CN102483357A - 具有极化辐射热测量检测器的电磁辐射检测装置，在红外线检测上的应用 - Google Patents

Abstract

一种电磁辐射检测装置，包括：辐射(IR)检测像素(10)，每个像素都用来提供代表所检测的该辐射的电流(Im)；所述像素所连接的、传输像素(10)所提供的电流的传输列(12)；和传输列(12)所连接的、处理由像素(10)提供的电流的电模块(14)。每个像素(10)都包括具有辐射热测量检测器(20)的检测电路(18)，与辐射热测量检测器(20)的电压极化装置(22)串联，用于调节由传输列(12)提供给处理模块(14)的电流。它还包括辐射热测量检测器(20)的电流极化电路(34)，用于调节由传输列(12)提供给电处理模块(14)的电流，该电流极化电路(34)不同于检测电路(18)，并在检测电路(18)位于辐射热测量检测器(20)和电压极化装置(22)之间的一点(36)上连接到辐射热测量检测器(20)。

Description

具有极化辐射热测量检测器的电磁辐射检测装置,在红外线检测上的应用

技术领域

本发明涉及电磁辐射检测装置及其在红外线检测上的应用。 

背景技术

尽管针对利用红外线成像器来进行红外线辐射检测有更加清晰地描述，但它同样可以应用于诸如可见光或紫外线的其他辐射检测的领域。 

本发明特别适用于电磁辐射检测装置，包括至少一个辐射检测像素，用来提供代表所检测的辐射的电流，该像素包括一个具有与电压极化装置串联的辐射热检测器的检测电路。 

这种装置示意地举例说明于图1，在该情况下是红外扫描成像器。类似的具体实施例还在以FR 2848666号公告的法国专利申请中公开。 

一般地，它包括设置成行和列的称为像素的传感器矩阵。在图1中，为简明起见，只示出一个像素10。它连接至所有一列像素共用的一个电流传输列12。该传输列12连接至顺序地由所考虑的该列像素提供的并由列12传输的电流的处理模块14传输，用于显示由每个像素检测的电磁辐射IR的检测形成的一个矩阵图像。该处理模块14位于列脚的电路16中。 

更准确地说，由模块14实现的该处理在于通过电路积分器对像素10所接收的电流进行积分。积分的结果以电压的形式提供。而正是这个电压包含像素10提供的信息。然后，这个电压被发送到总线上，该总线顺序地回收与检测装置的矩阵的所有像素相关联的所有电压。然后，与像素相关联的值的这个序列被传输至视频放大器，以便最后实现代表所检测的电磁辐射的图像的重构和显示。 

像素10是一个传感器，它包括检测电磁辐射的电子电路18。在红外线成像的情况下，该检测电路18一般包括非冷却微辐射热测量检测器20，检测器20与该微辐射热测量检测器20的电压极化晶体管22串联。晶体管22一般是 场效应MOS类型，更准确地说，在图1的例子中是n型，安装在电压发生器上，以允许采集和处理微辐射热测量检测器20提供的电流。 

事实上，该微辐射热测量检测器20是一种传感器，该传感器通过其电阻围绕取决于构成传感器的材料中的一种材料的平均值的变化，对温度的变化起反应。因而，应用欧姆定律，其电压极化允许使得流过它的电流随着成像器所经受的场景的温度变化、围绕由该极化限定的平均值而变化。 

传统上，非冷却微辐射热测量检测器包括下列元件： 

●电磁辐射IR吸收装置，用于把辐射转换为热量； 

●检测器的热隔离装置，允许其发热；和 

●可随温度变化的电阻元件。 

微辐射热测量检测器20的端子中的一个的电位固定在数值Vdt上。于是，由n-MOS晶体管22引起的微辐射热测量检测器20的电压极化便受该晶体管的栅极电压Gdt控制，该晶体管连接至微辐射热测量检测器20的另一个端子。为此，n-MOS晶体管22一般称为注入或极化晶体管。 

该检测电路18此外还包括控制开关24，它与n-MOS晶体管22及微辐射热测量检测器20串联安装，用于把流过该电子电路的电流Im(与其他像素)同步地传输给传输列12。该电流Im与流过n-MOS晶体管22的电流Ids以及流过微辐射热测量检测器20的电流Ibolo是相同的，使得它们的波动充分地包含该检测器提供的有用信息。 

电流Ibolo是由以下关系给定的： 

$\mathrm{Ibolo}=\frac{\mathrm{Vs}}{\mathrm{Rbolo}}=\frac{\mathrm{Vd}-\mathrm{Vds}}{\mathrm{Rbolo}}=\frac{\mathrm{Vd}}{\mathrm{Rbolo}}-\frac{1}{\mathrm{Rbolo}}\×\mathrm{Vds}$

式中：Vs是n-MOS晶体管22的源极电压，Vd是漏极电压，Vds是漏极-源极电压，而Rbolo是微辐射热测量检测器20的电阻。 

图2给出用负斜率直线D表示的电流/电压特征曲线。 

此外，可以在n-MOS晶体管22的端子上获得的该电流/电压特征曲线是其栅极与其源极之间的电压Vgs的函数，电流/电压特征曲线用与电压Vgs可取的三个特定值Vgs1、Vgs2和Vgs3相关的三条特定的曲线C1、C2和C3在图2上示出。 

不说自明地，这些取决于电压Vgs的电流电压特征曲线的每一个都包括：称为电阻模式的所考虑的晶体管的第一部分，其中，电流Ids的强度随着电压 Vds增大，只要Vds保持小于(Vgs-Vt)，其中Vt是所考虑的晶体管的特征阈值的电压；和称为饱和模式的第二部分，其中，对于大于(Vgs-Vt)的Vds值，电流Ids的强度基本上保持恒定。 

在位于这两个模式之间的饱和极限下，电流Ids由下列关系给定： 

$\mathrm{Ids}=\frac{W}{L}\×\frac{{\mathrm{\μ}}_n{C}_{\mathrm{ox}}}{2}\×{\mathrm{Vds}}^2$

式中：W和L是晶体管沟道的宽度和长度，μ_n是电子的迁移率(沟道n的多数载流子)，而C_ox是晶体管单位面积的电容量。 

电流/电压特征曲线上位于饱和极限下的取决于电压Vgs的所有点的集合由图2所示的抛物曲线P给出。 

为了使检测电路18良好运行，n-MOS晶体管22的栅极电压Gdt选定成使n-MOS晶体管22工作于饱和极限。因而，数值Ibolo＝Ids＝Im由位于直线D和抛物线P之间交点上的工作点给定。 

因为源于微辐射热测量检测器20，所以由检测电路18提供给传输列12的电流Im呈现一个高的共模，围绕该共模存在代表温度波动的电流的微弱波动。而正是这些微弱的波动构成有用的信息。因而一般在列头的电路28中设置对消电路(circuit d’ébasage)26，用于提供旨在再现这个共模并向传输列12传输的对消电流Ieb。以这种方式，该电流Ieb可以从电流Im去除并由此消除电流Im的共模，以便只保留有用的部分。 

对消电路26一般包括与MOS型、更准确地说是图1例子中的p型场效应晶体管32串联的热化微辐射热测量检测器30。热化微辐射热测量检测器30的不连接p-MOS晶体管32的端子固定于电压Veb，而p-MOS晶体管32承受栅极电压Geb。所谓“热化微辐射热测量检测器”指的是其电阻恒定并独立于所接收的辐射的微辐射热测量检测器。 

用来被显示的信号受到劣化。劣化一方面是由于辐射热测量检测器本身，而另一方面是由于其他电子元件，在这些电子元件中间有注入型晶体管22和处理模块14的细件。因而一方面，存在辐射热测量噪声，而另一方面是将干扰待处理信号的电子噪声。当辐射热测量检测器的平均辐射热测量电阻低时，这些干扰尤为明显。 

事实上，人们发现，降低平均辐射热测量电阻会导致电压极化晶体管22的注入效率降低。因为该效率的降低，使晶体管22对由微辐射热测量检测器20 提供的电流的传送较差。 

但是，主要现象是电流中的噪声增大。若平均辐射热测量电阻减小，则电流中由微辐射热测量检测器20引起的噪声减小，但是电流中由电压极化晶体管22引起的噪声由于流过它的电流增大而显著增大。 

用于降低电流中由电压极化晶体管22引起的噪声的已知解决方案是增大其尺寸。事实上，人们发现晶体管越大，噪声越小。 

但是，对组件尺寸的改变在特别是成像的领域内被证实是难以处理的。事实上，该检测装置一般由像素矩阵构成，使得位于一个像素内的所有组件的尺寸都受该像素的尺寸约束。可是几个像素共用的某些组件可以设置在矩阵之外，在行和/或列的头部和/或脚部：则这些组件的尺寸不再受任何约束。 

在电压极化晶体管22的特定情况下，它与微辐射热测量检测器20串联并在微辐射热测量检测器附近且就在同一像素10的内部。因而只要它还在像素内，其尺寸便受限制。 

然而，可以设想在使之变为几个像素共用的条件下增大其尺寸，但这时总的体系结构应该完全修改。另外，几个像素之间的电压极化晶体管22的分享对检测装置的运行带来了额外的约束。事实上，某些红外线成像器有利地按照被称为“滚动快门”的扫描模式运行，据此相继的多个行可以同时进行采集。这时，在存在几个像素之间共享的大尺寸电压极化晶体管的情况下，不再可能考虑这种扫描模式。 

因而，增大电压极化晶体管22的尺寸的解决方案对于解决上述总体性能的问题不是最优的。 

于是可能希望设计一种允许至少部分地消除上述问题和约束而不必求助于这样的解决方案的电磁辐射检测装置。 

发明内容

因而，本发明的目标是提出一种电磁辐射检测装置，该装置包括至少一个辐射检测像素，用于提供代表被检测的辐射的电流，该像素包括一个检测电路，该检测电路包括与电压极化装置串联的辐射热测量检测器，该装置还包括辐射热测量检测器的电流极化电路，该电流极化电路不同于检测电路，该电流极化电路在检测电路位于辐射热测量检测器和电压极化装置之间的一个点上连接到 辐射热测量检测器。 

于是，辐射热测量检测器的该电流极化，独立于检测电路并在电压极化装置的上游工作，允许实现提供辐射热测量检测器最优运行所需要的电流，而且是以通过应用柯西霍夫节点定律减少在电流极化电路下游循环流动的电流的方式。因而，在无需大尺寸组件的情况下降低了在电流极化电路下游产生的电流中的噪声。 

此外人们看到，这个电流极化同样可以用于至少部分地补偿由辐射热测量检测器提供的电流的共模，于是在电压极化装置的上游实现对消功能。若设想完全补偿共模，则这个新的体系结构甚至可以取消位于列头的一般的对消结构。 

因而，这个新的体系结构具有降低上述电子噪声和上游对消的双重功能，同时完全不必重新确定组件的尺寸，而且不必改变矩阵总体体系结构。 

另选地，该电流极化电路包括安装在电流源内的场效应MOS晶体管。 

同样另选地，该电压极化装置具有安装在电压发生器内的场效应MOS晶体管。 

同样另选地，该电流极化电路的MOS晶体管和电压极化装置的MOS晶体管属于不同的n或p型。 

同样另选地，该电压极化装置的MOS晶体管是p型。事实上，p-MOS晶体管比n-MOS晶体管噪音低，使得电压极化装置MOS晶体管最好是n型，而电流极化电路MOS晶体管应为p-MOS类型。 

同样另选地，该电流极化电路包括与电流极化装置串联安装的热化辐射热测量。在这种情况下，电流极化电路还实现最优的对消，这允许完全取消传统的对消电路。 

同样另选地，该电流极化电路放置在检测像素中。该电流极化电路的小的外廓尺寸有效地允许集成在该像素中，尽管该像素的尺寸小。 

同样另选地，按照本发明的检测装置可以包括设置成行和列的像素矩阵和用于每列的电流极化电路，该电流极化电路为该列所有像素共用并设置在该列的头部极化。结果产生后项位置增益。 

同样另选地，该辐射热测量检测器是非冷却微辐射热测量器。事实上，这种类型的辐射热测量器特别适应所建议的体系结构，尤其是具有低的平均辐射热测量电阻时。 

最后，本发明的目的同样在于使用诸如先前定义的检测装置用于检测红外线类型的辐射。 

附图说明

借助参照附图所作的只作为示例给出的下文的描述，将能更好地理解本发明，附图中： 

-已经描述的图1示意地表示现有技术的电磁辐射检测装置的一般结构； 

-已经描述的图2以曲线图的形式举例说明电流/电压特征曲线，，说明图1的装置的像素的工作点； 

-图3和4示意地表示按照本发明第一和第二实施方式的电磁辐射检测装置的一般结构； 

-图5以曲线图的形式示出强调图3或4的装置的像素的工作点的电流/电压特征曲线； 

-图6和7示意地表示按照本发明的第三和第四实施方式的电磁辐射检测装置的一般结构。 

具体实施方式

图3所示的电磁辐射检测装置包括若干与上述现有技术的装置相同的元件。因而，这些元件具有相同标号。 

于是，尽管该装置包括设置成行和列的像素矩阵，但为清晰起见，只示出一个像素10和一个传输列12。 

这个传输列12连接到位于列脚的电路16中的电流处理模块14。 

像素10包括电磁辐射检测电路18。该检测电路18包括，串联安装的辐射热测量检测器20、辐射热测量检测器20的电压极化n-MOS晶体管22和用于同步传输流过检测电路18至传输列12的电流Im的控制开关24。该电流Im与流过n-MOS晶体管22的电流Ids相同，但是与图1的装置相反，它与流过辐射热测量检测器20的电流Ibolo不同。 

事实上，像素10还包括辐射热测量检测器20的电流极化电路34，不同于检测电路18，电流极化电路34在检测电路18位于辐射热测量检测器20和电压极化n-MOS晶体管22之间的点36上连接到辐射热测量检测器20。 

该电流极化电路34包括安装电流源上的p-MOS晶体管38。换句话说，其源极以电位Vdd供电，其栅极受可调节的电压Go控制，用于提供预定强度的电流Io。 

通过在节点36上应用柯西霍夫定律，在三个电流Io、Ids＝Im和Ibolo之间建立关系：Ids＝Ibolo-Io。 

于是，当辐射热测量检测器20是例如应该以约IμA的电流运行的微辐射热传感器时，可以调节Go，以便达到大约L-εμA(ε应该小于I)，这个数值最好可以对应于由微辐射热测量检测器20提供的电流的共模。于是在电压极化n-MOS晶体管22的端子上获得约εμA的电流Ids＝Im，这允许大大降低该晶体管产生的电流中的噪声。有利的是，如果该电流Ids＝Im充分抵消共模，那么它只包括要提供给处理模块14的有用信息。 

此外，对于微辐射热测量检测器20，若其端子之间的电压接近预定的数值Vo V，则获得最佳运行。这个数值可以通过调整而获得，该调整归功于安装在电压发生器中的n-MOS晶体管22。更准确地说，这个数值是经调整电压极化n-MOS晶体管22的栅极电压Gdt，通过把微辐射热测量检测器20的端子中的一个的电位固定在数值Vdt，并把其端子的另一个的电位固定在点36上极化而获得的。 

应该指出，在建议的体系结构中保留的电压极化n-MOS晶体管22的存在，允许检测电路18设置在该晶体管漏极水平上浮动的电压，该电压以电压蜥10与矩阵的其他像素隔离并以一般的方式避免在读取另一个像素期间对像素的干扰像素。 

已经看出，极化电流Io是可以通过p-MOS晶体管38的栅极电压Go调节的。同样，n-MOS晶体管22的栅极电压Gdt在某种程度上以电压调节极化辐射热测量检测器20的电流Ids＝Im。于是，对于这两个电压，这两个晶体管22和38的栅极电压允许固定检测电路和电流极化电路的三个分支的三个平均电流极化Io，Ibolo和Ids＝Im。这样，可以发现，用于良好的配置的测量电流Im会到达一个适当的数值的，就是说，该适当的数值既足够小，以便使n-MOS晶体管22噪音较少，又足够大，以便能够包含与所检测的场景的温度波动相联系的整个电流波动。 

电流Ibolo总是由以下关系给定的： 

$\mathrm{Ibolo}=\frac{\mathrm{Vs}}{\mathrm{Rbolo}}=\frac{\mathrm{Vd}-\mathrm{Vds}}{\mathrm{Rbolo}}=\frac{\mathrm{Vd}}{\mathrm{Rbolo}}-\frac{1}{\mathrm{Rbolo}}\×\mathrm{Vds}$

而，Ids＝Ibolo-Io，由此得出： 

$\mathrm{Ids}=\frac{\mathrm{Vd}}{\mathrm{Rbolo}}-\mathrm{Io}-\frac{1}{\mathrm{Rbolo}}\×\mathrm{Vds}$

这给出图5中用负斜率直线D′表示的电流/电压特征曲线。它平行于直线D，但向纵坐标的负方向移动了Io。 

为了使检测电路18良好运行，n-MOS晶体管22的栅极电压选成使n-MOS晶体管22工作在饱和极限。因而，数值Im＝Ids＝Ibolo-Io由位于直线D′和先前定义的抛物线P之间的交点处的工作点给出。工作点上的电流Im远低于图1的装置中获得的电流Im。 

如果很好地选定Io的数值，则由检测电路18向传输列12提供的该电流Im甚至可以不再呈现共模。这时它只包括构成有用信息的微弱波动。这时在这种情况下，不再需要图1所显示的一般设置于列头的对消电路26。检测装置的体系结构得以简化。 

与参照图1所示的体系结构相反，在该体系结构中，只有一个通过注入晶体管的辐射热测量检测器20的电压极化，在参照图3所示的体系结构中应该考虑两个不同的作用。 

首先，辐射热测量检测器20通过电流极化电路34接受电流极化。这形象化地相当于在辐射热测量检测器20中对电流的粗调。 

其次，电压极化n-MOS晶体管22，在其饱和极限的工作范围内通过其栅极电压Gdt起作用，以便确定检测电路18的新的工作点。如图5所示，该工作点取决于电流极化电路34产生的极化电流Io，确定n-MOS晶体管22端子上的平均电流，因而固定其源极电压，从而固定辐射热测量检测器20端子上的电压。 

因而n-MOS晶体管22充分起到了与图1的体系结构中的辐射热测量检测器20的电压极化相同的作用，但是电压极化的这个功能只是次要的。对该晶体管的栅极电压Gdt的作用形象化地相当于在辐射热测量检测器20中对电流和平衡状态的更精细的调整。 

正是这两个作用，首先电流极化和其次电压极化，使检测电路18向其工作点收敛。最终使最佳运行条件得以充分遵守：一方面，作为极化电流Io和测量 电流Im＝Ids之和的流过辐射热测量检测器20的电流足够大，另一方面，测量电流小得足以降低n-MOS晶体管22产生的电流中的噪音，但仍大得足以包含所有有用的信息，而完全不必从新确定n-MOS晶体管22的尺寸。 

此外还发现，电压极化n-MOS晶体管22和电流极化晶体管38是不同的n或p型的场效应MOS晶体管。在此情况下，晶体管22是n型而晶体管38是p型。但通过稍微重组体系结构同样可以反过来。在图4上举例说明了本发明的第二实施方式建议的该重组。 

在该图上，像素10包括p型电压极化晶体管22′和n型电流极化晶体管38′。另外用以下方法略微从新组织像素10的体系结构：电流极化晶体管38′的源极接地，而原来固定在电位Vdt的辐射热测量检测器20的端子现在固定到电位Vdd-Vdt。另外将电流Io、Im和Ibolo反向，这完全不改变上述等式和工作点。 

应该简单地指出，p-MOS型晶体管的噪音一般小于n-MOS型晶体管。因而，利用p-MOS晶体管作为注入晶体管(即，电压极化晶体管)比较有利。因而在这方面，第二实施方式比第一实施方式提供更好的结果。 

此外，既然电流极化电路34同样至少部分地实现对消功能，它不必集成在像素10中。于是，图6举例说明本发明的第三实施方式，其中电流极化电路34，尽管总是连接到像素10内的点36，但却处在列头的电路28中。于是电流极化电路可以配备在检测装置的像素矩阵的每列的头部。 

按照代表第一实施方式的一种变体的该第三实施方式，电流极化电路34还包括控制开关40，像控制开关24一样工作，用于在信息的采集和传输中使矩阵的像素同步。 

如在上述第一实施方式中一样，电流极化电路34可以只包括安装在电流源的晶体管，就是说，这时进行的对消对应于无论运行温度如何总是恒定地固定在Io并看作是代表共模的数值简单的减法。因而这并非最优的对消，因为已知当温度上升时整个辐射热测量检测器都经受升温，该升温使辐射热测量检测器的电阻平均值降低并增大流过该辐射热测量检测器的电流的共模。 

为了适应该现象，另选地，可以把热化辐射热测量检测器42插入电位Vdd和电流极化p-MOS晶体管38的源极之间。该热化辐射热测量检测器42也经受升温，而不经受场景快速的波动，以便优化电流极化电路34的对消功能。以该方式，在这里完全再现参照图1描述的对消功能。 

这样的热化辐射热测量检测器还可以集成在第一实施方式的每个像素中，但是这种选择最好当电流极化电路34移至列头28时实行。 

最后，如上所述，通过对体系结构稍加重组，同样可以颠倒所使用的两个场效应MOS晶体管的类型。提供该重组的本发明的第四实施方式在图7中举例说明。 

在该图上，像素10具有p型电压极化晶体管22′和移至列头28的包括n型电流极化晶体管38′的电流极化电路34。另外用以下方法从新组织像素10的体系结构：原来固定在电位Vdt的辐射热测量检测器20的端子现在固定在电位Vdd-Vdt。用以下方法从新组织列头电路28的体系结构：热化辐射热测量检测器42的端子不连接至电流极化晶体管38′的源极而是接地。另外将电流Io、Im和Ibolo反向，这完全不改变上述等式和工作点。 

此外，因为利用p-MOS晶体管作为注入晶体管(即，电压极化晶体管)比较有利，所以在这方面，第四实施方式比第三实施方式提供更好的结果。 

将清楚地显示，具有上述辐射热测量检测器中的一种辐射热测量检测器的电磁辐射检测装置，按照本发明的实施方式，允许相对于辐射热测量噪声减少电子电路的噪声，而无需增大与辐射热测量检测器相关联的电子部件的尺寸。 

因此，例如在图1和3的装置上进行的比较测量表明总噪声中电子噪声的比例大大减少。可以看到，相对于辐射热测量噪声占主要地位的电子噪声相对降低。信噪比关于其得以改善，因而最后获得的图像质量较佳，分辨率较高。 

同样显示，这样的装置实现起来仍旧简单，而不对初始的体系结构进行复杂化或重大的重组。总的矩阵体系结构无需修改。最后，与初始的体系结构相比不再需要加入材料：加入的用于电流极化的晶体管同样至少部分地起对消的作用。因而该晶体管可以设置在列头，用于代替初始的对消结构。当与热化辐射热测量检测器串联使用时，该晶体管甚至以最优方式执行对消功能。 

另外，因为不再需要考虑增大包含在每个像素中的电子部件的尺寸，所以这允许避免在几个像素之间分享这些组件。因而“滚动快门”扫描模式仍是可能的。 

总之，该建议的体系结构允许改善用于微辐射热测量检测器的成像器的性能。 

对这样的成像器进行调试旨在工业化地实现就所产生的图像质量而言性能 更好的红处线摄像机。 

Claims (10)

1.一种电磁辐射检测装置，包括：辐射(IR)的检测像素(10)，每个像素都用于提供代表所检测的该辐射的电流(Im)；所述像素连接到的、传输由像素(10)提供的电流的传输列(12)；以及传输列(12)所连接到的、处理由像素(10)提供的电流的电模块(14)，每个像素(10)都包括具有辐射热测量检测器(20)的检测电路(18)，辐射热测量检测器与辐射热测量检测器(20)的电压极化装置(22；22′)串联，用以调节由传输列(12)提供给处理模块(14)的电流，该装置的特征在于，它还包括辐射热测量检测器(20)的电流极化电路(34)，用以调节由传输列(12)提供给电处理模块(14)的电流，电流极化电路(34)不同于检测电路(18)，并在检测电路(18)的位于辐射热测量检测器(20)和电压极化装置(22)之间的一个点(36)上连接到辐射热测量检测器(20)。

2.按照权利要求1所述的检测装置，其中，电流极化电路(34)包括安装在电流源上的场效应MOS晶体管(38；38′)。

3.按照权利要求1或2所述的检测装置，其中，电压极化装置(22；22′)包括安装在电压发生器中的场效应MOS晶体管。

4.按照权利要求2和3所述的检测装置，其中，电流极化电路的MOS晶体管(38；38′)和电压极化装置的MOS晶体管(22；22′)是不同的n或p型。

5.按照权利要求4所述的检测装置，其中，电压极化装置MOS晶体管(22)是p型。

6.按照权利要求1至5中任何一项所述的检测装置，其中，电流极化电路(34)包括与电流极化装置(38；38′)串联安装的热化辐射热测量器(42)。

7.按照权利要求1至6中任何一项所述的检测装置，其中，该电流极化电路(34)设置在检测像素(10)中。

8.按照权利要求1至7中任何一项所述的检测装置，包括设置成行和列(12)的像素(10)矩阵和用于每个列(12)的电流极化电路(34)，该电流极化电路是由该列(12)的所有像素(10)共有并且配置在该列的头部(28)。

9.按照权利要求1至8中任何一项所述的检测装置，其中，辐射热测量检测器(20)是非冷却微辐射热测量器。

10.按照权利要求1至9中任何一项所述的检测装置用于红外线类型的辐射的检测的应用。

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