CN102543787A - 用于对半导体层的生长进行监控的方法 - Google Patents

用于对半导体层的生长进行监控的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102543787A
CN102543787A CN2011103818390A CN201110381839A CN102543787A CN 102543787 A CN102543787 A CN 102543787A CN 2011103818390 A CN2011103818390 A CN 2011103818390A CN 201110381839 A CN201110381839 A CN 201110381839A CN 102543787 A CN102543787 A CN 102543787A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
reflectivity
layer
thickness
situ monitoring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2011103818390A
Other languages
English (en)
Inventor
E·M·雷德
M·尤恩格尔斯
P·莱斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kopin Corp
Original Assignee
Kopin Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kopin Corp filed Critical Kopin Corp
Publication of CN102543787A publication Critical patent/CN102543787A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/16—Controlling or regulating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/42—Gallium arsenide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Abstract

本发明涉及用于对半导体层的生长进行监控的方法。通过以下方式来监控薄膜的沉积：在薄膜的沉积期间利用入射束照射薄膜，其中入射束的至少一部分反射离开薄膜从而产生反射的束；测量薄膜的生长期间从薄膜反射的束的强度从而得到反射率；以及曲线拟合由反射率数据代表的振荡的至少一部分以得到关于薄膜的厚度、生长速率、组分和掺杂中的至少一个的信息。

Description

用于对半导体层的生长进行监控的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2010年11月22日提交的美国临时申请No.61/416,063的权益。上述申请的整个教导通过参考并入于此。
技术领域
本发明涉及用于对半导体层的生长进行监控的方法。
背景技术
大多数化合物半导体器件的制造开始于使用诸如金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE)之类的沉积技术在衬底上生长半导体薄膜(也称为外延层)。对于这两种技术而言，在膜生长期间精确控制温度、厚度、生长速率、组分和掺杂浓度是至关重要的。期望原位(在生长工艺期间)测量这些参数以提供关于生长期间外延层特性的信息。例如，在多晶片MOCVD反应器中，可以使用这些原位数据来针对每个晶片同时提供晶片内和晶片间均匀性信息。此外，在外延生长工艺期间，多个层通常连续沉积在起始衬底上。一旦完成这些层之后，大多数度量技术就仅实现对完整结构的分析(即，存在无法清楚或单独识别的多个类似层一般会混淆分析)。因而，在不进行原位监控的情况下，会丢失关于复杂多层结构的每个层的信息。通过采用原位监控，可以同时检测外延层的特性的偏移和最小化膜生长之后等待数据收集的时间。该实时反馈可以允许在生长附加失效的晶片之前采取矫正动作。
通过监控生长期间薄膜结构的反射率和热辐射度，可以使用光学技术进行这种原位测量。发射率校正高温测量实现通过史蒂芬-玻尔兹曼定律从热辐射度精确确定衬底温度。通过将已知波长和强度的光源引到衬底上，然后测量在外延生长期间返回的反射光的强度，由此来收集反射率数据。由结构中外延层的折射率的差异造成的反射光的相移导致称为法布里-珀罗(Fabry-Pérot)振荡的正弦干扰图案。正弦波的周期提供有关生长速率的信息，幅度与来自下覆层的折射率的变化有关，阻尼可能由生长膜的吸收引起。
不利的是，用于原位测量的该光学技术不完全适合于测量极薄(例如小于100nm)的外延层，因为薄外延层可能不产生正弦干扰图案的一个或多个完整周期。结果，可能难以分辨沉积的层的实际厚度。
此外，也可能难以精确地描绘包括多个薄层的器件，诸如双极-高电子迁移率晶体管(BiHEMT)，其是具有外延层结构的半导体器件，该外延层结构包括在高电子迁移率晶体管(HEMT)结构顶上生长的异质结双极晶体管(HBT)。应注意到的是，在某些情况下，这些层的顺序可以颠倒并且在HBT上方生长HEMT可能是有利的。这样的器件有时也称为双极-场效应晶体管(BiFET)。这里使用术语BiHEMT来描述结合双极晶体管和场效应晶体管的功能性的任何外延层结构。在任一情况下，通过将HBT和HEMT的优势组合在同一单片结构中，BiHEMT可以满足对于来自单个芯片的更大电路功能性(即，增加的集成度)的需求。BiHEMT电路对于诸如无线手机和无线局域网之类的许多应用是有吸引力的。作为例子，代替在HBT结构中具有单独的功率放大器电路和在HEMT结构中具有单独的开关电路，可以在单个BiHEMT芯片中集成功率放大器电路和开关。
组合的BiHEMT的外延层结构的生产极具挑战性，并且该组合的BiHEMT的外延层结构可以包括三十个或更多个分立层，每个层在膜厚度、组分、掺杂浓度和跨越衬底的均匀性上具有严格容限。出于这些理由，存在对于控制BiHEMT结构的生长的方法的需求。然而，通过原位技术监控BiHEMT生长由于该结构中的关键外延层可能很薄(例如少于100nm厚)的事实而复杂化。如此，也存在对于用于按照实现生长期间薄膜特性分析的方式从原位数据提取信息的方法的需求。
发明内容
一种对薄膜在衬底上的沉积进行监控的方法，包括以下步骤：在薄膜的生长期间进行原位监控以生成反射率振荡数据；对反射率振荡数据进行曲线拟合以由此提取关于薄膜的厚度、生长速率、组分或掺杂的信息；以及对包括BiHEMT结构的至少一部分的薄膜进行监控。
在另一实施方式中，该方法校准厚度均匀性，并且包括以下步骤：在薄膜的生长期间进行原位监控以生成反射率振荡数据；对反射率数据进行曲线拟合以由此提取关于薄膜的厚度、生长速率、组分或掺杂的信息；以及对包括薄膜的器件结构的多层的厚度进行校准。
与其它原位监控技术相比，本原位监控技术提供关于更薄层的厚度信息。例如，本技术可以从仅包括干扰图案的振荡的一小部分的反射率曲线得出厚度信息。随着外延层结构的复杂度增加，原位监控的好处相应增加。另外，本技术使得可以按照实现生长期间薄膜特性分析的方式从原位数据提取信息。
附图说明
前述内容从以下对如附图所示的本发明示例性实施方式的更具体描述中将是显而易见的，其中贯穿不同的视图，相同的参考符号指代相同的部件。附图不一定是按比例绘制的，而是着重于图示本发明的实施方式。
图1是在少于一个周期的振荡的情况下反射率对照时间的绘图，该情况对于BiHEMT和有关结构的关注的某些层而言是典型的。
图2图示了用于拟合代表非常薄外延层(即，其反射率曲线少于振荡的一半的外延层)的反射率曲线的技术。
图3图示了用于拟合代表比图2的外延层(即，其反射率曲线包括反射率最小值或最大值的外延层)稍厚的薄外延层的反射率曲线的技术。
图4图示了具有最大值和最小值二者的大于1个周期的反射率范围。这样的层典型地实现通过本发明方法对于生长速率、膜组分和掺杂浓度的完整拟合。
图5是典型的基于GaAs的BiHEMT结构的层结构。
图6是针对具有低掺杂浓度、中掺杂浓度和高掺杂浓度的层的原位监控数据的绘图，并图示了在反射率最小值附近的反射率的对应差异。
图7是利用不同波长的入射光收集的来自同一材料层的反射率曲线的绘图，突出显示了根据波长可获得的信息的差异。
具体实施方式
本发明的示例性实施方式的描述如下。
本发明的实施方式一般涉及对薄膜的沉积进行监控，并且具体地涉及BiHEMT和类似的半导体器件结构的生长期间的原位监控。这些实施方式提供用于将原位监控应用于BiHEMT的生长并从它们的原位反射率曲线提取关于沉积的薄膜特性的信息的方法。这样的曲线仅可能包含振荡的一部分，如图1所示。
图2图示了用于拟合少于振荡的一半的非常薄层的技术。输出包括从层的开始到结束的反射率变化以及斜率。本发明的方法实现有关这样层的膜厚度变化的信息的提取，相比不使用这种方法的情况而言实现更精确的控制。
针对稍厚的层，图3图示了应用于光学厚度比图2的膜稍大的层的本发明的方法，从而实现对一个反射率最小值或最大值的捕捉以及对关于外延层组分变化(包括掺杂浓度)的信息的提取。
图4图示了应用于具有反射率最大值和最小值二者的层的本发明方法。输出包括极值之间的反射率变化(振荡幅度)以及从开始到极值的时间变化(振荡周期)。这样的层典型地实现对于生长速率、膜组分和掺杂浓度的完整拟合。应注意到，即使这些参数中的每个参数的绝对幅度不是精确已知的，由本发明方法提供的原位监控技术也能够使得分辨晶片上的位置之间的非常小的差异(即，晶片内均匀性)或者同时生长的多个晶片之间的非常小的差异(即，晶片间均匀性)。与这样的测量能力相关联的重要优势对于本领域技术人员而言将是明显的。
图5示出了典型的基于GaAs的BiHEMT结构。对于这样的结构，构成层中的许多层都是非常薄的。尽管可以使用诸如光致发光(PL)和x射线衍射(XRD)之类的技术监控诸如基于GaAs之类的不太复杂的器件结构的生长，但这些技术根本不可能用于BiHEMT。因为BiHEMT的HEMT器件层通常位于HBT层之下，由于上覆层的作用，HEMT层的PL是不可能的。附加地，由于相同原因XRD将大大复杂化。在原位技术的情况下，掩埋的HEMT层也将不受其上方生长的HBT层的测量的影响。更具体而言，本发明方法可以提供有关沟道层(通常为InGaAs)、间隔物层(通常为AlGaAs)和肖特基层(通常为AlGaAs)的信息。这些层是作为代表性例子提及的。本领域技术人员将理解，本发明的实施方式包括在本说明书中未明确提及的其它层。
图6示出了将原位方法应用于具有不同掺杂浓度的薄层产生的示例性数据。这样的层是常见的，例如作为BiHEMT结构的基极层(参见图5)。尽管仅存在局部振荡，但应注意到，3条曲线的最小值对应于不同的反射率值并且可以用于在具有高掺杂浓度、中掺杂浓度或低掺杂浓度的膜之间进行区分。这样的变化会带来BiHEMT器件的参数性能的明显偏移。具体而言，BiHEMT器件的基极层的掺杂中即使很小的变化也会导致晶体管增益的变化。
图7图示了不同波长的入射光如何可以带来原位反射率的差异。图7的两条曲线是从BiHEMT结构的FET沟道收集的。短波长反射率迹线包括最小值和最大值两者，而长波长反射率迹线包含最小值和更平缓增加的斜率，而不包含明显的最大值。短波长数据由于曲线拟合算法使用的更大比例的周期而可以提供更高的测量分辨率。
例如，入射光的波长可以用于针对关注的外延层的厚度和/或材料特性定制原位监控方案。由于在该能量下的低黑体白炽强度而通常使用约950nm的波长，这实现将用于反射率和高温测量二者的波长。对于具有低折射率的薄层或材料而言，可能使用更短波长的光是有利的。由于在633nm的波长容易获得的氦氖激光发射而有时使用此波长。然而，针对给定的膜厚度，甚至更短的波长也会产生增加数目的振荡，因而增加提取的原位数据的信噪比并提高执行曲线拟合的能力。具体而言，取决于关注的结构和材料，小于600nm(对应于Al0.73Ga0.27As的带隙能量)或甚至小于500nm(比InAlGaAsP系统的任何合金的带隙更大的能量)的波长可能是有利的。
然而，波长应当在其它约束内进行优化。作为例子，对于GaAs器件，如果波长变得太短，则由于光学吸收可能难以提取关于诸如异质结双极晶体管(HBT)的发射极帽层或高电子迁移率晶体管(HEMT)的n+帽层之类的层的信息。类似地，如果波长变得过长，则可能从诸如HBT InGaP发射极或AlGaAs肖特基层之类的层获得很少的信息。多个波长的优化是重要的，从而可以最高精度地捕捉来自关注的所有层的数据。
通过参考整体并入Rehder，E.M..，et al.，“In Situ Monitoring ofHBT Epi Wafer Production：The Continuing Push Towards PerfectQuality and Yields，”CS MANTECH Conference，May 18th-21st，2009，Tampa，Florida，USA的教导。
尽管已经参照本发明的示例性实施方式描述和具体示出了本发明，但本领域技术人员将理解到，在不脱离所附权利要求所涵盖的本发明的范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种变化。

Claims (14)

1.一种对薄膜在衬底上的沉积进行监控的方法，包括以下步骤：
a)在薄膜的生长期间进行原位监控以生成反射率振荡数据；
b)对所述反射率振荡数据进行曲线拟合以由此提取关于所述薄膜的厚度、生长速率、组分或掺杂的信息；以及
c)对包括BiHEMT结构的至少一部分的所述薄膜进行监控。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述薄膜包括至少一种III-V半导体材料。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述薄膜包括如下组中的至少一个成员，所述组包括：GaAs、AlGaAs、InGaAs、InGaP、InGaAsP和InGaAsN。
4.根据权利要求1所述的方法，其中使用多个波长的入射光进行原位监控。
5.根据权利要求4所述的方法，其中用于原位监控的所述波长中的至少一个小于600nm。
6.根据权利要求4所述的方法，其中用于原位监控的所述波长中的至少一个小于550nm。
7.根据权利要求4所述的方法，其中用于原位监控的所述波长中的至少一个小于500nm。
8.根据权利要求1所述的方法，其中使用局部反射率振荡进行曲线拟合。
9.根据权利要求1所述的方法，其中不将反射率最小值或最大值用于曲线拟合。
10.根据权利要求1所述的方法，其中使用极值之间的反射率的斜率进行曲线拟合。
11.根据权利要求1所述的方法，其中使用层前和层后的反射率来监控膜厚度。
12.根据权利要求1所述的方法，其中使用振荡的斜率进行曲线拟合。
13.一种对厚度均匀性进行校准的方法，包括以下步骤：
a)在薄膜的生长期间进行原位监控以生成反射率振荡数据；
b)对所述反射率数据进行曲线拟合以由此提取关于所述薄膜的厚度、生长速率、组分或掺杂的信息；以及
c)对包括所述薄膜的器件结构的多层的厚度进行校准。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述器件结构为BiHEMT。
CN2011103818390A 2010-11-22 2011-11-22 用于对半导体层的生长进行监控的方法 Pending CN102543787A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US41606310P 2010-11-22 2010-11-22
US61/416,063 2010-11-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102543787A true CN102543787A (zh) 2012-07-04

Family

ID=46350355

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011103818390A Pending CN102543787A (zh) 2010-11-22 2011-11-22 用于对半导体层的生长进行监控的方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20120293813A1 (zh)
CN (1) CN102543787A (zh)
TW (1) TW201234418A (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018072075A1 (zh) * 2016-10-18 2018-04-26 吴展兴 整合场效晶体管与异质接面双极晶体管的结构
CN110527975A (zh) * 2019-09-06 2019-12-03 新磊半导体科技（苏州）有限公司 一种InGaAsP四元系材料分子束外延生长的定标方法
CN111684104A (zh) * 2017-12-19 2020-09-18 艾克斯特朗欧洲公司 用于获得关于以cvd法沉积的层的信息的方法和设备
CN112823270A (zh) * 2018-11-09 2021-05-18 株式会社神户制钢所 氧化膜厚测量装置以及该方法
CN115020268A (zh) * 2022-08-09 2022-09-06 华灿光电（浙江）有限公司 InP生长速率测量方法及装置

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102700750B1 (ko) * 2015-12-04 2024-08-28 큐로미스, 인크 가공된 기판 상의 와이드 밴드 갭 디바이스 집적 회로 아키텍처
DE102018106481A1 (de) * 2018-03-20 2019-09-26 Aixtron Se Vorrichtung und Verfahren zum Messen einer Oberflächentemperatur von auf einem drehenden Suszeptor angeordneten Substraten
TWI691085B (zh) * 2018-11-20 2020-04-11 全新光電科技股份有限公司 具堅固性的異質接面雙極性電晶體結構
EP4123061A1 (en) * 2021-07-22 2023-01-25 Siltronic AG Method for producing a gallium oxide layer on a substrate
US20240142223A1 (en) * 2022-10-27 2024-05-02 Applied Materials, Inc. In-situ reflectometry for real-time process control
US20240141551A1 (en) * 2022-10-27 2024-05-02 Applied Materials, Inc. Dichroic mirror and shortpass filter for in-situ reflectometry

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5100233A (en) * 1989-09-22 1992-03-31 Rockwell International Corporation Refractive index monitor for deposition of gradient-index films
CN101092738A (zh) * 2007-06-08 2007-12-26 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 用于外延生长的原位应力光学监控方法及系统
CN101515558A (zh) * 2006-03-30 2009-08-26 西安电子科技大学 在线检测薄膜生长率和应力的方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4855013A (en) * 1984-08-13 1989-08-08 Agency Of Industrial Science And Technology Method for controlling the thickness of a thin crystal film

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5100233A (en) * 1989-09-22 1992-03-31 Rockwell International Corporation Refractive index monitor for deposition of gradient-index films
CN101515558A (zh) * 2006-03-30 2009-08-26 西安电子科技大学 在线检测薄膜生长率和应力的方法
CN101092738A (zh) * 2007-06-08 2007-12-26 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 用于外延生长的原位应力光学监控方法及系统

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
E.M.REHDER, ET AL.: "In Situ Monitoring of HBT Epi Wafer Production: The Continuing Push Towards Perfect Quality and Yields", 《CS MANTECH CONFERENCE》 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018072075A1 (zh) * 2016-10-18 2018-04-26 吴展兴 整合场效晶体管与异质接面双极晶体管的结构
CN111684104A (zh) * 2017-12-19 2020-09-18 艾克斯特朗欧洲公司 用于获得关于以cvd法沉积的层的信息的方法和设备
CN112823270A (zh) * 2018-11-09 2021-05-18 株式会社神户制钢所 氧化膜厚测量装置以及该方法
CN110527975A (zh) * 2019-09-06 2019-12-03 新磊半导体科技（苏州）有限公司 一种InGaAsP四元系材料分子束外延生长的定标方法
CN110527975B (zh) * 2019-09-06 2020-12-18 新磊半导体科技（苏州）有限公司 一种InGaAsP四元系材料分子束外延生长的定标方法
CN115020268A (zh) * 2022-08-09 2022-09-06 华灿光电（浙江）有限公司 InP生长速率测量方法及装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20120293813A1 (en) 2012-11-22
TW201234418A (en) 2012-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102543787A (zh) 用于对半导体层的生长进行监控的方法
US9334582B2 (en) Apparatus for evaluating quality of crystal, and method and apparatus for manufacturing semiconductor light-emitting device including the apparatus
Unrau et al. Electrically driven single photon source based on a site-controlled quantum dot with self-aligned current injection
US20140077240A1 (en) Iv material photonic device on dbr
CN105556680A (zh) 微结构增强型吸收光敏装置
Geum et al. Monolithic integration of visible GaAs and near-infrared InGaAs for multicolor photodetectors by using high-throughput epitaxial lift-off toward high-resolution imaging systems
CN103762262B (zh) 一种氮化物宽势垒多量子阱红外探测器及其制备方法
CN104733561A (zh) 一种新型氮化物量子阱红外探测器及其制备方法
Provence et al. High power cascaded mid-infrared InAs/GaSb light emitting diodes on mismatched GaAs
Srocka et al. Deterministically fabricated strain-tunable quantum dot single-photon sources emitting in the telecom O-band
Choi et al. High optical responsivity of InAlAs-InGaAs metamorphic high-electron mobility transistor on GaAs substrate with composite channels
Shen et al. Long-wave infrared sub-monolayer quantum dot quantum cascade photodetector
Bergenek et al. Directional light extraction from thin-film resonant cavity light-emitting diodes with a photonic crystal
CN104409556A (zh) 一种氮化物复合势垒量子阱红外探测器及其制备方法
CN102983069A (zh) 生长InP基InAs量子阱的方法
Wolford et al. Optically determined minority-carrier transport in GaAs/Al x Ga 1− x As heterostructures
Kwan et al. Monolithic integration of a 10 μm cut-off wavelength InAs/GaSb type-II superlattice diode on GaAs platform
Ghadi et al. Comparison of three design architectures for quantum dot infrared photodetectors: InGaAs-capped dots, dots-in-a-well, and submonolayer quantum dots
Pernot et al. Electronic properties of the EC-0.6 eV electron trap in n-type GaN
US20080090319A1 (en) Infrared photodiodes and sensor arrays with improved passivation layers and methods of manufacture
US8796117B2 (en) Structure of high electron mobility transistor growth on Si substrate and the method thereof
Zorn et al. Application of reflectance anisotropy spectroscopy to laser diode growth in MOVPE
Mohan et al. Photocurrent spectroscopy of site-controlled pyramidal quantum dots
Tong et al. Spectroscopic photo I–V diagnostics of nitride‐based high electron mobility transistor structures on Si wafers
Walker et al. Minority carrier diffusion in InGaAs/InP P–i–N heterojunctions for photodetector arrays

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20120704