CN102376741A - 有机发光二极管显示器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种有机发光二极管(OLED)显示器，该有机发光二极管(OLED)显示器包括：基底；有机发光元件，包括第一电极、有机发射层和在基底上的第二电极；驱动薄膜晶体管，导通/截止提供至第一电极的第一功率，并且包括包含氧化锌的第一有源层；光传感器，设置在基底和有机发射层之间，并且包括感应从有机发射层发射的光的第二有源层；控制器，根据由光传感器感应的光的强度控制提供至第二电极的第一功率和第二功率中的至少一种。

Description

有机发光二极管显示器
技术领域
描述的技术总体上涉及一种有机发光二极管(OLED)显示器。更具体地讲，描述的技术总体上涉及一种具有光传感器的OLED显示器。
背景技术
作为用于显示图像的显示装置的有机发光二极管(OLED)显示器近来已成为焦点。
OLED显示器具有自发光功效，其与液晶显示器(LCD)的不同之处在于：OLED显示器不需要单独的光源，并且具有相对小的厚度和重量。此外，有机发光二极管显示器表现出诸如功耗低、亮度高和响应时间短的高品质特性。
OLED显示器包括：基底；有机发光元件，具有形成在基底上的第一电极，设置在第一电极上的有机发射层和设置有机发射层上的第二电极；至少一个薄膜晶体管，导通/截止提供至有机发光元件的功率。
在本背景技术部分中公开的上面的信息仅用于增强对描述的技术的背景的理解，因此，它可以包含未形成在本国内对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
描述的技术的一个方面提供了一种有机发光二极管(OLED)显示器，该有机发光二极管(OLED)显示器包括：基底；有机发光元件，包括第一电极、有机发射层和形成在基底上的第二电极；驱动薄膜晶体管，导通/截止提供至第一电极的第一功率，并且包括包含氧化锌(ZnO)的第一有源层；光传感器，设置在基底和有机发射层之间，并且包括感应从有机发射层发射的光的第二有源层；控制器，根据由光传感器感应的光的强度控制提供至第二电极的第一功率和第二功率中的至少一种。
第二有源层可以包括非晶硅。
OLED显示器还可以包括开关薄膜晶体管，开关薄膜晶体管导通控制驱动薄膜晶体管的第三功率并包括第三有源层。
第三有源层可以包括与第一有源层的材料相同的材料。
第三有源层可以包括与第二有源层的材料相同的材料。
光传感器还可以包括接触第二有源层的相应端的传感器输入端和传感器输出端，感应薄膜晶体管与传感器输入端连接。
OLED显示器还可以包括设置在第二有源层和基底之间的光阻挡层。
光阻挡层可以接触第二有源层。
光阻挡层可以包括氮化钛(TiNx)和氮化铝(AlNx)中的至少一种。
根据上述示例性实施例中的一个示例性实施例，感应光的光传感器的感应特性和薄膜晶体管的驱动效率得到改善，使得有机发光元件的发光效率和薄膜晶体管的驱动效率得到改善，从而提供显示质量得到改善的OLED显示器。
附图说明
通过参照附图来详细地描述示例性实施例，上面和其他特征和优点对本领域普通技术人员来讲将变得更明显，在附图中：
图1示出了根据第一示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器的电路图。
图2示出了根据第一示例性实施例的OLED显示器的剖视图。
图3示出了根据第二示例性实施例的OLED显示器。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更充分地描述示例实施例；然而，示例实施例可以以不同的形式实施并且不应被解释为局限于这里提出的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完全的，并且这些实施例将本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。
在附图中，为了示出的清楚起见可以夸大层和区域的尺寸。还将理解的是，当层或元件被称作“在”另一层或基底“上”时，它可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在中间层。此外，在说明书中，“在…上”意味位于目标元件上面或下面，且不意味必须位于基于重力方向的顶部上。此外，将理解的是，当层被称作“在”另一层“之下”时，它可以直接在所述另一层之下，或者也可以存在一个或更多个中间层。此外，还将理解的是，当层被称作“在”两个层“之间”时，它可以是在所述两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或多个中间层。相同的标号始终代表相同的元件。
在下文中，将参照图1和图2描述根据第一示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器1000。
图1示出了根据第一示例性实施例的OLED显示器的电路图。
如图1所示，根据第一示例性实施例的OLED显示器1000包括多条信号线211、251、611、651和661以及至少一个像素，所述至少一个像素可以通过所述信号线形成。这里，像素是显示图像的最小单位。
所述信号线包括：栅极信号线211，传输扫描信号；负极线251，施加负电压；数据线611，传输这里被称为“第三功率”的数据功率；驱动功率线651，传输这里被称作“第一功率”的驱动功率Vdd；传感器线661，与光传感器LS连接。
像素包括有机发光元件LD、开关薄膜晶体管Tsw、驱动薄膜晶体管Tdr、感应薄膜晶体管Tss、光传感器LS以及电容器C1和C2。
驱动薄膜晶体管Tdr具有控制端子、输入端子和输出端子，控制端子连接到开关薄膜晶体管Tsw，输入端子连接到驱动功率线651，输出端子连接到有机发光元件LD。驱动薄膜晶体管Tdr包括第一有源层，下面将对此进行描述。
有机发光元件LD包括第一电极、第二电极和有机发射层，第一电极可以是与输出端子连接并被提供第一功率Vdd的正极，第二电极可以是被提供第二功率Vcom的负极，有机发射层设置在第一电极和第二电极之间。可以根据通过驱动薄膜晶体管Tdr导通/截止的第一功率Vdd和提供至第二电极的第二功率Vcom中至少一种的电流的量来控制从有机发射层发射的光。OLED显示器1000通过有机发光元件LD的光发射显示图像。
开关薄膜晶体管Tsw具有控制端子、输入端子和输出端子。控制端子连接到栅极线211，输入端子连接到数据线611，输出端子连接到驱动薄膜晶体管Tdr的控制端子。开关薄膜晶体管Tsw根据施加到栅极线211的扫描信号将施加到数据线611的数据功率传输至驱动薄膜晶体管Tdr。开关薄膜晶体管Tsw包括第三有源层，下面将对此进行描述。
电容器C1连接在驱动薄膜晶体管Tdr的控制端子和输入端子之间。电容器C1充入并维持输入到驱动薄膜晶体管Tdr的控制端子的数据功率。
开关薄膜晶体管Tsw和驱动薄膜晶体管Tdr的性能在开关薄膜晶体管Tsw和驱动薄膜晶体管Tdr被驱动的同时会逐渐劣化。感应薄膜晶体管Tss、光传感器LS、电容器C2和负电极线251可以补偿开关薄膜晶体管Tsw和驱动薄膜晶体管Tdr的劣化。
感应薄膜晶体管Tss具有控制端子、输入端子和输出端子。控制端子连接到栅极线211，输入端子连接到传感器线661，输出端子连接到光传感器LS和电容器C2。感应薄膜晶体管Tss包括第四有源层，下面将对此进行描述。
电容器2连接在感应薄膜晶体管Tss的输出端子和负电极线251之间。电容器2充入并维持输入到感应薄膜晶体管Tss的输入端子的电压。
光传感器LS包括第二有源层、传感器输入端和传感器输出端，第二有源层感应从有机发光元件LD的有机发射层发射的光，传感器输入端连接到第二有源层的第一端和感应薄膜晶体管Tss的输出端子，传感器输出端连接到第二有源层的第二端和在后端的栅极线211。
光传感器LS的第二有源层具有以下特性：在第二有源层接收来自有机发光元件LD的光时电阻降低，从而电流流动。因此，当光入射在第二有源层上时，电流从传感器输入端流至传感器输出端，从而电容器C2的充电容量降低。随着入射在第二有源层上的光的强度增大，从传感器输入端流至传感器输出端的电流量增加，从而电容器2的充电容量的降低增大并且更多的电流流经传感器线661。虽然施加相同量的数据功率，但在第二有源层上的入射光的强度可根据开关薄膜晶体管Tsw和驱动薄膜晶体管Tdr的劣化程度而降低或增大。
如所描述的，开关薄膜晶体管Tsw和驱动薄膜晶体管Tdr的劣化、从有机发光元件LD入射在第二有源层上的光的强度、流至光传感器LS的输出端的电流的强度、电容器C2的容量的降低和用于补偿电容器C2的容量的降低的传感器线611的电流提供量彼此相关。
此外，控制器101基于通过传感器线611提供的电流的量来控制提供到数据线611的数据功率。可以补偿开关薄膜晶体管Tsw和驱动薄膜晶体管Tdr的劣化。与控制器101连接的存储器102根据数据功率的强度存储通过传感器线611提供的电流量表，控制器101使用存储器102补偿开关薄膜晶体管Tsw和驱动薄膜晶体管Tdr相对各种数据功率的劣化。
在下文中，将参照图2进一步详细地描述在图1中的OLED显示器中的像素结构。为了更好地理解和便于描述，所述多条信号线211、251、611、651和661、电容器C1和C2、控制器101以及存储器102将不在图2中示出。
图2示出了根据第一示例性实施例的OLED显示器的剖视图。
如图2所示，开关薄膜晶体管Tsw、驱动薄膜晶体管Tdr、有机发光元件LD、光传感器LS、光阻挡层311和感应薄膜晶体管Tss形成在包括玻璃、树脂和金属中的至少一种的基底110上。
开关薄膜晶体管Tsw包括作为控制端子的第三有源层151、作为接触开关栅电极261和第三有源层151的两端的输入端子的开关源电极671和作为输出端子的开关漏电极672。
第三有源层151由与驱动薄膜晶体管Tdr的第一有源层152的材料相同的材料形成，第三有源层151是包括氧化锌ZnO的半导体层。通常，与由非晶硅形成的半导体层相比，包括氧化锌的半导体层具有更高的半导体特性。第三半导体层151包括氧化锌，从而可以进一步改善开关薄膜晶体管Tsw的驱动效率。第三有源层151可以由氧化锌形成的半导体层形成，但是根据另一示例性实施例的第三有源层151可以由用诸如铟(In)、锗(Ga)或锡(Sn)元素的离子掺杂的氧化锌形成的半导体形成。也就是说，由于第三有源层151由具有氧化锌作为主成分的氧化物半导体层形成，所以与具有非晶硅作为主成分的传统的薄膜晶体管相比，可以进一步地改善开关薄膜晶体管Tsw的迁移率、均匀性和可靠性，从而可以改善OLED显示器1000的发光效率。当第三有源层151由包括氧化锌的氧化物半导体层形成时，可以通过现有的低温多晶硅(LTPS)工艺设备形成第三有源层151，因此，可以在低于300℃的低温形成第三有源层151，从而可以降低OLED显示器1000的制造成本。
开关栅电极261与栅极线211连接，开关源电极671与数据线611连接，开关漏电极672与驱动薄膜晶体管Tdr的驱动栅电极262连接。作为通过数据线611提供的信号，为数据信号的第三功率通过开关薄膜晶体管Tsw导通/截止以控制驱动薄膜晶体管Tdr。
驱动薄膜晶体管Tdr包括作为控制端子的第一有源层152、作为接触驱动栅电极262和第一有源层152的两端的输入端子的驱动源电极673和作为输出端子的驱动漏电极674。
像开关薄膜晶体管Tsw的第三有源层151一样，第一有源层152是包括氧化锌的半导体层。也就是说，在形成开关薄膜晶体管Tsw的第三有源层151时，同时可以形成驱动薄膜晶体管Tdr的第一有源层152。如所描述的，由于第一有源层152可以包括氧化锌，所以可以改善驱动薄膜晶体管Tdr的驱动效率。第一有源层152可以由包括氧化锌作为主成分的半导体层形成，但是根据另一示例性实施例的第一有源层152可以由包括用诸如铟(In)、锗(Ga)或锡(Sn)元素的离子掺杂的氧化锌的半导体层形成。也就是说，由于第一有源层152可由包括氧化锌作为主成分的氧化物半导体层形成，所以与具有非晶硅作为主成分的传统的驱动薄膜晶体管相比，可以进一步改善驱动薄膜晶体管Tdr的迁移率、均匀性和可靠性，从而可以改善OLED显示器1000的发光效率。此外，当第一有源层152由包括氧化锌的氧化物半导体层形成时，可以通过现有的LTPS工艺设备形成第一有源层152，因此，可以在低于300℃的低温形成第一有源层152，从而可以降低OLED显示器1000的制造成本。
驱动栅电极262与开关薄膜晶体管Tsw的开关漏电极672连接，驱动源电极673与驱动功率线651连接，驱动漏电极674与有机发光元件LD的第一电极710连接。作为通过驱动功率线651提供的信号，为驱动功率的第一功率通过驱动薄膜晶体管Tdr导通/截止，然后提供至有机发光元件LD的第一电极710。
有机发光元件LD包括第一电极710、形成在第一电极710上的有机发射层720和形成在有机发射层720上的第二电极730。
第一电极710可以是为空穴注入电极的正极，第二电极730可以是为电子注入电极的负极。然而，第一示例性实施例不限于此，根据OLED显示器1000的驱动方法，第一电极710可以是负极，第二电极730可以是正极。在这种情况下，驱动功率可以提供至负极，共功率可以提供至正极。当第一功率Vdd提供至第一电极710，第二功率Vcom提供至第二电极730时，空穴和电子分别从第一电极710和第二电极730注入到有机发射层720中，当为注入的空穴和电子的复合的激子从激发态跃迁至基态时，从有机发射层720发射光。
第二电极730形成为在像素上方的一层。
此外，第一电极710和第二电极730可以包括单层或双层的包括钼(Mo)、铝(Al)、银(Ag)、氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)中的至少一种的光反射导电材料或光透反导电材料。如所描述的，根据第一示例性实施例的在OLED显示器1000中的有机发光二极管70的第一电极710和第二电极730中的至少一个可以包括光透反导电材料，从有机发射层720向包括透反导电材料的第一电极710和第二电极730中的至少一个电极的方向发射的光可以射向外部，从而可以提供前发射类型、后发射类型或双发射类型OLED显示器1000。根据第一示例性实施例的OLED显示器1000是后发射类型，从而光向基底110的方向发射。
光传感器LS设置在基底110和有机发光元件LD之间，感应由有机发射层720发射的光。光传感器LS包括作为感应和控制端子的第二有源层321、作为输入端子的传感器输入端675和作为输出端子的传感器输出端676。
第二有源层321可以是包括非晶硅的半导体层。与包括氧化锌的半导体层相比，包括非晶硅的半导体层可以具有高感光能力。第二有源层321可以包括非晶硅，从而可以改善光传感器LS的感光能力。如果第二有源层321由包括非晶硅作为主成分的半导体层形成，与具有氧化锌作为主成分的半导体层的光传感器相比，第二有源层321的电阻可以根据接收的来自有机发射层720的光的强度进一步灵敏地改变。如所描述的，光传感器LS进一步灵敏地感应由有机发光元件LD的有机发射层720发射的光，使得进一步灵敏地控制电容器C2的容量的降低和用于补偿电容器C2的容量的降低的传感器线661的电流供给量，从而将开关薄膜晶体管Tsw和驱动薄膜晶体管Tdr的劣化最小化。
传感器输入端子675与感应薄膜晶体管Tss的感应漏电极678连接，传感器输出端676与在后端的栅极线211连接。当第二有源层321被从有机发光元件LD发射的光激活时，从传感器线661通过感应薄膜晶体管Tss提供至传感器输入端子675的电流通过第二有源层321传输至传感器输出端子676。传输至传感器输出端子676的电流强度可以根据由有机发光元件LD发射的光的强度而改变。
光阻挡层311设置在第二有源层321和基底110之间，防止外部的光入射在光传感器LS的第二有源层321上。具体地讲，光阻挡层311接触第二有源层321，光阻挡层311可以包括氮化钛(TiNx)和氮化铝(AlNx)中的至少一种。例如，当作为钛前体的TiCl4或作为铝前体的AlCl3与源气体(例如，SiH4+N2+NH3)混合，混合物气相沉积在由氮化硅(SiNx)形成的绝缘层上时，形成包括不透明氮化钛(TiNx)或氮化铝(AlNx)的光阻挡层311，使得仅来自有机发光元件LD的光照射到光传感器LS。
感应薄膜晶体管Tss包括作为控制端子的第四有源层322、作为接触感应栅电极263和第四有源层322两端的输入端子的感应源电极677和作为输出端子的感应漏电极678。
像光传感器LS的第二有源层321一样，第四有源层322可以是包括非晶硅的半导体层。在形成第二有源层321时，可以同时形成形成感应薄膜晶体管Tss的第四有源层322。包括与光阻挡层311的材料相同的材料的第一虚拟层312可以设置在第四有源层322和基底110之间。
感应栅电极263与栅极线211连接，感应源电极677与传感器线661连接，感应漏电极678与光传感器LS的传感器输入端675连接。
在下文中，将参照图1和图2描述光传感器LS的功能。
当通过栅极线211施加导通电压时，开关薄膜晶体管Tsw和感应薄膜晶体管Tss导通。在感应薄膜晶体管Tss处于导通状态的同时，电容器C2被充电。在开关薄膜晶体管Tsw处于导通状态的同时，为通过数据线611施加的数据功率的第三功率传输至开关漏电极672。第三功率施加到驱动薄膜晶体管Tdr的驱动栅电极262，从而驱动薄膜晶体管Tdr导通。为驱动功率的第一功率通过处于导通状态的驱动薄膜晶体管Tdr施加到驱动漏电极674。第一功率的大小由为数据功率的第三功率确定。施加到驱动漏电极674的驱动功率施加到第一电极710，从而有机发射层720发射光。从有机发射层720发射的光激发第二有源层321，从而电流从传感器输入端流至传感器输出端676，因此，电容器C2的容量降低。在这种情况下，为了再次给电容器C2充电，控制器101控制第三功率(即，数据功率)，因此可以改善驱动薄膜晶体管Tdr和开关薄膜晶体管Tsw的驱动效率，从而改善有机发光元件LD的发光效率。可以改善OLED显示器1000的显示质量。
通过改善驱动薄膜晶体管Tdr和开关薄膜晶体管Tsw的驱动效率，可以改善有机发光元件LD的发光效率。因此，可以抑制开关薄膜晶体管Tsw、驱动薄膜晶体管Tdr和有机发光元件LD的劣化，从而可以提高OLED显示器1000的寿命。
如所描述的，根据第一示例性实施例的需要优异的半导体特性的OLED显示器1000的开关薄膜晶体管Tsw的第三有源层151和驱动薄膜晶体管Tdr的第一有源层152可以由包括具有优异半导体特性的氧化锌的半导体层形成，需要优异的感光特性的光传感器LS的第二有源层321由包括具有优异感光特性的非晶硅的半导体层形成，使得驱动薄膜晶体管Tdr和开关薄膜晶体管Tsw的驱动效率可以得到改善，同时有机发光元件LD的发光效率可以得到改善，从而改善OLED显示器1000的显示质量。
在下文中，将参照图3来描述根据第二示例性实施例的OLED显示器1002。
图3示出了根据第二示例性实施例的OLED显示器的剖视图。
如图3所示，根据第二示例性实施例的OLED显示器1002的开关薄膜晶体管Tsw的第三有源层323可以由与光传感器LS的第二有源层321和感应薄膜晶体管Tss的第四有源层322的材料相同的材料形成，并可以是包括非层晶硅的半导体。包括与光阻挡层311的材料相同的材料的第二虚拟层313可以设置在第三有源层323和基底110之间。
如所描述的，根据第二示例性实施例的需要优异半导体特性的OLED显示器1002的驱动薄膜晶体管Tdr的第一有源层152可以由包括具有优异半导体特性的氧化锌的半导体层形成，需要优异的感光特性的光传感器LS的第二有源层321可以由包括具有优异的感光特性的非晶硅的半导体层形成，使得驱动薄膜晶体管Tdr的驱动效率可以得到改善，同时有机发光元件LD的发光效率可以得到改善，从而改善OLED显示器1002的显示质量。
通过总结和回顾，包括在薄膜晶体管中的有源层可能具有在长时间使用时有源层会劣化从而导致发光效率不稳定的问题，上述的技术可以提供有机发光二极管(OLED)显示器，该有机发光二极管(OLED)显示器的显示质量可以通过改善有机发光元件的发光效率和薄膜晶体管的驱动效率得到改善。
这里已公开了示例性实施例，虽然使用了特定的术语，但应仅以通常和描述的意义来使用和理解这些术语，且不意图进行限制。因此，本领域的普通技术人员将理解的是，在不脱离本发明的由权利要求阐述的精神和范围的情况下，可以做形式和细节上的各种改变。

Claims (9)

1.一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：
基底；
有机发光元件，包括第一电极、有机发射层和在基底上的第二电极；
驱动薄膜晶体管，导通/截止提供至第一电极的第一功率，并且包括包含氧化锌的第一有源层；
光传感器，设置在基底和有机发射层之间，并且包括感应从有机发射层发射的光的第二有源层；
控制器，根据由光传感器感应的光的强度控制提供至第二电极的第一功率和第二功率中的至少一种。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，第二有源层包括非晶硅。
3.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器还包括开关薄膜晶体管，开关薄膜晶体管导通控制驱动薄膜晶体管的第三功率并包括第三有源层。
4.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中，第三有源层包括与第一有源层的材料相同的材料。
5.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中，第三有源层包括与第二有源层的材料相同的材料。
6.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，光传感器还包括接触第二有源层的相应端的传感器输入端和传感器输出端，感应薄膜晶体管与传感器输入端连接。
7.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器还包括设置在第二有源层和基底之间的光阻挡层。
8.如权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中，光阻挡层接触第二有源层。
9.如权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中，光阻挡层包括氮化钛和氮化铝中的至少一种。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103811675A (zh) * 2012-11-09 2014-05-21 乐金显示有限公司 柔性有机电致发光装置及其制造方法
CN104282678A (zh) * 2013-07-09 2015-01-14 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 具有光感测功能的发光显示器
JP2020024411A (ja) * 2018-08-07 2020-02-13 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 表示装置
CN112242120A (zh) * 2019-07-17 2021-01-19 三星显示有限公司 显示装置

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012220053A1 (de) * 2012-11-02 2014-05-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum betrieb eines organischen optoelektronischen bauelements
CN103855182A (zh) * 2012-11-28 2014-06-11 瀚宇彩晶股份有限公司 有机发光二极管触控显示面板及其电磁式触控显示装置
US9310843B2 (en) 2013-01-02 2016-04-12 Apple Inc. Electronic devices with light sensors and displays
KR102130331B1 (ko) * 2013-09-24 2020-07-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102160417B1 (ko) 2014-02-28 2020-10-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP6468686B2 (ja) * 2014-04-25 2019-02-13 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
KR101658716B1 (ko) * 2014-12-31 2016-09-30 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
US10644077B1 (en) 2015-10-28 2020-05-05 Apple Inc. Display with array of light-transmitting windows
CN106711168A (zh) * 2015-11-13 2017-05-24 小米科技有限责任公司 Oled面板、终端
US10157590B1 (en) 2015-12-15 2018-12-18 Apple Inc. Display with localized brightness adjustment capabilities
US10163984B1 (en) 2016-09-12 2018-12-25 Apple Inc. Display with embedded components and subpixel windows
KR102452251B1 (ko) 2017-08-04 2022-10-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102457718B1 (ko) 2017-11-14 2022-10-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1988169A (zh) * 2005-12-21 2007-06-27 三星Sdi株式会社 平板显示器及其驱动方法
CN101047199A (zh) * 2006-03-28 2007-10-03 统宝光电股份有限公司 有机电激发光显示元件及其制造方法
US20080224128A1 (en) * 2007-03-13 2008-09-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor for display device and manufacturing method of the same

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060082476A (ko) 2005-01-12 2006-07-18 삼성전자주식회사 유기 전계발광 표시 장치
US7397065B2 (en) 2006-05-02 2008-07-08 Tpo Displays Corp. Organic electroluminescent device and fabrication methods thereof
KR101315375B1 (ko) 2006-11-08 2013-10-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR100931491B1 (ko) 2008-04-07 2009-12-11 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
KR20100055324A (ko) * 2008-11-17 2010-05-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광소자 및 발광장치
KR101097337B1 (ko) * 2010-03-05 2011-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1988169A (zh) * 2005-12-21 2007-06-27 三星Sdi株式会社 平板显示器及其驱动方法
CN101047199A (zh) * 2006-03-28 2007-10-03 统宝光电股份有限公司 有机电激发光显示元件及其制造方法
US20080224128A1 (en) * 2007-03-13 2008-09-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor for display device and manufacturing method of the same

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103811675A (zh) * 2012-11-09 2014-05-21 乐金显示有限公司 柔性有机电致发光装置及其制造方法
CN103811675B (zh) * 2012-11-09 2016-06-22 乐金显示有限公司 柔性有机电致发光装置及其制造方法
CN104282678A (zh) * 2013-07-09 2015-01-14 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 具有光感测功能的发光显示器
JP2020024411A (ja) * 2018-08-07 2020-02-13 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 表示装置
JP7030085B2 (ja) 2018-08-07 2022-03-04 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 表示装置
CN112242120A (zh) * 2019-07-17 2021-01-19 三星显示有限公司 显示装置

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