CN102437848A - 多频带耦合架构 - Google Patents

Abstract

本发明的一些实施例涉及多频带耦合架构。一种多频带耦合电路，其包括：数目等于频带数目的多个路径，每个路径具有第一端子和第二端子；第三端子和第四端子；数目等于路径的数目的多个分布式耦合器，所有耦合器均相同并且根据最高频带而制定尺寸，并且每个耦合器包括在连接到相关的路径的第一端子和第二端子的第一端口和第二端口之间的第一导电线路，以及耦合到第三端口和第四端口之间的第一个的第二导电线路；在耦合器的第三端口与该电路的第三端子之间的衰减器的第一集合；以及在耦合器的第四端口与该电路的第四端子之间的滤波器阵列。

Description

多频带耦合架构

技术领域

本发明涉及电子设备，并且更具体地涉及无线电收发器系统。本发明更具体地涉及多频带耦合器。

背景技术

耦合器通常用来为位于附近的、另一所谓的耦合线路或者支线路恢复在所谓的主传输线路上或者主要传输线路上存在的功率的一部分。根据耦合器是由分立无源元件形成(则称作集总元件耦合器)还是由彼此靠近的、将要耦合的导电线路形成(则称作分布式耦合器)而将耦合器划分为两个类别。本发明涉及第二种类别的耦合器。主线路的端口通常被指定为IN(输入)和OUT(输出)。耦合线路中的那些端口通常被指定为CPLD(耦合的)和ISO(隔离的)。

在许多应用中，在线路上发射的功率的一部分例如需要被用于控制发射系统中的放大器的功率、根据与天线的反射相联系的损耗来控制发射放大器的线性度、动态地与天线匹配等。

耦合器的主要参数为：

插入损耗，其表示在主线路的端口IN与端口OUT之间的传输损耗(继而利用耦合器的加载有50Ω阻抗的两个其他端口CPLD和ISO来定义插入损耗)；

耦合，其对应于端口IN和端口CPLD之间的传输损耗(该耦合继而利用加载有50Ω阻抗的两个其他端口OUT和ISO来定义)；

隔离(isolation)，其对应于端口IN和端口ISO之间的传输损耗(该隔离利用加载有50Ω阻抗的两个其他端口OUT和CPLD来定义)；

方向性(directivity)，其对应于相对于端口IN，端口ISO与端口CPLD之间的传输损耗差；以及

匹配，其表示在四个端口上的反射损耗。

理想的耦合器具有无限的方向性，即，当信号从输入端口流至该主线路的输出端口时，在位于耦合器的主线路的输出端口之前的支线路的端口上不存在功率。在实践中，当耦合器的方向性足以允许在耦合器的支线路的通路上恢复的功率与在主线路中的功率流动方向进行区分时(通常大于20dBm)，该耦合器被称为是定向的。当耦合器的支线路的两个端口用来同时具有功率信息时，耦合器被称为双向的。

无线电收发器设备越来越能够在若干频带中进行操作。这种情况例如在移动电话中，其中手机已经从双频带演进到三频带，并且现在演进到四频带。

继而收发器链包括与该设备能够同时在发射和接收模式中处理的频带一样多的路径。每个路径与根据待处理的频带而制定尺寸的耦合器相关联。具体地，主线路和支线路的长度依赖于该频带。对制定不同尺寸的耦合器的这一需求使制造复杂化。此外，由于不同长度的耦合器，方向性随着耦合器不同而变化，而这是不期望的。

在耦合器中，如果耦合器的支线路的两个端口与耦合器的主线路的输出端口完全匹配，则不会发生寄生反射。然而不幸的是，在实践中无法获得这样的完全匹配。具体地，对其通过耦合而采样部分功率的端口很少理想地匹配。结果，寄生反射在恢复的数据上生成错误。

耦合器的支线路的从其采样信息的端口的失配可能具有不同的起因。通常，耦合器被布置在待与其他电路相关联的绝缘基底(例如，印刷电路类型的基底)上。所以无法确保测量端口(CPLD)的完全匹配(通常为50Ω)。此外，如果耦合器具有不同尺寸，则该匹配将承受随着耦合器不同而变化的风险。

此外，在多频带耦合器中，连接在主线路的输出处的天线引入附加的耦合。该耦合越大(两个天线之间的隔离越差)，则测量结果改变越多。该耦合器继而对于针对另一个的一个路径的频率选择性不足。

发明内容

一个实施例克服了针对每个路径使用一个耦合器的多频带无线电收发器结构的全部或者部分缺点。

另一实施例减小了多频带耦合结构的体积。

另一实施例在针对不同路径的频率方面改善了选择性。

另一实施例通过使得测量对连接到测量端口的电路的匹配变化不太敏感或者完全不敏感而改善了测量的可靠性。

因此，一种实施例提供了包括以下的多频带耦合电路：

数目等于频带数目的多个路径，每个路径具有第一端子和第二端子；

第三端子和第四端子；

数目等于路径的数目的多个分布式耦合器，所有耦合器均相同并且根据最高的频带而制定尺寸，并且每个耦合器包括在连接到相关的路径的第一端子和第二端子的第一端口和第二端口之间的第一导电线路，以及耦合到第三端口和第四端口之间的第一个的第二导电线路；

在耦合器的第三端口与该电路的第三端子之间的衰减器的第一集合；以及

在耦合器的第四端口与该电路的第四端子之间的滤波器阵列。

根据一个实施例，该电路进一步包括与滤波器阵列相关联的衰减器的第二集合。

根据一个实施例，该阵列包括，针对每个路径的、与衰减器串联的滤波器，该滤波器的尺寸被制定为使相关的路径的频带通过。

根据一个实施例，该阵列包括：

对于除了最后一个路径之外的每个路径而言，与衰减器串联的、针对当前路径和较低排序的路径的频率的低通滤波器，针对第一路径的该串联结合连接到该电路的第四端子；以及

对于除了第一路径之外的每个路径而言，连接到较低排序的路径的低通滤波器的、针对当前路径和较高排序的路径的频率的高通滤波器。

根据一个实施例，滤波器和衰减器根据以下关系而制定尺寸：

在频带i中的隔离I_i等于路径i的耦合器的隔离IB_i加上由路径i的衰减器提供的衰减Att_i；

在频带i中的方向性对应于路径i的耦合器的耦合因子CB_i减去如上计算的在频带i中的隔离I_i，并且该方向性大于或者等于针对所有路径所期望的最小方向性DIR。

根据一个实施例，滤波器和衰减器进一步通过考虑以下事实而确定尺寸：耦合到路径i的耦合器的第二端口的天线在另一路径j的频带中的耦合对应于连接到路径i和路径j的耦合器的第二端口的天线之间的耦合X_ij、路径j的耦合器在频带i中的耦合因子C_jB_i、由路径j的滤波器在频带i中引入的衰减AF_jB_i、以及由路径j的衰减器引入的衰减Att_j的总和，并且耦合到路径i的耦合器的第二端口的天线在另一路径j的频带中的耦合小于或者等于在频带i中的隔离I_i。

根据一个实施例，滤波器和衰减器进一步通过考虑以下事实而制定尺寸：耦合到路径i的耦合器的第二端口的天线在另一路径j的频带中的耦合小于或者等于在频带i中的隔离I_i，并且其对应于：

对于具有小于排序i的排序的任何路径j而言，连接到路径i和路径j的耦合器的第二端口的天线之间的耦合X_ij、路径j的耦合器在频带i中的耦合因子C_jB_i、由路径j的低通滤波器在频带i中引入的衰减LF_jB_i、以及由路径j的衰减器引入的衰减Att_j的总和；以及

对于具有大于排序i的排序的任何路径j而言，连接到路径i和路径j的耦合器的第二端口的天线之间的耦合X_ij、路径j的耦合器在频带i中的耦合因子C_jB_i、由路径j-1到路径i的高通滤波器(49j)在频带i中引入的衰减LF_jB_i的总和、以及由路径j的衰减器引入的衰减Att_j的总和。

根据一个实施例，该进一步包括级联在滤波器与第四端子之间的电阻性分裂器的集合。

根据一个实施例，与最后一个路径相关联的分裂器的端子通过电阻性元件接地，该电阻性元件具有的值为分裂器的相应电阻性元件的三倍。

根据一个实施例，滤波器和分裂器基于以下关系而制定尺寸：

在频带i中的隔离I_i等于路径i的耦合器的隔离IB_i加上由第一路径和路径i之间的分裂器提供的衰减的总和；

在频带i中的方向性对应于路径i的耦合器的耦合因子CB_i减去如上计算的在频带i中的隔离I_i，并且该方向性大于或者等于针对所有路径所期望的最小方向性DIR；以及

连接到路径i的耦合器的第二端口的天线在另一路径j的频带中的耦合对应于：连接到路径i和路径j的耦合器的第二端口的天线之间的耦合X_ij、路径j的耦合器在频带i中的耦合因子C_jB_i、由路径j的滤波器在频带i中引入的衰减AF_jB_i、以及由第一路径与路径j之间的分裂器提供的衰减总和的总和，并且连接到路径i的耦合器的第二端口的天线在另一路径j的频带中的耦合小于或者等于在频带i中的隔离I_i。

将在以下与附图结合的特定实施例的非限制性描述中详细讨论以上和其他目的、特征和优点。

附图说明

图1为通常类型的无线电传输链的方框形式的简化表示；

图2是多频带无线电发射链的一个实施例的方框图；

图3图示了第一多频带耦合电路解决方案；

图4以方框形式示意性地示出了多频带耦合电路的一个实施例；

图5示出了图4的电路的耦合器的一个实施例；

图5A示出了图5的电路的衰减器的一个变形；

图6给出了图4的耦合电路的一个实施例的细节；

图7给出了图4的耦合电路的另一实施例的细节；

图8示出了图7的电路的电阻性分裂器的一个实施例；

图9给出了图4的耦合电路的另一实施例的细节；以及

图10A、图10B、图10C和图10D示出了滤波器的实施例。

具体实施方式

在不同的附图中，相同的元件被指定了相同的附图标记。为清楚起见，仅示出了对理解本发明有用的那些元件，并且将描述这些元件。具体地，未给出对多频带耦合结构的上游电路和下游电路的细节。本发明与这些常见电路兼容。

图1是能够在若干频带中发射的传输链的常见示例的方框图。这种类型的电路例如配备有移动电话类型的通信设备。

电子传输电路10(SEND)能够根据所使用的频带生成待发射的信号Tx_i(其中i在1与n之间)。这些信号被发送到功率放大器11_i(PA)上，这些功率放大器11_i(PA)使它们相应的输出跨以虚线图示的各种处理和匹配电路12_i。这些电路12_i(除其他以外并且非限制性地)包括针对发射天线13_i的阻抗匹配设备。为了能够调节放大器11_i或者任何其他元件(可调节阻抗匹配网络等)的功率，例如在电路12_i的输出和对应的天线之间插入了耦合器2_i。可以在耦合器和天线之间插入路径分裂器(未示出)。这样的分裂器用来将发射与接收分开，接收由未示出的无线电接收线路进行处理。

每个耦合器2_i包括插入在放大器11_i和天线13_i之间的(或者在电路12_i的输出和天线13_i之间的)主线路。所谓的输入端口或者通路IN位于放大器11_i一侧，而所谓的输出端口或者通路OUT(有时也称作DIR)位于天线13_i一侧。耦合器的耦合线路或者支线路对主线路的功率的一部分进行采样。耦合器的端口CLPD(对应于支线路的在端口IN侧的端部)提供与测量相关的信息。该信息(除其他以外)依赖于由于天线的反射导致的损耗。作为双向耦合器，支线路的在端口OUT侧的端部ISO并不使用。该端部ISO加载有电路的参考阻抗(通常为50Ω)。在图1的示例中，指示由天线生成的反射损耗的测量用来借助于电路14_i(DETECT)和电路15_i(CTRL)来适配放大器增益，该电路14_i(DETECT)用于检测在对应耦合器的端口CLPD上的电平，该电路15_i(CTRL)接收由检测器测量的信息并且控制对应放大器11_i的增益。

如果该天线具有该功能，则天线的反射损耗的测量也可以支持天线的动态匹配。

如上所述，控制电路和检测电路的增加负面地影响了无线电传输线路的最小化。此外，在大多数应用中并且尤其在移动电话中，在给定时间使用单个线路，因此期望至少能够共享控制电路和检测电路。

图2是将与图1比较的方框图，其图示了具有多频带耦合电路的传输链。

与先前一样，具有n个路径的电路10能够生成在不同频带上的信号Tx_i(其中i在1与n之间)，该信号将被发送到可调节增益发射放大器11_i。放大器11_i的相应输出被发送到多频带耦合电路3的n个输入IN_i上。该电路包括意于连接到被指定给不同频带的天线13_i的相同数目的输出OUT_i。电路3仅包括一个端口CPLD和一个端口ISO。端口CPLD连接到检测器14，检测器14的输出连接到控制电路15。控制电路15的输出连接到放大器11_i的相应增益控制输入。可以在控制电路15与放大器11_i的增益控制输入之间插入信号切换电路。

在图2的示例中，已经用虚线象征性地表示了分裂器16(SPLIT)，这些分裂器16(SPLIT)用于在天线13_i级将发射流和接收流分开，并且将信号Rx_i提供给接收线路(未示出)。

为了简化描述，路径、频带和耦合电路的不同部件由它们的排序i(在1与n之间)标识。

图3示出了能够在图2的链中使用的多频带耦合电路3’的通常示例。电路3’包括n个耦合器2_i，耦合器2_i的主线路的相应输入和输出限定电路3’的不同的端子IN_i和端子OUT_i。不同耦合器2_i的端子CPLD_i和端子ISO_i经由阻抗匹配网络连接到电路3’的端子CPLD和端子ISO。通常，每个端子CPLD_i通过两个电阻器R1的串联结合而连接到端子CPLD，这些电阻器中的一个由所有连接共享。在端子ISO侧再现了相同结构。所有电阻器R1具有相同的值。该值根据每个耦合器所期望的阻抗R(通常为50欧姆)计算，并且对应于R1＝R(n+1)/(n-1)。利用这样的值，获得了依赖于频带数目的在两个端口之间的衰减。

图4以方框形式示出了多频带耦合电路的一个实施例。

与图3的电路一样，分布式耦合器31_i被指定给每个频带或者路径。耦合器31_i例如具有等长的相同线路(相同形状、材料等)。由于线路长度相同的事实，所以所有耦合器具有相同的固有方向性，并且因此耦合电路具有独立于频带的方向性。然而，也可以提供根据相关的路径单独地制定每个耦合器的尺寸。

每个端口ISO_i通过滤波器(FILT)和衰减器(ATT)或者滤波器和分裂器的阵列4连接到电路3的端子ISO。在端子CPLD侧，每个端口CPLD_i通过衰减器(ATT)的阵列5连接到电路3的端子CPLD。

阵列4的功能是针对每个路径滤除在其频带外的信号，即那些能够由天线接收但是在传输中不使用的信号。

将关于图6、图7和图10描述滤波器阵列的若干实施例。

根据一个简化实施例，所有耦合器都相同于图3的耦合器21。

优选地，耦合器31_i具有在方向性方面改善的结构，以避免给定故障的发生，例如，如果反射损耗对应于大于方向性的衰减(反射的信号比方向性因子衰减的多)则很可能发生检测错误。

图5示出了为在图4中使用的电路的类型、具有改善的方向性的耦合器31_i的一个实施例。分布式耦合器31_i包括主线路321，其意于通过它的两个相应的输入端口IN_i和输出端口OUT_i插入到传输线路上。支线路(由与线路321平行的两个部分322和323形成)限定了意于传送与在线路321上发射的功率成比例的信息的端口CPLD_i和端口ISO_i。部分322和部分323优选地为对称的，即为相同长度。它们相应的端部连接到端口CPLD_i和端口ISO_i。它们的相应的内部端部连接到衰减器324和衰减器325，从而在这些内部端部和地之间形成阻抗Z。

衰减器324和衰减器325优选地被选择成提供至少等于耦合器方向性一半的衰减。以具有-30dB方向性的耦合器作为示例，这意味着衰减器324和衰减器325各自至少为15dB。在图5中示出的耦合器结构允许消除在端口CPLD_i和端口ISO_i上存在的负载的影响。

在实践中，耦合器31_i以由绝缘基底支撑的导电轨道的形式而形成。通常来说，线路为直线的，并且根据耦合器的操作频率和期望的耦合水平而选择它们的长度。诸如关于图5描述的耦合器对应于在法国专利申请No.2923950(B8533-07-TO-295/296)或者美国专利申请No.2009/0128255中描述的双向耦合器，以上专利申请均通过引用并入于此。

图5A示出了衰减器324或衰减器325的一个实施例。

该衰减器由在相关的部分的内部端部和地之间的电阻器R32与电容器C并联形成。例如，电阻R32为50欧姆，并且电容C在皮法量级。

图6为图4的耦合电路的一个实施例的方框图。

假定衰减器阵列5在每个路径上包括一个衰减器52。例如，对于每个路径(在每个端子CPLD_i和端子CPLD之间)而言，使用由具有相同值的三个电阻性元件R₅形成的π型焊盘(pi-pad)。第一电阻器将端子CPLD_i连接到端子CPLD。其他两个电阻器分别将端子CPLD_i和CPLD接地。

在端子ISO侧，阵列4针对每个路径i包括滤波器42_i和衰减器44_i。衰减器例如是与在端子CPLD侧形成的π型焊盘类似的π型焊盘。

每个路径的滤波器42_i的尺寸被制定为仅传导相关的路径的频带。

为了简化描述，假定图6的n个路径以频率增加的顺序布置。因而第一滤波器42₁是具有截止频率被选择成仅让第一路径的通带通过的低通滤波器(LPF)。滤波器42₂到滤波器42_n-1中的每个是其尺寸被制定为仅让相应频带通过的带通滤波器(BPF)。滤波器42_n是其尺寸被制定为根据仅让最后一个频带通过的高通滤波器(HPF)。当然，可以使用让相关的频带的频率通过的带通滤波器来替代低通滤波器42₁和高通滤波器42_n。

这样的结构使得源于天线之间的耦合的寄生信号在端子ISO侧由滤波器截止。

阵列4的滤波器和衰减器的尺寸制定依赖于耦合器31_i的固有特性和天线彼此之间的寄生耦合。

基于固有特性，以下是已知的(可测量的)：

X_ij，天线31_i与天线31_j之间的耦合；

CB_i，电路在频带i中的总耦合系数(在端子IN_i和端子CPLD上存在的信号之间的差)；

C_iB_j，耦合器31_i的在频带j中的耦合(在端子IN_i和端子CPLD_i上存在的信号之间的差)；

IB_i，耦合器31_i的在频带i中的隔离(在端子IN_i和端子ISO_i上存在的信号之间的差)；以及

DIR，所有频带所期望的最小方向性。

注意到，滤波器42_i和衰减器44_i的特性如下：

Att_i，由衰减器44_i提供的衰减；以及

AF_iB_j，由滤波器42_i在频带j中提供的衰减，

通过电路3获得的以下隔离、方向性和耦合关系可以表达如下：

电路I_i在频带i中的总的隔离(在端子IN_i与ISO上存在的信号之间的差)对应于路径i的耦合器的隔离加上由衰减器44_i提供的衰减(I_i＝IB_i+Att_i)；

在频带i中的方向性对应于路径i的耦合器的耦合因子减去如上计算的在频带i中的隔离——该方向性必须大于或者等于针对所有路径所期望的最小方向性DIR(CB_i-I_i≥DIR)；以及

路径i的天线在每个其他路径j的频带中的耦合对应于天线13_i与天线13_j之间的耦合X_ij、耦合器31_j在频带i中的耦合因子C_jB_i、由路径j的滤波器42_j在频带i中引入的衰减AF_jB_i以及由衰减器44_j引入的衰减Att_j的总和。该总和(X_ij+C_jB_i+AF_jB_i+Att_j)必须小于或者等于在频带i中的隔离I_i。

针对不同频带获得的等式系统允许确定将给出到滤波器和衰减器的值。

在网络5侧，衰减被选择成确保在每个频带中的期望耦合水平以及确保在不同频带之间的期望的阻抗匹配。

图7示出了耦合电路的另一实施例的图。

与图6的实施例的差别在于，衰减器44用分裂器46_i(SPL-分裂器)代替。分裂器46例如为电阻性分裂器，各自包括T型结构的三个电阻器。滤波器42的阵列未修改。

图8示出了分裂器46_i的一个实施例。

在每个滤波器42_i的、在端子ISO侧的端子(任意地称为输出端子)连接到相关的路径的分裂器46_i的第一电阻器R2₁的端部。除了最后一个路径的分裂器46_n之外，第一电阻器R2₁与同一分裂器的第二电阻器R2₂串联，该第二电阻器R2₂可以连接到下一路径的分裂器46_i+1的第三电阻器R2₃。除了第一路径的分裂器46₁以外，分裂器46_i的第一电阻器R2₁和第二电阻器R2₂的接合点因此通过该分裂器的第三电阻器R2₃连接到前一路径的分裂器46_i-1的第二电阻器R2₂。

第一路径的分裂器46₁的第三电阻器R2₃连接到电路3的端子ISO。最后一个路径的分裂器46_n的第二电阻器通过电阻器R3接地(图7)。

电阻R3的值对应于电阻R2的值的三倍。这样形成的电阻性分裂器46_i在不同路径之间级联。

从功能上来讲，每个耦合器31_i在其端口ISO_i上看见值为R3的电阻器，并且电路3的端子ISO也看见值为R3的电阻器。

诸如在图7中图示的耦合电路的尺寸制定例如如下地进行。

使用关于图6限定的表示法，并且将由排序为i的分裂器46_i提供的衰减标记为Spl_i，获得了以下关系：

I_i＝IB_i+Spl₁+...+Spl_i；

CB_i-I_i≥DIR；以及

对于与i不同的任何j：

X_ij+C_jB_i+AF_jB_i+Spl₁+...+Spl_j≤I_i。

图9示出了耦合电路的又一实施例。

如图6的实施例相比，衰减器布置在端子ISO_i侧，而非端子ISO侧。此外，滤波器在不同路径级级联。每个路径(除了最后一个路径n外)包括与其衰减器44_i串联的低通滤波器48_i(其中i从0到n-1)，低通滤波器48i用于滤除大于当前路径i的频带的所有频率。此外，每个路径(除了第一路径之外)通过高通滤波器49_i连接到先前路径的低通滤波器48_i-1的输出，该高通滤波器49_i用于截止在当前路径的频带之下的所有频率。端子ISO连接到滤波器48₁的输出和滤波器49₂的输出。

这样的实施例允许形成更简单的滤波器，在实践中，带通滤波器通常与高通滤波器关联。

出于选择性理由，低通滤波器和高通滤波器至少为2阶的，并且优选地为3阶的。

使用关于图6定义的表示法，并且将由滤波器48_i在频带j中提供的衰减标记为LF_iB_j并且由滤波器49_i在频带j中提供的衰减标记为HF_iB_j，获得了以下关系：

I_i＝IB_i+Att_i；

CB_i-I_i≥DIR；

对于任何小于i的j：

X_ij+C_jB_i+Att_j+LF_jB_i≤I_i；以及

对于任何大于i的j：

X_ij+C_jB_i+Att_j+HF_j-1B_i+...+HF_iB_i≤I_i。

图10A到图10D示出了可以在网络4中形成的低通滤波器和高通滤波器的示例。

图10A示出了3阶低通滤波器48的示例。三个电感L11、L12和L13串联，并且这些串联结合的接合点分别通过电容器C11和电容器C12直接接地。

图10B示出了3阶高通滤波器49的示例。三个电容器C21、C22和C23串联，并且这些串联结合的接合点分别通过电感L21和电感L22直接接地。

图10C和图10D示出了相应的低通滤波器48和高通滤波器49的其他示例。与图10A和图10B相比，电感L11、L12、L13、L21和L22分别被电阻器R11、R12、R13、R21和R22替代。

电感性元件或者电阻性元件之间的选择例如依赖于可用的技术并且尤其依赖于在该技术中容易地集成电感性元件的可能性。以集成的方式形成电阻性和电容性设备通常容易一些。

已经描述了各种实施例，本领域技术人员将发现各种改变和修改。具体地，基于以上给出的功能性指示和所使用的不同耦合器的固有特性，为所描述的耦合电路的不同部件赋予的大小位于本领域技术人员的能力范围内。此外，虽然已经具体参照了传输链描述了本发明，但是其也适用于接收链的多频带耦合电路。

Claims (10)

1.一种多频带耦合电路(3)，包括：

数目(n)等于频带数目的多个路径，每个路径具有第一端子(IN_i)和第二端子(OUT_i)；

第三端子(CPLD)和第四端子(ISO)；

数目(n)等于所述路径的数目的多个分布式耦合器(31_i)，所有耦合器均相同并且根据最高频带而制定尺寸，并且每个耦合器包括在连接到相关的路径的所述第一端子和所述第二端子的第一端口和第二端口(IN_i，OUT_i)之间的第一导电线路(321)，以及耦合到第三端口和第四端口(CPLD_i，ISO_i)之间的第一个的第二导电线路(322，323)；

在所述耦合器的所述第三端口(CPLD_i)与所述电路的所述第三端子之间的衰减器(5)的第一集合；以及

在所述耦合器的所述第四端口(ISO_i)与所述电路的所述第四端子之间的滤波器(42_i；48_i；49_i)阵列(4)。

2.根据权利要求1所述的电路，进一步包括与所述滤波器阵列(42_i；48_i；49_i)相关联的衰减器(44_i)的第二集合。

3.根据权利要求2所述的电路，其中所述阵列(4)包括，对于每个路径(i)而言，与衰减器(44_i)串联的滤波器(42_i)，其尺寸被制定为让所述相关的路径的所述频带通过。

4.根据权利要求2所述的电路，其中所述阵列(4)包括：

对于除了最后一个路径之外的每个路径而言，与衰减器(44_i)串联的、针对当前路径和较低排序的路径的频率的低通滤波器(48_i)，针对第一路径的该串联结合连接到所述电路的所述第四端子(ISO)；以及

对于除了所述第一路径之外的每个路径而言，连接到较低排序的路径的低通滤波器的、针对当前路径和较高排序的路径的频率的高通滤波器(49_i)。

5.根据权利要求2所述的电路，其中所述滤波器(42_i)和所述衰减器(44_i)根据以下关系制定尺寸：

在频带i中的隔离I_i等于路径i的耦合器的隔离IB_i加上由路径i的衰减器(44_i)提供的衰减Att_i(I_i＝IB_i+Att_i)；

在频带i中的方向性对应于路径i的耦合器的耦合因子CB_i减去如上计算的在频带i中的隔离I_i，并且所述方向性大于或者等于针对所有路径所期望的最小方向性DIR(CB_i-I_i≥DIR)。

6.根据权利要求3和5所述的电路，其中所述滤波器(42_i)和所述衰减器(44_i)进一步通过考虑以下事实而制定尺寸：耦合到路径i的耦合器的第二端口的天线在另一路径j的频带中的耦合对应于连接到所述路径i和路径j的耦合器的第二端口的天线之间的耦合X_ij、路径j的耦合器(31_j)在频带i中的耦合因子C_jB_i、由路径j的滤波器(42_j)在频带i中引入的衰减AF_jB_i以及由路径j的衰减器(44_j)引入的衰减Att_j的总和(X_ij+C_jB_i+AF_jB_i+Att_j)，并且耦合到路径i的耦合器的第二端口的天线在另一路径j的频带中的耦合小于或者等于在频带i中的隔离I_i。

7.根据权利要求4和5所述的电路，其中所述滤波器(42_i)和所述衰减器(44_i)进一步通过考虑以下事实而制定尺寸：耦合到路径i的耦合器的第二端口的天线在另一路径j的频带中的耦合小于或者等于在频带i中的隔离I_i，并且对应于：

对于具有小于排序i的排序的任何路径j而言，连接到所述路径i和路径j的耦合器的第二端口的天线之间的耦合X_ij、路径j的耦合器(31_j)在频带i中的耦合因子C_jB_i、由路径j的低通滤波器(48_j)在频带i中引入的衰减LF_jB_i、以及由路径j的衰减器(44_j)引入的衰减Att_j的总和(X_ij+C_jB_i+Att_j+LF_jB_i)；以及

对于具有大于排序i的排序的任何路径j而言，连接到所述路径i和路径j的耦合器的第二端口的天线之间的耦合X_ij、路径j的耦合器(31_j)在频带i中的耦合因子C_jB_i、由路径j-1到路径i的高通滤波器(49_j)在频带i中引入的衰减LF_jB_i的总和、以及由路径j的衰减器(44_j)引入的Att_j的总和(X_ij+C_jB_i+Att_j+HF_j-1B_i+...+HF_iB_i)。

8.根据权利要求1所述的电路，进一步包括级联在所述滤波器(42_i)与所述第四端子(ISO)之间的电阻性分裂器(46_i)的集合。

9.根据权利要求8所述的电路，其中与所述最后一个(n)路径相关联的所述分裂器(46_n)的端子通过如下电阻性元件(R3)接地，所述电阻性元件(R3)的值为分裂器(46_i)的相应电阻性元件(R2)的三倍。

10.根据权利要求8所述的电路，其中所述滤波器(42_i)和所述分裂器(46_i)基于以下关系而制定尺寸：

在频带i中的隔离I_i等于路径i的耦合器(31_i)的隔离IB_i加上由第一路径和路径i之间的分裂器(46_i)提供的衰减的总和(I_i＝IB_i+Spl₁+...+Spl_i)；

在频带i中的方向性对应于路径i的耦合器的耦合因子CB_i减去如上计算的在频带i中的隔离I_i，并且所述方向性大于或者等于针对所有路径所期望的最小方向性DIR(CB_i-I_i≥DIR)；以及

连接到路径i的耦合器(31_i)的第二端口的天线在另一路径j的频带中的耦合对应于：连接到所述路径i和路径j的耦合器的第二端口的天线之间的耦合X_ij、路径j的耦合器(31_j)在频带i中的耦合因子C_jB_i、由路径j的滤波器(42_j)在频带i中提供的衰减AF_jB_i、以及由所述第一路径和路径j之间的所述分隔器提供的衰减的总和的总和(X_ij+C_jB_i+AF_jB_i+Spl₁+...+Spl_j)，并且连接到路径i的耦合器的第二端口的天线在另一路径j的频带中的耦合小于或者等于在频带i中的隔离I_i。

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