CN102570044A - 基站天线 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种基站天线，包括具有多个振子的天线模块及对应这些振子设置的超材料模块，所述超材料模块包括多个超材料片层，每个超材料片层由多个超材料单元排列而成，以每个超材料片层上的一点为原点O、以平行于所述超材料片层的平面为xoy坐标面建立直角坐标系O-xy；以原点O为中心，在所述超材料片层上形成多个共中心的方环折射率分布区，每一折射率分布区由x轴和y轴为分界线而将各个超材料单元分隔在四个区域内，每个区域内的各个超材料单元的折射率随着其x坐标的绝对值的增大而增大、随着其y坐标的绝对值的增大而减小，且对于位于同一象限内的相应区域，各个相应位置的超材料单元的折射率也有一定排布规律，提高了方向性和增益。

Description

基站天线

技术领域

本发明涉及电磁通信领域，更具体地说，涉及一种基站天线。

背景技术

基站天线是保证移动通信终端实现无线接入的重要设备。随着移动通信网络的发展，基站的分布越来越密集，对基站天线的方向性提出了更高的要求，以避免相互干扰，让电磁波传播的更远。

一般，我们用半功率角来表示基站天线的方向性。功率方向图中，在包含主瓣最大辐射方向的某一平面内，把相对最大辐射方向功率通量密度下降到一半处(或小于最大值3dB)的两点之间的夹角称为半功率角。场强方向图中，在包含主瓣最大辐射方向的某一平面内，把相对最大辐射方向场强下降到0.707倍处的夹角也称为半功率角。半功率角亦称半功率带宽。半功率带宽包括水平面半功率带宽和垂直面半功率带宽。而基站天线的电磁波的传播距离是由垂直面半功率带宽决定的。垂直面半功率带宽越小，基站天线的增益越大，电磁波的传播距离就越远，反之，基站天线的增益就越小，电磁波的传播距离也就越近。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，提供一种半功率带宽小、方向性好的基站天线。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种基站天线，包括具有多个振子的天线模块及对应这些振子设置的超材料模块，所述超材料模块包括至少一个超材料片层，每个超材料片层由多个超材料单元排列而成，以每个超材料片层上的一点为原点O、以平行于所述超材料片层的平面为xoy坐标面建立直角坐标系O-xy；以原点O为中心，在所述超材料片层上形成多个共中心的方环折射率分布区，每一折射率分布区由x轴和y轴为分界线而将所述超材料片层的各个超材料单元分隔在四个区域内，每个区域内的各个超材料单元的折射率随着相应超材料单元的x坐标的绝对值的增大而增大、随着相应超材料单元的y坐标的绝对值的增大而减小；对于各个折射率分布区位于同一象限内的相应区域，x坐标较大的折射率分布区内的x坐标最小的各个超材料单元的折射率小于x坐标较小的相邻折射率分布区内的x坐标最大的各个超材料单元的折射率，或者y坐标较大的折射率分布区内的y坐标最小的各个超材料单元的折射率大于y坐标较小的相邻折射率分布区内的y坐标最大的各个超材料单元的折射率。

优选地，每个折射率分布区内的各个超材料单元的折射率：

$n(x,y)=\sqrt{(n_{\min }+\frac{\sqrt{l^2+x^2}-l-\mathrm{k\λ}}{d})\×(n_{\max }-\frac{\sqrt{l^2+y^2}-l-\mathrm{k\λ}}{d})}$

式中，l为振子到所述超材料片层的距离；λ为电磁波的波长；d为所述超y坐标的绝对值的增大而变化的序号，floor是向下取整函数。

优选地，以经过原点O且垂直于xoy坐标面的直线为z轴，从而建立直角坐标系O-xyz，所述超材料模块包括多个沿z轴叠加的超材料片层，各个超材料片层在对应位置形成相同的折射率分布区；各个超材料片层的相应折射率分布区均以同一x轴和y轴为分界线而将所述超材料单元分隔在四个区域内，各个折射率分布区的相应区域内的折射率分布规律均相同。

优选地，各个超材料片层的相应超材料单元的折射率均相等。

优选地，每个超材料片层的各个超材料单元上附着有拓扑形状相同的人工微结构，让位于所述超材料片层的每个折射率分布区内的各个超材料单元上排布的所述人工微结构的几何尺寸随着相应超材料单元的x坐标的绝对值的增大而增大、随着相应超材料单元的y坐标的绝对值的增大而减小；而各个折射率分布区位于同一象限的相应区域内，x坐标最小的各个超材料单元上排布的所述人工微结构的几何尺寸均相等、x坐标最大的各个超材料单元上排布的所述人工微结构的几何尺寸均相等，或者，y坐标最小的各个超材料单元上排布的所述人工微结构的几何尺寸均相等、y坐标最大的各个超材料单元上排布的所述人工微结构的几何尺寸均相等。

优选地，每个超材料片层的各个超材料单元上均形成深度相同的圆形小孔，让位于所述超材料片层的每个折射率分布区内的各个超材料单元上形成的所述小孔的直径随着相应超材料单元的x坐标的绝对值的增大而减小、随着相应超材料单元的y坐标的绝对值的增大而增大；而各个折射率分布区位于同一象限的相应区域内，x坐标最小的各个超材料单元上形成的所述小孔的深度和直径均相等、x坐标最大的各个超材料单元上形成的所述小孔的深度和直径均相等，或者y坐标最小的各个超材料单元上形成的所述小孔的深度和直径均相等、y坐标最大的各个超材料单元上形成的所述小孔的深度和直径均相等。

优选地，每个超材料片层的各个超材料单元上均形成直径相同的圆形小孔，让位于所述超材料片层的每个折射率分布区内的各个超材料单元上形成的所述小孔的深度随着相应超材料单元的x坐标的绝对值的增大而减小、随着相应超材料单元的y坐标的绝对值的增大而增大；而各个折射率分布区位于同一象限的相应区域内，x坐标最小的各个超材料单元上形成的所述小孔的深度和直径均相等、x坐标最大的各个超材料单元上形成的所述小孔的深度和直径均相等，或者y坐标最小的各个超材料单元上形成的所述小孔的深度和直径均相等、y坐标最大的各个超材料单元上形成的所述小孔的深度和直径均相等。

优选地，每个超材料片层的各个超材料单元上均形成数量不等的直径和深度均相同的圆形小孔，让位于所述超材料片层的每个折射率分布区内的各个超材料单元上形成的所述小孔的数量随着相应超材料单元的x坐标的绝对值的增大而减少、随着相应超材料单元的y坐标的绝对值的增大而增多；而各个折射率分布区位于同一象限的相应区域内，x坐标最小的各个超材料单元上形成的所述小孔的数量均相等、x坐标最大的各个超材料单元上形成的所述小孔的数量均相等，或者y坐标最小的各个超材料单元上形成的所述小孔的数量均相等、y坐标最大的各个超材料单元上形成的所述小孔的数量均相等。

优选地，所述超材料模块的至少一侧设有阻抗匹配薄膜，每一阻抗匹配薄膜包括多个阻抗匹配层，每一阻抗匹配层是具有单一折射率的均匀介质，各个阻抗匹配层的折射率随着越靠近所述超材料模块由接近于或等于空气的折射率逐渐变化至接近于或等于所述超材料模块上最靠近所述阻抗匹配薄膜的超材料片层的折射率。

优选地，每个阻抗匹配层的折射率：

式中，m表示每一阻抗匹配薄膜的总层数，i表示阻抗匹配层的序号，最靠近所述超材料模块的阻抗匹配层的序号为m。

本发明的基站天线具有以下有益效果：通过在所述超材料片层上形成多个折射率分布区，以x轴和y轴为分界线而将每个折射率分布区内的各个超材料单元分隔在四个区域，每个区域内的各个超材料单元的折射率随着其x坐标的绝对值的增大而增大、随着其y坐标的绝对值的增大而减小，而各个折射率分布区位于同一象限内的相应区域，x坐标较大的折射率分布区内的x坐标最小的各个超材料单元的折射率小于x坐标较小的相邻折射率分布区内的x坐标最大的各个超材料单元的折射率，或者y坐标较大的折射率分布区内的y坐标最小的各个超材料单元的折射率大于y坐标较小的相邻折射率分布区内的y坐标最大的各个超材料单元的折射率，从而使由振子发射出的电磁波穿过所述超材料模块时向折射率大的方向偏折，以改变电磁波的传播路径，即可减小基站天线的半功率带宽，从而提高了其方向性和增益，让电磁波传播的更远。

附图说明

下面将结合附图及具体实施方式对本发明作进一步说明。

图1是本发明基站天线的结构示意图；

图2是图1中的天线模块的正面放大图；

图3是图1中的超材料模块的一个超材料片层在建立直角坐标系O-xyz时的示意图；

图4是基于图3中的直角坐标系O-xyz于部分超材料片层上所形成的人工微结构的第一排布示意图；

图5是基于图3中的直角坐标系O-xyz于部分超材料片层上所形成的人工微结构的第二排布示意图；

图6是基于图3中的直角坐标系O-xyz于部分超材料片层上所形成的小孔的第一排布示意图；

图7是基于图3中的直角坐标系O-xyz于部分超材料片层上所形成的小孔的第二排布示意图；

图8是基于图3中的直角坐标系O-xyz于部分超材料片层上所形成的小孔的第三排布示意图；

图9是基于图3中的直角坐标系O-xyz于部分超材料片层上所形成的小孔的第四排布示意图；

图10是本发明的超材料模块的两侧分别覆盖一阻抗匹配薄膜时的结构示意图。

图中各标号对应的名称为：

10基站天线、12天线模块、14底板、16振子、20超材料模块、22、32超材料片层、222、322基板、223、323超材料单元、224人工微结构、24、34方环折射率分布区、26、36区域、324小孔、40阻抗匹配薄膜、42阻抗匹配层

具体实施方式

本发明提供一种基站天线，通过在天线的电磁波发射或接收方向上设置一超材料模块来使半功率带宽变小，以提高其方向性和增益。

我们知道，电磁波由一种均匀介质传播进入另外一种均匀介质时会发生折射，这是由于两种介质的折射率不同而导致的。而对于非均匀介质来说，电磁波在介质内部也会发生折射且向折射率比较大的位置偏折。而折射率等于

，也即介质的折射率取决于其介电常数和磁导率。

超材料是一种以人工微结构为基本单元并以特定方式进行空间排布、具有特殊电磁响应的人工复合材料。一般超材料包括多个超材料片层，每一超材料片层由人工微结构和用于附着人工微结构的基板构成(每个人工微结构及其所附着的基板部分人为定义为一个超材料单元)，通过调节人工微结构的拓扑形状和几何尺寸可改变基板上各点(也即各个超材料单元，由于每个超材料单元的尺寸应小于入射电磁波的波长的五分之一，优选为十分之一，一般非常微小，故每个超材料单元可看作一点，下同)的介电常数和磁导率。因此，我们可以利用人工微结构的拓扑形状和/或几何尺寸来调制基板上各点的介电常数和磁导率，从而使基板上各点的折射率以某种规律变化，得以控制电磁波的传播，并应用于具有特殊电磁响应需求的场合。实验证明，在人工微结构的拓扑形状相同的情况下，在单位面积上人工微结构的几何尺寸越大，基板上各点的介电常数越大；反之，介电常数越小。也即，在人工微结构的拓扑形状确定的情况下，可以通过让基板上各点的人工微结构的几何尺寸的大小满足一定的规律来调制其介电常数，当用多个这种人工微结构呈一定规律排布的超材料片层叠加在一起形成超材料时，超材料空间各点的折射率也呈这种规律分布，即可达到改变电磁波的传播路径的目的。另外，我们也可在基板上开设小孔来形成这种折射率分布规律。

如图1和图2所示，所述基站天线10包括天线模块12和超材料模块20，所述天线模块12包括底板14及阵列排布于所述底板14的振子16，图中所示为每相邻两排振子16相互交错排列的4×9阵列。在其他的实施例中，可以为任意数量的振子16以任何方式排列，如矩阵排布。所述超材料模块20包括多个沿垂直于片层表面的方向(也即基站天线的电磁波发射或接收方向)叠加而成的超材料片层22，图中所示为3个超材料片层22两两相互之间直接前、后表面相粘接在一起的情形。具体实施时，所述超材料片层22的数目可依据需求来增减，各个超材料片层22也可等间距地排列组装在一起。由于各个超材料片层22的折射率分布规律均相同，故在下面仅选取一个超材料片层22作为示例进行说明。

请参考图3，选取所述超材料片层22上的一点为原点O，以平行于所述超材料片层22表面的平面为xoy坐标面、经过原点O且垂直于xoy坐标面的直线为z轴建立直角坐标系O-xyz。以原点O为中心，在所述超材料片层22上形成多个共中心的方环折射率分布区24，而最小的折射率分布区24的内环为无穷小，可近似看作一点，也即原点O。每一折射率分布区24由x轴和y轴分隔为四个区域26，每一区域26内各点的折射率随着其x坐标的绝对值的增大而增大、随着其y坐标的绝对值的增大而减小，优选地，各点的折射率随着其x坐标和y坐标的绝对值的增大而变化量也增大；对于各个折射率分布区24位于同一象限内的相应区域26，x坐标较大的折射率分布区24内的x坐标最小的各点的折射率小于x坐标较小的相邻折射率分布区24内的x坐标最大的各点的折射率和/或y坐标较大的折射率分布区24内的y坐标最小的各点的折射率大于y坐标较小的相邻折射率分布区24内的y坐标最大的各点的折射率。以下介绍一种所述超材料片层22上的各个折射率分布区24内的x(y)坐标最小的各点的折射率均相等和/或x(y)坐标最大的各点的折射率均相等(也即折射率变化范围相同)的折射率分段分布规律。

在以上所建立的直角坐标系O-xyz中，对于所述超材料片层22的每个折射率分布区24内的各点的折射率满足如下关系式：

$n(x,y)=\sqrt{(n_{\min }+\frac{\sqrt{l^2+x^2}-l-\mathrm{k\λ}}{d})\×(n_{\max }-\frac{\sqrt{l^2+y^2}-l-\mathrm{k\λ}}{d})}---\left(1\right)$

式中，l为振子16到所述超材料片层22表面的距离；λ为电磁波的波长；

率分布区24随x坐标和y坐标的绝对值的增大而变化的序号，floor是向下取整函数，即直接去掉小数部分所剩的最大整数。

要用多个所述超材料片层22来形成所述超材料模块20时，我们可让其沿z轴叠加在一起，且各个超材料片层22在对应位置形成相同的折射率分布区24，这些折射率分布区24均以同一x轴和y轴为分界线而形成四个区域26，而各个折射率分布区24的相应区域26内的折射率分布规律均相同。

下面我们举例说明如何通过人工微结构的排布来让每个超材料片层22上的折射率分布满足式(1)。请参考图4，如前所述，每个超材料片层22包括基板222和附着在所述基板222上的多个人工微结构224。所述基板222可由聚四氟乙烯等高分子聚合物或陶瓷材料制成。所述人工微结构224通常为金属线如铜线或者银线构成的具有一定拓扑形状的平面或立体结构，并通过一定的加工工艺附着在所述基板222上，例如蚀刻、电镀、钻刻、光刻、电子刻、离子刻等。一般，我们将每个人工微结构224及其所附着的基板222部分人为定义为一个超材料单元223，且每个超材料单元223的尺寸应小于入射电磁波的波长的五分之一，优选为十分之一，以使所述超材料片层22对入射电磁波产生连续响应。可见，每个超材料片层22可看作是由多个超材料单元223阵列排布而成的。故，在xoy坐标面内，以直角坐标系O-xyz的原点O为中心，将所述超材料片层22分隔为若干共中心的方环折射率分布区24，则每个折射率分布区24内的各个超材料单元223以x轴和y轴为分界线而被分隔在四个区域26内。让具有相同拓扑形状的所述人工微结构224附着在所述超材料片层22的各个超材料单元223，且每个折射率分布区24内，各个超材料单元223上排布的所述人工微结构224的几何尺寸随着其x坐标的绝对值的增大而增大、随着其y坐标的绝对值的增大而减小，而各个折射率分布区24位于同一象限的相应区域26内，x坐标最小的各个超材料单元223上排布的所述人工微结构224的几何尺寸均相等、x坐标最大的各个超材料单元223上排布的所述人工微结构224的几何尺寸均相等。这样，由于每个区域26内各个超材料单元223上的所述人工微结构224与基板222的相应部分一起表征了不同的介电常数和磁导率，且各个超材料单元223的介电常数随着其x坐标的绝对值的增大而增大、随着其y坐标的绝对值的增大而减小，而位于同一象限的各个相应区域26，x坐标最小的各个超材料单元223的介电常数均相等、x坐标最大的各个超材料单元223的介电常数均相等，根据公式折射率

也即在所述超材料片层22的各个区域26内形成满足式(1)的折射率分布规律。图4所示仅为所述人工微结构224在部分所述超材料片层22的各个超材料单元223上的一个排布示意图，其中，各个区域26内的所述人工微结构224以x轴和y轴对称地排布；所述人工微结构224是呈雪花状的平面金属微结构且在每个区域26内的所述人工微结构224随着相应超材料单元223的x坐标的绝对值的增大是等比例放大的、随着相应超材料单元的y坐标的绝对值的增大是等比例缩小的。此外，对于位于同一象限的相应区域26，也可让y坐标最小的各个超材料单元223上排布的所述人工微结构224的几何尺寸均相等、y坐标最大的各个超材料单元223上排布的所述人工微结构224的几何尺寸均相等，如图5所示。所述人工微结构224的排布方式也有多种，且可让构成所述人工微结构224的线条的宽度相等，这样可简化制造工艺。

另外，我们也可通过在所述超材料片层22的基板222上开设小孔来形成满足式(1)的折射率分布规律。如图6所示，所述超材料片层32包括基板322和形成在所述基板322上的多个小孔324。所述小孔324可根据所述基板322的材质不同对应采用合适的工艺形成于所述基板322上。例如当所述基板322由高分子聚合物制成时，可通过钻床钻孔、冲压成型或者注塑成型等工艺在所述基板322上形成所述小孔324，而当所述基板322由陶瓷材料制成时则可通过钻床钻孔、冲压成型或者高温烧结等工艺在所述基板322上形成所述小孔324。我们亦将每个小孔324及其所在的基板322部分人为定义为一个超材料单元323，且每个超材料单元323的尺寸应小于入射电磁波的波长的五分之一。这样，所述超材料片层32亦可看作是由多个超材料单元323阵列排布而成的。

由实验可知，当所述小孔324内填充的介质是空气时，所述小孔324占整个超材料单元323的体积越大，所述超材料单元323的折射率越小。因此，同上，在xoy坐标面内，将所述超材料片层32分隔为若干共中心的方环折射率分布区34，而每个折射率分布区34内的各个超材料单元323以x轴和y轴为分界线被分隔在四个区域36内。让每个超材料单元323上形成一个所述小孔324，在每个折射率分布区34内，各个超材料单元323上形成的所述小孔324的深度不变而直径随着其x坐标的绝对值的增大而减小、随着其y坐标的绝对值的增大而增大；对于各个折射率分布区34位于同一象限的相应区域36内，x坐标最小的各个超材料单元323上形成的所述小孔324的深度和直径均相等、x坐标最大的各个超材料单元323上形成的所述小孔324的深度和直径均相等，从而在所述超材料片层32上形成满足式(1)的折射率分布规律。图6所示仅为所述小孔324在部分所述超材料片层32的各个超材料单元323上的一个排布示意图，其中，各个区域26内的所述小孔324以x轴和y轴对称地排布。此外，对于位于同一象限的相应区域36，也可让y坐标最小的各个超材料单元323上形成的所述小孔324的深度和直径均相等、y坐标最大的各个超材料单元323上排布的所述小孔324的深度和直径均相等，如图7所示。

同理，我们也可让具有相同直径的所述小孔324形成在所述超材料片层32的各个超材料单元323上，而每个折射率分布区34内，各个超材料单元323上所形成的小孔324的深度随着相应超材料单元323的x坐标的绝对值的增大而减小、随着相应超材料单元323的y坐标的绝对值的增大而增大；对于各个折射率分布区34位于同一象限的相应区域36，x坐标最小的各个超材料单元323上形成的所述小孔324的深度均相等、x坐标最大的各个超材料单元323上形成的所述小孔324的深度均相等，或者y坐标最小的各个超材料单元323上形成的所述小孔324的深度均相等、y坐标最大的各个超材料单元323上形成的所述小孔324的深度均相等。而且，所述小孔324占整个超材料单元323的体积不仅可通过在所述超材料单元323上形成一个几何尺寸不同的所述小孔324来实现，还可通过在所述超材料单元323上形成数量不等而几何尺寸相同或不相同的所述小孔324来实现，如图8和图9所示。

要由多个所述超材料片层22或32来形成所述超材料模块20时，让各个所述超材料片层22或32沿z轴叠加在一起，并让各个所述超材料片层22或32上的相应区域26或36内的人工微结构244或小孔324的排布规律均相同，从而使各个所述超材料片层22或32上的相应区域26或36内形成相同的折射率分布规律。

由上可知，通过在所述超材料模块20的各个超材料片层22或32上设置具有一定拓扑形状及/或几何尺寸的人工微结构224或小孔324并让其按照一定的规律排布，即可得以调制各个超材料单元223或323的介电常数和磁导率，从而在各个超材料片层22或32上均形成满足式(1)的折射率分布规律，使电磁波向特定的方向偏折，即可减小基站天线的半功率带宽变小，提高其方向性和增益，让电磁波传播的更远。

此外，由于空气与所述超材料模块20的折射率不同，电磁波入射和出射所述超材料模块20时还会发生反射，这时，我们通常在所述超材料模块20两侧设置阻抗匹配薄膜来减少电磁波反射。如图10所示，所述超材料模块20两侧分别形成一阻抗匹配薄膜40，每一阻抗匹配薄膜40包括多个压制在一起的阻抗匹配层42，每一阻抗匹配层42是均匀介质，具有单一的折射率，各个阻抗匹配层42具有不同的折射率，且随着越靠近所述超材料模块20其折射率由接近于或等于空气的折射率逐渐变化至接近于或等于所述超材料模块20的最靠近所述阻抗匹配薄膜40的超材料片层22或32的折射率。各个阻抗匹配层42的折射率均满足以下公式：

$n\left(i\right)={((n_{\max }+n_{\min })/2)}^{\frac{i}{m}}---\left(2\right)$

式中，m表示所述超材料模块20一侧的阻抗匹配薄膜40的总层数，i表示阻抗匹配层42的序号，最靠近所述超材料模块20的阻抗匹配层42的序号为m。从式(2)可知，每一阻抗匹配层42的总层数m与所述超材料模块20的超材料片层22或32的最大折射率n_max与最小折射率n_min有直接关系；当i＝1时，式(5)表示与空气接触的阻抗匹配层42的折射率，其应接近于或等于空气的折射率，可见，只要n_max与n_min确定，就可以确定每一阻抗匹配层42的总层数m。

各个所述阻抗匹配层42的结构类似于所述超材料片层22或32，分别包括基板和附着在所述基板上的人工微结构或者是形成于所述基板上的小孔，通过调制人工微结构或小孔的几何尺寸和/拓扑形状来使各个阻抗匹配层42的折射率达到所需的要求，从而实现从空气到所述超材料片层22或32的匹配。当然，所述阻抗匹配薄膜40可以是由自然界中存在的多个具有单一折射率的材料制成的。

所述超材料模块20的两侧分别设置所述阻抗匹配薄膜40时，式(1)中的l为振子16到与其最靠近的阻抗匹配薄膜40表面的距离。

以上所述仅是本发明的多个具体实施方式和/或实施例，不应当构成对本发明的限制。对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明基本思想的前提下，还可以做出多个改进和润饰，而这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。比如，式(1)的折射率分布规律还可通过所述人工微结构224或小孔324的拓扑形状或拓扑形状结合几何尺寸来实现，且所述小孔324内也可填充折射率各不相同的介质来改变各个超材料单元323的折射率。

Claims (10)

1.一种基站天线，其特征在于，包括具有多个振子的天线模块及对应这些振子设置的超材料模块，所述超材料模块包括至少一个超材料片层，每个超材料片层由多个超材料单元排列而成，以每个超材料片层上的一点为原点O、以平行于所述超材料片层的平面为xoy坐标面建立直角坐标系O-xy；以原点O为中心，在所述超材料片层上形成多个共中心的方环折射率分布区，每一折射率分布区由x轴和y轴为分界线而将所述超材料片层的各个超材料单元分隔在四个区域内，每个区域内的各个超材料单元的折射率随着相应超材料单元的x坐标的绝对值的增大而增大、随着相应超材料单元的y坐标的绝对值的增大而减小；对于各个折射率分布区位于同一象限内的相应区域，x坐标较大的折射率分布区内的x坐标最小的各个超材料单元的折射率小于x坐标较小的相邻折射率分布区内的x坐标最大的各个超材料单元的折射率，或者y坐标较大的折射率分布区内的y坐标最小的各个超材料单元的折射率大于y坐标较小的相邻折射率分布区内的y坐标最大的各个超材料单元的折射率。

2.根据权利要求1所述的基站天线，其特征在于，每个折射率分布区内的各个超材料单元的折射率：

$n(x,y)=\sqrt{(n_{\min }+\frac{\sqrt{l^2+x^2}-l-\mathrm{k\λ}}{d})\×(n_{\max }-\frac{\sqrt{l^2+y^2}-l-\mathrm{k\λ}}{d})}---\left(1\right)$

式中，l为振子到所述超材料片层的距离；λ为电磁波的波长；d为所述超材料片层的厚度，

n_max和n_min分别表示所述超材料片层上的最大折射率和最小折射率；

k表示所述折射率分布区随x坐标和y坐标的绝对值的增大而变化的序号，floor是向下取整函数。

3.根据权利要求1所述的基站天线，其特征在于，以经过原点O且垂直于xoy坐标面的直线为z轴，从而建立直角坐标系O-xyz，所述超材料模块包括多个沿z轴叠加的超材料片层，各个超材料片层在对应位置形成相同的折射率分布区；各个超材料片层的相应折射率分布区均以同一x轴和y轴为分界线而将所述超材料单元分隔在四个区域内，各个折射率分布区的相应区域内的折射率分布规律均相同。

4.根据权利要求3所述的基站天线，其特征在于，各个超材料片层的相应超材料单元的折射率均相等。

5.根据权利要求1所述的基站天线，其特征在于，每个超材料片层的各个超材料单元上附着有拓扑形状相同的人工微结构，让位于所述超材料片层的每个折射率分布区内的各个超材料单元上排布的所述人工微结构的几何尺寸随着相应超材料单元的x坐标的绝对值的增大而增大、随着相应超材料单元的y坐标的绝对值的增大而减小；而各个折射率分布区位于同一象限的相应区域内，x坐标最小的各个超材料单元上排布的所述人工微结构的几何尺寸均相等、x坐标最大的各个超材料单元上排布的所述人工微结构的几何尺寸均相等，或者y坐标最小的各个超材料单元上排布的所述人工微结构的几何尺寸均相等、y坐标最大的各个超材料单元上排布的所述人工微结构的几何尺寸均相等。

6.根据权利要求1所述的基站天线，其特征在于，每个超材料片层的各个超材料单元上均形成深度相同的圆形小孔，让位于所述超材料片层的每个折射率分布区内的各个超材料单元上形成的所述小孔的直径随着相应超材料单元的x坐标的绝对值的增大而减小、随着相应超材料单元的y坐标的绝对值的增大而增大；而各个折射率分布区位于同一象限的相应区域内，x坐标最小的各个超材料单元上形成的所述小孔的深度和直径均相等、x坐标最大的各个超材料单元上形成的所述小孔的深度和直径均相等，或者y坐标最小的各个超材料单元上形成的所述小孔的深度和直径均相等、y坐标最大的各个超材料单元上形成的所述小孔的深度和直径均相等。

7.根据权利要求1所述的基站天线，其特征在于，每个超材料片层的各个超材料单元上均形成直径相同的圆形小孔，让位于所述超材料片层的每个折射率分布区内的各个超材料单元上形成的所述小孔的深度随着相应超材料单元的x坐标的绝对值的增大而减小、随着相应超材料单元的y坐标的绝对值的增大而增大；而各个折射率分布区位于同一象限的相应区域内，x坐标最小的各个超材料单元上形成的所述小孔的深度和直径均相等、x坐标最大的各个超材料单元上形成的所述小孔的深度和直径均相等，或者y坐标最小的各个超材料单元上形成的所述小孔的深度和直径均相等、y坐标最大的各个超材料单元上形成的所述小孔的深度和直径均相等。

8.根据权利要求1所述的基站天线，其特征在于，每个超材料片层的各个超材料单元上均形成数量不等的直径和深度均相同的圆形小孔，让位于所述超材料片层的每个折射率分布区内的各个超材料单元上形成的所述小孔的数量随着相应超材料单元的x坐标的绝对值的增大而减少、随着相应超材料单元的y坐标的绝对值的增大而增多；而各个折射率分布区位于同一象限的相应区域内，x坐标最小的各个超材料单元上形成的所述小孔的数量均相等、x坐标最大的各个超材料单元上形成的所述小孔的数量均相等，或者y坐标最小的各个超材料单元上形成的所述小孔的数量均相等、y坐标最大的各个超材料单元上形成的所述小孔的数量均相等。

9.根据权利要求1所述的基站天线，其特征在于，所述超材料模块的至少一侧设有阻抗匹配薄膜，每一阻抗匹配薄膜包括多个阻抗匹配层，每一阻抗匹配层是具有单一折射率的均匀介质，各个阻抗匹配层的折射率随着越靠近所述超材料模块由接近于或等于空气的折射率逐渐变化至接近于或等于所述超材料模块上最靠近所述阻抗匹配薄膜的超材料片层的折射率。

10.根据权利要求9所述的基站天线，其特征在于，每个阻抗匹配层的折射率：式中，m表示每一阻抗匹配薄膜的总层数，i表示阻抗匹配层的序号，最靠近所述超材料模块的阻抗匹配层的序号为m。

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