CN102736290A - 一种场扫描的方法和像素结构、阵列基板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种场扫描的方法和像素结构、阵列基板和显示装置,方法包括:将每个像素电极划分为充电像素电极和显示像素电极;通过逐行扫描的方式为各个充电像素电极进行充电;当一帧画面扫描完成时,充电像素电极分别为各自对应的显示像素电极进行充电。通过本发明,实现了场扫描,从而可以提高行扫描方式下立体显示的亮度、减少行扫描方式下立体显示中串扰的发生。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示器(LCD,Liquid Crystal Display)技术领域,尤其涉及一种场扫描的方法和像素结构、阵列基板和显示装置。
背景技术
薄膜场效应晶体管液晶显示器(TFT-LCD,Thin Film Transistor LiquidCrystal Display)是现今最流行的平板显示技术,其像素基本结构如图1所示,包括:栅电极线(图中G1、G2所示,G1表示第一行像素对应的栅电极线,G2表示第二行像素对应的栅电极线)、信号线H、三极管电路11、像素电极12和公共电极13。该像素结构的工作方式为行扫描方式,即某一时刻只能对一行像素进行扫描充电。以图1所示的像素结构为例,在第一时刻,栅电极线G1输入高电压,对应G1这一行的像素的三极管电路11的栅极打开,信号线H通过三极管电路11向像素电极12输入信号电压;像素电极12上的信号电压与公共电极13上的公共电压形成像素电场,控制该行像素上的液晶分子偏转,从而实现显示。在第二时刻,栅电极线G1输入低电压,对应G1这一行的像素的三极管电路11的栅极关闭;同时栅电极线G2输入高电压,对应G2这一行的像素的三极管电路11的栅极打开,信号线H通过三极管电路11向像素电极12输入信号电压,对应G2这一行的像素进行充电。按照上述的行扫描方式,各行像素依次进行扫描充电。
然而,这种行扫描方式在诸多应用领域都暴露了其缺点。以快门眼镜式的3D显示为例,其显示方式如图2所示,在时刻一,左眼眼镜打开,显示器上显示左眼画面;在时刻二,右眼眼镜打开,显示器上显示右眼画面。但是,由于LCD是行扫描方式,因此当时刻一结束,显示器上要从左眼画面切换为右眼画面时,将会长时间左右眼画面同时存在,造成串扰。图2中,从时刻一的左眼画面到时刻二的右眼画面,其中间过程中的长时间左右眼画面同时存在,此即为串扰,而为降低串扰的发生对用户体验的影响,需要在串扰发生时关闭左眼眼镜和右眼眼镜,这样又会降低显示的亮度。而且现有的行扫描方式已经成为造成立体显示串扰大、亮度低的最主要原因之一。另外,在裸眼式3D显示、偏光眼镜式3D显示中,都希望能有一幅画面整体同时出现在显示器上的场扫描方式,然而,现有技术还无法提供满足上述需求的场扫描方式。
发明内容
有鉴于此,本发明的主要目的在于提供一种场扫描的方法和像素结构、阵列基板和显示装置,以解决现有的场扫描方式造成立体显示串扰大、亮度低的问题。
为达到上述目的,本发明的技术方案是这样实现的:
本发明提供了一种场扫描的方法,该方法包括:
将每个像素电极划分为充电像素电极和显示像素电极;
通过逐行扫描的方式为各个所述充电像素电极进行充电;
当一帧画面扫描完成时,所述充电像素电极分别为各自对应的显示像素电极进行充电。
所述通过逐行扫描的方式为各个充电像素电极进行充电,具体为:
所述充电像素电极通过第一三极管电路与信号线和第一栅电极线相连,所述充电像素电极和显示像素电极通过第二三极管电路相连,且所述第二三极管电路的栅极连接第二栅电极线;
在第一时刻,与第一行的充电像素电极相对应的第一栅电极线输入高电位,其他第一栅电极线输入低电位,第二栅电极线输入低电位,与第一行的充电像素电极相对应的第一三极管电路的栅极打开,所述信号线输入信号电压对第一行的充电像素电极充电;
在第二时刻,与第二行的充电像素电极相对应的第一栅电极线输入高电位,其他第一栅电极线输入低电位,第二栅电极线输入低电位,与第二行的充电像素电极相对应的第一三极管电路的栅极打开,所述信号线输入信号电压对第二行的充电像素电极充电;
依次类推,直到各行的充电像素电极都充电完毕。
所述当一帧画面扫描完成时,充电像素电极分别为各自对应的显示像素电极进行充电,具体为:
当一帧画面扫描完成时,所述第二栅电极线输入高电位,所述第二三极管电路的栅极打开,所述充电像素电极通过所述第二三极管电路为各自对应的显示像素电极进行充电。
所述信号线输入的信号电压满足以下条件:
其中,C表示显示像素电极的电容,C′表示充电像素电极的电容,V1表示信号线输入的信号电压;Vp0表示充电像素电极对显示像素电极前,显示像素电极的电压;Vp1表示充电像素电极对显示像素电极后,显示像素电极的电压;Vcom表示公共电压。
该方法进一步包括:
在所述充电像素电极分别为各自对应的显示像素电极进行充电后,所述显示像素电极上的信号电压与公共电压形成像素电场,控制对应像素上的液晶分子偏转,实现显示。
本发明还提供了一种场扫描的像素结构,包括:栅电极线、信号线、三极管电路、充电像素电极和显示像素电极,其中,
所述栅电极线,用于为三极管电路输入高低电位;
所述信号线,用于为三极管电路输入信号电压;
所述栅电极线、信号线和三极管电路通过逐行扫描的方式为各个所述充电像素电极进行充电;
所述充电像素电极,用于在一帧画面扫描完成时,分别为各自对应的显示像素电极进行充电;
所述显示像素电极分别与各自对应的充电像素电极相连,用于接受所述充电像素电极的充电。
所述栅电极线包括第一栅电极线和第二栅电极线,所述三极管电路包括第一三极管电路和第二三极管电路,所述充电像素电极通过第一三极管电路与信号线和第一栅电极线相连,所述充电像素电极和显示像素电极通过第二三极管电路相连,且所述第二三极管电路的栅极连接第二栅电极线;
与第一行的充电像素电极相对应的第一栅电极线,用于在第一时刻输入高电位,相应的,其他第一栅电极线输入低电位,第二栅电极线输入低电位,与第一行的充电像素电极相对应的第一三极管电路的栅极打开,所述信号线输入信号电压对第一行的充电像素电极充电;
与第二行的充电像素电极相对应的第一栅电极线,用于在第二时刻输入高电位,相应的,其他第一栅电极线输入低电位,第二栅电极线输入低电位,与第二行的充电像素电极相对应的第一三极管电路的栅极打开,所述信号线输入信号电压对第二行的充电像素电极充电;
依次类推,直到各行的充电像素电极都充电完毕。
所述第二栅电极线进一步用于,在一帧画面扫描完成时输入高电位,
相应的,所述第二三极管电路的栅极打开,所述充电像素电极通过所述第二三极管电路为各自对应的显示像素电极进行充电。
所述信号线输入的信号电压满足以下条件:
其中,C表示显示像素电极的电容,C′表示充电像素电极的电容,V1表示信号线输入的信号电压;Vp0表示充电像素电极对显示像素电极前,显示像素电极的电压;Vp1表示充电像素电极对显示像素电极后,显示像素电极的电压;Vcom表示公共电压。
在所述充电像素电极分别为各自对应的显示像素电极进行充电后,所述显示像素电极上的信号电压与公共电压形成像素电场,控制对应像素上的液晶分子偏转,实现显示。
本发明还提供了一种阵列基板,包括权利要求6~10所述的场扫描的像素结构。
本发明还提供了一种显示装置,包括权利要求11所述的阵列基板。
本发明所提供的一种场扫描的方法和像素结构、阵列基板和显示装置,将一个像素电极分割为独立控制的充电像素电极和显示像素电极,先通过逐行扫描方式给充电像素电极充电,当一帧画面扫描完后,再触发充电像素电极统一为显示像素电极充电,从而实现显示器的场扫描。通过本发明,能够使一幅画面同时整体显示在显示器上,且提高了行扫描方式下立体显示的亮度、减少了行扫描方式下立体显示中串扰的发生。
附图说明
图1为现有技术中TFT-LCD的像素基本结构示意图;
图2为现有技术中行扫描方式造成串扰的示意图;
图3为本发明实施例中的一种场扫描的方法流程图;
图4为本发明实施例中的一种场扫描的像素结构示意图;
图5a为本发明实施例中在充电像素电极对显示像素电极之前,充电像素电极和显示像素电极上的电压示意图;
图5b为本发明实施例中在充电像素电极对显示像素电极之后,充电像素电极和显示像素电极上的电压示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明的技术方案进一步详细阐述。
为解决现有的场扫描方式造成立体显示串扰大、亮度低的问题,以及为满足一幅画面整体同时出现在显示器上的场扫描需求,本发明的实施例所提供的一种场扫描的方法,如图3所示,主要包括以下步骤:
步骤301,将每个像素电极划分为充电像素电极和显示像素电极。
即将每个像素电极分割成独立控制的充电像素电极和显示像素电极,以实现通过各个充电像素电极分别为其对应的显示像素电极充电。
步骤302,通过逐行扫描的方式为各个充电像素电极进行充电。
通过逐行扫描的方式,依次为各行像素对应的充电像素电极进行充电,直到各行的充电像素电极都充电完毕。
步骤303,当一帧画面扫描完成时,充电像素电极分别为各自对应的显示像素电极进行充电。
所谓一帧画面扫描完成,即是指依次从第一行像素到最后一行像素的扫描全部完成;也就是说,当各行的充电像素电极都充电完毕时(即依次从第一行的充电像素电极到最后一行的充电像素电极的扫描充电全部完成),触发充电像素电极分别为各自对应的显示像素电极进行充电。需要说明的是,一帧画面所对应的像素的行数不是固定的,这由显示面板的尺寸来决定。
对应上述场扫描的方法,本发明的实施例所提供的一种场扫描的像素结构,如图4所示,主要包括:栅电极线(图中G1、G2、J所示)、信号线H、三极管电路(图中111、112所示)、充电像素电极121和显示像素电极122。
其中,栅电极线,用于为三极管电路输入高低电位;
信号线H,用于为三极管电路输入信号电压;
栅电极线、信号线H和三极管电路通过逐行扫描的方式为各个充电像素电极121进行充电;
充电像素电极121,用于在一帧画面扫描完成时,分别为各自对应的显示像素电极122进行充电;
显示像素电极122分别与各自对应的充电像素电极121相连,用于接受充电像素电极121的充电。
进一步的,栅电极线包括第一栅电极线(图中G1、G2所示,G1表示第一行像素对应的第一栅电极线,G2表示第二行像素对应的第一栅电极线)和第二栅电极线J,三极管电路包括第一三极管电路111和第二三极管电路112;充电像素电极121通过第一三极管电路111与信号线H和第一栅电极线相连,且第一三极管电路111的栅极连接第一栅电极线;充电像素电极121和显示像素电极122通过第二三极管电路112相连,且第二三极管电路112的栅极连接第二栅电极线J;
相应的,所述通过逐行扫描的方式为各个充电像素电极进行充电的过程,具体为:
在第一时刻,与第一行的充电像素电极121相对应的第一栅电极线(即第一行的第一栅电极线G1)输入高电位,其他第一栅电极线输入低电位,第二栅电极线J输入低电位,与第一行的充电像素电极121相对应的第一三极管电路111的栅极打开,信号线H输入信号电压对第一行的充电像素电极121充电;
在第二时刻,与第二行的充电像素电极121相对应的第一栅电极线(即第二行的第一栅电极线G2)输入高电位,其他第一栅电极线输入低电位,第二栅电极线J输入低电位,与第二行的充电像素电极121相对应的第一三极管电路111的栅极打开,信号线H输入信号电压对第二行的充电像素电极121充电;
依次类推,直到各行的充电像素电极都充电完毕,即依次从第一行的充电像素电极121到最后一行的充电像素电极121的扫描充电全部完成,此时也称一帧画面扫描完成。需要说明的是,一帧画面所对应的像素的行数不是固定的,这由显示面板的尺寸来决定。
另外,当一帧画面扫描完成时,第二栅电极线J输入高电位,第二三极管电路112的栅极打开,充电像素电极121通过第二三极管电路112为各自对应的显示像素电极122进行充电。
在充电像素电极121分别为各自对应的显示像素电极122进行充电后,显示像素电极122上的信号电压与公共电极上的公共电压会形成像素电场,该像素电场控制对应像素上的液晶分子偏转,从而实现显示。由于是在一帧画面扫描完后,触发充电像素电极同时为显示像素电极充电,因此能够使全画面同时整体显示在显示器上。
需要说明的是,要采用本发明实施例的像素结构实现场扫描,还需要对原始的信号电压(即信号线H输入的信号电压)进行相应处理,下面具体进行分析。
在对显示像素电极充电时,有如下两个过程:
1、第一三极管电路111的栅极打开,信号线对充电像素电极进行充电的过程,如图5a所示,信号线对充电像素电极的充电完成后,充电像素电极上的电压与信号线上的电压相同,记为V1,显示像素电极上的电压记为Vp0;
2、第二三极管电路112的栅极打开,充电像素电极对显示像素电极进行充电的过程,如图5b所示,充电像素电极对显示像素电极的充电完成后,充电像素电极和显示像素电极上的电压相同,记为Vp1;
C′(V1-Vcom)+C(Vp0-Vcom)=Q=(C′+C)(Vp1-Vcom)
从而,
其中,Q表示电量;C表示显示像素电极的电容,C′表示充电像素电极的电容,C和C′的取值都由像素结构本身的性质所决定;V1表示信号线输入的信号电压;Vp0表示充电像素电极对显示像素电极充电前,显示像素电极的电压;Vp1表示充电像素电极对显示像素电极充电后,显示像素电极的电压;Vcom表示公共电压;
即信号线输入的信号电压V1的取值为,(C′+C)(Vp1-Vcom)与C(Vp0-Vcom)之差除以C′,再与Vcom相加。
另外,本发明的实施例还提供了一种阵列基板,该阵列基板包括图4所示的场扫描的像素结构,该像素结构的各组成部分及其具体的实现功能与上述图4所示相同,此处不再赘述。
本发明的实施例还提供了一种使用上述阵列基板的显示装置,该显示装置的阵列基板也包括图4所示的场扫描的像素结构,且该像素结构的各组成部分及其具体的实现功能也与上述图4所示相同,此处不再赘述。
综上所述,本发明的实施例通过将一个像素电极分割为独立控制的充电像素电极和显示像素电极,先通过逐行扫描方式给充电像素电极充电,当一帧画面扫描完后,再触发充电像素电极统一为显示像素电极充电,从而实现全画面同时出现在显示器上的场扫描。本发明实施例的场扫描方法和像素结构,对于快门眼镜的3D显示、用液晶盒调制偏光方向的偏光眼镜式3D显示、以及需要进行扫描追踪、扫描等控制的裸眼式3D显示,都能够提高行扫描方式下立体显示的亮度、避免行扫描方式下立体显示中串扰的发生。
以上所述,仅为本发明的较佳实施例而已,并非用于限定本发明的保护范围。
Claims (12)
1.一种场扫描的方法,其特征在于,该方法包括:
将每个像素电极划分为充电像素电极和显示像素电极;
通过逐行扫描的方式为各个所述充电像素电极进行充电;
当一帧画面扫描完成时,所述充电像素电极分别为各自对应的显示像素电极进行充电。
2.根据权利要求1所述场扫描的方法,其特征在于,所述通过逐行扫描的方式为各个充电像素电极进行充电,具体为:
所述充电像素电极通过第一三极管电路与信号线和第一栅电极线相连,所述充电像素电极和显示像素电极通过第二三极管电路相连,且所述第二三极管电路的栅极连接第二栅电极线;
在第一时刻,与第一行的充电像素电极相对应的第一栅电极线输入高电位,其他第一栅电极线输入低电位,第二栅电极线输入低电位,与第一行的充电像素电极相对应的第一三极管电路的栅极打开,所述信号线输入信号电压对第一行的充电像素电极充电;
在第二时刻,与第二行的充电像素电极相对应的第一栅电极线输入高电位,其他第一栅电极线输入低电位,第二栅电极线输入低电位,与第二行的充电像素电极相对应的第一三极管电路的栅极打开,所述信号线输入信号电压对第二行的充电像素电极充电;
依次类推,直到各行的充电像素电极都充电完毕。
3.根据权利要求2所述场扫描的方法,其特征在于,所述当一帧画面扫描完成时,充电像素电极分别为各自对应的显示像素电极进行充电,具体为:
当一帧画面扫描完成时,所述第二栅电极线输入高电位,所述第二三极管电路的栅极打开,所述充电像素电极通过所述第二三极管电路为各自对应的显示像素电极进行充电。
4.根据权利要求2或3所述场扫描的方法,其特征在于,所述信号线输入的信号电压满足以下条件:
其中,C表示显示像素电极的电容,C′表示充电像素电极的电容,V1表示信号线输入的信号电压;Vp0表示充电像素电极对显示像素电极前,显示像素电极的电压;Vp1表示充电像素电极对显示像素电极后,显示像素电极的电压;Vcom表示公共电压。
5.根据权利要求1、2或3所述场扫描的方法,其特征在于,该方法进一步包括:
在所述充电像素电极分别为各自对应的显示像素电极进行充电后,所述显示像素电极上的信号电压与公共电压形成像素电场,控制对应像素上的液晶分子偏转,实现显示。
6.一种场扫描的像素结构,其特征在于,包括:栅电极线、信号线、三极管电路、充电像素电极和显示像素电极,其中,
所述栅电极线,用于为三极管电路输入高低电位;
所述信号线,用于为三极管电路输入信号电压;
所述栅电极线、信号线和三极管电路通过逐行扫描的方式为各个所述充电像素电极进行充电;
所述充电像素电极,用于在一帧画面扫描完成时,分别为各自对应的显示像素电极进行充电;
所述显示像素电极分别与各自对应的充电像素电极相连,用于接受所述充电像素电极的充电。
7.根据权利要求6所述场扫描的像素结构,其特征在于,所述栅电极线包括第一栅电极线和第二栅电极线,所述三极管电路包括第一三极管电路和第二三极管电路,所述充电像素电极通过第一三极管电路与信号线和第一栅电极线相连,所述充电像素电极和显示像素电极通过第二三极管电路相连,且所述第二三极管电路的栅极连接第二栅电极线;
与第一行的充电像素电极相对应的第一栅电极线,用于在第一时刻输入高电位,相应的,其他第一栅电极线输入低电位,第二栅电极线输入低电位,与第一行的充电像素电极相对应的第一三极管电路的栅极打开,所述信号线输入信号电压对第一行的充电像素电极充电;
与第二行的充电像素电极相对应的第一栅电极线,用于在第二时刻输入高电位,相应的,其他第一栅电极线输入低电位,第二栅电极线输入低电位,与第二行的充电像素电极相对应的第一三极管电路的栅极打开,所述信号线输入信号电压对第二行的充电像素电极充电;
依次类推,直到各行的充电像素电极都充电完毕。
8.根据权利要求7所述场扫描的像素结构,其特征在于,所述第二栅电极线进一步用于,在一帧画面扫描完成时输入高电位,
相应的,所述第二三极管电路的栅极打开,所述充电像素电极通过所述第二三极管电路为各自对应的显示像素电极进行充电。
9.根据权利要求7或8所述场扫描的像素结构,其特征在于,所述信号线输入的信号电压满足以下条件:
其中,C表示显示像素电极的电容,C′表示充电像素电极的电容,V1表示信号线输入的信号电压;Vp0表示充电像素电极对显示像素电极前,显示像素电极的电压;Vp1表示充电像素电极对显示像素电极后,显示像素电极的电压;Vcom表示公共电压。
10.根据权利要求6、7或8所述场扫描的像素结构,其特征在于,在所述充电像素电极分别为各自对应的显示像素电极进行充电后,所述显示像素电极上的信号电压与公共电压形成像素电场,控制对应像素上的液晶分子偏转,实现显示。
11.一种阵列基板,其特征在于,包括权利要求6~10所述的场扫描的像素结构。
12.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求11所述的阵列基板。
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