CN102565065A - 单片光伏电池芯片的检测方法 - Google Patents

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Abstract

单片光伏电池芯片的检测方法。其检测方法，调整输入电流，曝光时间，存储路径，序列号，观察显示器上显示的单片光伏电池芯片图像，按性能分档的测试过程；所述的输入电流在1A～10A范围内，曝光时间在0.1s～25s范围内。其主要利用光伏电池芯片的电致发光原理来完成的，所以，光伏电池芯片电致发光图像直观的展现出了光伏电池芯片的扩散长度的分布特征，通过该图像的分析，可以有效的发现光伏电池芯片隐裂，断栅，材料不良，边缘短路等问题并通过测试得出光伏电池芯片性能特征进行分档，对太阳能电池组件提供优化的配置，增大了输出功率，提高了太阳能电池组件一次合格率，最终可以杜绝问题组件流入市场。

Description

单片光伏电池芯片的检测方法
技术领域
本发明单片光伏电池芯片的检测方法，涉及光伏太阳能组件生产检测的技术领域，应用于单片光伏电池芯片性能检测。
背景技术
目前，随着客户对太阳能电池组件质量要求的提高，我们不断的改进我们的生产设备，以满足顾客的需求。由于光伏电池芯片在运输、焊接过程中可能造成隐裂等现象，这种隐裂是我们无法用眼睛判断出的；此外光伏电池芯片在制造过程中，可能出现一些问题，像边缘短路、表面污染、断栅、材料的缺陷等。这样就会影响太阳能电池组件的使用寿命及输出功率，造成太阳能转化成电能的效率降低，造成了光电资源的极大浪费。
发明内容
本发明的目的在于解决以上问题，通过对单片光伏电池芯片的检测和配置，增大了太阳能电池组件的输出功率，提高了太阳能电池组件一次合格率，最终可以杜绝问题组件流入市场的单片光伏电池芯片的检测方法。包括设定工作温度为25℃，湿度为60％的工作环境，配置单相电源220V，10A在内；其特征在于：其检测方法，调整输入电流，曝光时间，存储路径，序列号，观察显示器上显示单片电池芯片图像，按性能分档的测试过程；所述的输入电流在1A～10A范围内；所述的曝光时间在0.1sim～25sim范围内。
实施该技术后的明显优点和效果是：其主要利用光伏电池芯片的电致发光原理来完成的，由于光伏电池芯片的电致发光亮度正比于少子扩散长度和正向电流大小，所以，光伏电池芯片电致发光图像直观的展现出了电池芯片的扩散长度的分布特征，通过该图像的分析，可以有效的发现光伏电池芯片隐裂，断栅，材料不良，边缘短路等问题并通过测试得出光伏电池芯片性能特征进行分档，对太阳能电池组件提供优化的配置，增大了太阳能电池组件的输出功率，提高了太阳能电池组件一次合格率，最终可以杜绝问题组件流入市场。
具体实施方式
下面用单晶125mm×125mm的光伏电池芯片为例，进一步对单片光伏电池芯片的检测方法作进一步描述：
首先，确定测试的工作条件：工作温度为25℃，湿度为60％，单相电源220V，10A。
设置输入电流2A，曝光时间10s，存储路径，序列号，设置完毕，踩下脚踩开关，测试台自动弹出，将光伏电池芯片拆开包装后确认无裂片、崩边现象后，单片光伏电池芯片放入检测仪的正、负极插口上，通电，按下测试按钮开始测试，单片电池芯片产生红外光，显示器上显示单片光伏电池芯片图像，观察图像中是否有隐裂、断栅或材料缺陷等异常现象，同时，测出光伏电池芯片的性能指标，取出光伏电池芯片，进行分档排放和废品的剔除，进入焊接和拼装组件工序。

Claims (3)

1.单片光伏电池芯片的检测方法，包括设定工作温度为25℃，湿度为60％的工作环境，配置单相电源220V，10A在内；其特征在于：其检测方法，调整单片光伏电池芯片的输入电流，曝光时间，存储路径，序列号，观察显示器上显示的单片光伏电池芯片图像，按性能分档的测试过程。
2.根据权利要求1所述的单片光伏电池芯片的检测方法，其特征在于：所述的输入电流在1A～10A范围内。
3.根据权利要求1所述的单片光伏电池芯片的检测方法，其特征在于：所述的曝光时间在0.1s～25s范围内。
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PB01 Publication
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SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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