CN102593017A - 在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺 - Google Patents
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Abstract
一种在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺,其包含一载体,其具有多个焊垫及保护层;形成导接金属层在该载体上;形成第一光刻胶层在导接金属层上;图案化第一光刻胶层,使第一光刻胶层形成多个开口;在各开口中形成导接件,各导接件具有一顶面及一侧面;移除第一光刻胶层,以显露出各导接件的顶面及侧面;形成第二光刻胶层在该导接金属层上,第二光刻胶层覆盖各导接件;图案化第二光刻胶层,使第二光刻胶层形成多个开口,各开口显露出各导接件的顶面及侧面;在各开口形成抗氧化金属层,其包覆各导接件的顶面及侧面;移除第二光刻胶层,以显露抗氧化金属层及导接金属层;最后移除各导接件及抗氧化金属层下以外的导接金属层。
Description
技术领域
本发明涉及一种在载板上的导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺,特别是涉及一种防止在载板上的导接件发生氧化的制造工艺。
背景技术
请参阅图1,在现有习知的凸块制造工艺中,是会在一基板100上形成多个凸块110,各该凸块110是具有一顶面111及一侧面112,并且在上述凸块110的该顶面111上形成一接合层120,其中上述凸块110是为铜凸块,该接合层120是为镍-金层,当上述凸块110的该侧面112接触水气后,是会使上述凸块110是会产生膨胀,因而造成微间距的相邻凸块110接触而造成短路,且由于上述凸块110的该顶面111形成有该接合层120,因此使得上述凸块110的该顶面111的材质与该侧面112的材质不同而造成腐蚀效应,此外在该基板100薄化制造工艺中,是会造成该基板100产生翘曲,而影响后续测试及切割等制造工艺。
由此可见,上述现有的在载板上的导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺在制造方法与使用上,显然仍存在有不便与缺陷,而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题,相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道,但长久以来一直未见适用的设计被发展完成,而一般制造方法又没有适切的制造方法能够解决上述问题,此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新的在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺,实属当前重要研发课题之一,亦成为当前业界极需改进的目标。
有鉴于上述现有的在载板上的导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺存在的缺陷,本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识,并配合学理的运用,积极加以研究创新,以期创设一种新的在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺,能够改进一般现有的在载板上的导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺,使其更具有实用性。经过不断的研究、设计,并经过反复试作样品及改进后,终于创设出确具实用价值的本发明。
发明内容
本发明的主要目的在于,克服现有的在载板上的导接件的侧面形成氧化的缺陷,而提供一种新的在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺,所要解决的技术问题是提供一种在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺,其步骤包含提供一载体,该载体是具有多个焊垫及一保护层;形成一导接金属层在该载体上;形成一第一光刻胶层在该导接金属层上;图案化该第一光刻胶层,以使该第一光刻胶层形成有多个开口及多个第一沟槽;在各该开口及各该第一沟槽中形成一导接件,各该导接件是具有一顶面及一侧面;移除该第一光刻胶层,以显露出各该导接件的该顶面及该侧面;形成一第二光刻胶层在该导接金属层上,该第二光刻胶层是覆盖各该导接件;图案化该第二光刻胶层,以使该第二光刻胶层形成有多个开口及多个第二沟槽,各该开口及各该第二沟槽是显露出各该导接件的该顶面及该侧面以及该导接金属层;在各该开口及各该第二沟槽形成一抗氧化金属层,该抗氧化金属层是包覆各该导接件的该顶面及该侧面及被各该开口及各该第二沟槽显露该导接金属层;移除该第二光刻胶层,以显露出该抗氧化金属层及该导接金属层;最后移除各该导接件及该抗氧化金属层下以外的该导接金属层。本发明可借此在形成该第一光刻胶层后,图案化该第一光刻胶层,并在该第一光刻胶层的上述开口或上述沟槽中形成上述导接件(如凸块、重分配线路、重分配接垫等),之后,再以该第二光刻胶层覆盖各该导接件,并图案化该第二光刻胶层,以显露出上述导接件的该顶面及该侧面,并在上述导接件的该顶面及该侧面形成该抗氧化金属层,以使上述导接件具有抗氧化的功效,以避免上述导接件因氧化而体积膨胀,造成短路,且在上述导接件的该顶面及该侧面同时形成该抗氧化金属层,是可避免因上述导接件的该顶面或该侧面所包覆材质不同而造成腐蚀效应,此外,在上述导接件的该顶面及该侧面同时形成该抗氧化金属层是可在薄化该载板(如晶圆)时,避免该载板产生翘曲,而影响后续测试及切割等制造工艺,非常适于实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的其包括以下步骤:提供一载体,该载体是具有多个焊垫及一保护层,该保护层具有多个开口,且上述开口是显露出上述焊垫;形成一导接金属层在该载体上,该导接金属层是覆盖上述焊垫及该保护层,且该导接金属层是与上述焊垫电性连接;形成一第一光刻胶层在该导接金属层上,该第一光刻胶层是覆盖该导接金属层;图案化该第一光刻胶层,以使该第一光刻胶层形成有多个第一开口、多个第二开口及多个第一沟槽,其中上述第一开口是位于上述焊垫上方,且上述第一开口、上述第二开口及上述第一沟槽是显露出该导接金属层;在该第一光刻胶层的各该第一开口、各该第二开口及各该第一沟槽中形成一导接件,各该导接件是具有一顶面及一侧面,且各该导接件是电性连接该导接金属层;移除该第一光刻胶层,以显露出各该导接件的该顶面及该侧面;形成一第二光刻胶层在该导接金属层上,该第二光刻胶层是覆盖各该导接件;图案化该第二光刻胶层,以使该第二光刻胶层形成有多个第三开口、多个第四开口及多个第二沟槽,其中上述第三开口是位于上述焊垫上方,且各该第三开口、各该第四开口及各该第二沟槽是显露出各该导接件的该顶面及该侧面;在该第二光刻胶层的各该第三开口、各该第四开口及各该第二沟槽形成一抗氧化金属层,该抗氧化金属层是包覆各该导接件的该顶面及该侧面;移除该第二光刻胶层,以显露出该抗氧化金属层及该导接金属层;以及以各该导接件及该抗氧化金属层为罩幕,移除各该导接件及该抗氧化金属层下以外的该导接金属层。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺,其中所述的其在形成各该导接件的步骤中,形成于各该第一开口中的各该导接件是为凸块,形成于在各该第二开口中的各该导接件是为重分布导接垫,形成于各该第一沟槽中的各该导接件是为重分布线路。
前述的在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺,其中所述的其在形成该抗氧化金属层步骤中,该抗氧化金属层是覆盖被各该第三开口、各该第四开口及各该第二沟槽显露的该导接金属层。
前述的在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺,其中所述的其在形成该抗氧化金属层步骤中,该抗氧化金属层是覆盖被各该第三开口、各该第四开口及各该第二沟槽显露的该导接金属层。
前述的在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺,其中所述的其在形成该抗氧化金属层的步骤中,该抗氧化金属层与该抗氧化金属层下的该导接金属层是具有一接合界面。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的其包括以下步骤:提供一载体,该载体是具有多个焊垫及一保护层;形成一导接金属层在该载体上,该导接金属层是覆盖上述焊垫及该保护层,且该导接金属层是与上述焊垫电性连接;形成一第一光刻胶层在该导接金属层上,该第一光刻胶层是覆盖该导接金属层;图案化该第一光刻胶层,以使该第一光刻胶层形成有多个开口,上述开口是位于上述焊垫上方,且上述开口是显露出该导接金属层;在该第一光刻胶层的各该开口中形成一导接件,各该导接件是具有一顶面及一侧面,且各该导接件是电性连接该导接金属层;移除该第一光刻胶层,以显露出各该导接件的该顶面及该侧面;形成一第二光刻胶层在该导接金属层上,该第二光刻胶层是覆盖各该导接件;图案化该第二光刻胶层,以使该第二光刻胶层形成有多个开口,上述开口是位于上述焊垫上方,且各该开口是显露出各该导接件的该顶面及该侧面;在该第二光刻胶层的该开口形成一抗氧化金属层,该抗氧化金属层是包覆各该导接件的该顶面及该侧面;移除该第二光刻胶层,以显露出该抗氧化金属层及该导接金属层;以及以各该导接件及该抗氧化金属层为罩幕,移除各该导接件及该抗氧化金属层下以外的该导接金属层。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺,其中所述的其在图案化该第二光刻胶层步骤中,各该开口是显露该导接金属层。
前述的在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺,其中所述的其在形成该抗氧化金属层步骤中,该抗氧化金属层是覆盖被各该开口显露的该导接金属层。
前述的在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺,其中所述的其在形成该抗氧化金属层的步骤中,该抗氧化金属层与该抗氧化金属层下的该导接金属层是具有一接合界面。
本发明的目的及解决其技术问题另外再采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的其包括以下步骤:提供一载体,该载体是具有多个焊垫及一保护层;形成一导接金属层在该载体上,该导接金属层是覆盖该保护层;形成一第一光刻胶层在该导接金属层上,该第一光刻胶层是覆盖该导接金属层;图案化该第一光刻胶层,以使该第一光刻胶层形成有多个开口及多个沟槽,且上述开口及上述沟槽是显露出该导接金属层;在该第一光刻胶层的各该开口及各该沟槽中形成一导接件,各该导接件是具有一顶面及一侧面,且各该导接件是电性连接该导接金属层;移除该第一光刻胶层,以显露出各该导接件的该顶面及该侧面;形成一第二光刻胶层在各该导接件上,该第二光刻胶层是覆盖各该导接件;图案化该第二光刻胶层,以使该第二光刻胶层形成有多个开口及多个沟槽,且各该开口及各该沟槽是显露出各该导接件的该顶面及该侧面;在该第二光刻胶层的各该开口及各该沟槽形成一抗氧化金属层,该抗氧化金属层是包覆各该导接件的该顶面及该侧面;移除该第二光刻胶层,以显露出该抗氧化金属层及该导接金属层;以及以各该导接件及该抗氧化金属层为罩幕,移除各该导接件及该抗氧化金属层下以外的该导接金属层。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺,其中所述的其在图案化该第二光刻胶层步骤中,各该开口及各该沟槽是显露该导接金属层。
前述的在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺,其中所述的其在形成该抗氧化金属层步骤中,该抗氧化金属层是覆盖被各该开口及各该沟槽显露的该导接金属层。
前述的在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺,其中所述的其在形成该抗氧化金属层的步骤中,该抗氧化金属层与该抗氧化金属层下的该导接金属层是具有一接合界面。
借由上述技术方案,本发明在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺至少具有下列优点及有益效果:
1、可避免导接件的侧面接触水气,而产生凸块膨胀,因而造成微间距的相邻导接件接触而发生短路。
2、在导接件的侧面及顶面形成抗氧化金属层避免因导接件的侧面及顶面材料不同而造成腐蚀效应。
3、当薄化载板时,可避免产生翘曲,而影响后续测试及切割等制造工艺。
综上所述,本发明其步骤包含提供一载体,该载体是具有多个焊垫及一保护层;形成一导接金属层在该载体上;形成一第一光刻胶层在该导接金属层上;图案化该第一光刻胶层,以使该第一光刻胶层形成有多个开口;在各该开口中形成一导接件,各该导接件是具有一顶面及一侧面;移除该第一光刻胶层,以显露出各该导接件的该顶面及该侧面;形成一第二光刻胶层在该导接金属层上,该第二光刻胶层是覆盖各该导接件;图案化该第二光刻胶层,以使该第二光刻胶层形成有多个开口,各该开口是显露出各该导接件的该顶面及该侧面;在各该开口形成一抗氧化金属层,该抗氧化金属层是包覆各该导接件的该顶面及该侧面;移除该第二光刻胶层,以显露出该抗氧化金属层及该导接金属层;最后移除各该导接件及该抗氧化金属层下以外的该导接金属层。本发明在技术上有显着的进步,具有明显的积极效果,诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举较佳实施例,并配合附图,详细说明如下。
附图说明
图1:现有习知的在一基板上形成多个凸块的示意图。
图2A:依据本发明在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺的一较佳实施例,提供一载体的示意图。
图2B:依据本发明在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺的一较佳实施例,形成一导接金属层在该载体的示意图。
图2C:依据本发明在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺的一较佳实施例,形成一第一光刻胶层在导接金属层上的示意图。
图2D:依据本发明在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺的一较佳实施例,进行图案化第一光刻胶层的示意图。
图2E:依据本发明在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺的一较佳实施例,在第一光刻胶层的第一开口、第二开口及第一沟槽中形成导接件的示意图。
图2F:依据本发明在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺的一较佳实施例,移除第一光刻胶层的示意图。
图2G:依据本发明在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺的一较佳实施例,形成一第二光刻胶层在该导接金属层上的示意图。
图2H:依据本发明在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺的另一较佳实施例,形成一第二光刻胶层在该导接金属层上的示意图。
图2I:依据本发明在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺的一较佳实施例,进行图案化该第二光刻胶层的示意图。
图2J:依据本发明在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺的另一较佳实施例,进行图案化该第二光刻胶层的示意图。
图2K图:依据本发明在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺的一较佳实施例,在第二光刻胶层的第三开口、第四开口及第二沟槽中形成一抗氧化金属层的示意图。
图2L:依据本发明在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺的另一较佳实施例,在第二光刻胶层的第三开口、第四开口及第二沟槽中形成一抗氧化金属层的示意图。
图2M:依据本发明在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺的一较佳实施例,移除第二光刻胶层的示意图。
图2N:依据本发明在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺的一较佳实施例,移除导接件及抗氧化金属层下以外的导接金属层的示意图。
10:载体 11:焊垫
12:线路 13:保护层
13a:开口 20:导接金属层
20A:凸块下金属层 21:钛层
22:铜层 30:第一光刻胶层
31:第一开口 32:第二开口
33:第一沟槽 40:导接件
40a:凸块 40b:重分布导接垫
40c:重分布线路 41:顶面
42:侧面 50:第二光刻胶层
51:第三开口 52:第四开口
53:第三沟槽 60:抗氧化金属层
61:镍层 62:金层
100:基板 110:凸块
111:顶面 112:侧面
120:接合层 A:接合界面
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例,对依据本发明提出的在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺其具体实施方式、制造方法、步骤、特征及其功效,详细说明如后。
请参阅图2A至图2N,其是为一种在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺示意图,首先,请参阅图2A,提供一载体10,该载体是具有多个焊垫11、多个线路12及一保护层13,该保护层13具有多个开口13a,该保护层13是覆盖上述线路12,且上述开口13a是显露出上述焊垫11,在本实施例中,该载体10是为晶圆,该保护层13的材质可选自于无机化合物(如氧硅化合物、氮硅化合物或磷硅玻璃)或有机化合物(如是聚酰亚胺)。接着,请参阅图2B,形成一导接金属层20在该载体10上,该导接金属层20是覆盖上述焊垫11及该保护层13,且该导接金属层20是与上述焊垫11电性连接,该导接金属层20是可以溅镀方法形成于该载体10上,该导接金属层20可包含有一钛层21及一铜层22,该钛层21是位于该载体10与该铜层22之间。之后,请参阅图2C,形成一第一光刻胶层30在该导接金属层20上,该第一光刻胶层30是覆盖该导接金属层20,该第一光刻胶层30是可选自于正型光刻胶。接着,请参阅图2D,进行图案化该第一光刻胶层30步骤,其是借此一光罩(图未绘出)并经曝光及显影等制造工艺,以使该第一光刻胶层30形成有多个第一开口31、多个第二开口32及多个第一沟槽33,其中上述第一开口31是位于上述焊垫11上方,且上述第一开口31、上述第二开口32及上述第一沟槽33是显露出该导接金属层20。之后,请参阅图2E,在该第一光刻胶层30的各该第一开口31、各该第二开口32及各该第一沟槽33中形成一导接件40,在本实施例中各该导接件40的材质是为铜,各该导接件40是电性连接该导接金属层20,在本实施例中,形成于各该第一开口31中的该导接件40是为凸块40a,形成于各该第二开口32中的各该导接件40是为重分布导接垫40b,形成于各该第一沟槽33中的各该导接件40是为重分布线路40c,各该导接件是具有一顶面41及一侧面42,各该导接件40(凸块40a、重分布导接垫40b及重分布线路40c)是可以电镀方法形成于各该第一开口31、各该第二开口32及各该第一沟槽33。接着,请参阅图2F,进行移除该第一光刻胶层30的步骤,以显露出各该导接件40(凸块40a、重分布导接垫40b及重分布线路40c)的该顶面41及该侧面42。之后,请参阅图2G及图2H,形成一第二光刻胶层50在该导接金属层20上,请参阅图2G,该第二光刻胶层50的形成方法是可为旋转涂布(SPIN COATING),该第二光刻胶层50是覆盖各该导接件40,或者,请参阅图2H,该第二光刻胶层50的形成方法是可为喷雾披覆(SPRAYCOATING),该第二光刻胶层50是覆盖各该导接件40,该第二光刻胶层50是可选自于正型光刻胶。接着,请参阅图2I及图2J,进行图案化该第二光刻胶层50步骤,请参阅图2I,其是借此一光罩(图未绘出)并经曝光及显影等制造工艺,以使该第二光刻胶层50形成有多个第三开口51、多个第四开口52及多个第二沟槽53,其中上述第三开口51是位于上述焊垫11上方,且各该第三开口51、各该第四开口52及各该第二沟槽53是显露出各该导接件40的该顶面41及该侧面42,此外,各该第三开口51、各该第四开口52及各该第二沟槽53也显露出在各该第三开口51、各该第四开口52及各该第二沟槽53中的该导接金属层20,在本实例该各该第三开口51是显露出各该凸块40a的顶面及侧面,各该第四开口52是显露出各该重分布导接垫40b的顶面及侧面,各该第二沟槽53是显露出各该重分布线路40c的顶面及侧面,或者,请参阅图2J,各该第三开口51、各该第四开口52及各该第二沟槽53是显露出各该导接件40的该顶面41及该侧面42,且各该第三开口51、各该第四开口52及各该第二沟槽53也显露出在各该第三开口51、各该第四开口52及各该第二沟槽53中的该导接金属层20。接着,请参阅图2K及图2L,在该第二光刻胶层50的各该第三开口51、各该第四开口52及各该第二沟槽53中形成一抗氧化金属层60,该抗氧化金属层60是包覆各该导接件40的该顶面41及该侧面42,在本实施例中,该抗氧化金属层30也覆盖被各该第三开口51、各该第四开口52及各该第二沟槽53显露的该导接金属层20,使得该抗氧化金属层30与在该抗氧化金属层30下的该导接金属层20是具有一接合界面A,该抗氧化金属层60是可以电镀方法形成于各该导接件40的该顶面41及该侧面42,在本实施例中,该抗氧化金属层60是包含有一镍层61及一金层62,该镍层61是位于各该导接件40与该金层62之间。之后,请参阅图2M,进行移除该第二光刻胶层步骤,以显露出该抗氧化金属层60及该导接金属层20。最后,请参阅图2N,以各该导接件40及该抗氧化金属层60为罩幕,移除各该导接件40及该抗氧化金属层60下以外的该导接金属层20,以使上述焊垫11上的该导接金属层20形成为一凸块下金属层20A,在本实施例中是以蚀刻方法移除该导接金属层20。
本发明是在该载板10上的上述导接件40的该顶面41及该侧面42形成该抗氧化金属60,以使上述导接件40具有抗氧化的功效,其是可避免上述导接件40因氧化而体积膨胀,而造成相邻的导接件40接触形成短路,且在上述导接件40的该顶面41及该侧面42同时形成该抗氧化金属层60,是可避免如现有习知的技术所揭露仅在上述导接件的该顶面形成导接层而造成,上述导接件的顶部与侧部材质不同,因氧化还原电位差造成电池腐蚀效应,此外,本发明在上述导接件40的该顶面41及该侧面42同时形成该抗氧化金属层60是可在薄化该载板10(如晶圆)时,避免该载板10产生翘曲,而影响后续测试及切割等制造工艺。
此外在形成该抗氧化金属层60的步骤中,由于该抗氧化金属层30是包覆该各该导接件40的该顶面41、该侧面42及覆盖该抗氧化金属层60下的该导接金属层20,因此使得该抗氧化金属层30与该抗氧化金属层60下的该导接金属层20具有该接合界面A,而该接合界面A是使得水气无法渗透入各该导接件40,以避免各该导接件40与该抗氧化金属层60间产生氧化。
以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明作任何形式上的限制,虽然本发明已以较佳实施例揭露如上,然而并非用以限定本发明,任何熟悉本专业的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围内,当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本发明技术方案内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (13)
1.一种在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺,其特征在于其包括以下步骤:
提供一载体,该载体是具有多个焊垫及一保护层,该保护层具有多个开口,且上述开口是显露出上述焊垫;
形成一导接金属层在该载体上,该导接金属层是覆盖上述焊垫及该保护层,且该导接金属层是与上述焊垫电性连接;
形成一第一光刻胶层在该导接金属层上,该第一光刻胶层是覆盖该导接金属层;
图案化该第一光刻胶层,以使该第一光刻胶层形成有多个第一开口、多个第二开口及多个第一沟槽,其中上述第一开口是位于上述焊垫上方,且上述第一开口、上述第二开口及上述第一沟槽是显露出该导接金属层;
在该第一光刻胶层的各该第一开口、各该第二开口及各该第一沟槽中形成一导接件,各该导接件是具有一顶面及一侧面,且各该导接件是电性连接该导接金属层;
移除该第一光刻胶层,以显露出各该导接件的该顶面及该侧面;
形成一第二光刻胶层在该导接金属层上,该第二光刻胶层是覆盖各该导接件;
图案化该第二光刻胶层,以使该第二光刻胶层形成有多个第三开口、多个第四开口及多个第二沟槽,其中上述第三开口是位于上述焊垫上方,且各该第三开口、各该第四开口及各该第二沟槽是显露出各该导接件的该顶面及该侧面;
在该第二光刻胶层的各该第三开口、各该第四开口及各该第二沟槽形成一抗氧化金属层,该抗氧化金属层是包覆各该导接件的该顶面及该侧面;
移除该第二光刻胶层,以显露出该抗氧化金属层及该导接金属层;以及
以各该导接件及该抗氧化金属层为罩幕,移除各该导接件及该抗氧化金属层下以外的该导接金属层。
2.根据权利要求1所述的在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺,其特征在于其在形成各该导接件的步骤中,形成于各该第一开口中的各该导接件是为凸块,形成于在各该第二开口中的各该导接件是为重分布导接垫,形成于各该第一沟槽中的各该导接件是为重分布线路。
3.根据权利要求1所述的在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺,其特征在于其在图案化该第二光刻胶层步骤中,各该第三开口、各该第四开口及各该第二沟槽是显露该导接金属层。
4.根据权利要求3所述的在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺,其特征在于其在形成该抗氧化金属层步骤中,该抗氧化金属层是覆盖被各该第三开口、各该第四开口及各该第二沟槽显露的该导接金属层。
5.根据权利要求4所述的在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺,其特征在于其在形成该抗氧化金属层的步骤中,该抗氧化金属层与该抗氧化金属层下的该导接金属层是具有一接合界面。
6.一种在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺,其特征在于其包括以下步骤:
提供一载体,该载体是具有多个焊垫及一保护层;
形成一导接金属层在该载体上,该导接金属层是覆盖上述焊垫及该保护层,且该导接金属层是与上述焊垫电性连接;
形成一第一光刻胶层在该导接金属层上,该第一光刻胶层是覆盖该导接金属层;
图案化该第一光刻胶层,以使该第一光刻胶层形成有多个开口,上述开口是位于上述焊垫上方,且上述开口是显露出该导接金属层;
在该第一光刻胶层的各该开口中形成一导接件,各该导接件是具有一顶面及一侧面,且各该导接件是电性连接该导接金属层;
移除该第一光刻胶层,以显露出各该导接件的该顶面及该侧面;
形成一第二光刻胶层在该导接金属层上,该第二光刻胶层是覆盖各该导接件;
图案化该第二光刻胶层,以使该第二光刻胶层形成有多个开口,上述开口是位于上述焊垫上方,且各该开口是显露出各该导接件的该顶面及该侧面;
在该第二光刻胶层的该开口形成一抗氧化金属层,该抗氧化金属层是包覆各该导接件的该顶面及该侧面;
移除该第二光刻胶层,以显露出该抗氧化金属层及该导接金属层;以及
以各该导接件及该抗氧化金属层为罩幕,移除各该导接件及该抗氧化金属层下以外的该导接金属层。
7.根据权利要求6所述的在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺,其特征在于其在图案化该第二光刻胶层步骤中,各该开口是显露该导接金属层。
8.根据权利要求7所述的在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺,其特征在于其在形成该抗氧化金属层步骤中,该抗氧化金属层是覆盖被各该开口显露的该导接金属层。
9.根据权利要求8所述的在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺,其特征在于其在形成该抗氧化金属层的步骤中,该抗氧化金属层与该抗氧化金属层下的该导接金属层是具有一接合界面。
10.一种在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺,其特征在于其包括以下步骤:
提供一载体,该载体是具有多个焊垫及一保护层;
形成一导接金属层在该载体上,该导接金属层是覆盖该保护层;
形成一第一光刻胶层在该导接金属层上,该第一光刻胶层是覆盖该导接金属层;
图案化该第一光刻胶层,以使该第一光刻胶层形成有多个开口及多个沟槽,且上述开口及上述沟槽是显露出该导接金属层;
在该第一光刻胶层的各该开口及各该沟槽中形成一导接件,各该导接件是具有一顶面及一侧面,且各该导接件是电性连接该导接金属层;
移除该第一光刻胶层,以显露出各该导接件的该顶面及该侧面;
形成一第二光刻胶层在各该导接件上,该第二光刻胶层是覆盖各该导接件;
图案化该第二光刻胶层,以使该第二光刻胶层形成有多个开口及多个沟槽,且各该开口及各该沟槽是显露出各该导接件的该顶面及该侧面;
在该第二光刻胶层的各该开口及各该沟槽形成一抗氧化金属层,该抗氧化金属层是包覆各该导接件的该顶面及该侧面;
移除该第二光刻胶层,以显露出该抗氧化金属层及该导接金属层;以及
以各该导接件及该抗氧化金属层为罩幕,移除各该导接件及该抗氧化金属层下以外的该导接金属层。
11.根据权利要求10所述的在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺,其特征在于其在图案化该第二光刻胶层步骤中,各该开口及各该沟槽是显露该导接金属层。
12.根据权利要求11所述的在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺,其特征在于其在形成该抗氧化金属层步骤中,该抗氧化金属层是覆盖被各该开口及各该沟槽显露的该导接金属层。
13.根据权利要求12所述的在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺,其特征在于其在形成该抗氧化金属层的步骤中,该抗氧化金属层与该抗氧化金属层下的该导接金属层是具有一接合界面。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09199505A (ja) * | 1996-01-18 | 1997-07-31 | Toshiba Microelectron Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
CN101582386A (zh) * | 2008-05-14 | 2009-11-18 | 俞宛伶 | 在半导体元件形成金属凸块与密封的方法 |
CN101764113A (zh) * | 2008-12-25 | 2010-06-30 | 俞宛伶 | 半导体元件的线路面的连接垫上的金属凸块结构及形成方法 |
CN201681828U (zh) * | 2010-05-17 | 2010-12-22 | 茂邦电子有限公司 | 晶圆凸块结构 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09199505A (ja) * | 1996-01-18 | 1997-07-31 | Toshiba Microelectron Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
CN101582386A (zh) * | 2008-05-14 | 2009-11-18 | 俞宛伶 | 在半导体元件形成金属凸块与密封的方法 |
CN101764113A (zh) * | 2008-12-25 | 2010-06-30 | 俞宛伶 | 半导体元件的线路面的连接垫上的金属凸块结构及形成方法 |
CN201681828U (zh) * | 2010-05-17 | 2010-12-22 | 茂邦电子有限公司 | 晶圆凸块结构 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103579149A (zh) * | 2012-08-01 | 2014-02-12 | 颀邦科技股份有限公司 | 半导体结构及其制造工艺 |
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