CN102539451B - 一种新型正电子湮没寿命谱仪 - Google Patents
一种新型正电子湮没寿命谱仪 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102539451B CN102539451B CN 201110433507 CN201110433507A CN102539451B CN 102539451 B CN102539451 B CN 102539451B CN 201110433507 CN201110433507 CN 201110433507 CN 201110433507 A CN201110433507 A CN 201110433507A CN 102539451 B CN102539451 B CN 102539451B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- positron annihilation
- gamma
- spectrometer
- video screen
- rays
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 claims description 17
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 6
- 238000013016 damping Methods 0.000 claims description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 8
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 7
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000004397 blinking Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000012764 semi-quantitative analysis Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Abstract
本发明公开了一种新型正电子湮没寿命谱仪。所述正电子湮没寿命谱仪包括：闪烁探测器单元接收放射源衰变和正电子湮没所产生的γ射线，并产生闪烁光；所述闪烁光在传输和调制后通过所述狭缝入射到所述光阴极上产生光电子，该光电子经所述栅极网加速后进入所述偏转板，并在脉冲信号源产生的高频高压电场作用下偏转，该偏转后的光电子经所述微通道板倍增放大后在所述荧光屏上成像；所述图像获取和数据分析单元读取所述荧光屏上的图像，并根据位置信息对单个脉冲信号进行在线拟合精确得到所述γ射线的能量和产生的时刻。该正电子湮没寿命谱仪能够有效提高正电子湮没寿命谱仪的时间分辨率，并降低系统信号处理需求，提高了正电子湮没寿命谱仪的性能。
Description
技术领域
本发明涉及核电子学与核探测器技术领域，尤其涉及一种新型正电子湮没寿命谱仪。
背景技术
正电子是电子的反物质，它与物质相互作用，并与物质中的电子发生湮没，并将全部质量转化成两个能量为0.511MeV，方向相反的伽玛γ射线。而正电子湮没寿命谱仪是利用正电子的湮没特性无损探测金属、半导体、高温超导体、高聚物等材料样品中微观结构缺陷、电荷密度、电子动量密度的灵敏工具，具有检测灵敏度高、可以对缺陷浓度进行半定量分析、可以进行缺陷的深度分布探测等优点。正电子的湮没寿命即正电子从入射到湮没的时间间隔，主要受物质尤其是物质中缺陷周围电子密度的影响，并随缺陷尺寸的增大而增大，同时随缺陷浓度的增加其在缺陷周围的湮没概率(即相对强度)增加。
目前，正电子湮没寿命谱仪通常可采用双探头设计，如图1所示为现有技术方案的正电子湮没寿命谱仪的结构示意图，图1中的主要部件包括：起始道探测器1、停止道探测器2(探测器通常由氟化钡BaF2闪烁体3和光电倍增管4组成)、用来选择γ能量的慢电子学电路5、快信号定时电路6、时间幅度转换器7、多道分析器8和计算机9等，是一个典型的快慢符合寿命谱仪。
上述正电子湮没寿命谱仪的时间间隔测量在快道中实现，而能量甄别在慢道中实现。时间幅度转换器7把起始信号与停止信号的时间差转换为幅度与时间差相正比的脉冲，区分脉冲高度储存在多道分析器8不同的道中，一个计数作为一个湮没时间。慢电子学电路5中的单道分析器对γ光子进行能量分析，确保只有符合设定能量范围内的γ光子才能作为时间信号，以保证起始信号是和正电子同时产生的能量为1.28MeV的γ光子，终止信号主要是能量为0.511MeV的湮没γ光子。
时间分辨率是正电子湮没寿命谱仪的一个重要的性能指标，它与闪烁体材料、光电倍增管以及组成谱仪的电子学系统的性能相关。在上述现有的正电子湮没寿命谱仪方案中，在闪烁体材料固定(BaF2)的情况下，是使用光电倍增管和模拟/数字电路等手段对起始和终止道信号进行转换和采集，若要进一步提高数字电子学的采样频率则难以实现，从而难以提高正电子湮没寿命谱仪的时间分辨率，影响了正电子湮没寿命谱仪的性能。
发明内容
本发明的目的是提供一种新型正电子湮没寿命谱仪，能够有效提高正电子湮没寿命谱仪的时间分辨率，并降低系统信号处理需求，提高了正电子湮没寿命谱仪的性能。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的：
一种新型正电子湮没寿命谱仪，所述正电子湮没寿命谱仪包括闪烁探测器单元，条纹管单元，图像获取和数据分析单元，其中：
所述闪烁探测器单元接收放射源衰变和正电子湮没所产生的γ射线，并产生闪烁光；
所述条纹管单元进一步包括狭缝、光阴极、栅极网、偏转板，微通道板和荧光屏，其中：所述闪烁光在传输和调制后通过所述狭缝入射到所述光阴极上产生光电子，该光电子经所述栅极网加速后进入所述偏转板，并在脉冲信号源产生的高频高压电场作用下偏转，该偏转后的光电子经所述微通道板倍增放大后在所述荧光屏上成像；
所述图像获取和数据分析单元读取所述荧光屏上的图像，记录其位置和幅度信息，通过所述幅度信息获得起始γ射线和湮没γ射线的能量，并根据位置信息对从所述荧光屏上获取的脉冲信号进行在线拟合精确得到湮没所述γ射线产生的时刻。
所述图像获取和数据分析单元包括电荷耦合器件CCD和计算机终端，其中：
所述电荷耦合器件CCD用于读取所述荧光屏上的图像，记录其位置和幅度信息，并传输给计算机终端存储；
所述计算机终端用于通过幅度信息获得起始γ射线和湮没γ射线的能量，再根据位置信息对从所述荧光屏上的获取的脉冲信号进行在线拟合精确得到所述γ射线产生的时刻。
所述计算机终端用于通过幅度信息获得起始γ射线和湮没γ射线的能量，再根据位置信息对从所述荧光屏上的获取的脉冲信号进行在线拟合精确得到所述γ射线产生的时刻，进一步包括：
所述计算机终端通过所述幅度信息获得起始γ射线的能量和湮没γ射线的能量，再根据位置信息和已知闪烁体的衰减曲线对从所述荧光屏上获取的脉冲信号拟合谱型，得到起始γ射线和湮没γ射线的衰减峰值所在的时刻，并记录其时间间隔，该时间间隔即正电子湮没寿命；
所述计算机终端进一步还用于根据统计原则收集指定数量的有效数据，得到正电子湮没寿命谱。
所述正电子湮没寿命谱仪使用单探头或双探头结构。
由上述本发明提供的技术方案可以看出，所述正电子湮没寿命谱仪包括闪烁探测器单元，条纹管单元，图像获取和数据分析单元，其中：所述闪烁探测器单元接收放射源发生衰变所产生的γ射线，并产生闪烁光；所述条纹管单元进一步包括狭缝、光阴极、栅极网、偏转板，微通道板和荧光屏，其中：所述闪烁光在传输和调制后通过所述狭缝入射到所述光阴极上产生光电子，该光电子经所述栅极网加速后进入所述偏转板，并在脉冲信号源产生的高频高压电场作用下偏转，该偏转后的光电子经所述微通道板倍增放大后在所述荧光屏上成像；所述图像获取和数据分析单元读取所述荧光屏上的图像，记录其位置和幅度信息，并根据位置信息对单个脉冲信号进行在线拟合精确得到湮没所述γ射线产生的时刻，通过幅度信息获得正电子湮没寿命。该正电子湮没寿命谱仪能够有效提高正电子湮没寿命谱仪的时间分辨率，并降低系统信号处理需求，提高了正电子湮没寿命谱仪的性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他附图。
图1为现有技术方案的正电子湮没寿命谱仪的结构示意图；
图2为本发明实施例所提供的正电子湮没寿命谱仪的结构示意图；
图3所示为本发明所举出的实例中单探头结构的正电子湮没寿命谱仪；
图4所示为本发明所举出的实例中双探头结构的正电子湮没寿命谱仪。
具体实施方式
下面结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明的保护范围。
本发明所述的正电子湮没寿命谱仪利用具有皮秒时间分辨的条纹管读取单个脉冲信号的衰减过程，并通过在线拟合的方法精确得到湮没γ射线产生的时刻，同时本发明还采用了时间性能较好的微通道板来取代现有技术中的光电倍增管来保证信号放大的需求。下面将结合附图对本发明实施例作进一步地详细描述，如图2所示为本发明实施例所提供的正电子湮没寿命谱仪的结构示意图，图2中的正电子湮没寿命谱仪包括：闪烁探测器单元，条纹管单元，图像获取和数据分析单元，其中：
所述闪烁探测器单元接收放射源衰变和正电子湮没所产生的γ射线，在本实施例中该γ射线为能量为1.28MeV的γ射线和正电子湮没时所产生的能量为0.511MeV的γ射线，并产生闪烁光；所述闪烁光在传输和调制后由具有皮秒时间分辨的条纹管单元读取。
所述条纹管单元进一步包括狭缝、光阴极、栅极网、偏转板，微通道板和荧光屏，其中：所述闪烁光在传输和调制后通过所述狭缝入射到所述光阴极上产生光电子，该光电子经所述栅极网加速后进入所述偏转板，并在脉冲信号源产生的高频高压电场作用下偏转，具体实现中，其偏离程度受其入射时刻的影响；该偏转后的光电子经所述微通道板倍增放大后在所述荧光屏上成像；
所述图像获取和数据分析单元读取所述荧光屏上的图像，记录其位置和幅度信息，通过幅度信息获得起始γ射线和湮没γ射线的能量，并根据位置信息对从所述荧光屏上获取的脉冲信号进行在线拟合精确得到湮没所述γ射线产生的时刻。
在具体实现过程中，上述图像获取和数据分析单元可以包括电荷耦合器件CCD和计算机终端，其中：
所述电荷耦合器件CCD用于读取所述荧光屏上的图像，记录其位置和幅度信息，并传输给计算机终端存储；
所述计算机终端用于通过幅度信息获得起始γ射线和湮没γ射线的能量，再根据位置信息对从所述荧光屏上获取的脉冲信号进行在线拟合精确得到湮没所述γ射线产生的时刻，并记录其时间间隔，该时间间隔即正电子湮没寿命。
具体来说，所述计算机终端通过幅度信息获得起始γ射线的能量(1.28MeV)和湮没γ射线的能量(0.511MeV)，再根据位置信息和已知闪烁体的衰减曲线对从所述荧光屏上获取的脉冲信号拟合谱型，得到起始γ射线和湮没γ射线的衰减峰值所在的时刻，并记录其时间间隔，该时间间隔即正电子湮没寿命，本实施例中，已知闪烁体取决于闪烁体材料，例如可以是氟化钡BaF2晶体，那么已知闪烁体的衰减曲线就是氟化钡晶体的衰减曲线；同时，该计算机终端还可以进一步根据统计原则收集指定数量的有效数据(例如100万计数)，从而得到正电子湮没寿命谱。
由此可见，本发明实施例所述的正电子湮没寿命谱仪采用微通道板加条纹管取代传统的光电倍增管结构，能够有效提高正电子湮没寿命谱仪的时间分辨率，并采用位置信息取代直接测量时间信号，降低了系统信号处理需求，提高了正电子湮没寿命谱仪的性能。
下面以具体的实例来对上述正电子湮没寿命谱仪的结构和工作过程进行描述，该新型正电子湮没寿命谱仪可以使用单探头或双探头结构，如图3所示为本发明所举出的实例中单探头结构的正电子湮没寿命谱仪，如图4所示为本发明所举出的实例中双探头结构的正电子湮没寿命谱仪，图4中首先将样品和放射源采用样品-放射源-样品的夹心结构，类同于传统寿命谱仪的测试方式。
由于需要触发信号产生高频锯齿波，因而触发模式上与传统正电子湮没寿命谱仪略有不同，双探头需要图4中的高频信号源22同时驱动两套偏转板(信号源的周期决定了寿命谱的量程)，其中一套通过图4中的延时器24调节以保证两套偏转板的信号同步。
下面以图3中单探头结构为例，对该正电子湮没寿命谱仪的工作过程进行说明，图3中包括：闪烁探测器单元(氟化钡BaF2晶体12和光导13)、光学透镜单元14、条纹管单元(含狭缝15、光阴极16、栅极网17、偏转板18、19和微通道板20(含荧光屏))、图像获取和数据分析单元(含电荷耦合器件CCD 21和计算机终端)和高频数字电路单元(含脉冲信号源22)，其工作过程为：
(1)首先，放射源(通常22Na)10发生β+衰变，产生一个正电子并伴随发射1.28MeV的γ射线；
(2)该1.28MeV γ射线入射到闪烁探测器单元的氟化钡晶体12中产生闪烁光，经光导13和光学透镜单元14传输和调制后，通过狭缝15入射到条纹管单元中的光阴极16上并产生光电子；
(3)经栅极网17加速后的电子进入偏转板18，在偏转板18内，由高频数字电路单元中的脉冲信号源22产生高频高压电场(如图3中的23所示的锯齿波)，电子在高频高压电场的作用下偏离轴心，其偏离程度受其入射时刻的影响。
(4)偏转后的电子经微通道板20倍增放大后在其内的荧光屏上成像；
(5)同时，放射源10在衰变中产生的正电子入射到样品11中，与样品11中的电子相互作用而湮没，向相反方向发射两个0.511MeV能量的γ光子；
(6)其中一个γ光子入射到闪烁探测器单元的氟化钡晶体12中产生闪烁光，经历上述(2)-(4)的过程后也在荧光屏上成像；
(7)电荷耦合器件CCD21读取微通道板20内的荧光屏上的图像，并记录其位置和幅度信息，再由计算机终端PC存储；
上述过程描述了单侧方向的闪烁探测器单元的处理过程，若该正电子湮没寿命谱仪为图4中的双探头结构，则另一侧方向的闪烁探测器单元的处理过程与上述(1)-(7)的过程类似；两侧方向上的两套系统分别探测1.28MeV和0.511MeV的γ光子信息(光子的能量通过探测器的信号幅度确定)，只有两个信号都有的情况才会被PC读取并存储。
(8)计算机终端还可以进一步对所采集到的数据进行在线分析，对两侧方向上的两个闪烁探测器单元的信息进行处理，排除只有单探头数据或没有有效数据的情况，根据已知闪烁体(氟化钡BaF2晶体)的衰减曲线拟合谱型，得到1.28MeV和0.511MeV的衰减峰值所在的时刻，记录其时间间隔，该时间间隔即正电子湮没寿命。
(9)进一步还可以根据统计原则，由计算机终端收集一定数量的有效数据(例如100万计数)，从而得到正电子湮没寿命谱。
综上所述，本发明实施例所述的正电子湮没寿命谱仪具有如下优点：
1)采用微通道板加条纹管取代传统的光电倍增管结构，有效提高时间分辨率；
现有技术方案中，电子在传统的光电倍增管中渡越时间通常在20-80纳秒，经过光电聚焦的管子引起的渡越时间的展宽通常在几百皮秒到几个纳秒；
本发明实施例中，适用于本系统的单光子计数型条纹管其时间分辨通常在几个皮秒的量级，质量较好的条纹管甚至可以达到飞秒量级，远远低于光电倍增管结构。
2)采用位置信息取代直接测量时间信号，对光电转换等信号处理方式的要求有效降低，只需减小其时间展宽即可。
现有技术方案中，传统的寿命测量谱仪在从光电倍增管得到光电信号后，通常需要恒比定时器、时幅转换器以及多道分析器等电子学插件，插件的性能进一步降低了系统的分辨率。
本发明实施例中，实现了数据处理的完全数字化，直接将CCD得到的数字图像传送给计算机进行处理，降低了对电子学器件的需求。
3)采用全谱拟合技术对快时间信号进行定时，提高定时精度。
现有技术方案中，定时电路是前端电子学中检出时间信号的基本单元，其中恒比定时器是其中一种重要的定时方法，它可以克服幅度变化引起的时间游动，但是只对闪烁光信号的峰值进行采样，受前端信号的展宽影响比较严重。
本发明实施例中，对单个γ射线引起的闪烁光信号进行全谱采样，并利用已知的BaF2晶体的衰减曲线进行拟合，从而有效降低前端如γ射线在晶体中的吸收位置和可见光在晶体中传播引起的时间展宽的影响，因而进一步提高系统的时间分辨率。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明披露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。
Claims (2)
1.一种新型正电子湮没寿命谱仪，其特征在于，所述正电子湮没寿命谱仪包括闪烁探测器单元，条纹管单元，图像获取和数据分析单元，其中：
所述闪烁探测器单元接收放射源衰变和正电子湮没所产生的伽玛γ射线，并产生闪烁光；
所述条纹管单元进一步包括狭缝、光阴极、栅极网、偏转板，微通道板和荧光屏，其中：所述闪烁光在传输和调制后通过所述狭缝入射到所述光阴极上产生光电子，该光电子经所述栅极网加速后进入所述偏转板，并在脉冲信号源产生的高频高压电场作用下偏转，该偏转后的光电子经所述微通道板倍增放大后在所述荧光屏上成像；
所述图像获取和数据分析单元读取所述荧光屏上的图像，记录其位置和幅度信息，通过所述幅度信息获得起始γ射线和湮没γ射线的能量，并根据位置信息对从所述荧光屏上获取的脉冲信号进行在线拟合精确得到湮没所述γ射线产生的时刻；
其中，所述图像获取和数据分析单元包括电荷耦合器件CCD和计算机终端，其中：
所述电荷耦合器件CCD用于读取所述荧光屏上的图像，记录其位置和幅度信息，并传输给计算机终端存储；
所述计算机终端用于通过幅度信息获得起始γ射线和湮没γ射线的能量，再根据位置信息对从所述荧光屏上的获取的脉冲信号进行在线拟合精确得到所述γ射线产生的时刻，具体包括：所述计算机终端通过所述幅度信息获得起始γ射线的能量和湮没γ射线的能量，再根据位置信息和已知闪烁体的衰减曲线对从所述荧光屏上获取的脉冲信号拟合谱型，得到起始γ射线和湮没γ射线的衰减峰值所在的时刻，并记录其时间间隔，该时间间隔即正电子湮没寿命；所述计算机终端进一步还用于根据统计原则收集指定数量的有效数据，得到正电子湮没寿命谱。
2.如权利要求1所述的新型正电子湮没寿命谱仪，其特征在于，
所述正电子湮没寿命谱仪使用单探头或双探头结构。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201110433507 CN102539451B (zh) | 2011-12-21 | 2011-12-21 | 一种新型正电子湮没寿命谱仪 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201110433507 CN102539451B (zh) | 2011-12-21 | 2011-12-21 | 一种新型正电子湮没寿命谱仪 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102539451A CN102539451A (zh) | 2012-07-04 |
| CN102539451B true CN102539451B (zh) | 2013-09-11 |
Family
ID=46346869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201110433507 Active CN102539451B (zh) | 2011-12-21 | 2011-12-21 | 一种新型正电子湮没寿命谱仪 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102539451B (zh) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102967874B (zh) * | 2012-12-17 | 2015-01-21 | 中国科学院高能物理研究所 | 一种正电子湮没角关联谱仪 |
| CN103033523B (zh) * | 2012-12-17 | 2015-04-08 | 中国科学院高能物理研究所 | 一种新型正电子湮没谱仪及其测量方法 |
| CN103336020B (zh) * | 2013-07-17 | 2015-07-15 | 苏州热工研究院有限公司 | 正电子寿命谱测量系统及其采用的测量方法 |
| CN106154303B (zh) * | 2016-06-20 | 2019-09-20 | 中国科学院高能物理研究所 | 信号处理装置以及时间探测装置 |
| CN106680300B (zh) * | 2017-01-17 | 2019-04-09 | 武汉大学 | 多维度正电子湮没寿命谱和多普勒展宽谱测量系统 |
| CN107272047B (zh) * | 2017-06-14 | 2019-06-28 | 中国科学院高能物理研究所 | 正电子湮没寿命谱测量方法及系统 |
| CN110082368B (zh) * | 2019-04-29 | 2020-06-26 | 中国科学技术大学 | 一种基于硅光电倍增器(SiPM)的正电子湮没寿命谱仪 |
| CN113655513A (zh) * | 2021-08-16 | 2021-11-16 | 中国科学技术大学 | 一种数字化反符合多路互为起始正电子湮没寿命谱仪 |
| CN113686312B (zh) * | 2021-08-27 | 2022-10-04 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 一种超高速连续采样的条纹相机成像方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1266486C (zh) * | 2004-04-02 | 2006-07-26 | 谢舒平 | 一种伽玛射线探测成像的方法及装置 |
| US8017906B2 (en) * | 2008-04-08 | 2011-09-13 | Robert Sigurd Nelson | Slit and slot scan, SAR, and compton devices and systems for radiation imaging |
| WO2010094272A2 (de) * | 2009-02-23 | 2010-08-26 | Otto-Von-Guericke-Universität Magdeburg Medizinische Fakultät | Spect-gamma-kamera, spect-scanner sowie verwendungen einer spect-gamma-kamera |
| CN101923161B (zh) * | 2010-08-30 | 2012-12-05 | 哈尔滨工业大学 | 共光学系统共探测器的微光被动与激光主动复合成像的探测装置和方法 |
-
2011
- 2011-12-21 CN CN 201110433507 patent/CN102539451B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102539451A (zh) | 2012-07-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102539451B (zh) | 一种新型正电子湮没寿命谱仪 | |
| CN107356855B (zh) | 一种单光子光电器件的测试装置和方法 | |
| CN103033523B (zh) | 一种新型正电子湮没谱仪及其测量方法 | |
| CN102307046B (zh) | 一种时间分辨光子计数成像系统及方法 | |
| CN101013095A (zh) | 一种正电子湮没寿命谱仪 | |
| US7851764B2 (en) | Method of high-energy particle imaging by computing a difference between sampled pixel voltages | |
| Settimo | Search for low-mass dark matter with the DAMIC experiment | |
| US7683335B2 (en) | Threshold Cerenkov detector with radial segmentation | |
| CN104597479A (zh) | 中子位置探测装置 | |
| CN113419270B (zh) | 一种在线式滤片堆栈谱仪 | |
| CN114152971A (zh) | 闪烁晶体发光衰减时间的测量方法及测量系统 | |
| JPH0670612B2 (ja) | ストリークカメラ装置 | |
| Ambrosi et al. | Development of a SiPM based camera for Cherenkov Telescope Array | |
| CN202334490U (zh) | 用于时间分辨光子计数成像的采集卡 | |
| CN201021941Y (zh) | 单离子束远程计数检测器 | |
| Schössler et al. | Time and position sensitive single photon detector for scintillator read-out | |
| Takasaki et al. | Performance of a photomultiplier tube with transmissive dynodes in a high magnetic field | |
| CN210803729U (zh) | 一种用于测量宇宙射线μ子寿命的实验装置 | |
| Lusardi et al. | FPGA-based SiPM timestamp detection setup for high timing resolution TOF-PET application | |
| CN114879243A (zh) | 一种基于光子计数的束流光谱检测装置及方法 | |
| CN210982762U (zh) | 一种航空伽玛能谱仪器 | |
| Gordon et al. | Characterization of photodetector temporal response for neutron time-of-flight (nToF) diagnostics at the National Ignition Facility | |
| CN106772539B (zh) | 一种测量弱伽马脉冲的闪烁探测系统及方法 | |
| CN108072889B (zh) | 超低本底液体闪烁谱仪的工作方法 | |
| Peters et al. | Prospects of silicon photomultipliers for ground-based cosmic ray experiments |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |