CN102736050A - 一种直流大电流比较仪的电流比例的串并联自校准方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种直流大电流比较仪的电流比例的串并联自校准方法，属于计量领域。所述方法首先将该直流大电流比较仪的一次绕组的全部母线绕组同向串联连接，使得该直流大电流比较仪的比例变成1∶1，然后对其进行1∶1自校准，1∶1自校准完成后将该直流大电流比较仪一次绕组的全部母线绕组并联，并且使各个母线绕组均匀分流，这样该直流大电流比较仪的比例变成n∶1，将其作为标准比较仪对更大比例的直流大电流比较仪进行校准。利用本发明方法实现了在额定磁势(或按匝数)和实际漏磁势下直流电流比例标准的自校准，并实现了在实际工作状态下的电流比例量程高准确度的快速扩展。

Description

一种直流大电流比较仪的电流比例的串并联自校准方法

技术领域

本发明属于计量领域，具体涉及一种直流大电流比较仪的电流比例的串并联自校准方法，用于对测量直流大电流的直流电流比较仪的比例进行校准。

背景技术

直流电流比较仪(简称DCC)是一种基于磁调制技术的直流电流比例仪器，它通过检测铁芯的磁势平衡，使得一、二次的电流比等于一、二次的匝数的反比，实现了电流的高准确度变换。测量直流大电流的大电流DCC的一次偏心母线和返回导体的大电流，将给DCC带来强烈的漏磁场和杂散磁场，这些统称为干扰磁场。采用磁屏蔽虽然可以抑制这些磁场的干扰，但由于磁屏蔽中气隙的存在，比较仪的磁屏蔽效能很有限(请参考邵海明等的The Effect of InterferingFlux on Direct Current Comparator.CPEM 2010，Dajeon，Korea：539-540)，较强的干扰磁场将给比较仪的比例带来显著误差，即导致DCC在大电流下比例与低电流下比例的不同，这给准确评定DCC的比例准确度带来了很大的困难。

大电流DCC一、二次比例K一般较大(1000甚至10000以上)，现有的自校准方法主要有：等安匝法、参考绕组法、加法和乘法校准等。等安匝法校准时，一次绕组的绕制位置具有随机性，母线产生的漏磁随机变化，干扰磁场引起的误差具有不确定性，这就决定了校准的不确定度不容易进一步减小；参考绕组法和加法校准需要DCC引出很多比例端子，测量步骤多，不适用于大比例情况；乘法校准比例扩展快，但作为标准的DCC只能在低电流下校准、高电流下使用。

这些校准方法存在的共同问题是：不能在额定磁势和实际漏磁势的实际工作条件下准确校准DCC的电流比。

因此，在额定磁势(或电流)下、校准状态与实际使用状态一致的大电流DCC自校准方法的缺失，成为了制约直流大电流测量水平进一步提高的瓶颈。

发明内容

本发明的目的在于解决上述现有技术中存在的难题，提供一种直流大电流比较仪的电流比例的串并联自校准方法，能够在实际工作状态(工作磁势漏磁势)下实现电流比例量程高准确度的快速扩展，避免直流大电流DCC母线偏心和邻近电流导体引起的强干扰磁场引入的测量不确定度，克服等安匝法、参考绕组法的校准状态和使用不一致缺陷。

本发明是通过以下技术方案实现的：

一种直流大电流比较仪的电流比例的串并联自校准方法，设直流大电流比较仪的标称电流比例为K＝n∶1，其一次绕组包括n个能够串联或并联连接的同标称值母线绕组，每个母线绕组与二次绕组的标称匝数比N均为1∶n，所述n个母线绕组在铁芯的圆周上均匀分布；

所述方法首先将该直流大电流比较仪的一次绕组的全部母线绕组同向串联连接，使得该直流大电流比较仪的电流比例变成1∶1，然后对其进行1∶1自校准。1∶1自校准完成后将该直流大电流比较仪一次绕组的全部母线绕组并联，并且使各个母线绕组均匀分流，这样该直流大电流比较仪的的一次绕组和二次绕组的标称比例N变成1∶n，其电流比例K变成n∶1，将其作为标准比较仪对更大比例的直流大电流比较仪进行校准。

所述1∶1自校准是这样实现的：将一次绕组的一端与电流源的正极连接，另一端与微安表的负极连接，微安表的正极与电流源的负极连接，将二次绕组的一端与微安表的正极连接，另一端与微安表的负极连接，通过微安表测得一次电流和二次电流的偏差ΔI_串，然后通过下式得到一次绕组和二次绕组在比例为1∶1时电流比例的相对偏差ε_X1，完成自校准：

式中，ε_串/s表示直流大电流比较仪串联时一次绕组和二次绕组等效匝数比1∶1的相对偏差，I_串为一次电流。

所述将该直流大电流比较仪的一次绕组的全部母线绕组并联是这样实现的：保持各个母线绕组的机械结构以及其相对于直流大电流比较仪的空间位置不变，将各个母线的首端连接到一起，将各个母线的尾端连接到一起，这样就将串联比例转换成为并联比例。

所述将其作为标准比较仪对更大比例的直流大电流比较仪进行校准是这样实现的：

(1)将经过1∶1自校准以及一次绕组的全部母线绕组并联后电流比例K变成n∶1的所述直流大电流比较仪作为标准比较仪；设自然数m＝2；

(2)测量所述标准比较仪的一次绕组的各个母线绕组通过的电流I_i，计算得到I_i相对于各母线绕组电流的平均值的最大电流偏差

(3)将被测比较仪的一次绕组设计为n个与二次绕组构成N＝1∶n^m的同标称值母线绕组，所述n个母线绕组在铁芯的圆周上均匀分布；将所有母线绕组同向串联后，成为K＝n^m-1∶1的被测比较仪；

(4)将所述标准比较仪的一次绕组和所述被校比较仪的一次绕组同向或反向串联连接，接入电流源；将标准比较仪的二次电流和被校比较仪的二次电流反向通过微安表，由微安表测得标准比较仪和被校比较仪的二次电流之差ΔI(电流I_S2与I_X2的差)，通过下式得到被校比较仪的比例偏差，完成对被校比较仪的校准：

$\frac{W_{x1}}{W_{x2}}=\frac{W_{s1}}{W_{s2}}+\frac{\mathrm{\ΔI}}{I_{s2}}$

${\mathrm{\ϵ}}_x={\mathrm{\ϵ}}_s+\frac{\mathrm{\ΔI}}{I_{s2}}$

其中，为被校比较仪的串联比例，ε_x为其相对偏差；

为标准比较仪的并联比例，ε_s为其相对偏差。ε_s包括按1∶1自校准得到的标准比较仪的串联比例偏差ε_串/s及其串并联转换误差δ(通常δ可以忽略)。I_s2为标准比较仪的二次电流。

(5)将校准后的被校比较仪的一次绕组的全部母线绕组并联，并且使各个母线绕组均匀分流，其电流比例K则变为n^m∶1，将电流比例K变为n^m∶1的被校比较仪作为标准比较仪；

(6)使m＝m+1，然后重复步骤(2)至步骤(6)，完成对更大比例的直流大电流比较仪的校准。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

(1)利用本发明实现了电流比例从1∶1的扩展，测量步骤少、不确定度小，能够在实际工作状态(工作磁势和漏磁势)下实现电流比例量程高准确度的快速扩展；

(2)利用本发明实现了在额定磁势(或按匝数)和实际漏磁势下直流电流比例标准的自校准，有助于克服漏磁对检测铁芯磁导率工作点的影响造成的磁误差，避免了直流大电流DCC母线偏心和邻近电流导体引起的强干扰磁场引入的测量不确定度，克服了等安匝法、参考绕组法的校准状态和使用状态不一致缺陷。

附图说明

图1-1是本发明实施例中以两个绕组为例的串联时的接线示意图。

图1-2是本发明实施例中以两个绕组为例的并联时的接线示意图。

图2是本发明实施例中DCC的内部原理图。

图3是本发明实施例中T₁比较仪1∶1串联自校准的电路图。

图4是本发明实施例中同标称值n∶1比较的电路图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步详细描述：

DCC的一次各绕组通常是串联连接(包括同向或反向)，例如，一次绕组通常制成若干独立的段，用W_i(i＝1…n)表示，每段可以有相同匝数(或不同匝数，如二进制绕法)，它们可以首尾相连(正向串联，W_i+W_j)，或首-首、尾-尾相连(同向并联)，当然也可以尾-尾连接(反向串联，W_i-W_j)，以便与二次绕组W_s构成不同匝数比例。鉴于等安匝法、加法和乘法的缺陷，本发明给出了通过研究DCC一次同标称值绕组的同向串并联(简称串并联)的比例误差，得到用于高准确度地校准和扩展DCC电流(或绕组)比例的方法，即DCC一次同标称值绕组同向串并联校准法，简称“串并联法”。

1，“串并联法”自校准DCC的理论依据

设DCC的一次有n个具有同标称值的绕组W_i(i＝1 to n)均匀地绕在同一比较仪铁芯上，W_i(i＝1 to n)的电阻近似相等；W_s为比较仪的二次级绕组；比较仪铁芯中直流磁通(实际工作状态为方波饱和调制下的零磁通)工作在线性区域。

(1)W_i(i＝1 to n)同向串联，通以直流电流I_串，设串联等效匝数(就产生等效工作磁势而言，下同)为W_串，则比较仪铁芯中磁势平衡方程为等式(1)，

这里，I_s为比较仪的二次电流。

(2)W_i(i＝1 to n)同向并联，并联等效匝数为W_并。设产生与等式(1)相同的磁势W_sI_s需要通过一次直流电流I_并，W_i(i＝1 to n)中分别流过电流I_i(i＝1to n)，有

则磁势平衡方程为等式(2)，即

特殊条件下，例如在I₁＝I₂＝…＝I_n(即并联时电流均匀分流)或W₁＝W₂＝…＝W_n(在铁芯中产生磁势的等效匝数相等)时，等式(1)和等式(2)等同，有等式(3)：

等式(3)表明：对于一次侧n个绕组W_i(i＝1 to n)的串联和并联，如果I₁＝I₂＝…＝I_n或W₁＝W₂＝…＝W_n，则I流过W_i(i＝1 to n)串联产生的磁势等于nI流过W_i并联产生的磁势；就产生等量磁势的匝数来讲，也可以说“W_i(i＝1 to n)的串联等效匝数是并联等效匝数的n倍”。

通常，一次各绕组对铁芯空间位置和绕制情况相似，但不会完全相同(匝数相同，但由于位置不同，导致漏磁不同，产生的等效磁势不同。例如匝数都为N，但它们产生的磁势不同，等效匝数用W_i表示)。由于漏磁的存在和DCC磁屏蔽效能的有限，W₁＝W₂＝…＝W_n不能够无误差地成立；由于各绕组电阻的差异及并联时的接触电阻的变化，I₁＝I₂＝…＝I_n也只能近似成立。因此需要讨论一般情况下绕组串、并联情形。

将等式(2)变换如下：

其中，

$\stackrel{\‾}{W}=\frac{1}{n}\underset{i=1}{\overset{n}{\mathrm{\Σ}}}{W}_i,$ $\stackrel{\‾}{I}=\frac{1}{n}\underset{i=1}{\overset{n}{\mathrm{\Σ}}}{I}_i.$

等式(4)可由归纳法证明。比较等式(4)和等式(1)得：

与等式(3)相比，等式(5)是一个近似1∶n的比例，近似程度取决于一次绕组W_i之间的相对匝数差与并联时各自通过的相对电流差的乘积。

令

$\mathrm{\δ}=\frac{1}{n^2}\underset{i=2}{\overset{n}{\mathrm{\Σ}}}\underset{j=1}{\overset{i-1}{\mathrm{\Σ}}}\left(\frac{W_i-W_j}{\stackrel{\‾}{W}}\right)\left(\frac{I_i-I_j}{\stackrel{\‾}{I}}\right)---\left(6\right)$

δ表示W_i串并联转换附加误差，以r_i表示W_i对

的相对偏差，d_i表示I_i对

的相对偏差，则δ绝对值可以表示为：

$\left|\mathrm{\δ}\right|=\left|\frac{1}{n^2}\underset{i=2}{\overset{n}{\mathrm{\Σ}}}\underset{j=1}{\overset{i-1}{\mathrm{\Σ}}}(r_i-r_j)(d_i-d_j)\right|$

$\≤\frac{1}{n^2}\underset{i=2}{\overset{n}{\mathrm{\Σ}}}\underset{j=1}{\overset{i-1}{\mathrm{\Σ}}}|r_i-r_j{|}_{\max }\·|d_i-d_j{|}_{\max }$

$=\frac{1}{n^2}\·\frac{n(n-1)}{2}|r_i-r_j{|}_{\max }\·|d_i-d_j{|}_{\max }---\left(7\right)$

$=\frac{n-1}{2n}|r_i-r_j{|}_{\max }\·|d_i-d_j{|}_{\max }$

等式(5)和等式(7)表明，DCC一次同标称值绕组W_i(i＝1 to n)的并联等效匝数W_并和串联等效匝数W_串之间存在近似1∶n的比例关系；串并联转换附加误差δ的误差限小于最大相对匝数差和并联时最大相对电流差的乘积。

DCC的一次各绕组W_i通常可以匹配到优于1×10^-6，即

|(r_i-r_j)|_max≤1×10^-6

如果并联分流满足：

|(d_i-d_j)|_max≤0.1

即并联时尽可能地均匀分流，串并联转换附加误差|δ|将小于0.05×10^-6。即串并联附加误差小于最大线性误差(就是指前述的最大相对匝数差)的1/20。

同样，通过匹配W_i的电阻，也可以进一步降低DCC串并联附加误差。这为高准确度DCC的自校准提供了理论依据。

因此，只要一次绕组W_i(i＝1 to n)基本一致，并联均匀分流，DCC串并联转换误差δ将小到可以忽略的程度，进入不确定度估计，即串并联误差不必修正，而在测量结果不确定评定时给予考虑。这意味着，DCC一次绕组并联时的比例精确等于串联的n倍，也即DCC可以串联校准，并联使用，而不需要修正。这为DCC的高精度、快速电流量程扩展提供了依据。串联校准的目的是降低DCC的比例，从而实现从1∶1开始的自校准。

设DCC的一次侧有n个相同绕组，每个绕组与二次绕组的匝数比为1∶n，那么该DCC的最大比例就是n∶1，一次各绕组可通过串联，使DCC得到其它比例，如n∶2，n∶3等等。若将n个绕组全部串联，那么DCC的比例就变成1∶1，对1∶1的比例可以进行自校准。至于并联使用，其目的是将电流比例从1∶1扩展到n∶1。这就突破了单纯依靠比较仪的线性度提高电流比例准确度的限制，即一个线性度10^-7的DCC，通过控制一次绕组并联时均匀分流，可以获得远比10^-7更高的比例准确度。

2，实现“串并联法”的DCC母线结构设计

上述的“串并联法”为高准确度地自校准DCC提供了理论依据，但采用该方法自校准的不确定度与比较仪自身的稳定性密切相关。事实上，依据“串并联法”，DCC的母线设计需要考虑两点：刚性固定和并联均匀分流。

1)刚性固定，即一次各段绕组相对DCC空间位置固定，保持干扰磁场不变

如图1-1和图1-2所示，采用刚性固定(即一次绕组通过支撑架固定，其引线及端子固定在面板上，用以防止母线变形的方法)的一次母线，在进行母线“串-并联”转换时，保持各母线本身以及其相对DCC的空间位置不变，这样，如果各母线并联时流过的电流等于串联时的电流，他们产生的干扰磁场和漏磁场在一次母线串联和并联时空间状态一致、恒定，其对串联和并联的影响也将不变。

2)并联均匀分流，减小串并联转换附加误差δ

对于较低电流DCC，各绕组可以串联匹配电阻，使得各绕组电阻近似相等，减小接触电阻变化的影响，以实现并联时均匀分流。对较大电流的DCC，则采用特性一致的电流导线、并适当延长，实现均匀分流。其原因是：电流导线太短时，它们的电阻差异较大；等长的长导线的电阻差异小，并联时更容易实现均匀分流。

用串并联法校准DCC，包括两种测量线路：DCC的1∶1自校准和DCC的n∶1比例扩展，分别如图3和图4所示。以两台DCC实现n∶1和n²∶1(设n＝10或其它自然数，n＝10是该示例中实际制造的DCC的初级绕组数)比例扩展为例进行说明，设比较仪T₁为50A∶5A，比较仪T₂为500A∶5A。比较仪T₁和T₂一次母线均由10个对称等值绕组构成，空间位置沿DCC铁芯圆周上均匀分布，如图1所示(以2个绕组为例)。

本发明方法具体如下：

1，DCC的1∶1自校准：

将比较仪T₁的一次绕组W_i(i＝1 to 10)同向串联连接(即将T₁的一次侧全部绕组串联——W_i和W_j的首尾连接，如图1-1所示)构成5A∶5A的1∶1比例。按图2所示的DCC的内部原理进行1∶1自校。图3是图2的DCC进行1∶1自校准的简化示意图，即将图2中的磁调制器和二次电流源简化为图3中的电流控制电流源I_s，

图3中，T₁工作在1∶1状态，一次电流I_串和二次电流I_s的标称值相同，它们通过微安表，微安表的读数ΔI_串即为两者的差值。

设串联等效匝数为W_串，

通以电流I_串(额定5A)测量一、二次电流差。即

ΔI_串＝I_s-I_串            (9)

考虑磁势平衡，有

由(8)、(9)、(10)，可得

式中

ε_串/s表示比较仪一、二次绕组等效匝数比1∶1的相对偏差。

当然，考虑到匝数比与电流比成反比，即：

因此：

ε_X1表示比较仪一、二次绕组电流比的相对偏差。

由等式(13)计算出比较仪在等效匝数比为1∶1时的电流相对偏差，从而完成DCC的自校准。

2，DCC的比例扩展和n∶1校准：

用小比例比较仪T₁校准大比例比较仪T₂。

进行1∶1比例自校准后，可将T₁比较仪一次n个同标称值绕组母线并联(如图1-2所示。)，并且均匀分流，用钳型表测量T₁并联连接的各W_i(i＝1 to 10)通过的电流I_i，计算最大电流偏差

用于计算T₁串并联附加误差δ。这时，T₁比较仪将构成n∶1(50A∶5A)的标准电流比例，作为标准比较仪；将T₂比较仪的一次母线串联连接，构成50A∶5A的被校比较仪。

将标准比较仪T₁和被校比较仪T₂按图4连接，即T₁和T₂的一次绕组反向(或同向)串联后接入电流源I₁，它们的二次电流I_s2和I_x2反向接入微安表，微安表读取差值电流ΔI。由图4可知：

I₁W_x1＝I_x2W_x2        (14)

I₁W_s1＝I_s2W_s2        (15)

由(14)、(15)可得

$\mathrm{\ΔI}=I_{x2}-I_{s2}=(\frac{W_{x1}}{W_{x2}}-\frac{W_{s1}}{W_{s2}})I_1---\left(16\right)$

由(16)可得

$\frac{W_{x1}}{W_{x2}}=\frac{W_{s1}}{W_{s2}}+\frac{\mathrm{\ΔI}}{I_1}---\left(17\right)$

令：

$\frac{W_{x1}}{W_{x2}}=\frac{1}{n}(1+{\mathrm{\ϵ}}_x),$ $\frac{W_{s1}}{W_{s2}}=\frac{1}{n}(1+{\mathrm{\ϵ}}_s),$

则

${\mathrm{\ϵ}}_x={\mathrm{\ϵ}}_s+\frac{\mathrm{\ΔI}}{I_{s2}}---\left(18\right)$

其中

为被校比较仪T₂的串联比例，ε_x为其相对偏差；

为标准比较仪T₁的并联比例，ε_s为其相对偏差，ε_s(该式对n∶1、n²∶1、n³∶1直到n^m∶1可通用)包括按1∶1自校准得到的T₁的串联比例偏差ε_串/s和T₁的串并联转换误差δ(根据公式(7)，通常δ可以忽略)。I_s2为标准比较仪的二次电流。

进一步地，T₂比较仪一次母线并联，并均匀分流，将构成n²∶1(即500A∶5A)的标准比例。以此类推，可以扩展到n³∶1(即5kA∶5A)等更大电流比例。

本发明证明了串并联转换附加误差的相关公式，该附加误差小于两个微小量(最大相对匝数差和并联时最大相对电流差)的乘积。采取刚性固定母线、并联均匀分流后，该误差可以忽略。实现了借助串联校准高准确度地得出大电流DCC一次绕组并联使用状况下的比例误差。与常规校准方法相比，串并联法的优点是校准条件与使用条件一致，母线漏磁影响固定，并联分流的均匀性可控，附加误差小，校准效率高，扩展量程快，能减小校准电流源的电流等。利用本发明方法进行校准的不确定度小，能够在实际工作状态(工作磁势漏磁势)下实现电流比例量程高准确度的快速扩展。

本发明结合实例，给出了采用“串并联法”进行比较仪1∶1、n∶1、n²∶1自校准和比例量程扩展步骤，及比例偏差计算公式(即公式(18))。实例表明，“串并联法”实现电流比例扩展的步骤少，如n^m∶1只需要m+1次测量。

上述技术方案只是本发明的一种实施方式，对于本领域内的技术人员而言，在本发明公开了应用方法和原理的基础上，很容易做出各种类型的改进或变形，而不仅限于本发明上述具体实施方式所描述的方法，因此前面描述的方式只是优选的，而并不具有限制性的意义。

Claims (4)

1.一种直流大电流比较仪的电流比例的串并联自校准方法，其特征在于：设直流大电流比较仪的标称电流比例为K＝n∶1，其一次绕组包括n个能够串联或并联连接的同标称值母线绕组，每个母线绕组与二次绕组的标称匝数比N均为1∶n，所述n个母线绕组在铁芯的圆周上均匀分布；

所述方法首先将该直流大电流比较仪的一次绕组的全部母线绕组同向串联连接，使得该直流大电流比较仪的电流比例变成1∶1，然后对其进行1∶1自校准；1∶1自校准完成后将该直流大电流比较仪一次绕组的全部母线绕组并联，并且使各个母线绕组均匀分流，这样该直流大电流比较仪的一次绕组和二次绕组的标称比例N变成1∶n，其电流比例K变成n∶1，将其作为标准比较仪对更大比例的直流大电流比较仪进行校准。

2.根据权利要求1所述的直流大电流比较仪的电流比例的串并联自校准方法，其特征在于：所述1∶1自校准是这样实现的：将一次绕组的一端与电流源的正极连接，另一端与微安表的负极连接，微安表的正极与电流源的负极连接，将二次绕组的一端与微安表的正极连接，另一端与微安表的负极连接，通过微安表测得一次电流和二次电流的偏差ΔI_串，然后通过下式得到一次绕组和二次绕组在比例为1∶1时电流比例相对偏差ε_X1，完成自校准：

式中，ε_串/s表示直流大电流比较仪串联时一次绕组和二次绕组等效匝数比1∶1的相对偏差，I_串为一次电流。

3.根据权利要求2所述的直流大电流比较仪的电流比例的串并联自校准方法，其特征在于：所述将该直流大电流比较仪的一次绕组的全部母线绕组并联是这样实现的：保持各个母线绕组的机械结构以及其相对于直流大电流比较仪的空间位置不变，将各个母线的首端连接到一起，将各个母线的尾端连接到一起，这样就将串联比例转换成为并联比例。

4.根据权利要求3所述的直流大电流比较仪的电流比例的串并联自校准方法，其特征在于：所述将其作为标准比较仪对更大比例的直流大电流比较仪进行校准是这样实现的：

(1)将经过1∶1自校准以及一次绕组的全部母线绕组并联后电流比例K变成n∶1的所述直流大电流比较仪作为标准比较仪；设自然数m为2；

(2)测量所述标准比较仪的一次绕组的各个母线绕组通过的电流i_i，计算得到I_i相对于各母线绕组电流的平均值

的最大电流偏差

(3)将被测比较仪的一次绕组设计为n个与二次绕组构成N＝1∶n^m的同标称值母线绕组，所述n个母线绕组在铁芯的圆周上均匀分布；将所有母线绕组同向串联后，成为K＝n^m-1∶1的被测比较仪；

(4)将所述标准比较仪的一次绕组和所述被校比较仪的一次绕组同向或反向串联连接，接入电流源；将标准比较仪的二次电流和被校比较仪的二次电流反向通过微安表，由微安表测得标准比较仪和被校比较仪的二次电流之差ΔI，通过下式得到被校比较仪的比例偏差，完成对被校比较仪的校准：

$\frac{W_{x1}}{W_{x2}}=\frac{W_{s1}}{W_{s2}}+\frac{\mathrm{\ΔI}}{I_{s2}}$

${\mathrm{\ϵ}}_x={\mathrm{\ϵ}}_s+\frac{\mathrm{\ΔI}}{I_{s2}}$

其中

为被校比较仪的串联比例，ε_x为其相对偏差；

为标准比较仪的并联比例，ε_s为其相对偏差；

(5)将校准后的被校比较仪的一次绕组的全部母线绕组并联，并且使各个母线绕组均匀分流，其电流比例K则变为n^m∶1，将电流比例K变为n^m∶1的被校比较仪作为标准比较仪；

(6)使m＝m+1，然后重复步骤(2)至步骤(5)，完成对更大比例的直流大电流比较仪的校准。

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