CN102447038B - 发光二极管封装结构的形成方法 - Google Patents

发光二极管封装结构的形成方法 Download PDF

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Abstract

一种发光二极管封装结构的形成方法，其包括以下步骤：提供一发光二极管封装基板，其相对的上表面和下表面分别形成多条相交的切割线，所述切割线将所述发光二极管封装基板均匀分割成多个单片；在所述切割线的交点处开设贯通所述发光二极管封装基板上表面及下表面的通孔；在所述通孔内壁靠近所述发光二极管封装基板的上表面及下表面的上下两端沿所述切割线分别开设切口；将多个发光二极管晶粒分别设置在所述每个单片上；利用一遮盖板遮盖在所述发光二极管封装基板上，所述遮盖板对应所述每个单片开设有开孔；通过所述遮盖板的开孔在所述每个单片上形成封装层；沿着所述切割线分别剥离下每个单片，从而形成多个发光二极管封装结构。

Description

发光二极管封装结构的形成方法
技术领域
本发明涉及一种发光二极管封装结构的形成方法。
背景技术
传统的发光二极管封装结构的切割方法一般采用激光切割，但是为了降低切割成本以及简化制程，目前在发光二极管制程上大多采用裂片(breaking)方式。具体方法为：在用于形成多个封装结构的封装基板上预切割多条切割线，在完成封装制程后，沿着所述切割线将多个发光二极管封装结构分别剥离下来，得到多个分离的发光二极体封装结构。但是为了保持封装基板整体结构，防止在预切割或后续封装制程时封装基板出现断裂，切割线不能切的太深，这就导致了在剥离发光二极管封装结构的过程中，由于应力无法很好地进行传递至切割线处，容易造成剥离后的发光二极体封装结构边缘不规则，从而影响到发光二极体封装结构的良率。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种剥离后的发光二极管封装结构边缘规则，良率较高的发光二极管封装结构的形成方法。
一种发光二极管封装结构的形成方法，其包括以下几个步骤：
提供一发光二极管封装基板，其相对的上表面和下表面分别形成多条相交的切割线，所述切割线将所述发光二极管封装基板均匀分割成多个单片；
在所述切割线的交点处开设贯通所述发光二极管封装基板上表面及下表面的通孔；
在所述通孔内壁靠近所述发光二极管封装基板的上表面及下表面的上下两端沿所述切割线分别开设切口；
将多个发光二极管晶粒分别设置在所述每个单片上；
利用一遮盖板遮盖在所述发光二极管封装基板上，所述遮盖板对应所述每个单片开设有开孔；
通过所述遮盖板的开孔在所述每个单片上形成封装层；
沿着所述切割线分别剥离下每个单片，从而形成多个发光二极管封装结构。
相较于现有技术，本发明的发光二极管封装结构的形成方法中，发光二极管封装基板在上下表面分别预切割有切割线，并且在上下表面上沿所述切割线分别开设切口，从而在剥离过程中，有利于应力的传递，剥离更容易，剥离后的发光二极管封装结构的边缘更规则，良率比较高。
附图说明
图1为本发明实施方式中的发光二极管封装基板的俯视图。
图2为本发明实施方式中的发光二极管封装基板的仰视图。
图3为图1中的发光二极管封装基板沿III-III的剖面示意图。
图4为将图1中的发光二极管封装基板设置发光二极管晶粒的俯视图。
图5为利用一遮盖板遮盖发光二极管封装基板并注入封装胶体的示意图。
主要元件符号说明
发光二极管封装基板    100
上表面                110
下表面                120
切割线                130
单片                  140
凹槽                  141
上电极                142
下电极                143
通孔                  150
切口                  160
发光二极管晶粒    200
遮盖板            300
开孔              310
封装层            400
注胶头            500
具体实施方式
下面将结合附图，对本发明作进一步的详细说明。
本发明实施方式提供的发光二极管封装结构的形成方法包括以下几个步骤：
步骤一，请参阅图1至图3，提供一发光二极管封装基板100，其包括相对的上表面110以及下表面120，在所述上表面110以及下表面120分别对应预切割形成多条相交的横向及纵向的切割线130，所述切割线130将所述发光二极管封装基板100均匀分割成多个单片140。为保持所述发光二极管封装基板100的整体结构，防止其断裂，所述切割线130的深度不宜太深，其具体深度应视基板材质而定。在所述发光二极管封装基板100的上表面110上，所述每个单片140都开设有凹槽141，所述凹槽141中设置有上电极142。在所述发光二极管封装基板100的下表面120上设置有与所述上电极142相对应的下电极143，所述上电极142与所述下电极143彼此电性连接。在本实施方式中，所述发光二极管封装基板100为一陶瓷基板。
步骤二，在所述横向及纵向的切割线130的交点处开设贯通所述发光二极管封装基板100上表面110以及下表面120的通孔150。
步骤三，在所述通孔150内壁靠近所述发光二极管封装基板100的上表面110以及下表面120的上下两端沿所述切割线130分别开设一切口160。所述切口160与所述切割线130连通，并且比所述切割线130的深度要深。在本实施方式中，所述切口160在垂直所述发光二极管封装基板100的方向上呈“V”字型。
步骤四，请参阅图4，将多个发光二极管晶粒200分别设置在所述每个单片140的凹槽141中，并且电性连接其中的上电极142。
步骤五，请参阅图5，利用一遮盖板300遮盖在所述发光二极管封装基板100上，所述遮盖板300对应所述每个单片140的凹槽141开设有开孔310。
步骤六，通过所述遮盖板300的开孔310向每个单片140的凹槽141中注入封装胶体，形成封装层400，覆盖所述发光二极管晶粒200。在本实施方式中，利用一注胶头500通过所述遮盖板300的开孔310向每个单片140的凹槽141中注入封装胶体。所述封装胶体可以为环氧树脂、硅树脂或者是两者组合材料构成。所述封装胶体中还可包括有荧光粉，所述荧光粉可以为石榴石结构化合物、硅酸盐、氮化物、氮氧化物、磷化物、硫化物或前述材料的组合。
步骤七，沿着所述切割线130分别剥离下每个单片140，从而形成多个发光二极管封装结构。
在剥离过程中，当对所述发光二极管封装基板100的上表面110施以下压力时，上表面110的切口160处就会产生张应力，该应力将会向下延伸寻找所述发光二极管封装基板100的相对脆弱的区域，从而就会延伸至所述下表面120的相对较深的切口160处，进而将发光二极管封装结构从所述发光二极管封装基板100上剥离下来。由于在所述发光二极管封装基板100的上表面110以及下表面分别开设相对于切割线130较深的切口160，从而更有利于应力的传递，剥离更容易，剥离后的发光二极管封装结构的边缘更规则，良率比较高。另外，由于在对发光二极体进行注胶形成封装层的过程中，利用遮盖板300遮盖住所述切割线130以及切口160，从而液态的封装材料不会流入到切割线130以及切口160中，因而不会对切割线130以及切口160处的应力传递产生影响。
相较于现有技术，本发明的发光二极管封装结构的形成方法中，发光二极管封装基板在上下表面分别预切割有切割线，并且在上下表面上沿所述切割线分别开设切口，从而在剥离过程中，有利于应力的传递，剥离更容易，剥离后的发光二极管封装结构的边缘更规则，良率比较高。
可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术构思做出其它各种像应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本发明权力药求的保护范围。

Claims (7)

1.一种发光二极管封装结构的形成方法，其包括以下几个步骤：
提供一发光二极管封装基板，其相对的上表面和下表面分别形成多条相交的切割线，所述切割线将所述发光二极管封装基板均匀分割成多个单片；
在所述切割线的交点处开设贯通所述发光二极管封装基板上表面及下表面的通孔；
在所述通孔内壁靠近所述发光二极管封装基板的上表面及下表面的上下两端沿所述切割线分别开设切口，所述切口的深度比所述切割线的深度要深；
将多个发光二极管晶粒分别设置在所述多个单片上；
利用一遮盖板遮盖在所述发光二极管封装基板上，所述遮盖板对应所述多个单片开设有开孔；
通过所述遮盖板的开孔在所述多个单片上形成封装层；
沿着所述切割线分别剥离下多个单片，从而形成多个发光二极管封装结构。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的形成方法，其特征在于：所述基板为陶瓷基板。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的形成方法，其特征在于：所述多个单片都开设有凹槽，所述遮盖板的开孔对应所述凹槽。
4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构的形成方法，其特征在于：所述凹槽中设置有上电极，在所述基板的下表面上设置有与所述上电极相对应的下电极，所述上电极与所述下电极彼此电性连接，所述发光二极管晶粒设置在所述凹槽中，其与所述上电极电性连接。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的形成方法，其特征在于：所述切口与所述切割线连通，并在垂直所述发光二极管封装基板的方向上呈“V”字型。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的形成方法，其特征在于：所述封装胶体由环氧树脂、硅树脂或者是两者组合材料构成。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的形成方法，其特征在于：所述封装胶体中还包括有荧光粉，所述荧光粉为石榴石结构化合物、硅酸盐、氮化物、氮氧化物、磷化物、硫化物或前述材料的组合。
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