CN102625917B - 测试高亮度发光二极管(hbled)的系统和方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种测试高亮度LED(HBLED)的系统和方法,具体说提供一种具有改善的精确度和可重复性的HBLED的控制能量测试的系统和方法。在一个实施例中,所述的系统包括:一个用于提供一个恒定的功率给一个处于测试状态的器件(DUT)的可编程的恒定功率源;及在本案中,一个HBLED;其中所述的可编程的恒定功率源调整输出电压或输出电流以确保在一个确定数量的时间内将给定数量的功率供给所述的HBLED,并在所述的测试顺序的持续时间内提供对所述的HBLED的结点温度的精确的控制;一个参数测量单元(PMU),包括一个用于执行多个HBLED测试顺序的处理器,和一个用于测量一组HBLED参数包括所述的HBLED的光输出的功率和颜色(波长)的分光仪;以及一个用于协调获取所述的一组被测量的HBLED参数的定时的控制器。在另一个实施例中,一个光电探测器被用来测量所述的HBLED的光输出的集成功率。

Description

测试高亮度发光二极管(HBLED)的系统和方法
对相关申请的交叉引用
本实用专利申请要求于2009年8月3日提交的第61/230,968号美国临时专利申请的优先权,该美国临时专利申请的主题内容一并援引于此。
技术领域
本发明总的有关一种测试固体光器件例如高亮度发光二极管(HBLED)的系统和方法,具体说是有关一种具有改进的测量的精确度和可重复性的对HBLED进行控制能量测试的系统和方法。
背景技术
发光二极管(LED)的历史
随着LED的发现,正向偏压的二极管的发光的科学观察报告的最早记录开始于1907年。这个发明给予俄罗斯技术专家OlegVladimirovichLosev广泛的声誉,是他观察到:氧化锌二极管和碳化硅二极管被用于无线电装置的接收电路,当被正向偏压时他是以被发射的少量光进行工作。Losev对二极管发光的原因和性质的研究成为1924年至1930年发表的一系列的16篇论文的基础,这些论文说明了其对发光二极管(LED)研究的结果。可悲的是,Losev在希特勒围攻列宁格勒其间被诱捕并饿死于1942年。由于他的过早死亡和第二次世界大战劫后余生的混乱,他的工作被世人忘掉。
于1962年当美国研究人员论证了一种基于LED作用的激光时,LED的历史再重新展现。在1962年至1990年代中期,LED成为一种常用的电子元件并被用在种种标识和发信号的应用中。在LED方面的下一个突破性进展发生在1995年,此时IsamuAkasaki和H.Amano论证了一种基于氮化镓(GaN)工作的高亮度发光二极管(HBLED)。HBLED比传统的LED具有大得多的亮度、更高的效率并可以构造成产生更多的颜色。
HBLED的电气效率和紧凑的尺寸已展现了适合于这些固体光器件的一大批的新应用。在近来的这些年中,人们已发现多种HBLED它们进入种种科学的和照明的应用的途径,从而推动多种HBLED的市场在2006年扩展到超过110亿美元。
虽然从物理学家的观点看,“发光二极管”这名称已准确地描述了该器件,但该名称并未精确地说明该器件如何被使用。从应用观点看,该HBLED通常并不作为一种二极管被使用。二极管当被正向偏压时是被用作通过电流,而在被反向偏压时阻止电流。如果借助水来类比,则二极管是起到单向流动阀的作用。一种HBLED的主要功能是发光。该HBLED是将电功率转变成光功率。在水的类比模式中,该二极管是一个单向流动阀而该HBLED是一个发生器。
LED测试
在制造过程中用于评价HBLED器件的测试方法是基于传统的二极管测试,这些传统的二极管测试被扩大到包括测量HBLED光学输出的功率和颜色(即波长)。典型的HBLED测试是用简化了的二极管测试顺序开始进行,在该测试顺序中二极管被反向偏压以确定泄漏电流的数量,然后在测量正向电压时用一个强制电流被正向偏压。为了测量HBLED的光学性能,在用光电探测器(photodetector)和/或分光仪(spectrometer)测量由该处于测试状态的HBLED(HBLEDDUT)器件发出光的功率和颜色时施加一个强制电流。
当这些测试必须在最短的时间可能经常是50毫秒或更短的时间内完成在多数情况下,生产HBLED测试顺序是在该正被测试的器件已到达热平衡之前完成,这就显著地降低了正向电压测量及光学功率测量和颜色测量的精确度和可重复性。
从测试和测量观点看,由于该HBLED根本上是一种能量转换器件,人们必然会想到用于评估HBLED的测试方法或策略势必完全不同于二极管的测试方法或者策略。
发明内容
对HBLED测试的传统方法是源于HBLED是一种发光的二极管这样的想法。而控制能量测试方法是将HBLED看作一种能量变换器并假设HBLED将电功率转变成光功率。该测试的目标就是通过测量由HBLED所产生的作为时间的函数的光功率按照输入能量相对输出能量来评价其转变的效率,同时控制输入到处于测试状态的HBLED器件(HBLEDDUT)的电功率。
虽然传统的测试方法或策略和控制能量测试方法或策略两种都可进行这些器件的相同性能的测量,但控制能量测试方法或策略能更好的一致性地符合这些器件的真实性及器件使用的应用类型。该控制能量测试方法或策略提高了测量的精确度,更重要的是,还改善了测试的可重复性,而不会牺牲测试的速度。
控制能量测试方法或策略克服了与传统的HBLED测试的方法和测试系统相关联的根本的弱点。首先,由于传统的HBLED测试系统被优化适合于施加电流和测量电压,被发送到HBLEDDUT的功率的实际数量并未被监控,因而是不知道的。而且,由于传统的HBLED测试系统的实施并未提供对一个测试顺序的各方面定时精确的控制,被传递给该处于测试状态的器件(DUT)的能量的精确的数量(功率×时间)也并不能被确定。由于在被传送给DUT的功率的数量方面的不确定性和在测试的定时和测量顺序方面的不确定性,测量结果的精确度和可重复性受到影响而变差,并且被测量的数据将在各次测试中不同。
该控制能量测试策略是通过以下步骤来解决上述这些问题:1.在正向偏压和光测试时施加一个可编程的(给定的或者预先确定的)数量的功率(不只是电压或者电流而是它们两者的乘积);2.精确地控制一个DUT的结点温度;以及3.精确地协调所有的测试和测量顺序包括反向电压、正向电压和输出光功率指配的定时。一个控制能量测试顺序将一个给定数量的功率(时间变化或不变化)施加到该DUT,以促使该DUT的结点温度到达热平衡。在一个预定数量的能量已发送到DUT并且该DUT的结点温度处于稳定之后,测量该HBLED的光输出的颜色和功率。
附图说明
图1显示根据本发明的原理的一个实施例的控制能量测试系统的方块图。
图2显示一种控制能量测试方法,该方法具有对一个DUT输入能量的精确定时和在该DUT达到热平衡之后经协调的输出能量测量及光功率指配。
图3显示根据本发明的原理的一个实施例的控制能量系统。
具体实施方式
在本发明的一个实施例中,控制能量测试被实施,本发明的该控制能量测试是一种用于提高在对电子的或者光电子的器件进行参数的和/或功能的测试过程中所获得的测量的精确度和可重复性的方法。
该控制能量测试技术使用一个结合有精确的定时电路的可编程的恒定的功率源以在一个预定数量的时间内将一个给定的或者预先确定的数量的功率传送给一个器件处于测试状态的器件(DUT)。
图1和图2图示一种系统和方法,即适用于一个处于测试状态的高亮度发光二极管器件(HBLEDDUT)的控制能量测试系统100和方法200。该控制能量测试系统和方法,例如一种控制能量测试的参数测量单元(PMU)300(如图3所示)的实施是基于一种由一个多个处理器的网络控制的模拟的参数测量单元。该处理器网络的设计被优化以实施一个所要求的控制系统以提供给DUT一个预先确定数量的功率,这样就可在HBLED测试顺序的整个定时中给予精确的控制。该控制能量测试的PMU300的‘施加功率’或者‘恒定的功率源’的功能是类似于一种恒定的电压源或者一种恒定的电流源。术语‘恒定的功率源’是指该功率源调整输出的电压和电流两者,以确保一个给定数量的功率被提供给HBLEDDUT。被发送的该数量的功率可以是随时间变化或者在整个时间内是恒定的。
在图1中,控制能量测试系统100将控制能量测试顺序(即控制电功率)提供给和输入到一个DUT102(例如LED或者HBLED,等等),该DUT将电功率转变成光功率,然后该光功率被一个测试数据获取系统104获取。该测试数据获取系统104,在一个实施例中,可以包括一个用于获取与功率和颜色输出两者相关的测试数据的分光仪106,而在另一个实施例中,可以包括一个分光仪106和一个光电探测器108两者,借此该分光仪106获取与功率和颜色相关的测试数据,而该光电探测器108获取与功率输出相关的测试数据。应认识到该测试数据获取系统104可以包括其它使用于从DUT102获取其它的测试数据的合适的器件或配置,而这并不背离本发明的范围或者精神。
图2显示一种控制能量测试方法200,该方法具有对一个DUT(在一个示范性的实例中,为一个HBLED)输入能量的精确的定时和在该DUTHBLED达到热平衡之后经协调的输出能量测量及光功率分配。
首先,该DUTHBLED是在一种所谓的“冷结点”状态,即在环境温度,通常为25OC时平衡的未加热的状态。该方法200开始于步骤202:将一系列的短强制电流脉冲施加到一个DUTHBLED。然后,在步骤204中:测量一个正向电压以监控该DUTHBLED的结点温度。接着,在步骤205中:施加控制能量。如果在步骤206中DUTHBLED的结点温度已达到热平衡,则在步骤208中执行DUTHBLED的功能测试;否则,如果在步骤206中DUTHBLED的结点温度未达到热平衡,该方法200就返回到步骤205,连续地施加控制能量并在步骤206中连续监控DUTHBLED的结点温度,直到该结点温度达到平衡。最后,在步骤210中获取该DUTHBLED的功能测试数据,例如输出能量的功率、颜色,等等。
图3显示根据本发明的原理的一个实施例的一个控制能量测试系统300。该控制能量测试系统300包括多个处理器。在本实施例中的这些处理器使用一个共享的系统时钟以便保持一个共享的时间参照、数个平面存储器映像(flatmemorymaps)和一个精简的指令集构架。所有这些功能使该处理器组可以被独立地编程序但彼此保持紧密协调。这些处理器的每一个在该电路内被指配一个特定的功能以确保在各任务的执行定时方面的完整性。由于使用该共享的系统时钟,这些任务是同步化的。
与电路的恒定功率输出关联的有两个控制环301、302。该内控制环301是一个用作执行一个恒定电压或者恒定电流模式放大器(可选择的)304的模拟反馈环。内控制环301包括一个电压检测处理器306、一个电流检测处理器308、一个模拟/数字转换器(A/D)320、一个电流传感器321和一个模拟/数字转换器318。
该外控制环302是一个数字反馈环,该数字反馈环实现恒定的功率输出并包括电压检测处理器306和电流检测处理器308(和相关联的数个模拟电路)、一个数学处理器310、一个控制处理器312和一个力处理器314(forceprocessor)。
这些处理器306、308、310、312不断地监控DUT的电压和电流、检测任何不规则的功率情况,以及必要的话,用信号通知力处理器314以酌情增大或减小输出的电流或者电压,从而确保一个恒定数量的功率被传送给DUTHBLED102。
该控制处理器312控制HBLED测试顺序的执行。这个处理器312专用于控制一个测试顺序执行的任务。对恒定功率电路的控制是通过对数学处理器和力处理器310、314的通信连接被控制的。控制处理器312还通过发送一个被精确定时的信号给分光仪106,如果配置的话,和光电探测器108使DUTHBLED的输出能量获取的开始和结束同步化。通信处理器316专用于控制与一个主机系统317的通信,该主机系统317包括有测试顺序和获取定时的配置。通信处理器316的功能是确保主机通信可以被操作和被执行,而不会使可能正在进行中的任何测试顺序的定时的精确度下降。电压检测处理器306监控跨接DUTHBLED102的电压。一个模拟缓冲电路对下侧的DUT的电压采样并将一个经标定的DUT电压送给该高速的、高精确度的模拟/数字(A/D)转换器318。电压检测处理器306监控并记录电压检测模拟/数字(A/D)转换器318的输出。
电流检测处理器308监控流入DUTHBLED102的电流量。一个模拟缓冲电路对跨接电流传感器321的电压采样并将一个经测量的DUT电流送给该高速的、高精确度的模拟/数字(A/D)转换器320。电流检测处理器308监控和记录电流检测模拟/数字(A/D)转换器320的输出。
数学处理器310取得由电流检测处理器和电压检测处理器308、306提供的DUTHBLED的电压和电流的信息并计算来源于DUTHBLED102的集成功率。数学处理器310然后比较依靠所要求的功率电平计算的结果并,如果必要的话,命令力处理器314修正传送给DUTHBLED102的功率数量。
力处理器314控制与施加电流或者电压给DUTHBLED102相关联的一个模拟电路。该模拟电路的特点是有一个由高速的和高精确度的数字/模拟(D/A)转换器322驱动的电流和/或电压模式力放大器304。力处理器314执行来自数学处理器310的命令以调整正在被提供给DUTHBLED102的电压或者电流的数量。
熟悉本领域技术的人员应认识到上述的控制能量测试系统100和方法200可以被用于测试其它合适的器件和/或配置,包括但并不限于,任何其它的将电功率转变为光功率的合适的能量转换器件。
应认识到附图和结合附图的详细说明应是被看作例示性的而并不是限制性的。
熟悉本领域技术的人员由上述的说明将可清楚理解本发明的这些和其它的特点。同样应认识到发明可以在各个显而易见的方面作出变型,所有这些变型并未背离本发明的精神和范围。而且还应认识到上述的处理器、转换器、传感器、分光仪,等等,可以各种各样的方式实现,而并不背离本发明的范围。

Claims (11)

1.一种控制能量测试处于测试状态的器件的系统,包括:
一个可编程的恒定功率源,用于调整输入电压和输入电流以提供一个给定的功率给所述的处于测试状态的器件,其中所述的可编程的恒定的功率源在正向偏压和光测试时施加所述给定的功率给处于测试状态的器件,以确保在一个预定的时间内将所述给定的功率供给到所述的处于测试状态的器件,并提供所述的处于测试状态的器件的结点温度的精确控制;以及
一个测试数据获取系统,所述测试数据获取系统包括:
一个分光仪,用于测量所述的处于测试状态的器件的光输出的功率和颜色两者;以及
一个光电探测器,用于测量所述的处于测试状态的器件的所述光输出的集成功率;
其中,所述可编程的恒定功率源包括一个处理器的网络,该处理器的网络包括数个处理器,所述数个处理器包括控制处理器,所述控制处理器控制测试顺序的执行并通过发送一个被精确定时的信号给所述分光仪和所述光电探测器使所述的处于测试状态的器件的输出能量获取的开始和结束同步化。
2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于所述可编程的恒定功率源进一步包括一组定时电路以提供对所述的测试顺序的定时控制。
3.根据权利要求1所述的系统,其特征在于所述处理器的网络控制所述的可编程的恒定功率源的模拟参数的测量。
4.根据权利要求3所述的系统,其特征在于所述的数个处理器共享一个系统时钟以保持一个共享的时间参照、数个平面存储器映像和一个精简的指令集构架,该精简的指令集构架可使所述数个处理器的每一个被独立地编程和在由各个处理器执行的功能间被协调。
5.根据权利要求3所述的系统,其特征在于所述数个处理器的每一个被指配一个特定的功能以确保定时执行所述的测试顺序的完整性。
6.根据权利要求1所述的系统,其特征在于所述的可编程的恒定功率源包括一个用于实施恒定电压或者恒定电流模式的内反馈环和一个用于实施恒定功率输出的外反馈环。
7.根据权利要求6所述的系统,其特征在于所述的外反馈环包括一个电压检测处理器、一个电流检测处理器、一个数学处理器、一个控制处理器和一个力处理器。
8.根据权利要求7所述的系统,其特征在于进一步包括一个用于配置所述的测试顺序的定时的通信处理器。
9.根据权利要求1所述的系统,其特征在于所述的处于测试状态的器件是高亮度发光二极管。
10.一种控制能量测试处于测试状态的器件的方法,包括以下步骤:
提供一个可编程的恒定功率源,所述的可编程的恒定功率源将一个给定的功率传送给所述的处于测试状态的器件;
所述可编程的恒定功率源包括一个处理器的网络,该处理器的网络包括数个处理器,所述数个处理器包括控制处理器,所述控制处理器控制测试顺序的执行;
提供一个测试数据获取系统,所述的测试数据获取系统测量一组参数,所述测试数据获取系统包括一个分光仪和一个光电探测器,所述分光仪用于测量所述的处于测试状态的器件的光输出的功率和颜色两者,所述光电探测器用于测量所述的处于测试状态的器件的光输出的集成功率;
所述控制处理器通过发送一个被精确定时的信号给所述分光仪和所述光电探测器使所述的处于测试状态的器件的输出能量获取的开始和结束同步化;
通过所述的控制处理器执行所述的测试顺序;
将所述给定的功率施加到所述的处于测试状态的器件以在所述的测试顺序的持续时间内控制所述的处于测试状态的器件的结点温度;
测量所述的一组参数,包括所述的处于测试状态的器件的光输出的颜色和功率;
通过所述的控制处理器协调定时将所述给定的功率加到所述的处于测试状态的器件上和定时获取所述的一组被测量参数;以及
调整所述的可编程的恒定功率源以确保在一个预定的时间内将所述给定的功率供给所述的处于测试状态的器件。
11.根据权利要求10的方法,其特征在于所述的处于测试状态的器件是高亮度发光二极管。
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011017182A1 (en) * 2009-08-03 2011-02-10 Sof-Tek Integrators, Inc., Dba Op-Test, Inc. System and method of testing high brightness led (hbled)
US9128144B2 (en) * 2010-08-10 2015-09-08 Sof-Tek Integrators, Inc. System and method of quantifying color and intensity of light sources
CN102269796A (zh) * 2011-07-12 2011-12-07 江苏奥雷光电有限公司 一种测试激光二极管高温数据的装置与测试方法
TWI422805B (zh) * 2011-09-23 2014-01-11 Univ Nat Taipei Technology 量測發光二極體光譜的系統
US8927944B2 (en) * 2011-11-14 2015-01-06 Kla-Tencor Corporation High throughput hot testing method and system for high-brightness light-emitting diodes
US9059803B2 (en) * 2012-09-28 2015-06-16 Intel Corporation Mechanism for facilitating an optical instrumentation testing system employing multiple testing paths
US20140103932A1 (en) * 2012-10-11 2014-04-17 Electro-Motive Diesel, Inc. System and method for light intensity monitoring
US9551669B2 (en) 2013-03-13 2017-01-24 Sof-Tek Integrators, Inc. Method and system for characterizing light emitting devices
US9857457B2 (en) 2013-03-14 2018-01-02 University Of Windsor Ultrasonic sensor microarray and its method of manufacture
KR20140113469A (ko) * 2013-03-15 2014-09-24 포톤 다이나믹스, 인코포레이티드 검사 중에 디스플레이의 실시간 모니터링을 위한 시스템 및 방법
CN103364032B (zh) * 2013-07-15 2015-09-16 中国科学院半导体研究所 半导体发光器件或模组在线多功能测试系统及方法
CA2856917A1 (en) 2013-07-19 2015-01-19 University Of Windsor Ultrasonic sensor microarray and method of manufacturing same
US9347824B2 (en) * 2013-11-01 2016-05-24 Kla-Tencor Corporation Light collection optics for measuring flux and spectrum from light-emitting devices
CA2930362C (en) * 2013-11-15 2018-06-05 Kureha Corporation Temporary plugging agent for well drilling
US20150316411A1 (en) * 2014-05-02 2015-11-05 Kla-Tencor Corporation Method and System for Intrinsic LED Heating for Measurement
CN104217127B (zh) * 2014-09-18 2017-08-22 北京四方继保自动化股份有限公司 一种pmu动态数据模拟生成方法
CN104506137A (zh) * 2014-11-26 2015-04-08 北京金鸿泰科技有限公司 一种设备故障诊断方法和装置
US9948411B2 (en) * 2014-12-05 2018-04-17 W2Bi, Inc. Smart box for automatic feature testing of smart phones and other devices
CN106019111A (zh) * 2016-05-17 2016-10-12 杰华特微电子(杭州)有限公司 芯片测试方法
US10681570B2 (en) 2016-08-12 2020-06-09 W2Bi, Inc. Automated configurable portable test systems and methods
US10158552B2 (en) 2016-08-12 2018-12-18 W2Bi, Inc. Device profile-driven automation for cell-based test systems
US10701571B2 (en) 2016-08-12 2020-06-30 W2Bi, Inc. Automated validation and calibration portable test systems and methods
US10548033B2 (en) 2016-08-12 2020-01-28 W2Bi, Inc. Local portable test systems and methods
US10251079B2 (en) 2016-08-12 2019-04-02 W2Bi, Inc. Cloud-based services for management of cell-based test systems
US10375798B2 (en) * 2016-10-26 2019-08-06 Enlighted, Inc. Self-determining a configuration of a light fixture
CN107064773B (zh) * 2017-03-17 2019-09-17 深圳市华星光电技术有限公司 Ate电压测试系统及ate电压测试方法
CN109164773B (zh) * 2018-09-29 2020-03-27 厦门大学 一种基于LabVIEW的多功能光学测试系统及方法
WO2020102111A1 (en) * 2018-11-14 2020-05-22 Trilumina Corp. In-situ bias voltage measurement of vcsels
RU2725613C1 (ru) * 2019-12-09 2020-07-03 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук Способ измерения граничной частоты электролюминесценции локальных областей светоизлучающей гетероструктуры
TWI746292B (zh) * 2020-11-27 2021-11-11 茂達電子股份有限公司 電路量測裝置及方法
CN118191557A (zh) * 2024-03-26 2024-06-14 北京显芯科技有限公司 芯片测试方法、系统和存储介质

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5019769A (en) * 1990-09-14 1991-05-28 Finisar Corporation Semiconductor laser diode controller and laser diode biasing control method
US6600585B1 (en) * 1998-08-19 2003-07-29 Nec Corporation Optical transmitter
US7030642B2 (en) * 2004-02-06 2006-04-18 Honeywell International Inc. Quick attachment fixture and power card for diode-based light devices
TW200923393A (en) * 2007-11-23 2009-06-01 Ind Tech Res Inst Devices and methods for LED life test

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3932847A (en) 1973-11-06 1976-01-13 International Business Machines Corporation Time-of-day clock synchronization among multiple processing units
US4039928A (en) * 1976-07-19 1977-08-02 Pertron Controls Corporation Electrical operating circuit having semiconductor device junction temperature monitoring
US4713612A (en) * 1986-07-14 1987-12-15 Hughes Aircraft Company Method and apparatus for determination of junction-to-case thermal resistance for a hybrid circuit element
US5032789A (en) * 1989-06-19 1991-07-16 Hewlett-Packard Company Modular/concurrent board tester
JPH06101592B2 (ja) * 1989-08-31 1994-12-12 株式会社東芝 半導体発光素子の発光出力測定装置
US5059889A (en) * 1990-03-08 1991-10-22 Texas Instruments Incorporated Parametric measurement unit/device power supply for semiconductor test system
US6373573B1 (en) 2000-03-13 2002-04-16 Lj Laboratories L.L.C. Apparatus for measuring optical characteristics of a substrate and pigments applied thereto
US6249173B1 (en) * 1998-09-22 2001-06-19 Ando Electric Co., Ltd. Temperature stabilizing circuit
US6675106B1 (en) 2001-06-01 2004-01-06 Sandia Corporation Method of multivariate spectral analysis
US7047181B1 (en) * 2001-11-19 2006-05-16 Cypress Semiconductor Corporation External power detect and supply
US7052180B2 (en) * 2002-01-04 2006-05-30 Kelvin Shih LED junction temperature tester
US6806772B2 (en) * 2002-11-06 2004-10-19 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Power transistor array temperature control system
US7047110B2 (en) * 2003-04-16 2006-05-16 Intel Corporation Method and apparatus for controlling a power supply
EP1507134B1 (de) * 2003-07-23 2007-06-13 Gretag-Macbeth AG Spektralfotometer und zugehöriger Messkopf
US7248058B2 (en) * 2003-10-17 2007-07-24 Clarridge Ronald P Testing and calibration device with diagnostics
US7023554B2 (en) * 2003-11-14 2006-04-04 Test Coach Corporation Method and apparatus for determining a color and brightness of an LED in a printed circuit board
US6900650B1 (en) * 2004-03-01 2005-05-31 Transmeta Corporation System and method for controlling temperature during burn-in
CA2560281A1 (en) * 2004-03-25 2005-10-13 Optichron, Inc. Model based distortion reduction for power amplifiers
US7132805B2 (en) * 2004-08-09 2006-11-07 Dialight Corporation Intelligent drive circuit for a light emitting diode (LED) light engine
KR101249025B1 (ko) * 2004-10-22 2013-03-29 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. Led계 조명 장치의 구동 방법
US7923935B2 (en) * 2005-04-21 2011-04-12 Radiant Research Limited Illumination control system for light emitters
WO2007016373A2 (en) * 2005-07-28 2007-02-08 Synditec, Inc. Pulsed current averaging controller with amplitude modulation and time division multiplexing for arrays of independent pluralities of light emitting diodes
US7821194B2 (en) 2006-04-18 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting devices including light mixtures
DE602006014955D1 (de) * 2006-06-28 2010-07-29 Osram Gmbh LED-Schaltung mit Stromregelung
US7651268B2 (en) * 2007-02-23 2010-01-26 Cao Group, Inc. Method and testing equipment for LEDs and laser diodes
US7944420B2 (en) * 2007-09-28 2011-05-17 Osram Sylvania Inc. Light emitting diode driver providing current and power control
TW200926896A (en) * 2007-12-06 2009-06-16 Bin-Juine Huang Constant power driving-and-controlling method for light emitting elements
US7834651B2 (en) 2008-01-16 2010-11-16 Advantest Corporation Power supply circuit
JP4525767B2 (ja) * 2008-02-14 2010-08-18 ソニー株式会社 照明装置及び表示装置
TWM338356U (en) * 2008-04-08 2008-08-11 Princeton Technology Corp Circuit testing apparatus
TWI404923B (zh) * 2008-07-07 2013-08-11 Ind Tech Res Inst Standard Test Method for PN Joint Temperature of Light Emitting Diodes
US8576297B2 (en) 2008-07-11 2013-11-05 The Invention Science Fund I, Llc Spectral improvement of digital camera color images
US8686642B2 (en) * 2009-05-15 2014-04-01 Andrew Julius Muray Stabilized high brightness LED suitable as calibration standard
WO2011017182A1 (en) * 2009-08-03 2011-02-10 Sof-Tek Integrators, Inc., Dba Op-Test, Inc. System and method of testing high brightness led (hbled)
US8258722B2 (en) 2009-09-24 2012-09-04 Cree, Inc. Lighting device with defined spectral power distribution
US8358089B2 (en) 2010-05-08 2013-01-22 Lightel Technologies Inc. Solid-state lighting of a white light with tunable color temperatures

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5019769A (en) * 1990-09-14 1991-05-28 Finisar Corporation Semiconductor laser diode controller and laser diode biasing control method
US6600585B1 (en) * 1998-08-19 2003-07-29 Nec Corporation Optical transmitter
US7030642B2 (en) * 2004-02-06 2006-04-18 Honeywell International Inc. Quick attachment fixture and power card for diode-based light devices
TW200923393A (en) * 2007-11-23 2009-06-01 Ind Tech Res Inst Devices and methods for LED life test

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