CN102473845A - 光电转换元件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的光电转换元件在一对电极之间具备：截面呈梳齿状的电子供给层，由周期性形成有在相对于电极主面交叉的方向延伸的多个截面呈条状部的截面呈条纹状部、和基部构成；截面呈梳齿状的电子接受层，由周期性形成有在相对于电极主面交叉的方向延伸的多个截面呈条状部的截面呈条纹状部、和基部所构成，具有电子供给层的多个截面呈条状部与电子接受层的多个截面呈条状部交替接合的活性层。电子供给层的截面呈条纹状部的条纹宽度a及电子接受层的截面呈条纹状部的条纹宽度b都为5～100nm。a＝b时，活性层的层厚c为a(＝b)的2倍～40倍。a≠b时，活性层的层厚c为a和b中较小一方的2倍以上、较大一方的40倍以下。

Description

光电转换元件及其制造方法
技术领域
本发明涉及光电转换元件及其制造方法。
背景技术
以地球暖化为开端，最近对环境问题的意识提高，作为石油代替能源的太阳光发电、以及其所使用的光电转换元件受到瞩目。
当前，实际应用于太阳光发电用的光电转换元件是以结晶硅或非晶硅为代表的无机半导体型，但这些光电转换元件的制造所花费的能源及成本较大。因此，对使用了能够以更低能源及低成本制造的有机材料的光电转换元件积极地进行研究开发。
由于有机材料的材料本身比较廉价，另外由于能够采用在大气压下的制造方法因此大面积化或连续加工化比较容易，因此认为能够以低能源及低成本来制造光电转换元件。
电子供给层(p层)与电子接受层(n层)分别分开地成膜，平面结合这些的光电转换元件的光电转换效率有较低的倾向。因此，近些年来，研究开发了涂敷有混合电子供给材料与电子接受材料的溶液的、或者共蒸镀有电子供给材料与电子接受材料的本体异质(bulk hetero)结合型的光电转换元件。
在有机光电转换元件中，生成的激子(exciton)之中参与电荷分离的仅是到达电子供给层与电子接受层的p/n结界面的激子。激子到达其电荷分离界面的距离(以下称作“激子扩散长度”)随着材料的化学构造或纯度而不同，但认为其为50nm以下。所以，在每激子扩散长度的约2倍的距离周期性存在电子供给层与电子接受层的接合界面，若在与相对于接合界面方向大致垂直的方向配置电极，则认为电荷分离的激子增大，光电转换效率提高。
在专利文献1中，在层叠有机半导体膜而制作超晶格后，利用切断截面使其直立的超晶格设备，使电子供给层与电子接受层的界面积增大(权利要求1、图1等)。
在专利文献2中，用包含与以往方法同样的本体异质结合制作法的各种方法来制作异质结合元件，使电子供给层与电子接受层的界面积增大(权利要求4、权利要求5、图1～图8等)。
在专利文献3中，提出了使由有机半导体构成的嵌段共聚物微相分离，使电子供给层与电子接受层的界面积增大，且具有良好的电荷分离能的光电转换元件(权利要求1、图2及图3等)。
在专利文献4中，提出了在有机半导体表面形成凹凸，使电子供给层与电子接受层的界面积增大的光电转换元件的制造方法(权利要求1～3等)。
专利文献1：日本专利第3886431号公报
专利文献2：日本特开2003-298152号公报
专利文献3：日本专利第4126019号公报
专利文献4：日本特开2008-141103公报
发明内容
然而，在专利文献1～3中存在的问题是，由于电子供给层和电子接受层这两者相对于1个电极接触，因此整流性较差，短路的可能性较高等。
在专利文献4中存在的问题是，由于仅提出了凹凸的高度与宽度之比(＝高宽比)较低的凹凸形状，因此实质上电子供给层与电子接受层的界面积的增大较少，光电转换效率的提高较少。另外，在专利文献4的0026段记载了“较好的是凹凸的间距较细，优选的是亚微米级。”。在专利文献4中，优选的是与激子扩散长度相比相当大的、几百μm间距的凹凸形状，没有考虑关于激子扩散长度与界面间距离的关系带给光电转换效率的影响。所以，专利文献4没有提供用于光电转换效率提高的充分的方针。
本发明是为解决如上所述的问题而完成的，其目的在于提供整流性良好，能抑制短路，且显示出良好的电荷分离和光电转换效率的光电转换元件及其制造方法。
本发明的光电转换元件，
在电极主面彼此互相对置地配置的一对电极之间，具备：
截面呈梳齿状的电子供给层，由周期性形成有在相对于所述电极主面交叉的方向延伸的多个截面呈条状部的截面呈条纹状部、和形成于该截面呈条纹状部的一个所述电极侧并连接所述多个截面呈条状部的基部构成；以及
截面呈梳齿状的电子接受层，由周期性形成有在相对于所述电极主面交叉方向的延伸的多个截面呈条状部的截面呈条纹状部、和形成于该截面呈条纹状部的另一个所述电极侧并连接所述多个截面呈条状部的基部构成，
所述光电转换元件具有所述电子供给层的所述多个截面呈条状部与所述电子接受层的所述多个截面呈条状部交替接合的活性层，
所述电子供给层的所述截面呈条纹状部的条纹宽度、及所述电子接受层的所述截面呈条纹状部的条纹宽度都为5nm以上、100nm以下，
且在所述电子供给层的所述条纹宽度与所述电子接受层的所述条纹宽度相同时，所述活性层的层厚为该条纹宽度的2倍以上、40倍以下，
在所述电子供给层的所述条纹宽度与所述电子接受层的所述条纹宽度不同时，所述活性层的层厚为所述电子供给层的所述条纹宽度和所述电子接受层的所述条纹宽度中，较小一方的2倍以上、较大一方的40倍以下。
在本发明的光电转换元件中，“截面呈梳齿状的电子供给层”与“截面呈梳齿状的电子接受层”以梳齿互相啮合的方式进行接合。
在本说明书中，将接合“截面呈梳齿状的电子供给层”与“截面呈梳齿状的电子接受层”的层称为“电子供给/接受接合层”。
依据上述结构的本发明，能够提供整流性良好，能抑制短路，且显示出良好的电荷分离和光电转换效率的光电转换元件及其制造方法。
在本说明书中，只要没有特别记明，“截面”意味着相对于电极主面垂直方向的面。
“活性层的层厚”是电子供给层的截面呈条纹状部及电子接受层的截面呈条纹状部的截面高度。
优选的是所述电子供给层由有机半导体构成，更优选的是由结晶性有机高分子构成。
优选的是所述电子接受层由有机半导体构成，更优选的是由结晶性有机高分子构成。
所述电子供给层及所述电子接受层能够包含不可避免的杂质。
优选的是所述电子供给层的所述基部及所述电子接受层的所述基部的厚度都为5nm以上、100nm以下。
本发明的光电转换元件，在所述电子供给层的所述基部与所述一个电极之间、和/或所述电子接受层的所述基部与所述另一个电极之间，能够具有半导体层和/或导体层。
本发明的第1光电转换元件的制造方法，
是所述电子供给层由有机半导体构成的上述本发明的光电转换元件的制造方法，包含：
将由所述电子供给层的构成材料构成的平坦膜进行成膜，对于该平坦膜，在所述电子供给层的构成材料的熔点为Tm(℃)时，在Tm-100(℃)以上、不到Tm(℃)的温度范围内，按压具有与所述电子供给层的所述截面呈梳齿状的图案对应的反转图案的铸模，成形为所述截面呈梳齿状的图案的工序。
本发明的第2光电转换元件的制造方法，
是所述电子接受层由有机半导体构成的上述本发明的光电转换元件的制造方法，包含：
将由所述电子接受层的构成材料构成的平坦膜进行成膜，对于该平坦膜，在所述电子接受层的构成材料的熔点为Tm(℃)时，在Tm-100(℃)以上、不到Tm(℃)的温度范围内，按压具有与所述电子接受层的所述截面呈梳齿状的图案对应的反转图案的铸模，成形为所述截面呈梳齿状的图案的工序。
依据本发明的第1、第2光电转换元件的制造方法，能够提供电子供给/接受接合层的图案精度良好、均匀性高，显示出良好的电荷分离和良好的光电转换效率的光电转换元件。
本发明人发现了以下情况：依据本发明的第1、第2光电转换元件的制造方法，在铸模中的与电子供给层或者电子接受层的截面呈梳齿状的图案对应的上述反转图案的各壁面、与电子供给层或者电子接受层的构成有机材料之间产生剪切力，有机材料的分子链容易向相对于铸模的上述反转图案的壁面平行的方向或者与其接近的方向定向。
有机材料的分子链向相对于铸模的上述反转图案的壁面平行的方向或者与其接近的方向定向的情况，由于载流子迁移率变大，到达电极的阻力变小，能够得到显示出良好的光电转换效率的光电转换元件。
依据本发明，能够提供整流性良好，能抑制短路，且显示出良好的电荷分离和光电转换效率的光电转换元件及其制造方法。
附图说明
图1是一个实施方式的光电转换元件的示意截面图。
图2是图1的光电转换元件的局部放大截面图。
图3A是示出活性层的平面图案例的图(图1的III-III截面图)。
图3B是示出活性层的其他平面图案例的图(图1的III-III截面图)。
图3C是示出活性层的其他平面图案例的图(图1的III-III截面图)。
图4是示出设计变更例的图。
具体实施方式
下面，参照附图说明本发明的实施方式，但本发明并非限定于以下的实施方式。
图1、图2以及图3A～图3C是示意地说明本发明的一个实施方式的光电转换元件的构造的图。
这里，图1是本实施方式的光电转换元件的示意截面图。图2是图1的光电转换元件的局部放大截面图。图3A～图3C是示出截面呈梳齿型构造的活性层的平面图案例的图(图1的III-III截面图)。图4是示出设计变更例的图。
如图1所示，本实施方式的光电转换元件101具备：电极主面彼此互相对置地配置的一对电极3、4；形成于这些之间的截面呈梳齿状的电子供给层1(p层)及截面呈梳齿状的电子接受层2(n层)。
截面呈梳齿状的电子供给层1与截面呈梳齿状的电子接受层2以梳齿相互啮合的方式接合。截面呈梳齿状的电子供给层1与截面呈梳齿状的电子接受层2互相啮合而接合的层是电子供给/接受接合层28。
图中，对一个电极(图示下侧的电极)3的电极主面标注标号3A，对另一个电极(图示上侧的电极)4的电极主面标注标号4A。
在本实施方式中，一个电极3成膜于未图示的衬底上。本实施方式的光电转换元件101在衬底成膜有一个电极3的电极衬底上，形成有电子供给/接受接合层28，在其上形成有另一个电极4。
也可以以另一个电极4、电子供给/接受接合层28以及一个电极3的顺序在衬底形成。
电极3、4的电极主面3A、4A是与衬底面平行的面。
能够使用任意的衬底作为衬底。从光电转换元件101的制造方面，优选的是使用衬底，但衬底不是必须的。
电子供给层1由截面呈条纹状部12和基部11构成，截面呈条纹状部12以既定的间距形成有在相对于电极主面3A交叉的方向、优选的是大致垂直的方向延伸的多个截面呈条状部12A；基部11形成于截面呈条纹状部12的一个电极3侧，连接多个截面呈条状部12A。
电子接受层2由截面呈条纹状部22和基部21构成，截面呈条纹状部22以既定的间距形成有在相对于电极主面4A交叉的方向、优选的是大致垂直的方向延伸的多个截面呈条状部22A；基部21形成于截面呈条纹状部22的另一个电极4侧，连接多个截面呈条状部22A。
在本实施方式中，电子供给层1的多个截面呈条状部12A及电子接受层2的多个截面呈条状部22A在相对于电极主面3A、4A大致垂直的方向延伸。
在本说明书中，“大致垂直方向”意味着完全垂直方向以及从完全垂直方向起±5°角度的方向。
如上所述，截面呈梳齿状的电子供给层1与截面呈梳齿状的电子接受层2以梳齿相互啮合的方式接合，电子供给层1的多个截面呈条状部12A与电子接受层2的多个截面呈条状部22A交替接合。
如图2放大示出那样，在每个电子供给层1的截面呈条纹状部12的条纹宽度(＝截面呈条状部12A的宽度)a和电子接受层2的截面呈条纹状部22的条纹宽度(＝截面呈条状部22A的宽度)b，形成有接合界面5。
有助于电荷分离的电子供给层(p层)1和电子接受层(n层)2的接合界面(p/n结界面)，除了在上述电子供给层1的条纹状部12和电子接受层2的条纹状部22形成的接合界面5之外，还有电子供给层1的条纹状部12与电子接受层2的基部21的接合界面6、以及电子接受层2的条纹状部22与电子供给层1的基部11的接合界面7。
上述接合界面中接合界面5的电荷分离界面积最大，电子供给层1的多个截面呈条状部12A与电子接受层2的多个截面呈条状部22A交替接合的部分为活性层8。
图2中，对活性层8的层厚(电子供给层1的截面呈条纹状部12及电子接受层2的截面呈条纹状部22的截面高度)标注标号c。
图2中，对电子供给层1的基部11的厚度标注标号d，对电子接受层2的基部21的厚度标注标号e。
在本实施方式中，电子供给层1的基部11与一个电极3接合，电子接受层2的基部21与另一个电极4接合。
因此，在本实施方式中，活性层8与一对电极3、4不是直接接合，而是活性层8隔着基部11、21与一对电极3、4接合。在该结构中，与“背景技术”项所举出的专利文献1～3相比，能够得到整流性良好、能抑制短路的元件。
也可以进一步使半导体层和/或导体层介于电子供给层1的基部11与一个电极3、和/或电子接受层2的基部21与另一个电极4之间。关于该设计变更以后讲述。
为了增大有助于电荷分离的激子，优选的是电子供给层1的截面呈条纹状部12的条纹宽度a和电子接受层2的截面呈条纹状部22的条纹宽度b都为激子扩散长度的2倍以下。一般而言，认为有机半导体的激子扩散长度为50nm以下。另外，在制作上难以使电子供给层1的条纹宽度a和电子接受层2的条纹宽度b不到5nm。
由于以上理由，电子供给层1的条纹宽度a和电子接受层2的条纹宽度b都为5nm以上、100nm以下。
电子供给层1的条纹宽度a与电子接受层2的条纹宽度b可以相同，也可以不同。
在电子供给层1的条纹宽度a与电子接受层2的条纹宽度b相同时，活性层8的层厚c为这些条纹宽度a、b的2倍以上、40倍以下，优选的是5倍以上、20倍以下。
在电子供给层1的条纹宽度a与电子接受层2的条纹宽度b不同时，活性层8的层厚c为电子供给层1的条纹宽度a和电子接受层2的条纹宽度b中、较小一方的2倍以上、较大一方的40倍以下，优选的是较小一方的5倍以上、较大一方的20倍以下。
活性层8的层厚c若不到上述下限则光吸收不充分，电荷分离界面积的增大也较少，若超出上述上限则难以制作。
活性层8的层厚c优选的是在电子供给层1的条纹宽度a的2～40倍的范围内，更优选的是在5～20倍的范围内。
电子供给层1的基部11的厚度d没有特别限制，优选的是与电子供给层1的条纹宽度a同样的5nm以上、100nm以下，特别优选的是5nm以上、50nm以下。
由于接合界面7为电荷分离界面，所以电子供给层1的基部11优选的是接近激子扩散长度的厚度。
在电子供给层1的基部11与一个电极3接合的本实施方式的结构中，为了避免对整流性的不利影响或短路，优选的是电子供给层1的基部11具有充分的厚度(具体而言为5nm以上)。在电子供给层1的基部11与一个电极3接合的本实施方式的结构中，若电子供给层1的基部11的厚度不充分，则电子接受层2与一个电极3过于接近，有可能导致整流性的变差或短路。在制作上难以使厚度d不到5nm。
另外，若厚度d大于100nm，则对于电荷分离后的载流子的移动的阻力变大，用电极的载流子收集效率有可能下降。
电子接受层2的基部21的厚度e没有特别限制，与电子供给层1的基部11的厚度d同样，优选的是与电子接受层2的条纹宽度b同样的5nm以上、100nm以下，特别优选的是5nm以上、50nm以下。
为了避免对整流性的不利影响或短路，在电子接受层2的基部21与另一个电极4接合的本实施方式的结构中，优选的是电子接受层2的基部21具有充分的厚度(具体而言为5nm以上)。在电子接受层2的基部21与另一个电极4接合的本实施方式的结构中，若电子接受层2的基部21的厚度不充分，则电子供给层1与另一个电极4过于接近，有可能导致整流性的变差或短路。在制作上难以使厚度e不到5nm。
另外，若厚度e大于100nm，则对于电荷分离后的载流子的移动的阻力增大，用电极的载流子收集效率有可能下降。
电子供给/接受接合层28的层厚(＝活性层8、电子供给层1的基部11、以及电子接受层2的基部21的总膜厚)没有特别限制，优选的是在20nm～4200nm的范围内，特别优选的是在100nm～1000nm的范围内。若电子供给/接受接合层28的层厚不到100nm，则存在着吸光量不充分的情况，若超过1000nm则存在着难以制作的情况。
参照图3A～图3C，说明活性层8的平面图案例。图3A～图3C是图1的III-III截面图。
图3A所示的活性层8的平面图案是电子供给层1与电子接受层2都图案形成为俯视条纹状的例子。
图3B所示的活性层8的平面图案是电子接受层2图案形成为俯视格子状、电子供给层1形成为俯视矩阵状的例子。
在图3B所示的例子中，电子供给层1的各个截面呈条状部12A的平面形状为矩形。电子供给层1的各个截面呈条状部12A的平面形状是正圆形或者椭圆形等任意形状。
图3C所示的活性层8的平面图案是电子供给层1图案形成为俯视格子状、电子接受层2形成为俯视矩阵状的例子。
在图3C所示的例子中，电子接受层2的各个截面呈条状部22A的平面形状是矩形。电子接受层2的各个截面呈条状部22A的平面形状是正圆形或者椭圆形等任意形状。
在光电转换元件101中，电极3、4的材质只要是导电体就没有特别限定，能举出金属单体、合金、半金属、金属化合物以及有机导体等。这些也可以含有掺杂剂。至少一个电极需要是透光性电极。
作为电极3、4的材质，例如能举出金、银、铂以及铝等金属单体及这些的合金、氧化铟锡(ITO)、掺氟氧化锡(FTO)、以及掺铝氧化锌(AZO)等金属氧化物、碳纳米管以及石墨烯(graphene)等半金属等。
电极3、4的膜厚没有特别限制，优选的是5～200nm。若电极3、4的膜厚太薄，则表面电阻(シ一ト抵抗)变大，产生的载流子不能够充分向外部电路传递。若电极3、4的膜厚太厚，则制作上困难、成本变高。
形成电极3、4的方法没有特别限定，例如能举出真空蒸镀法、溅射法以及CVD法等气相成膜法，或者旋涂法、浸涂法以及丝网印刷法等液相成膜法等。
电子供给层1的材质没有特别限定，优选的是有机半导体，更优选的是结晶性有机高分子。
作为电子供给层1的材质，例如能举出聚噻吩衍生物、聚芴衍生物、以及聚苯乙炔衍生物等高分子化合物及这些的共聚物、或者酞菁衍生物及其金属络合物、卟啉衍生物及其金属络合物、并五苯等并苯衍生物、二胺衍生物等低分子化合物。优选的是聚(3-(2-甲基己烷)氧基羰基二噻吩)、以及3-(6-溴己基)噻吩和3-己基噻吩共聚物等。
电子供给层1能够包含不可避免的杂质。
电子接受层2的材质没有特别限定，优选的是有机半导体，更优选的是结晶性有机高分子。
作为电子接受层2的材质，例如能举出富勒烯衍生物、二萘嵌苯(ペリレン)衍生物以及萘衍生物等。优选的是苯基C61丁酸甲酯、以及苯基C71丁酸甲酯等。
如图4所示，也可以使半导体层和/或导体层介于电子供给层1的基部11与一个电极3、和/或电子接受层2的基部21与另一个电极4之间。下面，将半导体层和/或导体层标记为(半)导体层。
图4所示的光电转换元件102是使(半)导体层9介于电子供给层1的基部11与一个电极3之间，使(半)导体层10介于电子接受层2的基部21与另一个电极4之间的例子。(半)导体层9、10也可以分别是组成等不同的多个(半)导体层的层叠。
(半)导体层9、10的材质没有特别限定，例如能够举出聚-3，4-亚乙二氧基噻吩、聚苯乙烯磺酸以及聚苯胺等高分子化合物、碳纳米管等半金属、氧化钛、氧化钼以及氟化锂等金属化合物、或者铝合金及镁合金等合金等。
形成(半)导体层9、10的方法没有特别限定，例如能举出真空蒸镀法、溅射法以及CVD法等气相成膜法，或者旋涂法、浸涂法以及丝网印刷法等液相成膜法等。
图1及图4所示的光电转换元件101、102的制造方法没有特别限制。
在电子供给层1由有机半导体构成的情况下，光电转换元件101、102例如能够使用以下那样的纳米压印法来制造。
在形成有一个电极3、或者一个电极3和(半)导体层9的衬底上，将由电子供给层1的构成材料构成的平坦膜进行成膜。对于该平坦膜，在电子供给层1的构成材料的熔点为Tm(℃)时，在Tm-100(℃)以上、不到Tm(℃)的温度范围内，按压具有与电子供给层1的截面呈梳齿状的图案和如图3A～图3C所示的平面图案对应的反转图案的铸模，从而将铸模的图案进行转印。通过这样，能够将平坦膜成形为截面呈梳齿状的图案。
在电子供给层1的温度下降并固化后，通过在其上沿着电子供给层1的截面呈梳齿状的图案将电子接受层2进行成膜，使其截面呈梳齿型构造不损坏，从而能够形成截面呈梳齿型构造的电子供给/接受接合层28。
之后，通过在电子供给/接受接合层28上根据需要形成(半)导体层10、并形成另一个电极4，制造光电转换元件101或102。
成为电子供给层1的平坦膜及电子接受层2的形成法没有特别限制，例如能举出真空蒸镀法以及溅射法等气相成膜法，或者旋涂法、浸涂法以及喷涂法等液相成膜法等。
成为电子供给层1的平坦膜及电子接受层2也可以改变成膜条件或成膜方法，分多个阶段来实施成膜。
这里，上述铸模是指由硅、玻璃以及金属等构成，且在其表面具有与电子供给层1的截面呈梳齿型构造对应的凹凸图案的模具。该铸模的制作方法没有特别限定，例如能举出对于热氧化硅衬底利用电子束绘图形成抗蚀剂图案，将其作为掩模对衬底进行干法蚀刻的方法；对于Cr溅射石英玻璃衬底利用电子束绘图形成抗蚀剂图案，将其作为掩模对衬底进行干法蚀刻的方法；以及对于硅衬底利用电子束绘图形成抗蚀剂图案，将其作为掩模对衬底进行湿法蚀刻的方法等。
依据上述制造方法，能够制造电子供给/接受接合层28的图案精度良好、均匀性较高，显示出良好的电荷分离和良好的光电转换效率的光电转换元件101或102。
在电子接受层2由有机半导体构成的情况下，光电转换元件101、102也能够从另一个电极4侧形成。
在形成有另一个电极4、或者另一个电极4和(半)导体层10的衬底上，将由电子接受层2的构成材料构成的平坦膜进行成膜。对于该平坦膜，在电子接受层2的构成材料的熔点为Tm(℃)时，在Tm-100(℃)以上、不到Tm(℃)的温度范围内，按压具有与电子接受层2的截面呈梳齿状的图案和如图3A～图3C所示的平面图案对应的反转图案的铸模，从而将铸模的图案进行转印。通过这样，能够将平坦膜成形为截面呈梳齿状的图案。
在电子接受层2的温度下降并固化后，通过在其上沿着电子接受层2的截面呈梳齿状的图案将电子供给层1进行成膜，使其截面呈梳齿型构造不损坏，从而能够形成截面呈梳齿型构造的电子供给/接受接合层28。
之后，通过在电子供给/接受接合层28上根据需要形成(半)导体层9、并形成一个电极3，制造光电转换元件101或102。
成为电子接受层2的平坦膜及电子供给层1的形成法，与从一个电极3侧形成的情况同样。
利用该制造方法，也能够制造电子供给/接受接合层28的图案精度良好、均匀性较高，显示出良好的电荷分离和良好的光电转换效率的光电转换元件101或102。
本发明人发现以下情况：依据包含利用纳米压印法的成形工序的上述制造方法，在铸模中的与电子供给层1或者电子接受层2的截面呈梳齿状的图案对应的上述反转图案的各壁面、与电子供给层1或者电子接受层2的构成有机材料之间产生剪切力，有机材料的分子链容易向相对于铸模的上述反转图案的壁面平行的方向或者与其接近的方向定向。
有机材料的分子链向相对于铸模的上述反转图案的壁面平行的方向或者与其接近的方向定向的情况，由于载流子迁移率变大，到达电极的阻力变小，能够得到显示出良好的光电转换效率的光电转换元件。
特别是，在电子供给层1由结晶性高分子构成的情况下，高分子的定向性良好，是优选的。同样，对于电子接受层2在由结晶性高分子构成的情况下，高分子的定向性良好，也是优选的。
如以上说明那样，上述实施方式的光电转换元件101、102是在一对电极3、4间具备接合截面呈梳齿状的电子供给层1与截面呈梳齿状的电子接受层2的电子供给/接受接合层28的元件。
在光电转换元件101、102中，活性层8与一对电极3、4不是直接接合，而是活性层8隔着基部11、21、或者基部11、21及(半)导体层9、10与一对电极3、4接合。
在光电转换元件101、102中，电子供给层1的条纹宽度a及电子接受层2的条纹宽度b都为5nm以上、100nm以下。
另外，活性层8的层厚c，
在电子供给层1的条纹宽度a与电子接受层2的条纹宽度b相同时，为这些条纹宽度a、b的2倍以上、40倍以下，
在电子供给层1的条纹宽度a与电子接受层2的条纹宽度b不同时，为电子供给层1的条纹宽度a和电子接受层2的条纹宽度b中，较小一方的2倍以上、较大一方的40倍以下。
依据上述结构的实施方式，能够提供整流性良好、能抑制短路，且显示出良好的电荷分离和光电转换效率的光电转换元件101、102。
实施例
下面，基于实施例具体说明本发明，但本发明不限于这些实施例。
在下面的实施例中，制作图1、图2以及图3A所示的构造的光电转换元件101，或者图2、图3A以及图4所示的构造的光电转换元件102。
使电子供给层1的条纹宽度a＝100nm，电子接受层2的条纹宽度b＝100nm，活性层8的层厚c＝500nm，电子供给层1的基部11的厚度d＝50nm，电子接受层2的基部21的厚度e＝50nm。
使用于电子供给层1的图案形成的铸模为宽度100nm、长度6mm、深度500nm，具有间距200nm的多个沟槽，该铸模的形成有截面呈梳齿型构造的部分的俯视面积是6mm×6mm。
光电转换元件的转换效率测定使用太阳能模拟器来进行。利用氙灯(500W)照射近似太阳光(AM1.5G、1kW/m2)，测定I-V曲线来算出转换效率。
[实施例1]
在表面形成有膜厚100nm的ITO透明电极的厚度0.7mm的电极衬底，利用旋涂法，以厚度300nm将聚(3-(2-甲基己烷)氧基羰基二噻吩)进行成膜。在以既定温度进行热处理后，使用上述铸模，以180℃、40MPa进行加压，结果形成a＝100nm、c＝500nm、d＝50nm的电子供给层。并且，在以既定温度进行热处理后，旋涂苯基C61丁酸甲酯(PCBM)-氯苯溶液，形成b＝100nm、c＝500nm、e＝50nm的电子接受层。之后，以膜厚100nm真空蒸镀Al，得到元件。测定转换效率的结果为3.1％。
[实施例2]
在表面形成有膜厚100nm的ITO透明电极的厚度0.7mm的电极衬底，旋涂聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)：聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)水溶液，形成膜厚30nm的PEDOT:PSS膜。在110℃下使该膜干燥1hr后，以厚度300nm旋涂聚(3-(2-甲基己烷)氧基羰基二噻吩)。在以既定温度进行热处理后，使用上述铸模，以180℃、40MPa进行加压，结果形成a＝100nm、c＝500nm、d＝50nm的电子供给层。并且，在以既定温度进行热处理后，旋涂PCBM-氯苯溶液，形成b＝100nm、c＝500nm、e＝50nm的电子接受层。之后，以膜厚10nm旋涂丙醇钛溶液，使其干燥，并且以膜厚100nm真空蒸镀Al，得到元件。测定转换效率的结果为3.8％。
[实施例3]
在表面形成有膜厚100nm的ITO透明电极的厚度0.7mm的电极衬底，旋涂聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)：聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)水溶液，形成膜厚30nm的PEDOT:PSS膜。在110℃下使该膜干燥1hr后，以厚度300nm旋涂聚(3-己基噻吩)(P3HT)。在以既定温度进行热处理后，使用上述铸模，以180℃、40MPa进行加压，结果形成a＝100nm、c＝500nm、d＝50nm的电子供给层。
并且，在以既定温度进行热处理后，进行斜入射X射线衍射测定。着眼于P3HT主链(100)面间隔、以及2θ＝5.4°的峰值。测定实施的是从相对于衬底面平行的面入射X射线的OUT-PLANE(OP，平面外)测定、以及从相对于衬底面垂直的面入射X射线的IN-PLANE(IP，平面内)测定。
在OP测定中观察到强度约500的较小的峰值，在IP测定中观察到强度约2250的较大的峰值。根据该结果，认为较多P3HT主链向相对于ITO衬底面大致垂直的方向定向。
[比较例1]
在表面形成有膜厚100nm的ITO透明电极的厚度0.7mm的电极衬底，旋涂聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)：聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)水溶液，形成膜厚30nm的PEDOT:PSS膜。在110℃下使该膜干燥1hr后，以厚度300nm旋涂聚(3-(2-甲基己烷)氧基羰基二噻吩)。在以既定温度进行热处理后，旋涂PCBM-氯苯溶液，形成膜厚300nm的电子接受层。之后，以膜厚10nm旋涂丙醇钛溶液，使其干燥，并且以膜厚100nm真空蒸镀Al，得到元件。测定转换效率的结果为0.7％。
[比较例2]
在表面形成有膜厚100nm的ITO透明电极的厚度0.7mm的电极衬底，旋涂聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)：聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)水溶液，形成膜厚30nm的PEDOT:PSS膜。在110℃下使该膜干燥1hr后，旋涂以0.9∶1的比例混合有聚(3-(2-甲基己烷)氧基羰基二噻吩)和PCBM的三氯甲烷溶液，使其厚度为600nm。在以既定温度进行热处理后，以膜厚10nm旋涂丙醇钛溶液，使其干燥，并且以膜厚100nm真空蒸镀Al，得到元件。测定转换效率的结果为1.9％。
[比较例3]
在表面形成有膜厚100nm的ITO透明电极的厚度0.7mm的电极衬底，旋涂聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)：聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)水溶液，形成膜厚30nm的PEDOT:PSS膜。在110℃下使该膜干燥1hr后，以厚度300nm旋涂聚(3-(2-甲基己烷)氧基羰基二噻吩)。在以既定温度进行热处理后，使用上述铸模，以80℃、5MPa进行加压，结果形成几乎没有凹凸的电子供给层(c＝5nm)。并且，在以既定温度进行热处理后，将PCBM-氯苯溶液形成为旋转膜厚300nm的电子接受层。之后，以膜厚10nm旋涂丙醇钛溶液，使其干燥，并且以膜厚100nm真空蒸镀Al，得到元件。测定转换效率的结果为0.7％。
[比较例4]
在表面形成有膜厚100nm的ITO透明电极的厚度0.7mm的电极衬底，旋涂聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)：聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)水溶液，形成膜厚30nm的PEDOT:PSS膜。在110℃下使该膜干燥1hr后，以厚度300nm旋涂聚(3-己基噻吩)(P3HT)。
在以既定温度进行热处理后，进行斜入射X射线衍射测定。着眼于P3HT主链(100)面间隔、以及2θ＝5.4°的峰值。测定与实施例3同样，实施OP测定及IP测定。在OP测定中观察到强度约20000的较大的峰值，在IP测定中观察到强度约100的较小的峰值。根据该结果，认为几乎全部P3HT主链向相对于ITO衬底面平行的方向定向。
本发明不限于上述实施方式。在本发明的范围内，能够在对本领域技术人员而言容易想到的内容变更、追加、或者转换上述实施方式的各要素。
本申请以在2009年8月12日申请的日本申请特愿2009-187357号为基础主张优先权，这里引入其公开的全部内容。
产业上的可利用性
本发明的光电转换元件能够优选地适用于太阳能电池、发光元件、光接收元件、以及其他各种传感器等。
标号的说明
101、102光电转换元件；1电子供给层；2电子接受层；3、4电极；3A、4A电极主面；5～7p/n结界面；8活性层；9、10(半)导体层；11电子供给层的基部；12电子供给层的截面呈条纹状部；12A截面呈条状部；21电子接受层的基部；22电子接受层的截面呈条纹状部；22A截面呈条状部；28电子供给/接受接合层；a电子供给层的截面呈条纹状部的条纹宽度；b电子接受层的截面呈条纹状部的条纹宽度；c活性层的层厚。

Claims (10)

1.一种光电转换元件，
在电极主面彼此互相对置地配置的一对电极之间，具备：
截面呈梳齿状的电子供给层，由周期性形成有在相对于所述电极主面交叉的方向延伸的多个截面呈条状部的截面呈条纹状部、和形成于该截面呈条纹状部的一个所述电极侧并连接所述多个截面呈条状部的基部构成；以及
截面呈梳齿状的电子接受层，由周期性形成有在相对于所述电极主面交叉的方向延伸的多个截面呈条状部的截面呈条纹状部、和形成于该截面呈条纹状部的另一个所述电极侧并连接所述多个截面呈条状部的基部构成，
所述光电转换元件具有所述电子供给层的所述多个截面呈条状部与所述电子接受层的所述多个截面呈条状部交替接合的活性层，
所述电子供给层的所述截面呈条纹状部的条纹宽度、及所述电子接受层的所述截面呈条纹状部的条纹宽度都为5nm以上、100nm以下，
且在所述电子供给层的所述条纹宽度与所述电子接受层的所述条纹宽度相同时，所述活性层的层厚为该条纹宽度的2倍以上、40倍以下，
在所述电子供给层的所述条纹宽度与所述电子接受层的所述条纹宽度不同时，所述活性层的层厚为所述电子供给层的所述条纹宽度和所述电子接受层的所述条纹宽度中，较小一方的2倍以上、较大一方的40倍以下。
2.如权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述电子供给层由有机半导体构成。
3.如权利要求2所述的光电转换元件，其中，所述有机半导体是结晶性有机高分子。
4.如权利要求1～3的任一项所述的光电转换元件，其中，所述电子接受层由有机半导体构成。
5.如权利要求1～4的任一项所述的光电转换元件，其中，所述电子供给层的所述基部及所述电子接受层的所述基部的厚度都为5nm以上、100nm以下。
6.如权利要求1～5的任一项所述的光电转换元件，其中，在所述电子供给层的所述基部与所述一个电极之间、和/或所述电子接受层的所述基部与所述另一个电极之间，具有半导体层和/或导体层。
7.一种权利要求2或3所述的光电转换元件的制造方法，包含：
将由所述电子供给层的构成材料构成的平坦膜进行成膜，对于该平坦膜，在所述电子供给层的构成材料的熔点为Tm(℃)时，在Tm-100(℃)以上、不到Tm(℃)的温度范围内，按压具有与所述电子供给层的所述截面呈梳齿状的图案对应的反转图案的铸模，成形为所述截面呈梳齿状的图案的工序。
8.如权利要求7所述的光电转换元件的制造方法，其中，还包含在所述电子供给层上，沿着该电子供给层的所述截面呈梳齿状的图案，将所述电子接受层进行成膜的工序。
9.一种权利要求4所述的光电转换元件的制造方法，包含：
将由所述电子接受层的构成材料构成的平坦膜进行成膜，对于该平坦膜，在所述电子接受层的构成材料的熔点为Tm(℃)时，在Tm-100(℃)以上、不到Tm(℃)的温度范围内，按压具有与所述电子接受层的所述截面呈梳齿状的图案对应的反转图案的铸模，成形为所述截面呈梳齿状的图案的工序。
10.如权利要求9所述的光电转换元件的制造方法，其中，还包含在所述电子接受层上，沿着该电子接受层的所述截面呈梳齿状的图案，将所述电子供给层进行成膜的工序。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106449995A (zh) * 2016-12-19 2017-02-22 李瑞锋 一种三元板式光活性层有机薄膜太阳能电池及其制备方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102263171B (zh) * 2011-06-24 2013-10-09 清华大学 外延衬底、外延衬底的制备方法及外延衬底作为生长外延层的应用
JP2013222750A (ja) * 2012-04-13 2013-10-28 Kuraray Co Ltd 光電変換素子とその製造方法、及び太陽電池

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050045874A1 (en) * 2003-09-02 2005-03-03 Steven Xiao Organic semiconductor devices and methods of fabrication
JP2009054907A (ja) * 2007-08-29 2009-03-12 Mitsubishi Electric Corp ヘテロ接合素子
CN101432904A (zh) * 2006-05-02 2009-05-13 三菱化学株式会社 有机光电转换元件的制造方法和有机光电转换元件

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003075364A1 (fr) 2002-03-07 2003-09-12 Nippon Oil Corporation Dispositif de conversion photoelectrique
JP4306176B2 (ja) 2002-04-01 2009-07-29 シャープ株式会社 ヘテロ接合素子
US7291782B2 (en) * 2002-06-22 2007-11-06 Nanosolar, Inc. Optoelectronic device and fabrication method
JP3886431B2 (ja) 2002-09-11 2007-02-28 独立行政法人科学技術振興機構 超格子デバイス及びそこで用いる直立型超格子の製造方法
US7386620B2 (en) * 2004-08-12 2008-06-10 International Business Machines Corporation System for web service QoS observation and dynamic selection
CN101573802B (zh) * 2006-05-09 2012-08-08 北卡罗来纳-查佩尔山大学 光伏器件用的高保真纳米结构体和阵列及其制造方法
JP2008141103A (ja) * 2006-12-05 2008-06-19 Oji Paper Co Ltd 光電変換素子の製造方法
CN101952970A (zh) * 2007-11-28 2011-01-19 分子制模股份有限公司 纳米结构有机太阳能电池
KR100999377B1 (ko) * 2008-06-18 2010-12-09 한국과학기술원 유기기반 태양전지 및 그의 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050045874A1 (en) * 2003-09-02 2005-03-03 Steven Xiao Organic semiconductor devices and methods of fabrication
CN101432904A (zh) * 2006-05-02 2009-05-13 三菱化学株式会社 有机光电转换元件的制造方法和有机光电转换元件
JP2009054907A (ja) * 2007-08-29 2009-03-12 Mitsubishi Electric Corp ヘテロ接合素子

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
MUKTI ARYAL ET AL: "Imprinted large-scale high density polymer nanopillars for organic solar cells", 《J.VACUUM SCI.TECHNOL.B.》 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106449995A (zh) * 2016-12-19 2017-02-22 李瑞锋 一种三元板式光活性层有机薄膜太阳能电池及其制备方法

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