CN102719897A - 一种晶体炉观察窗 - Google Patents

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高超
华伟
陈伟
李艳
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SHANGHAI YINGBEN CRYSTAL TECHNOLOGY CO LTD
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Abstract

本发明涉及一种晶体炉,具体说就是一种用于对炉内状况进行实时观测的晶体炉观察窗,其特征在于:包括一个固定观察窗,还包括一个位于固定观察窗前侧的活动观察窗,固定观察窗与活动观察窗的中心处采用转轴连接。本发明同现有技术相比,解决了观察窗在有挥发性气氛的设备中持续观察的问题。

Description

一种晶体炉观察窗
技术领域
本发明涉及一种晶体炉,具体说就是一种用于对炉内状况进行实时观测的晶体炉观察窗。
背景技术
在现有的晶体生长炉或冶炼设备中,尤其是高频或中频感应炉中,为了方便的观察炉内反应或过程状态,需要对炉内高温物质状态或过程进行实时的观测,以便能够掌握炉内发生的过程,并进行人工干预或操作。但通常的情况是,炉内高温物质具有一定的挥发性,而观察窗处的温度较低,于是,炉内高温挥发出来的物质便在温度比较低的观察窗上沉积,随着炉内物质挥发沉积过程的进行,观察窗内表面逐渐被挥发物所覆盖,造成整个观察窗失透,无法对炉内情况进行观测,于是也就无法对炉内发生情况进行判断和控制。
发明内容
本发明为了克服现有技术的不足,提供了一种可实时对炉内进行观测的晶体炉观察窗。
为了实现上述目的,本发明设计了一种晶体炉观察窗,其特征在于:包括一个固定观察窗,还包括一个位于固定观察窗前侧的活动观察窗,固定观察窗与活动观察窗的中心处采用转轴连接。
所述固定观察窗的圆周面上设有一个窗口,该窗口为开放的。
所述活动观察窗的圆周面上至少设有两个窗口,该窗口为透明且封闭的。
所述活动观察窗外套设保护盒,并在保护盒的圆周面上开设与固定观察窗窗口位置相应的孔。
本发明同现有技术相比,解决了观察窗在有挥发性气氛的设备中持续观察的问题。
附图说明
图1为发明的结构示意图。
图2为图1中A-A处的剖视图。
参见图1和图2,1为固定观察窗;2为活动观察窗;3为转轴;4为窗口;5为窗口;6为保护盒;7为孔。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步描述。
如图1和图2所示,本发明包括一个固定观察窗1,还包括一个位于固定观察窗前侧的活动观察窗2,固定观察窗1与活动观察窗2的中心处采用转轴3连接。固定观察窗的圆周面上设有一个窗口4该窗口为开放的,活动观察窗的圆周面上设有四个窗口5,开窗口为透明且封闭的,窗口4与窗口5的大小相同,并在活动观察窗2外套设保护盒6,保护盒6的圆周上面对应窗口4的位置开设孔7,孔7的大小与窗口4的大小基本相同。
使用时,通过旋转转轴3,将活动观察窗2的其中一封闭窗口5旋转至固定观察窗1的开放窗口4处,使两窗口位置重合,从而实现对炉内的实时观察,当活动观察窗2的其中一个窗口5逐渐受到挥发性物质沾染并不再适合观察时,再次转动转轴2,使另一个未受沾染的窗口5转动到固定观察窗窗口4的位置处,继续发挥观察窗功能,并以此类推。
另外活动观察窗2置于保护盒6内,并在对应开放窗口4的位置处开设孔7,这样除了正在使用窗口5外,其他的封闭窗口均在保护盒6中,使其不受外界挥发性气氛的沾染。

Claims (4)

1.一种晶体炉观察窗,其特征在于:包括一个固定观察窗,还包括一个位于固定观察窗前侧的活动观察窗,固定观察窗与活动观察窗的中心处采用转轴连接。
2.根据权利要求1所述的一种晶体炉观察窗,其特征在于:所述固定观察窗的圆周面上设有一个窗口,该窗口为开放的。
3.根据权利要求1所述的一种晶体炉观察窗,其特征在于:所述活动观察窗的圆周面上至少设有两个窗口,该窗口为透明且封闭的。
4.根据权利要求3所述的一种晶体炉观察窗,其特征在于:所述活动观察窗外套设保护盒,并在保护盒的圆周面上开设与固定观察窗窗口位置相应的孔。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103741209A (zh) * 2014-01-16 2014-04-23 哈尔滨工业大学 蓝宝石晶体泡生法生长连续观察窗口

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Date Code Title Description
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PB01 Publication
C53 Correction of patent for invention or patent application
CB02 Change of applicant information

Address after: 200127, room 899, 1009 Dongfang Road, Shanghai, Pudong New Area

Applicant after: SHANGHAI YINGBEN OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.

Address before: 200127, room 899, 1009 Dongfang Road, Shanghai, Pudong New Area

Applicant before: Shanghai Yingben Crystal Technology Co.,Ltd.

COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: APPLICANT; FROM: SHANGHAI WINSPEED CRYSTALS SCIENCE + TECHNOLOGY CO., LTD. TO: SHANGHAI WINSPEED PHOTOVOLTAICS TECHNOLOGY CO., LTD.

C05 Deemed withdrawal (patent law before 1993)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20121010