电中扫描脉冲下降，壁电荷向基底膜91的蓄积变得不充分。壁电荷的蓄积不充分的放电单元中，即使施加维持脉冲，也不会蓄积产生安定的维持放电的壁电荷，因此产生闪烁。

因此，作为PDP1的点亮性能评价，通过从正常点亮时的扫描脉冲宽度开始依次缩短来求取闪烁开始产生时的扫描脉冲宽度，从而可以评价PDP1的“放电延迟”特性。其中，闪烁的有无是在PDP1的全部放电单元都点亮了的状态(白色显示)下目视判断的。

另外，在该性能评价实验中向PDP施加的电压条件如下所述。

初始化电压(固定)：330V

扫描电压(固定)：-140V、脉冲宽度(可变)0.3μs～1.5μs

写入电压(固定)：70V

维持电压(固定)：200V、维持周期0.5μs

图8中示出相对发光峰值强度和闪烁开始产生时的扫描脉冲宽度。根据图8可知，闪烁开始产生时的扫描脉冲宽度依存于相对发光峰值强度。在相对发光峰值强度为60％以上、低于100％的情况下，由于扫描脉冲宽度即使为0.6μs，也不会产生闪烁，故是优选的。这是因为：凝集粒子92为了在扫描脉冲施加时放出足够量的初始电子而缩短了“放电延迟”时间的缘故。进而，在相对发光峰值强度为80％以上、低于100％的情况下，由于即使扫描脉冲宽度为0.5μs，也不会产生闪烁，故更是优选的。

另外，由于认为粉碎使得氧化镁结晶粒子96的表面受到损坏，故仅仅粉碎了氧化镁粗粒子94的情况下，相对发光峰值强度是不会成为100％以上的。

另一方面，在比较例中，在0.7μs～0.8μs开始产生闪烁。由于分配给1场的时间被固定，故若使扫描脉冲施加时间增加，则必然要采取减少维持脉冲施加时间或减少子场数的对策。在前者对策中，PDP1的亮度减少，后者的对策中可表现的灰度数减少，无论在哪个对策中都会导致PDP1的显示品质劣化。根据该结果，根据本实施方式中的PDP1，可以期待降低写入放电时的“放电延迟”、并提高显示品质。

[5.总结]

本实施方式的PDP1具备前面板2以及与前面板2对置配置的背面板10。前面板2具有：显示电极6、覆盖显示电极6的电介质层8和覆盖电介质层8的保护层9。保护层9包含作为基底层的基底膜91和形成于基底膜91上且作为金属氧化物的凝集粒子92。凝集粒子92是将作为金属氧化物粗粒子的氧化镁粗粒子94粉碎而成的。凝集粒子92与氧化镁粗粒子94在波长200nm～300nm的范围内具有光致发光的峰值。凝集粒子92的峰值为氧化镁粗粒子94的峰值的60％以上、低于100％的强度。

根据这种构成，在金属氧化物中，可抑制与初始电子放出能力的相关程度较高的波长200nm～300nm范围内的光致发光的峰值强度的降低。

另外，金属氧化物的峰值更优选为：金属氧化物粗粒子的峰值的80％以上且低于100％的强度。根据该构成，在金属氧化物中，可以进一步抑制与初始电子放出能力的相关程度较高的波长200nm～300nm范围内的光致发光的峰值强度的降低。

此外，在本实施方式中例示了金属氧化物结晶粒子92a为氧化镁结晶粒子的情况。但是，本发明不限于此。除了氧化镁(MgO)以外，还可以采用氧化锶(SrO)、氧化钙(CaO)、氧化钡(BaO)、氧化铝(Al₂O₃)等。总之，若采用具有高初始电子放出能力的金属氧化物结晶粒子92a，则可以获得同样的效果。因此，金属氧化物结晶粒子92a并未限定于氧化镁(MgO)。再有，也可以采用多种金属氧化物结晶粒子。

进而，在本实施方式中例示了基底膜91上形成有凝集粒子92的情况。但是，本发明不限于此。也就是说，金属氧化物结晶粒子92a也可以并不凝集，而是以一次粒子的状态设置在基底膜91上。具体是，氧化镁结晶的一次粒子98可以设置在基底膜91上。

再有，在本实施方式中例示了基底层为包含氧化铝的氧化镁膜的情况。但是，本发明不限于此。除了氧化镁(MgO)以外，还可以采用氧化锶(SrO)、氧化钙(CaO)、氧化钡(BaO)、氧化铝(Al₂O₃)等的金属氧化物膜。还有，也可以采用将多种金属氧化物混合之后的膜。

进而，除了金属氧化物膜以外，还可以采用氧化镁(MgO)、氧化锶(SrO)、氧化钙(CaO)、氧化钡(BaO)、氧化铝(Al₂O₃)等的金属氧化物微粒的集合体。另外，也可以采用将多种金属氧化物微粒混合在一起的集合体。

-工业可用性-

在此公开的技术可实现能够降低地址放电错误的PDP，对于大画面的显示设备等来说是有用的。

-符号说明-

1    PDP

2    前面板

3    前面玻璃基板

4    扫描电极

4a，5a    黑色电极

4b，5b    白色电极

5    维持电极

6    显示电极

7    黑条

8    电介质层

9     保护层

10    背面板

11    背面玻璃基板

12    地址电极

13    基底电介质层

14    隔壁

15    荧光体层

16    放电空间

91    基底膜

92a    金属氧化物结晶粒子

92    凝集粒子

94    氧化镁粗粒子

96    氧化镁结晶粒子

97    氧化镁凝集粒子

98    氧化镁结晶的一次粒子

Claims (2)

1.一种等离子显示面板，其具备：

前面板；和

背面板，其与所述前面板对置配置，

所述前面板具有显示电极、覆盖所述显示电极的电介质层和覆盖所述电介质层的保护层，

所述保护层包括基底层和形成于所述基底层之上的金属氧化物，

所述金属氧化物是将金属氧化物粗粒子粉碎而成的，

所述金属氧化物与所述金属氧化物粗粒子在波长200nm～300nm范围内具有光致发光的峰值，

所述金属氧化物的峰值为所述金属氧化物粗粒子的峰值的60％以上且低于100％的强度。

2.根据权利要求1所述的等离子显示面板，其中，

所述金属氧化物的峰值为所述金属氧化物粗粒子的峰值的80％以上且低于100％的强度。

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