CN102708792A - 一种像素单元驱动电路和方法、像素单元以及显示装置 - Google Patents

一种像素单元驱动电路和方法、像素单元以及显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种像素单元驱动电路和方法、像素单元以及显示装置。像素单元驱动电路包括驱动薄膜晶体管、匹配薄膜晶体管、信号清除薄膜晶体管、充电控制单元、驱动控制单元和存储电容，驱动薄膜晶体管，栅极与存储电容的第一端连接并通过充电控制单元与驱动电源连接，源极与驱动电源连接，漏极与OLED连接；匹配薄膜晶体管通过充电控制单元与数据线连接，源极与存储电容的第二端连接；信号清除薄膜晶体管与存储电容的第二端连接；信号清除薄膜晶体管的源极，与匹配薄膜晶体管的栅极和漏极连接，并通过充电控制单元与数据线连接。本发明可以提高OLED面板亮度的均匀性。

Description

一种像素单元驱动电路和方法、像素单元以及显示装置
技术领域
本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种像素单元驱动电路和方法、像素单元以及显示装置。
背景技术
AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极体)能够发光是由驱动TFT在饱和状态时产生的电流所驱动，因为输入相同的灰阶电压时，不同的临界电压会产生不同的驱动电流，造成电流的不一致性。LTPS(低温多晶硅)制程上Vth(晶体管阈值电压)的均匀性非常差，同时Vth也有漂移，如此传统的2T1C像素单元驱动电路亮度均匀性一直很差。
传统的2T1C像素单元驱动电路如图1所示，电路只含有两个TFT，T1用作开关，DTFT用于像素驱动。传统的2T1C像素单元驱动电路操作也比较简单，对该2T1C像素单元驱动电路的控制时序图如图2所示，当扫描线Scan上的扫描电平Vscan为低时，T1打开，数据线Data上的灰阶电压Vdata对电容C充电，当扫描电平Vscan为高时，T1关闭，电容C用来保存灰阶电压。由于VDD(驱动电源的高电平输出端的输出电压)较高，因此DTFT处于饱和状态，OLED的驱动电流I＝K(Vsg-|Vth|)2＝K(VDD-Vdata-|Vth|)2，Vdata为数据线Data输出的数据电压，K是一个与晶体管尺寸和载流子迁移率有关的常数，一旦TFT尺寸和工艺确定，K确定。该2T1C电路的驱动电流公式中包含了Vth，如前所述，由于LTPS工艺的不成熟，即便是同样的工艺参数，制作出来的面板不同位置的TFT的Vth也有较大差异，导致了同一灰阶电压下OLED的驱动电流不一样，因此该驱动方案下的面板不同位置亮度会有差异，亮度均匀性差。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种像素单元驱动电路和方法、像素单元以及显示装置，以提高OLED面板亮度的均匀性。
为了达到上述目的，本发明提供了一种像素单元驱动电路，用于驱动OLED，包括驱动薄膜晶体管、匹配薄膜晶体管、信号清除薄膜晶体管、充电控制单元、驱动控制单元和存储电容，其中，
所述驱动薄膜晶体管，栅极与所述存储电容的第一端连接并通过所述充电控制单元与所述驱动电源的低电平输出端连接，源极与驱动电源的低电平输出端连接，漏极与所述OLED的阴极连接；
所述匹配薄膜晶体管，栅极和漏极通过所述充电控制单元与数据线连接，源极与所述存储电容的第二端连接；
所述信号清除薄膜晶体管，栅极和漏极与所述存储电容的第二端连接；
所述信号清除薄膜晶体管的源极，与所述匹配薄膜晶体管的栅极和漏极连接，并通过所述充电控制单元与所述数据线连接；
所述存储电容的第二端通过所述驱动控制单元与所述驱动电源的高电平输出端连接；
所述驱动薄膜晶体管、所述匹配薄膜晶体管和所述信号清除薄膜晶体管是n型TFT。
实施时，所述充电控制单元包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述驱动控制单元包括第三薄膜晶体管；
所述匹配薄膜晶体管的栅极和漏极，以及所述信号消除薄膜晶体管的源极，通过所述第一薄膜晶体管与所述数据线连接；
所述驱动薄膜晶体管的栅极通过所述第二薄膜晶体管与所述驱动电源的低电平输出端连接；
所述存储电容的第二端通过所述第三薄膜晶体管与所述驱动电源的高电平输出端连接。
实施时，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管是n型TFT；
所述第一薄膜晶体管，栅极与第一控制线连接，漏极与所述数据线连接；
所述第一薄膜晶体管的源极，分别与所述匹配薄膜晶体管的栅极、漏极以及所述信号消除薄膜晶体管的源极连接；
所述第二薄膜晶体管，栅极与所述第一控制线连接，源极与所述驱动电源的低电平输出端连接，漏极与所述驱动薄膜晶体管的栅极连接；
所述第三薄膜晶体管，栅极与第二控制线连接，源极与所述存储电容的第二端连接，漏极与所述驱动电源的高电平输出端连接。
本发明还提提供了一种像素单元驱动方法，应用于上述的像素单元驱动电路，所述像素单元驱动方法包括以下步骤：
信号清除薄膜晶体管开启，充电控制单元控制存储电容通过信号清除薄膜晶体管对数据线放电，直到所述存储电容的第二端的电压降低到使得所述清除薄膜晶体管关闭；
匹配薄膜晶体管开启，所述充电控制单元控制所述数据线输出的数据电压Vdata对所述存储电容进行充电，直到所述存储电容的第二端的电压上升至Vdata-Vthm，其中，Vthm为所述匹配薄膜晶体管的阈值电压；
所述驱动控制单元控制所述存储电容的第二端的电压跳变为VDD，驱动薄膜晶体管的栅极处于悬空状态，以使得所述驱动薄膜晶体管的栅极电压跳变从而所述驱动薄膜晶体管工作并其栅源电压补偿所述驱动薄膜晶体管的阈值电压。
本发明还提供了一种像素单元，其特征在于，包括OLED和上述的像素单元驱动电路，所述像素单元驱动电路与所述OLED的阴极连接，所述OLED的阳极与驱动电源的高电平输出端连接。
本发明还提供了一种显示装置，包括上述的像素单元。
本发明还提供了一种像素单元驱动电路，用于驱动OLED，包括驱动薄膜晶体管、匹配薄膜晶体管、信号清除薄膜晶体管、充电控制单元、驱动控制单元和存储电容，其中，
所述驱动薄膜晶体管，栅极与所述存储电容的第一端连接并通过所述充电控制单元与所述驱动电源的高电平输出端连接，源极与驱动电源的高电平输出端连接，漏极与所述OLED的阳极连接；
所述匹配薄膜晶体管，栅极和源极通过所述充电控制单元与数据线连接，漏极与所述存储电容的第二端连接；
所述信号清除薄膜晶体管，栅极和源极与所述存储电容的第二端连接；
所述信号清除薄膜晶体管的漏极，与所述匹配薄膜晶体管的栅极和源极连接，并通过所述充电控制单元与所述数据线连接；
所述存储电容的第二端通过所述驱动控制单元与所述驱动电源的低电平输出端连接；
所述驱动薄膜晶体管、所述匹配薄膜晶体管和所述信号清除薄膜晶体管是p型TFT。
实施时，所述充电控制单元包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述驱动控制单元包括第三薄膜晶体管；
所述匹配薄膜晶体管的栅极和源极，以及所述信号消除薄膜晶体管的漏极，通过所述第一薄膜晶体管与所述数据线连接；
所述驱动薄膜晶体管的栅极通过所述第二薄膜晶体管与所述驱动电源的高电平输出端连接；
所述存储电容的第二端通过所述第三薄膜晶体管与所述驱动电源的低电平输出端连接。
实施时，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管是p型TFT；
所述第一薄膜晶体管，栅极与第一控制线连接，漏极与所述数据线连接；
所述第一薄膜晶体管的源极，分别与所述匹配薄膜晶体管的栅极、源极以及所述信号消除薄膜晶体管的漏极连接；
所述第二薄膜晶体管，栅极与所述第一控制线连接，源极与所述驱动电源的高电平输出端连接，漏极与所述驱动薄膜晶体管的栅极连接；
所述第三薄膜晶体管，栅极与第二控制线连接，源极与所述存储电容的第二端连接，漏极与所述驱动电源的低电平输出端连接。
本发明还提供了一种像素单元，包括OLED和上述的像素单元驱动电路，所述像素单元驱动电路与所述OLED的阳极连接，所述OLED的阴极与驱动电源的低电平输出端连接。
本发明还提供了一种显示装置，包括上述的像素单元。
与现有技术相比，本发明所述的像素单元驱动电路和方法、像素单元以及显示装置，利用同一像素内两个相同设计的TFT电性较匹配的原理，补偿OLED驱动管的临界电压，改善了OLED面板亮度不均匀性。
附图说明
图1是传统的2T1C像素单元驱动电路的电路图；
图2是对该传统的2T1C像素单元驱动电路的控制时序图；
图3是本发明第一实施例所述的像素单元驱动电路的电路图；
图4是本发明第二实施例所述的像素单元驱动电路的电路图；
图5是本发明第三实施例所述的像素单元驱动电路的电路图；
图6是本发明第四实施例所述的像素单元驱动电路的电路图；
图7是本发明第五实施例所述的像素单元驱动电路的电路图；
图8是本发明第六实施例所述的像素单元驱动电路的电路图；
图9A是本发明第三实施例所述的像素单元驱动电路工作时在第一时间段的等效电路图；
图9B是本发明第三实施例所述的像素单元驱动电路工作时在第二时间段的等效电路图；
图9C是本发明第三实施例所述的像素单元驱动电路工作时在第三时间段的等效电路图；
图10是本发明第三实施例所述的像素单元驱动电路在工作时，第一控制信号S1、数据线Data输出的信号以及第二控制信号S2的时序图；
图11是本发明第六实施例所述的像素单元驱动电路在工作时，第一控制信号S1、数据线Data输出的信号以及第二控制信号S2的时序图。
具体实施方式
如图3所示，本发明第一实施例所述的像素单元驱动电路，用于驱动OLED，包括驱动薄膜晶体管DTFT、匹配薄膜晶体管MTFT、信号清除薄膜晶体管ETFT、充电控制单元31、驱动控制单元32和存储电容Cs，其中，
所述驱动薄膜晶体管DTFT的栅极，与所述存储电容Cs的第一端连接，还通过所述充电控制单元31与所述驱动电源的低电平输出端连接；
所述驱动薄膜晶体管DTFT，源极与驱动电源的低电平输出端连接，漏极与所述OLED的阴极连接；
所述匹配薄膜晶体管MTFT，栅极和漏极通过所述充电控制单元31与数据线Data连接，源极与所述存储电容Cs的第二端连接；
所述信号清除薄膜晶体管ETFT，栅极和漏极与所述存储电容Cs的第二端连接；
所述信号清除薄膜晶体管ETFT的源极，与所述匹配薄膜晶体管MTFT的栅极和漏极连接，并通过所述充电控制单元31与数据线Data连接；
所述存储电容Cs的第二端通过所述驱动控制单元32与所述驱动电源的高电平输出端连接；
所述OLED的阳极与所述驱动电源的高电平输出端连接；
所述驱动薄膜晶体管DTFT、所述匹配薄膜晶体管MTFT和所述信号清除薄膜晶体管ETFT是n型TFT；所述驱动电源的高电平输出端的输出电压为VDD，所述驱动电源的低电平输出端的输出电压为VSS。
如图4所示，本发明第二实施例所述的像素单元驱动电路的电路图。本发明第二实施例所述的像素单元驱动电路基于本发明第一实施例所述的像素单元驱动电路。
在本发明第二实施例所述的像素单元驱动电路中，所述充电控制单元31包括第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2，所述驱动控制单元32包括第三薄膜晶体管T3；
所述匹配薄膜晶体管MTFT的栅极和漏极，以及所述信号消除薄膜晶体管ETFT的源极，通过所述第一薄膜晶体管T1与所述数据线Data连接；
所述驱动薄膜晶体管DTFT的栅极通过所述第二薄膜晶体管T2与所述驱动电源的低电平输出端连接；
所述存储电容Cs的第二端通过所述第三薄膜晶体管T3与所述驱动电源的高电平输出端连接。
如图5所示，本发明第三实施例所述的像素单元驱动电路的电路图。本发明第三实施例所述的像素单元驱动电路基于本发明第二实施例所述的像素单元驱动电路。
在本发明第三实施例所述的像素单元驱动电路中，所述第一薄膜晶体管T1、所述第二薄膜晶体管T2和所述第三薄膜晶体管T3是n型TFT；
所述第一薄膜晶体管T1，栅极与输出第一控制信号S1的第一控制线连接，漏极与所述数据线Data连接；
所述第一薄膜晶体管T1的源极，分别与所述匹配薄膜晶体管MTFT的栅极、漏极以及所述信号消除薄膜晶体管ETFT的源极连接；
所述第二薄膜晶体管T2，栅极与所述第一控制线连接，源极与所述驱动电源的低电平输出端连接，漏极与所述驱动薄膜晶体管DTFT的栅极连接；
所述第三薄膜晶体管T3，栅极与输出第二控制信号S2的第二控制线连接，源极与所述存储电容Cs的第二端连接，漏极与所述驱动电源的高电平输出端连接。
如图6所示，本发明第四实施例所述的像素单元驱动电路，用于驱动OLED，包括驱动薄膜晶体管DTFT、匹配薄膜晶体管MTFT、信号清除薄膜晶体管ETFT、充电控制单元61、驱动控制单元62和存储电容Cs，其中，
所述驱动薄膜晶体管DTFT的栅极与所述存储电容Cs的第一端连接，还通过所述充电控制单元61与所述驱动电源的高电平输出端连接；
所述驱动薄膜晶体管DTFT，源极与驱动电源的高电平输出端连接，漏极与所述OLED的阳极连接；
所述匹配薄膜晶体管MTFT，栅极和源极通过所述充电控制单元61与数据线Data连接，漏极与所述存储电容Cs的第二端连接；
所述信号清除薄膜晶体管ETFT，栅极和源极与所述存储电容Cs的第二端连接；
所述信号清除薄膜晶体管ETFT的漏极，与所述匹配薄膜晶体管MTFT的栅极和源极连接，并通过所述充电控制单元61与数据线Data连接；
所述存储电容Cs的第二端通过所述驱动控制单元62与所述驱动电源的低电平输出端连接；
所述OLED的阴极与所述驱动电源的低电平输出端连接；
所述驱动薄膜晶体管DTFT、所述匹配薄膜晶体管MTFT和所述信号清除薄膜晶体管ETFT是p型TFT；
所述驱动电源的高电平输出端的输出电压为VDD，所述驱动电源的低电平输出端的输出电压为VSS。
如图7所示，在本发明第五实施例所述的像素单元驱动电路中，所述充电控制单元61包括第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2，所述驱动控制单元62包括第三薄膜晶体管T3；
所述匹配薄膜晶体管MTFT的栅极和源极，以及所述信号消除薄膜晶体管ETFT的漏极，通过所述第一薄膜晶体管T1与所述数据线Data连接；
所述驱动薄膜晶体管DTFT的栅极通过所述第二薄膜晶体管T2与所述驱动电源的高电平输出端连接；
所述存储电容Cs的第二端通过所述第三薄膜晶体管T3与所述驱动电源的低电平输出端连接。
如图8所示，在本发明第六实施例所述的像素单元驱动电路中，所述第一薄膜晶体管T1、所述第二薄膜晶体管T2和所述第三薄膜晶体管T3是p型TFT；
所述第一薄膜晶体管T1，栅极与输出第一控制信号S1的第一控制线连接，漏极与所述数据线Data连接；
所述第一薄膜晶体管T1的源极，分别与所述匹配薄膜晶体管MTFT的栅极、源极以及所述信号消除薄膜晶体管ETFT的漏极连接；
所述第二薄膜晶体管T2，栅极与所述第一控制线连接，源极与所述驱动电源的高电平输出端连接，漏极与所述驱动薄膜晶体管DTFT的栅极连接；
所述第三薄膜晶体管T3，栅极与输出第二控制信号S2的第二控制线连接，源极与所述存储电容Cs的第二端连接，漏极与所述驱动电源的低电平输出端连接。
下面介绍本发明第三实施例所述的像素单元驱动电路的工作过程：
图10是本发明第三实施例所述的像素单元驱动电路在工作时，第一控制信号S1、数据线Data输出的信号以及第二控制信号S2的时序图，其中，A、B、C分别指的是第一时间段、第二时间段、第三时间段。
如图10所示，本发明第三实施例所述的像素单元驱动电路在工作时，
在第一时间段，即开始阶段，如图9A所示，T1、T2均开启，T3为关闭，由于T1打开，数据线Data输入一个很低的电压Vdl；由于ETFT为二极管连接，且旧的讯号电压远大于Vdl，因此ETFT开启。此时由于T2打开，DTFT的栅极被下拉为VSS，DTFT关闭；由于ETFT开启，存储电容Cs通过ETFT对数据线放电以清除上一帧的讯号，放电直到P点(即与所述存储电容Cs的第二端连接的节点)的电位Vp为Vdl+Vthe，此时ETFT关闭；
接着在第二时间段，如图9B所示，T1、T2开启，T3为关闭。DTFT由于栅极的下拉仍然关闭，处于工作停止状态；数据线Data输出的电压从Vdl跳变为Vdata，由于Vdata远大于Vdl，因此MTFT开启，数据线Data输出的数据电压Vdata对存储电容Cs充电，直到P点电位上升为Vdata-Vthm，Vc＝Vg-Vp＝VSS-(Vdata-Vthm)；
在第三时间段，如图9C所示，T1、T2关闭，T3开启，由于P点电位由Vdata-Vthm跳变至VDD，T2关闭，DTFT的栅极处于悬空状态，因此G点(即与DTFT的栅极和存储电容Cs的第一端连接的节点)的电位Vg跳变为Vg＝VSS-(Vdata-Vthm)+VDD，此时Vgs＝Vg-VSS＝VSS-(Vdata-Vthm)+VDD-VSS＝VDD-(Vdata-Vthm)；DTFT工作，流过DTFT的电流I＝K(Vgs-Vthd)2＝K(VDD-(Vdata-Vthm)-Vthd)2＝K(VDD-Vdata)2，(Vthm＝Vthd)，OLED开始发光，直到下一帧；
Vthm为MTFT的阈值电压，Vgs为DTFT的栅源电压，Vthd为DTFT的阈值电压，Vthe为ETFT的阈值电压，Vdata为数据电压，VDD为驱动电源的高电平输出端的输出电压，VSS为驱动电源的低电平输出端的输出电压；
可以发现流过DTFT的电流I和DTFT的阈值电压Vth没有关系了，如此可以改善电流的均匀性，达到亮度的均匀。
图11是本发明第六实施例所述的像素单元驱动电路在工作时，第一控制信号S1、数据线Data输出的信号以及第二控制信号S2的时序图，其中，A、B、C分别指的是第一时间段、第二时间段、第三时间段。
如图11所示，本发明第六实施例所述的像素单元驱动电路在工作时：
第一时间段，T1、T2开启，T3关闭，DTFT栅极的电压被拉到VDD，DTFT关闭，此时数据线上的电压为Vdh，该电压是比所有Vdata高的电压，由于ETFT是二极管连接，因此ETFT开启，P点电位被充电至Vdh-|Vthe|，然后ETFT关闭。
第二时间段，T1、T2开启，T3关闭，数据线上的电压从Vdh跳变到Vdata，由于Vdata相比Vdh要低很多，因此MTFT的连接形成一个二极管，MTFT开启，P点通过MTFT对数据线放电，直到P点电位下降到Vdata+|Vthm|，此时MTFT关闭。
第三时间段，T1，T2关闭，T3开启，此时DTFT的栅极处于悬空状态，而P点的电位从Vdata+|Vthm|跳变到VSS，因此G点的电位Vg的电位也跳变为Vg＝VDD+VSS-(Vdata+|Vthm|)，DTFT的源极和栅极之间的电压差值Vsg＝VDD-Vg＝Vdata+|Vthm|-VSS，流过DTFT的电流I＝K(Vsg-|Vthd|)2＝(Vdata+|Vthm|-VSS-|Vthd|)2＝(Vdata-VSS)2；其中，Vthm＝Vthd；OLED开始发光，直到下一帧；
其中，Vthm为MTFT的阈值电压，Vsg为DTFT的源极和栅极之间的电压差值，Vthd为DTFT的阈值电压，Vthe为ETFT的阈值电压，Vdata为数据电压，VDD为驱动电源的高电平输出端的输出电压，VSS为驱动电源的低电平输出端的输出电压。
本发明所述的像素单元驱动电路的最大特点是利用同一像素内两个相同设计的TFT电性较匹配的原理，补偿OLED驱动管的临界电压(在同一个像素内部，两个相同设计的TFT由于相互的位置非常接近，即使在现有的不成熟的工艺条件下，它们的工艺环境也非常一致，因此工艺上引起的电性差异非常小，可以视为等同，即匹配薄膜晶体管的阈值电压Vthm与驱动管DTFT的阈值电压Vthd相同)。
以上说明对本发明而言只是说明性的，而非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离所附权利要求所限定的精神和范围的情况下，可做出许多修改、变化或等效，但都将落入本发明的保护范围内。

Claims (11)

1.一种像素单元驱动电路，用于驱动OLED，包括驱动薄膜晶体管、匹配薄膜晶体管、信号清除薄膜晶体管、充电控制单元、驱动控制单元和存储电容，其中，
所述驱动薄膜晶体管，栅极与所述存储电容的第一端连接并通过所述充电控制单元与所述驱动电源的低电平输出端连接，源极与驱动电源的低电平输出端连接，漏极与所述OLED的阴极连接；
所述匹配薄膜晶体管，栅极和漏极通过所述充电控制单元与数据线连接，源极与所述存储电容的第二端连接；
所述信号清除薄膜晶体管，栅极和漏极与所述存储电容的第二端连接，源极与所述匹配薄膜晶体管的栅极和漏极连接，并通过所述充电控制单元与所述数据线连接；
所述存储电容的第二端通过所述驱动控制单元与所述驱动电源的高电平输出端连接；
所述驱动薄膜晶体管、所述匹配薄膜晶体管和所述信号清除薄膜晶体管是n型TFT。
2.如权利要求1所述的像素单元驱动电路，其特征在于，所述充电控制单元包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述驱动控制单元包括第三薄膜晶体管；
所述匹配薄膜晶体管的栅极和漏极，以及所述信号消除薄膜晶体管的源极，通过所述第一薄膜晶体管与所述数据线连接；
所述驱动薄膜晶体管的栅极通过所述第二薄膜晶体管与所述驱动电源的低电平输出端连接；
所述存储电容的第二端通过所述第三薄膜晶体管与所述驱动电源的高电平输出端连接。
3.如权利要求2所述的像素单元驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管是n型TFT；
所述第一薄膜晶体管，栅极与第一控制线连接，漏极与所述数据线连接；
所述第一薄膜晶体管的源极，分别与所述匹配薄膜晶体管的栅极、漏极以及所述信号消除薄膜晶体管的源极连接；
所述第二薄膜晶体管，栅极与所述第一控制线连接，源极与所述驱动电源的低电平输出端连接，漏极与所述驱动薄膜晶体管的栅极连接；
所述第三薄膜晶体管，栅极与第二控制线连接，源极与所述存储电容的第二端连接，漏极与所述驱动电源的高电平输出端连接。
4.一种像素单元驱动方法，应用于如权利要求1所述的像素单元驱动电路，其特征在于，所述像素单元驱动方法包括以下步骤：
信号清除薄膜晶体管开启，充电控制单元控制存储电容通过信号清除薄膜晶体管对数据线放电，直到所述存储电容的第二端的电压降低到使得所述清除薄膜晶体管关闭；
匹配薄膜晶体管开启，所述充电控制单元控制所述数据线输出的数据电压Vdata对所述存储电容进行充电，直到所述存储电容的第二端的电压上升至Vdata-Vthm，其中，Vthm为所述匹配薄膜晶体管的阈值电压；
所述驱动控制单元控制所述存储电容的第二端的电压跳变为VDD，驱动薄膜晶体管的栅极处于悬空状态，以使得所述驱动薄膜晶体管的栅极电压跳变从而所述驱动薄膜晶体管工作并其栅源电压补偿所述驱动薄膜晶体管的阈值电压。
5.一种像素单元，其特征在于，包括OLED和如权利要求1至3中任一权利要求所述的像素单元驱动电路，所述像素单元驱动电路与所述OLED的阴极连接，所述OLED的阳极与驱动电源的高电平输出端连接。
6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求5所述的像素单元。
7.一种像素单元驱动电路，用于驱动OLED，其特征在于，包括驱动薄膜晶体管、匹配薄膜晶体管、信号清除薄膜晶体管、充电控制单元、驱动控制单元和存储电容，其中，
所述驱动薄膜晶体管，栅极与所述存储电容的第一端连接并通过所述充电控制单元与所述驱动电源的高电平输出端连接，源极与驱动电源的高电平输出端连接，漏极与所述OLED的阳极连接；
所述匹配薄膜晶体管，栅极和源极通过所述充电控制单元与数据线连接，漏极与所述存储电容的第二端连接；
所述信号清除薄膜晶体管，栅极和源极与所述存储电容的第二端连接，漏极与所述匹配薄膜晶体管的栅极和源极连接，并通过所述充电控制单元与所述数据线连接；
所述存储电容的第二端通过所述驱动控制单元与所述驱动电源的低电平输出端连接；
所述驱动薄膜晶体管、所述匹配薄膜晶体管和所述信号清除薄膜晶体管是p型TFT。
8.如权利要求7所述的像素单元驱动电路，其特征在于，所述充电控制单元包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述驱动控制单元包括第三薄膜晶体管；
所述匹配薄膜晶体管的栅极和源极，以及所述信号消除薄膜晶体管的漏极，通过所述第一薄膜晶体管与所述数据线连接；
所述驱动薄膜晶体管的栅极通过所述第二薄膜晶体管与所述驱动电源的高电平输出端连接；
所述存储电容的第二端通过所述第三薄膜晶体管与所述驱动电源的低电平输出端连接。
9.如权利要求8所述的像素单元驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管是p型TFT；
所述第一薄膜晶体管，栅极与第一控制线连接，漏极与所述数据线连接；
所述第一薄膜晶体管的源极，分别与所述匹配薄膜晶体管的栅极、源极以及所述信号消除薄膜晶体管的漏极连接；
所述第二薄膜晶体管，栅极与所述第一控制线连接，源极与所述驱动电源的高电平输出端连接，漏极与所述驱动薄膜晶体管的栅极连接；
所述第三薄膜晶体管，栅极与第二控制线连接，源极与所述存储电容的第二端连接，漏极与所述驱动电源的低电平输出端连接。
10.一种像素单元，其特征在于，包括OLED和如权利要求7至9中任一权利要求所述的像素单元驱动电路，所述像素单元驱动电路与所述OLED的阳极连接，所述OLED的阴极与驱动电源的低电平输出端连接。
11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求10所述的像素单元。
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