CN102456851A - 制造有机发光器件的方法及制造有机发光显示装置的方法 - Google Patents
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Abstract
一种制造易于提高具有有机发光层的中间层的特性的有机发光器件的方法以及一种制造有机发光显示装置的方法。所述制造有机发光器件的方法包括制备具有第一电极的基板；将基板设置在基底构件上；设置供体薄膜，该供体薄膜覆盖基板并接触围绕基板暴露的基底构件；结合供体薄膜与基底构件；在将基板插入在其间并相互结合在一起的基底构件和供体薄膜放进激光热传导装置后，通过在激光热传导装置中实施传导工艺在第一电极上形成具有有机发光层的中间层；以及在中间层上形成第二电极。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2010年10月22日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请10-2010-0103676的优先权和权益，其公开整体合并于此作为参考。
技术领域
本发明的实施例涉及一种制造有机发光器件的方法以及一种使用该方法制造有机发光显示装置的方法。
背景技术
近来，显示装置已经被轻薄、便携的平板显示装置取代。在平板显示装置中，有机发光显示装置由于其宽视角、高对比度和短响应时间已经作为下一代平板显示装置获得广泛关注。有机发光显示装置还具有高亮度和低驱动电压。
有机发光显示装置包括有机发光器件，有机发光器件包含阴极电极、阳极电极和有机发光层。对阴极电极和阳极电极施加电压驱动有机发光器件时，从有机发光层发射出可见光。
有机发光层可以有两种或三种颜色，因此，可以实现彩色显示装置。有机发光层可以使用多种方法形成。例如，有机发光层可以使用沉积方法或热传导方法形成，因为有机材料不容易被湿法图案化。
在热传导方法中，在制备包括含有用于形成有机发光层的有机材料的传导层的供体薄膜后，通过对供体薄膜施热形成有机发光层。然而，在使用热量的传导工艺之前，很难精确操作供体薄膜和在其上使用供体薄膜进行传导工艺的基板，因此，制作具有期望特性的有机发光层尚有限制。
发明内容
为了解决上述和/或其它问题，本发明实施例的方面提供了一种制造易于提高具有有机发光层的中间层的特性的有机发光器件的方法，以及使用该方法制造有机发光显示装置的方法。
根据本发明的一个实施例，提供了一种制造有机发光器件的方法，该方法包括：制备具有第一电极的基板；将所述基板设置在基底构件上；设置供体薄膜以覆盖所述基板并接触围绕所述基板暴露的所述基底构件；结合所述基底构件和所述供体薄膜；在将所述基板插入在其间并相互结合在一起的所述基底构件和所述供体薄膜放进激光热传导装置后，通过在所述激光热传导装置中实施传导工艺在所述第一电极上形成具有有机发光层的中间层；和在所述中间层上形成第二电极。
所述基底构件可以具有大于所述基板的面积的面积。
所述基板可以被设置在所述基底构件上，从而所述基板被放置在所述基底构件的所述面积内。
所述供体薄膜和所述基底构件可以以所述供体薄膜被托盘扩展的状态被结合，在所述供体薄膜和所述基底构件被结合后所述托盘可以从所述供体薄膜被移除。
所述结合所述基底构件和所述供体薄膜可以包括结合所述基底构件的围绕所述基板的边缘的区域和所述供体薄膜。
所述基底构件和所述供体薄膜可以被使用热结合。
所述基底构件和所述供体薄膜可以被使用粘合构件结合。
将所述基板设置在所述基底构件上、设置所述供体薄膜以及结合所述基底构件和所述供体薄膜可以是在真空室内进行的。
该方法可以进一步包括在结合所述基底构件和所述供体薄膜后，将所述基板插入在其间并相互结合在一起的所述基底构件和所述供体薄膜移除到所述真空室的外面。
所述真空室的所述外面可以处于大气状态。
在所述基底构件和所述供体薄膜被结合后，所述供体薄膜的在与所述基底构件结合的区域外面的区域可以被移除。
在所述基底构件和所述供体薄膜被结合后，所述基底构件的在与所述供体薄膜结合的区域外面的区域可以被移除。
该方法可以进一步包括在形成所述中间层后将所述基底构件从所述基板分离。
根据本发明另一实施例，提供了一种制造有机发光显示装置的方法，该方法包括：制备具有像素限定薄膜的基板，所述像素限定薄膜被设置为暴露第一电极的一个区域；将所述基板设置在基底构件上；设置供体薄膜，所述供体薄膜覆盖所述基板并接触围绕所述基板暴露的所述基底构件；结合所述基底构件和所述供体薄膜；通过在激光热传导装置中对所述基板插入在其间并相互结合在一起的所述基底构件和所述供体薄膜实施传导工艺，在所暴露的第一电极的所述区域上形成具有有机发光层的中间层；和在所述中间层上形成第二电极。
所述基底构件可以具有大于所述基板的面积的面积。
所述基板可以被设置在所述基底构件上，从而所述基板被放置在所述基底构件的所述面积内。
所述供体薄膜和所述基底构件可以以所述供体薄膜被托盘扩展的状态被结合，在所述供体薄膜和所述基底构件被结合后所述托盘可以从所述供体薄膜被移除。
所述结合所述基底构件和所述供体薄膜可以包括结合所述基底构件的围绕所述基板的边缘的区域和所述供体薄膜。
所述基底构件和所述供体薄膜可以被使用热结合。
所述基底构件和所述供体薄膜可以被使用粘合构件结合。
将所述基板设置在所述基底构件上、设置所述供体薄膜以及结合所述基底构件和所述供体薄膜可以是在真空室内进行的。
该方法可以进一步包括在结合所述基底构件和所述供体薄膜后，将所述基板插入在其间并相互结合在一起的所述基底构件和所述供体薄膜移除到所述真空室的外面。
所述真空室的所述外面可以处于大气状态。
在所述基底构件和所述供体薄膜被结合后，所述供体薄膜的在与所述基底构件结合的区域外面的区域可以被移除。
在所述基底构件和所述供体薄膜被结合后，所述基底构件的在与所述供体薄膜结合的区域外面的区域可以被移除。
该方法可以进一步包括在形成所述中间层后将所述基底构件从所述基板分离。
所述制造有机发光器件的方法以及所述制造有机发光显示装置的方法可以易于提高具有有机发光层的中间层的特性。
附图说明
通过参考附图对示例实施例进行详细描述，本发明的上述和其他特点和方面会更加明显，其中：
图1到图10是依次示出了根据本发明实施例的制造有机发光器件的方法的剖视图；和
图11到图17是依次示出了根据本发明实施例的制造有机发光显示装置的方法的剖视图。
具体实施方式
下面将参考示出了本发明示例实施例的附图更加全面地描述本发明。
图1到图10是依次示出了根据本发明实施例的制造有机发光器件的方法的剖视图。
参考图1，制备基底构件102。基底构件102可设置在工作台101上。基底构件102和工作台101可设置在真空室190内。虽未示出，真空室190可以通过被连接到一个真空泵容易地将真空度控制在所需的级别。
基底构件102可以是一个柔韧薄膜型构件。作为一个实际的例子，基底构件102可以由例如塑料材料或玻璃材料形成。
参考图2，基板103被设置在基底构件102上。图3是图2中A部分的放大视图。参考图3，第一电极112被形成在基板103上。基板103具有小于基底构件102的面积的面积，从而基板103可以被放置在基底构件102的面积内。也就是说，基板103的边缘(例如外围)被放置在基底构件102的边缘(例如外围)内。
基板103可以由含有作为主要成分的二氧化硅的玻璃材料形成。然而，基板103并不限于由此形成，例如还可以由塑料材料形成。形成基板103的塑料材料可以是选自由从聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、醋酸纤维素(TAC)、醋酸丙酸纤维素(CAP)及其组合组成的组的绝缘有机材料。基板103可以由金属薄膜形成。
第一电极112可由多种导电材料形成。
参考图4，制备供体薄膜130。虽未示出，供体薄膜130包含具有有机材料的传导层。更具体地说，作为用于传导中间层(未示出)的构件的传导层可包括用于形成有机发光层的材料。并且，供体薄膜130的传导层可包括用于形成空穴注入层、空穴传输层、电子传输层或电子注入层的材料。
除传输层外，供体薄膜130可进一步包括基层和光热转换层。
使用托盘140，供体薄膜130被扩展，以将供体薄膜130对齐并稳定连接到基板103。
参考图5，供体薄膜130以供体薄膜130被托盘140扩展的状态被设置在基板103和基底构件102上。更具体地说，供体薄膜130被设置成覆盖基板103以及围绕基板103暴露的基底构件102。虽未示出，在将一个滚轴设置在供体薄膜130上之后，供体薄膜130可使用该滚轴(未示出)紧密接触基板103。
之后，将供体薄膜130与基底构件102结合。更具体地说，使用具有宽度D的结合区域AD将供体薄膜130与基底构件102结合。有多种结合方法。例如，可以使用热结合供体薄膜130和基底构件102。比如，可以通过对结合区域AD施热来即时熔化和硬化结合区域AD将供体薄膜130与基底构件102互相结合。当基底构件102由玻璃材料形成时，可以在基底构件102的表面上提前形成热粘合薄膜。并且，当基底构件102由玻璃材料形成时，在结合区域AD上可形成另外的粘合构件。
基底构件102和供体薄膜130通过基板103被插入其间的结合工艺互相结合在一起。
参考图6，供体薄膜130在结合区域AD外面的区域和托盘140一起被移除。并且，基底构件102在结合区域AD外面的区域被移除。然而，本发明的实施例并非仅限于此，基底构件102在结合区域外面的区域也可不被移除。
参考图7，从真空室190移除基板103插入在其间并相互结合在一起的基底构件102和供体薄膜130。真空室190外面可处于大气状态，而不与另外的压力控制设备连接。在图7中，示出了从真空室190移除工作台101的例子。然而，本发明并非仅限于此，可从真空室190移除基板103插入在其间并相互结合在一起的基底构件102和供体薄膜130，而将工作台101保留在真空室190中。
当从真空室190移除基板103插入在其间并相互结合在一起的基底构件102和供体薄膜130时，供体薄膜130和基板103可因瞬时压力变化而相互紧密接触。
参考图8，基板103插入在其间并相互结合在一起的基底构件102和供体薄膜130被放进激光热传导装置195。激光热传导装置195包括激光光源，用于辐射产生一定量热量(例如预定量的热量)的激光。使用激光热传导装置195将供体薄膜130的传导层传导到第一电极112上。
参考图9，在使用激光热传导装置195完成传导工艺后，在第一电极112上形成具有有机发光层的中间层114。虽未示出，在通过传导工艺形成中间层114时基底构件102从基板103分离。
参考图10，在中间层114上形成第二电极115。第二电极115可由多种导电材料形成。当第二电极115形成时，有机发光器件100也最终形成。
根据本发明的一个实施例，当基板103和供体薄膜130紧密结合在一起时，使用了基底构件102。在将基板103设置在其面积大于基板103的面积的基底构件102上之后，使用例如热结合方法的结合方法，在真空室190中将基底构件102和供体薄膜130结合。实施热结合工艺后，将托盘140从供体薄膜130移除。这样，由于基板103插入在其间并相互结合在一起的基底构件102和供体薄膜130放置于激光热传导装置195时没有托盘140，实施传导工艺时无需限制激光热传导装置195的尺寸。由于传导工艺的简便，有机发光器件100的中间层114可以形成为期望的图形，而没有产品失败或减少产品失败的产生。
并且，基板103插入在其间的基底构件102和供体薄膜130在真空室190内相互结合，并从真空室190中移除。因此，供体薄膜130和基底构件102之间的粘合增强，从而，可容易地进行传导工艺，并且中间层114的特性可以得到提高。
并且，因为基板103插入在其间的基底构件102和供体薄膜130在真空室190内相互结合，并从真空室190中移除，基板103、供体薄膜130和基底构件102的结合体(例如完全结合体)可以容易和自由地运送到加工地点和加工设备。
图11到图17是依次示出了根据本发明另一实施例的制造有机发光显示装置的方法的剖视图。为叙述方便，仅描述与前一实施例的区别。
参考图11，基底构件202被设置在工作台201上，基板203被设置在基底构件202上。基底构件202、工作台201和基板203被放置在真空室290中。
基板203具有小于基底构件202的面积的面积，从而基板203可被放置在基底构件202的面积内。也就是说，基板203的边缘(例如外围)被放置在基底构件202的边缘(例如外围)内。
图12是图11中A部分的放大视图。参考图12，在基板203上形成薄膜晶体管、第一电极212和像素限定薄膜213。薄膜晶体管包括活性层205、栅电极207、源电极209和漏电极210。
更具体地说，在基板203上形成缓冲层204。缓冲层204在基板203上提供一个平的表面，可防潮和防止异物在朝着基板203的方向上穿透。
在缓冲层204上形成具有图案(例如预定图案)的活性层205。活性层205可由无机半导体或有机半导体形成，例如非晶硅或多晶硅，并包括源区域、漏区域和沟道区域。在活性层205上形成栅绝缘膜206，在栅绝缘膜206的一个区域(例如一个预定区域)上形成栅电极207。栅电极207连接到栅极线(未示出)。栅电极207可由选自由金、银、铜、镍、钯、铂、铝和钼及其它们的组合组成的组中的材料形成，或由铝:钕或钼:钨合金形成，但并非仅限于此。
层间绝缘膜208形成于栅电极207上，并露出活性层205的源区域和漏区域。之后，形成源电极209和漏电极210，以分别接触活性层205的源区域和漏区域。
形成覆盖源电极209、漏电极210和层间绝缘膜208的钝化薄膜(passivation film)211。
第一电极212形成于钝化薄膜211上。钝化薄膜211形成为在此露出漏电极210，第一电极212连接到露出的漏电极210。
像素限定薄膜213形成于第一电极212上。像素限定薄膜213可由各种绝缘材料形成，第一电极212的一个区域(例如一个预定区域)可在此露出。
参考图13，制备供体薄膜230。使用托盘240扩展供体薄膜230。
参考图14，供体薄膜230与基底构件202结合。更具体地说，使用具有宽度D的结合区域AD将供体薄膜230与基底构件202结合。虽未示出，供体薄膜230设置在基板203和基底构件202上，而供体薄膜230被托盘240扩展。
并且，使用具有宽度D的结合区域AD将供体薄膜230与基底构件202结合。在通过结合工艺将基板203插入在其间的基底构件202和供体薄膜230结合后，供体薄膜230的在结合区域AD外面的区域被移除。此时，托盘240也一并被移除。并且，基底构件202的在结合区域AD外面的区域被移除。然而，本发明并非仅限于此，在其他实施例中不需移除基底构件202的该区域。之后，基板203插入在其间并相互结合在一起的基底构件202和供体薄膜230从真空室290移除。真空室290外面可处于大气状态，而不与另外的压力控制设备连接。在图14中，示出了从真空室290移除工作台201。然而，本发明并非仅限于此，可从真空室290移除基板203插入在其间并相互结合在一起的基底构件202和供体薄膜230，而将工作台201保留在真空室290中。
当从真空室290移除基板203插入在其间并相互结合在一起的基底构件202和供体薄膜230时，供体薄膜230和基板203可因瞬时压力变化而相互紧密接触。
参考图15，基板203插入在其间并相互结合在一起的基底构件202和供体薄膜230被放进激光热传导装置295。使用激光热传导装置295将供体薄膜230的传导层被传导到第一电极212上。
参考图16，在使用激光热传导装置295完成传导工艺后，在第一电极212上形成具有有机发光层的中间层214。更具体地说，中间层214被形成为接触第一电极212的未被像素限定薄膜213覆盖的暴露区域。
虽未示出，在由传导工艺形成中间层214时，基底构件202从基板203分离。
参考图17，在中间层214上形成第二电极215。第二电极215可由多种导电材料形成。当第二电极215形成时，有机发光显示装置200也最终完成。
在本发明的一个实施例中，当基板203和供体薄膜230结合时，使用了设置在基板203下方的基底构件202。例如，在将基板203设置在其面积大于基板203的面积的基底构件202上之后，使用例如热结合方法的结合方法，在真空室290中将基底构件202和供体薄膜230结合。实施热结合工艺后，将托盘240从供体薄膜230移除。这样，由于基板203插入在其间并相互结合在一起的基底构件202和供体薄膜230放置于激光热传导装置295时没有托盘240，实施传导工艺时无需限制激光热传导装置295的尺寸。由于传导工艺的简便，有机发光显示装置200的中间层214可以形成为期望的图形，而没有产品失败或减少产品失败的产生。
并且，在本发明的当前实施例中，基板203插入在其间的基底构件202和供体薄膜230在真空室290内相互结合，并从真空室290中移除。因此，供体薄膜230和基底构件202之间的粘合增强，从而，可容易地进行传导工艺，并且中间层214的特性可以得到提高。
并且，因为基板203插入在其间的基底构件202和供体薄膜230在真空室290内相互结合，并从真空室290中移除，基板203、供体薄膜230和基底构件202的结合体(例如完全结合体)可以容易和自由地运送到加工地点和加工设备。
尽管参考其示例实施例对本发明进行了特别说明和描述，本领域技术人员应当理解，可在其中进行形式和细节的任何改变，而不背离由后面的权利要求及其等同限定的本发明的精神和范围。
Claims (26)
1.一种制造有机发光器件的方法，该方法包括：
制备具有第一电极的基板；
将所述基板设置在基底构件上；
设置供体薄膜以覆盖所述基板并接触围绕所述基板暴露的所述基底构件；
结合所述基底构件和所述供体薄膜；
在将所述基板插入在其间并相互结合在一起的所述基底构件和所述供体薄膜放进激光热传导装置后，通过在所述激光热传导装置中实施传导工艺在所述第一电极上形成具有有机发光层的中间层；和
在所述中间层上形成第二电极。
2.根据权利要求1所述的制造有机发光器件的方法，其中所述基底构件具有大于所述基板的面积的面积。
3.根据权利要求2所述的制造有机发光器件的方法，其中所述基板被设置在所述基底构件上，从而所述基板被放置在所述基底构件的所述面积内。
4.根据权利要求1所述的制造有机发光器件的方法，其中所述供体薄膜和所述基底构件以所述供体薄膜被托盘扩展的状态被结合，在所述供体薄膜和所述基底构件被结合后所述托盘从所述供体薄膜被移除。
5.根据权利要求1所述的制造有机发光器件的方法，其中所述结合所述基底构件和所述供体薄膜包括结合所述基底构件的围绕所述基板的边缘的区域和所述供体薄膜。
6.根据权利要求1所述的制造有机发光器件的方法，其中所述基底构件和所述供体薄膜被使用热结合。
7.根据权利要求1所述的制造有机发光器件的方法，其中所述基底构件和所述供体薄膜被使用粘合构件结合。
8.根据权利要求1所述的制造有机发光器件的方法，其中将所述基板设置在所述基底构件上、设置所述供体薄膜以及结合所述基底构件和所述供体薄膜是在真空室内进行的。
9.根据权利要求8所述的制造有机发光器件的方法，进一步包括在结合所述基底构件和所述供体薄膜后，将所述基板插入在其间并相互结合在一起的所述基底构件和所述供体薄膜移除到所述真空室的外面。
10.根据权利要求9所述的制造有机发光器件的方法，其中所述真空室的所述外面处于大气状态。
11.根据权利要求1所述的制造有机发光器件的方法，其中，在所述基底构件和所述供体薄膜被结合后，所述供体薄膜的在与所述基底构件结合的区域外面的区域被移除。
12.根据权利要求1所述的制造有机发光器件的方法，其中，在所述基底构件和所述供体薄膜被结合后，所述基底构件的在与所述供体薄膜结合的区域外面的区域被移除。
13.根据权利要求1所述的制造有机发光器件的方法，进一步包括在形成所述中间层后将所述基底构件从所述基板分离。
14.一种制造有机发光显示装置的方法，该方法包括：
制备具有像素限定薄膜的基板，所述像素限定薄膜被设置为暴露第一电极的一个区域；
将所述基板设置在基底构件上；
设置供体薄膜以覆盖所述基板并接触围绕所述基板暴露的所述基底构件；
结合所述基底构件和所述供体薄膜；
通过在激光热传导装置中对所述基板插入在其间并相互结合在一起的所述基底构件和所述供体薄膜实施传导工艺，在第一电极的所述区域上形成具有有机发光层的中间层；和
在所述中间层上形成第二电极。
15.根据权利要求14所述的制造有机发光显示装置的方法，其中所述基底构件具有大于所述基板的面积的面积。
16.根据权利要求15所述的制造有机发光显示装置的方法，其中所述基板被设置在所述基底构件上，从而所述基板被放置在所述基底构件的所述面积内。
17.根据权利要求14所述的制造有机发光显示装置的方法，其中所述供体薄膜和所述基底构件以所述供体薄膜被托盘扩展的状态被结合，在所述供体薄膜和所述基底构件被结合后所述托盘从所述供体薄膜被移除。
18.根据权利要求14所述的制造有机发光显示装置的方法，其中所述结合所述基底构件和所述供体薄膜包括结合所述基底构件的围绕所述基板的边缘的区域和所述供体薄膜。
19.根据权利要求14所述的制造有机发光显示装置的方法，其中所述基底构件和所述供体薄膜被使用热结合。
20.根据权利要求14所述的制造有机发光显示装置的方法，其中所述基底构件和所述供体薄膜被使用粘合构件结合。
21.根据权利要求14所述的制造有机发光显示装置的方法，其中将所述基板设置在所述基底构件上、设置所述供体薄膜以及结合所述基底构件和所述供体薄膜是在真空室内进行的。
22.根据权利要求21所述的制造有机发光显示装置的方法，进一步包括在结合所述基底构件和所述供体薄膜后，将所述基板插入在其间并相互结合在一起的所述基底构件和所述供体薄膜移除到所述真空室的外面。
23.根据权利要求22所述的制造有机发光显示装置的方法，其中所述真空室的所述外面处于大气状态。
24.根据权利要求14所述的制造有机发光显示装置的方法，其中，在所述基底构件和所述供体薄膜被结合后，所述供体薄膜的在与所述基底构件结合的区域外面的区域被移除。
25.根据权利要求14所述的制造有机发光显示装置的方法，其中，在所述基底构件和所述供体薄膜被结合后，所述基底构件的在与所述供体薄膜结合的区域外面的区域被移除。
26.根据权利要求14所述的制造有机发光显示装置的方法，进一步包括在形成所述中间层后将所述基底构件从所述基板分离。
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