CN102623604B - ZnO纳米棒发光二极管及其制作方法 - Google Patents
ZnO纳米棒发光二极管及其制作方法 Download PDFInfo
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Abstract
一种ZnO纳米棒发光二极管,包括:一衬底;一p-GaN层,该p-GaN层制作在衬底上;一ZnO纳米棒阵列,该ZnO纳米棒阵列制作在p-GaN层上面的一侧,另一侧为台面;一石墨烯层,该石墨烯层制作在ZnO纳米棒阵列上;一上电极,该上电极制作在石墨烯层的一侧边缘上;一下电极,该下电极制作在p-GaN层一侧的台面上。石墨烯具有高达97%的可见光透射率和优异的导电性及机械性能,可以自然铺展于纳米棒之间而不轻易断裂,形成良好的接触和连接作用,因此是一种良好的透明电极材料。将化学气相沉积生长的大面积连续石墨烯转移到ZnO纳米棒阵列的上方,石墨烯在ZnO纳米棒的支撑下自然铺展,简单地形成发光二极管的电极层,同时还能起到电流扩展层的作用。
Description
技术领域
本发明属于半导体技术领域,特别是涉及一种氧化锌纳米棒发光二极管的电极结构。
背景技术
氧化锌(ZnO)是一种II-VI族半导体材料,室温下具有较大的直接带隙(3.4eV)和较大的激子束缚能(60meV),在光电子领域有广泛的应用。ZnO的p型掺杂难以实现,因此在光电子器件的设计上通常采取在其他的p型衬底材料上生长n型的ZnO的方式。相比连续的外延薄膜,生长ZnO纳米结构更容易获得近似无缺陷的晶体,这是因为纳米结构的大量表面有利于应力和应变的释放。出于这个原因,在ZnO基发光二极管当中,为了形成高结晶质量的ZnO的有效发光,其中一种重要的器件结构是在p型GaN衬底上生长n型ZnO纳米棒的有序阵列。空穴通过纳米棒与衬底形成的p-n结从GaN扩散到ZnO中,在ZnO纳米棒内部电子和空穴复合发光。由于是一系列分立的纳米棒,与一般连续平面的情况不同,ZnO端的电极制作不能采用简单的直接淀积,而需要特殊的工艺设计。其中一种方法是先涂布绝缘的物质如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)使其填充纳米棒的间隙,然后刻蚀多余的PMMA使纳米棒尖端露出,最后淀积透明导电的氧化铟锡(ITO)层作为电极。然而,这套电极制作工艺较为繁琐不易控制,复杂的处理还可能对器件的性能有不利影响。因此有必要寻求一种新的电极制作方法。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种ZnO纳米棒发光二极管及其制作方法,其是采用石墨烯作为ZnO端的电极材料。石墨烯具有高达97%的可见光透射率和优异的导电性及机械性能,可以自然铺展于纳米棒之间而不轻易断裂,形成良好的接触和连接作用,因此是一种良好的透明电极材料。将化学气相沉积生长的大面积连续石墨烯转移到ZnO纳米棒阵列的上方,石墨烯在ZnO纳米棒的支撑下自然铺展,简单地形成发光二极管的电极层,同时还能起到电流扩展层的作用。
本发明提供一种一种ZnO纳米棒发光二极管,包括:
一衬底;
一p-GaN层,该p-GaN层制作在衬底上;
一ZnO纳米棒阵列,该ZnO纳米棒阵列制作在p-GaN层上面的一侧,另一侧为台面;
一石墨烯层,该石墨烯层制作在ZnO纳米棒阵列上;
一上电极,该上电极制作在石墨烯层的一侧边缘上;
一下电极,该下电极制作在p-GaN层一侧的台面上。
本发明还提供一种ZnO纳米棒发光二极管的制作方法,包括如下步骤:
步骤1:在一衬底10上生长一p-GaN层;
步骤2:在p-GaN层上面的一侧制备一ZnO纳米棒阵列,另一侧为台面;
步骤3:取一铜衬底,在其上使用化学气相沉积的方法生长连续的石墨烯层;
步骤4:在石墨烯层上涂布一层PMMA,作为机械支撑膜;
步骤5:腐蚀去除石墨烯层的铜衬底;
步骤6:将石墨烯层清洗后覆盖到ZnO纳米棒阵列上;
步骤7:在室温下晾干,采用丙酮溶解石墨烯层上的PMMA,反复清洗;
步骤8:在石墨烯层上的一侧边缘制备上电极;
步骤9:在p-GaN层一侧的台面上制备下电极,完成ZnO纳米棒发光二极管的制作。
显而易见,本发明将已成型的连续石墨烯直接转移放置到ZnO纳米棒阵列之上,工艺原理和操作都非常简单,避免了以前制备电极时填充聚合物及刻蚀过程。特别是整个电极制作过程几乎没有对ZnO纳米棒施加作用,因此可以保留ZnO纳米棒的最佳晶体质量,发挥ZnO纳米棒发光二极管的最佳性能。此外,石墨烯层还可以起到电流扩展层的作用。
附图说明
为进一步说明本发明的具体技术内容,以下结合实施例及附图详细说明如后,其中:
图1是ZnO纳米棒发光二极管的结构示意图。
图2是使用了石墨烯作为电极的ZnO纳米棒发光二极管的电致发光谱图。
具体实施方式
请参阅图1所示,本发明提供一种ZnO纳米棒发光二极管,包括:
一衬底10,该衬底10的材料为Al2O3单晶,(0001)晶面;
一p-GaN层20,该p-GaN层20制作在衬底10上,为单晶结构,表面为(0001)晶面;
一ZnO纳米棒阵列30,该ZnO纳米棒阵列30制作在p-GaN层20上面的一侧,另一侧为台面21;
一石墨烯层40,该石墨烯层40制作在ZnO纳米棒阵列30上;
一上电极50,该上电极50制作在石墨烯层40的一侧边缘上,所述上电极50为阴极;
一下电极60,该下电极60制作在p-GaN层20一侧的台面21上,所述下电极60为阳极。
请再参阅图1所示,本发明还提供一种ZnO纳米棒发光二极管的制作方法,包括如下步骤:
步骤1:在一衬底10上通过金属有机化学气相沉积法(MOCVD)生长一p-GaN层20,该衬底10的材料为Al2O3单晶,该p-GaN层20的晶向为(0001);
步骤2:在p-GaN层20上面的一侧通过反向自组装模板以水热法生长制备一ZnO纳米棒阵列30,另一侧为台面21,该ZnO纳米棒阵列的晶向为(0001);
步骤3:取一铜衬底,例如25微米厚的铜箔片,在其上使用化学气相沉积的方法生长连续的石墨烯层40,该生长过程使用甲烷作为前驱体,在1000摄氏度环境下进行;
步骤4:在石墨烯层40上涂布一层PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)作为机械支撑膜,该PMMA使用苯甲醚作为溶剂,质量分数8%,通过旋涂的方法进行涂布,转速3000转/分,时间60秒,旋涂后置于热板上以180摄氏度烘烤10分钟使其固化;
步骤5:将石墨烯层40漂浮在腐蚀液液面,铜衬底朝下,腐蚀去除石墨烯层40的铜衬底,腐蚀剂使用三氯化铁溶液,浓度为0.6摩尔/升,时间为6小时;
步骤6:将腐蚀液反复置换成去离子水,石墨烯层40清洗后覆盖到ZnO纳米棒阵列30上,覆盖的实施通过ZnO纳米棒阵列30在去离子水液面下向上平移托起石墨烯层40而实现;
步骤7:在室温下晾干,时间为12小时,采用丙酮溶解石墨烯层40上的PMMA,反复清洗,所述反复清洗是采用去离子水清洗;
步骤8:在石墨烯层40的一侧边缘上制备上电极50,所述上电极50为阴极,是100纳米厚的金;
步骤9:在p-GaN层20一侧的台面21上制备下电极60,所述下电极60为阳极,其结构为20纳米厚的镍上方再覆盖100纳米厚的金,完成ZnO纳米棒发光二极管的制作。
图2显示使用了石墨烯作为电极的ZnO纳米棒发光二极管的电致发光谱图。
以上所述的具体实施例,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种ZnO纳米棒发光二极管的制作方法,包括如下步骤:
步骤1:在一衬底上生长一p-GaN层;
步骤2:在p-GaN层上面的一侧制备一ZnO纳米棒阵列,另一侧为台面;
步骤3:取一铜衬底,在其上使用化学气相沉积的方法生长连续的石墨烯层;
步骤4:在石墨烯层上涂布一层PMMA,作为机械支撑膜;
步骤5:腐蚀去除石墨烯层的铜衬底;
步骤6:将石墨烯层清洗后覆盖到ZnO纳米棒阵列上;
步骤7:在室温下晾干,采用丙酮溶解石墨烯层上的PMMA,反复清洗;
步骤8:在石墨烯层上的一侧边缘制备上电极;
步骤9:在p-GaN层一侧的台面上制备下电极,完成ZnO纳米棒发光二极管的制作。
2.根据权利要求1所述的ZnO纳米棒发光二极管的制作方法,其中衬底的材料为Al2O3。
3.根据权利要求1所述的ZnO纳米棒发光二极管的制作方法,其中上电极为阴极。
4.根据权利要求1所述的ZnO纳米棒发光二极管的制作方法,其中下电极为阳极。
5.根据权利要求1所述的ZnO纳米棒发光二极管的制作方法,其中反复清洗是采用去离子水清洗。
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