CN102402125A - 用于制造锗硅碳器件中的光刻标记结构及其制备方法 - Google Patents

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陈福成
阚欢
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Abstract

本发明公开了一种用于制造锗硅碳器件中的光刻标记结构，其为在光刻标记中的标记形成层和锗硅碳外延层之间存在有氮氧化硅层。本发明的光刻标记结构，在后续的光刻套刻或对准时，具有较好的信噪比。本发明还公开了一种用于制造锗硅碳器件中的光刻标记的制备方法。

Description

用于制造锗硅碳器件中的光刻标记结构及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种用于制造锗硅碳器件中的光刻标记结构。本发明还涉及一种光刻标记结构的制备方法。
背景技术
SiGe是继Si和GaAs之后的一种重要的半导体材料。由于SiGe具有优于纯Si的良好特性，且工艺上与Si工艺兼容，而其制作出的器件和电路性能几乎可达到GaAs等化合物半导体器件和电路的水平，甚至在许多方面可代替化合物半导体器件和电路器件的应用。在微电子器件和电路应用方面，SiGe器件不仅在频率和速度上可以超越Si器件，而且在成本上可以超越GaAs器件。
由于SiGe赝晶薄膜中存在压力应变，为了增加SiGe外延层的临界厚度，通常采用在SiGe中引入适量的C原子，即为SiGeC外延层。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种用于锗硅碳器件中的光刻标记结构，该光刻标记有优良的信噪比。
为解决上述技术问题，本发明的用于制造锗硅碳器件中的光刻标记结构，具体为：光刻标记中的标记形成层和锗硅碳外延层之间存在有氮氧化硅层。
本发明还提供一种用于制造锗硅碳器件中的光刻标记的制备方法，其为：在标记形成层上外延光刻标记中的锗硅碳外延层之前，先淀积一氮氧化硅层。
采用本发明的光刻标记结构，因在氮氧化硅层上进行锗硅碳外延层的生长，使锗硅碳外延后的光刻对准和套刻具有优于没有氮氧化硅层存在时的信噪比。
附图说明
下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1为本发明的光刻标记结构的示意图；
图2为光刻对准标记中标记形成层的示意图；
图3为光刻套刻标记中标记形成层的示意图。
具体实施方式
本发明的用于制造锗硅碳器件中的光刻标记结构，为在光刻标记中的标记形成层和锗硅碳外延层之间存在有氮氧化硅层(见图1)。标记形成层和氮氧化硅层之间还可存在有以下薄膜：多晶硅薄膜、硅氧化合物薄膜(如SiO3薄膜)和/或硅氮化合物(如Si2N4薄膜)。一具体的标记形成层为由衬底上的有源区和场区构成。光刻标记为光刻对准标记或光刻套刻标记，可为光刻对准标记的形成层(见图2)和光刻套刻标记中的外框的标记形成层(见图3)。
上述光刻标记的制备方法，为：在标记形成层上外延光刻标记中的锗硅碳外延层之前，先淀积一氮氧化硅层。氮氧化硅层的厚度为10埃至100000埃，锗硅碳外延层的厚度为50埃至10000埃。在淀积氮氧化硅层之前，在标记形成层上还可淀积有以下薄膜：多晶硅薄膜、硅氧化合物薄膜和/或硅氮化合物薄膜。其它可能位于标记形成层和氮氧化硅层之间的薄膜的总厚度为厚度为10埃至1000000埃。

Claims (7)

1.一种用于制造锗硅碳器件中的光刻标记结构，其特征在于：所述光刻标记中的标记形成层和锗硅碳外延层之间存在有氮氧化硅层。
2.按照权利要求1所述的光刻标记结构，其特征在于：所述标记形成层和氮氧化硅层之间还存在以下薄膜：多晶硅薄膜、硅氧化合物薄膜和/或硅氮化合物薄膜。
3.按照权利要求1或2所述的光刻标记结构，其特征在于：所述标记形成层由衬底上的有源区和场区构成。
4.按照权利要求1或2所述的光刻标记结构，其特征在于：所述光刻标记为光刻对准标记或光刻套刻标记。
5.一种用于制造锗硅碳器件中的光刻标记的制备方法，其特征在于：在标记形成层上外延光刻标记中的锗硅碳外延层之前，先淀积一氮氧化硅层。
6.按照权利要求5所述的制备方法，其特征在于：在淀积氮氧化硅层之前，在标记形成层上还淀积有以下薄膜：多晶硅薄膜、硅氧化合物薄膜和/或硅氮化合物薄膜。
7.按照权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于：所述氮氧化硅层的厚度为10埃至100000埃，锗硅碳外延层的厚度为50埃至10000埃。
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Address before: 201206, Shanghai, Pudong New Area, Sichuan Road, No. 1188 Bridge

Applicant before: Shanghai Huahong NEC Electronics Co., Ltd.

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