CN102759694A - 一种晶体管检测电路 - Google Patents

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Abstract

本发明适用于电子元件检测领域，尤其涉及一种晶体管检测电路。当把待检测的晶体管与检测电路的第一检测端和第二检测端连接时，如果发光二极管H1和发光二极管H2同步闪烁，表示晶体管是好的，如果发光二极管H1闪烁而发光二极管H2总是熄灭，表示晶体管内部断路，如果发光二极管H2常亮，表示晶体管内部击穿。在本发明实施例中，该晶体管检测电路采用分立元件实现，结构简单、体积小，便于随身携带，检测方便。

Description

一种晶体管检测电路
技术领域
本发明属于电子元件检测领域，尤其涉及一种晶体管检测电路。
背景技术
晶体管是一种固定半导体器件，包括二极管、三极管、可控硅等，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和其他许多功能。
在检测晶体管好坏时，通常使用专用的万用表检测，但万用表价格少则也需要上千元，并且由于万用表的结构复杂、体积大，也不利于随身携带。
这样，在检测晶体管的时候就存在成本高和检测不方便的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶体管检测电路，旨在解决现在由于采用万用表检测晶体管，而存在检测成本高和检测不方便的问题。
本发明是这样实现的，一种晶体管检测电路，所述晶体管检测电路包括：
无稳态自激多谐振荡器、电阻R5、电阻R6、电阻R7、二极管D1、开关元件、发光二极管H1和发光二极管H2；
所述无稳态自激多谐振荡器的输入端接电池正极，所述无稳态自激多谐振荡器的接地端接电池负极，所述无稳态自激多谐振荡器的输出端接电阻R5的第一端，所述电阻R5的第二端接二极管D1的阳极，所述二极管D1的阴极接开关元件的控制端，所述开关元件的输入端接电池正极，所述开关元件的输出端接发光二极管H1的阳极，所述发光二极管H1的阴极接电阻R6的第一端，所述发光二极管H2的阳极接电池正极，所述发光二极管H2的阴极接接电阻R7的第一端，所述电阻R6的第二端为晶体管检测电路的第一检测端，所述电阻R7的第二端为晶体管检测电路的第二检测端，所述晶体管检测电路的第三检测端接电池负极。
在本发明中，当把待检测的晶体管与第一检测端和第二检测端连接时，如果发光二极管H1和发光二极管H2同步闪烁，表示晶体管是好的，如果发光二极管H1闪烁而发光二极管H2总是熄灭，表示晶体管内部断路，如果发光二极管H2常亮，表示晶体管内部击穿，该晶体管检测电路采用分立元件实现，结构简单、体积小，便于随身携带，检测方便。
附图说明
图1是本发明第一实施例提供的晶体管检测电路的电路结构图；
图2是本发明第二实施例提供的晶体管检测电路的电路结构图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
图1示出了本发明第一实施例提供的晶体管检测电路的电路结构，为了便于说明，仅示出了与本发明实施例相关的部分，详述如下。
晶体管检测电路包括：
无稳态自激多谐振荡器100、电阻R5、电阻R6、电阻R7、二极管D1、开关元件200、发光二极管H1和发光二极管H2；其中，电阻R5、电阻R6和电阻R7为限流电阻。
无稳态自激多谐振荡器100的输入端接电池BT1正极，无稳态自激多谐振荡器100的接地端接电池BT1负极，无稳态自激多谐振荡器100的输出端接电阻R5的第一端，电阻R5的第二端接二极管D1的阳极，二极管D1的阴极接开关元件200的控制端，开关元件200的输入端接电池BT1正极，开关元件200的输出端接发光二极管H1的阳极，发光二极管H1的阴极接电阻R6的第一端，发光二极管H2的阳极接电池BT1正极，发光二极管H2的阴极接接电阻R7的第一端，电阻R6的第二端为晶体管检测电路的第一检测端X1，电阻R7的第二端为晶体管检测电路的第二检测端X2，晶体管检测电路的第三检测端X3接电池负极。
作为本发明一实施例，无稳态自激多谐振荡器100包括：
电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电解电容C1、电解电容C2、NPN型三极管VT1和NPN型三极管VT2；其中，电阻R2和电阻R3为偏置电阻，电阻R1和电阻R4为限流电阻。
电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4的第一端为无稳态自激多谐振荡器100的输入端同时接电池BT1正极，电解电容C1的正极接电阻R1的第二端，电解电容C1的负极接电阻R2的第二端，电解电容C2的正极接电阻R4的第二端，电解电容C2的负极接电阻R3的第二端，NPN型三极管VT1的基极接电阻R3的第二端，NPN型三极管VT1的集电极接电阻R1的第二端，NPN型三极管VT1的发射极接电池BT1负极，NPN型三极管VT2的基极接电阻R2的第二端，NPN型三极管VT2的集电极接电阻R4的第二端，NPN型三极管VT2的发射极接电池BT1负极，NPN型三极管VT2的集电极为无稳态自激多谐振荡器100的输出端。
作为本发明一实施例，晶体管检测电路还包括开关S1，开关S1的第一端接电池BT1正极，开关S1的第二端同时接发光二极管H2的阳极、开关元件200的输入端和无稳态自激多谐振荡器100的输入端。
作为本发明一实施例，开关元件200采用NPN型三极管VT3，NPN型三极管VT3的集电极为开关元件200的输入端，NPN型三极管VT3的基极为开关元200的控制端，NPN型三极管VT3的发射极为开关元件200的输出端。
图2示出了本发明第二实施例提供的晶体管检测电路的电路结构。
作为本发明一实施例，开关元件200采用MOS管Q1，MOS管Q1的漏极为开关元件200的输入端，MOS管Q1的栅极为开关元件200的控制端，MOS管Q1的源极为开关元件200的输出端。
晶体管检测电路的工作原理为：
当待检测的晶体管为三极管时，将三极管的基极接第一检测端X1，将三极管的集电极接第二检测端X2，将三极管的发射极接第三检测端X3，无稳态自激多谐振荡器100的振荡频率由电解电容C1、电阻R2、电阻R3、电解电容C2等决定，在本发明实施例中，无稳态自激多谐振荡器100的振荡频率周期在4秒左右。当NPN型三极管VT2的集电极输出高电平时，经二极管D1整形，NPN型三极管VT3导通，并通过发光二极管H1、电阻R6限流，触发待检测三极管导通，发光二极管H2发光；当NPN型三极管VT2的集电极输出为低电平时，NPN型三极管VT3截止，待检测三极管截止，发光二极管H2不亮。发光二极管H1和发光二极管H2同步闪烁，表明待检测三极管是好的；如果发光二极管H1闪烁而发光二极管H2总是熄灭，表示检测三极管内部断路，如果发光二极管H2常亮，表示检测三极管内部击穿。此电路也可检测二极管，测量时将二极管正极接第二检测端X2，将二极管负极接第三检测端X3，如果发光二极管H2亮则待测二极管是好的；反向再插，发光二极管H2应不亮。这个电路还可测量可控硅等。
在本发明实施例中，当把待检测的晶体管与第一检测端和第二检测端连接时，如果发光二极管H1和发光二极管H2同步闪烁，表示晶体管是好的，如果发光二极管H1闪烁而发光二极管H2总是熄灭，表示晶体管内部断路，如果发光二极管H2常亮，表示晶体管内部击穿，该晶体管检测电路采用分立元件实现，结构简单、体积小，便于随身携带，检测方便。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种晶体管检测电路，其特征在于，所述晶体管检测电路包括：
无稳态自激多谐振荡器、电阻R5、电阻R6、电阻R7、二极管D1、开关元件、发光二极管H1和发光二极管H2；
所述无稳态自激多谐振荡器的输入端接电池正极，所述无稳态自激多谐振荡器的接地端接电池负极，所述无稳态自激多谐振荡器的输出端接电阻R5的第一端，所述电阻R5的第二端接二极管D1的阳极，所述二极管D1的阴极接开关元件的控制端，所述开关元件的输入端接电池正极，所述开关元件的输出端接发光二极管H1的阳极，所述发光二极管H1的阴极接电阻R6的第一端，所述发光二极管H2的阳极接电池正极，所述发光二极管H2的阴极接接电阻R7的第一端，所述电阻R6的第二端为晶体管检测电路的第一检测端，所述电阻R7的第二端为晶体管检测电路的第二检测端，所述晶体管检测电路的第三检测端接电池负极。
2.如权利要求1所述的晶体管检测电路，其特征在于，所述无稳态自激多谐振荡器包括：
电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电解电容C1、电解电容C2、NPN型三极管VT1和NPN型三极管VT2；
所述电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4的第一端为无稳态自激多谐振荡器的输入端同时接电池正极，所述电解电容C1的正极接电阻R1的第二端，所述电解电容C1的负极接电阻R2的第二端，所述电解电容C2的正极接电阻R4的第二端，所述电解电容C2的负极接电阻R3的第二端，所述NPN型三极管VT1的基极接电阻R3的第二端，所述NPN型三极管VT1的集电极接电阻R1的第二端，所述NPN型三极管VT1的发射极接电池负极，所述NPN型三极管VT2的基极接电阻R2的第二端，所述NPN型三极管VT2的集电极接电阻R4的第二端，所述NPN型三极管VT2的发射极接电池负极，所述NPN型三极管VT2的集电极为无稳态自激多谐振荡器的输出端。
3.如权利要求1所述的晶体管检测电路，其特征在于，所述开关元件采用NPN型三极管VT3，所述NPN型三极管VT3的集电极为开关元件的输入端，所述NPN型三极管VT3的基极为开关元件的控制端，所述NPN型三极管VT3的发射极为开关元件的输出端。
4.如权利要求1所述的晶体管检测电路，其特征在于，所述开关元件采用MOS管Q1，所述MOS管Q1的漏极为开关元件的输入端，所述MOS管Q1的栅极为开关元件的控制端，所述MOS管Q1的源极为开关元件的输出端。
5.如权利要求1所述的晶体管检测电路，其特征在于，所述晶体管检测电路还包括开关S1，所述开关S1的第一端接电池正极，所述开关S1的第二端同时接发光二极管H2的阳极、开关元件的输入端和无稳态自激多谐振荡器的输入端。
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