CN102374948A - 用于微电子机械系统的非硅薄膜力学特性复合测量方法 - Google Patents
用于微电子机械系统的非硅薄膜力学特性复合测量方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102374948A CN102374948A CN2011102803932A CN201110280393A CN102374948A CN 102374948 A CN102374948 A CN 102374948A CN 2011102803932 A CN2011102803932 A CN 2011102803932A CN 201110280393 A CN201110280393 A CN 201110280393A CN 102374948 A CN102374948 A CN 102374948A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- photoresist
- seed layer
- adhesion
- thickness
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 title claims abstract description 5
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 title description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000004088 simulation Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 6
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010835 comparative analysis Methods 0.000 abstract description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 abstract description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000011160 research Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000009774 resonance method Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Micromachines (AREA)
Abstract
本发明公开了一种用于微电子机械系统的非硅薄膜力学特性复合测量方法，该方法的样品单元是在衬底上设置呈“十”字形的悬梁及扭梁，悬梁两端的上电极和衬底上的下电极能够用于静电驱动，其中扭梁的截面为倒“T”形；其制备包括：衬底的准备；溅射Cr/Cu电镀种子层；涂胶、烘胶、光刻图形化；电镀引线及上下电极；电镀扭悬梁；去除光刻胶及部分电镀种子层，实现悬空结构的释放步骤；对制备的样品单元采用非接触式静电驱动：悬梁两端交替激励至谐振、悬梁两端同时激励弯曲变形，利用垂直扫描干涉系统对其薄膜结构进行谐振频率及原位变形的非接触静/动态的测量，将结果进行比对分析，结合ANSYS仿真，得到较为精确、全面的薄膜结构材料的力学性能特征参数。本发明能同时进行弯曲和扭转实验，从而实现对材料力学性能多个特征参数、尤其是包括泊松比σ的测试与评价，具有相对误差小、精度高的优势。
Description
技术领域
本发明涉及微电子机械系统的材料测量技术领域，特别是一种用于微电子机械系统（MEMS）的非硅薄膜力学特性复合测量方法。
背景技术
MEMS是微电子技术与机械和光学等技术结合的产物。MEMS及其相关技术使制造光、机、电、磁、声、热等微型化和集成化功能器件成为可能，并为功能的复合创造了条件，不但可明显提高现有产品的性能和竞争力，还可为创造新器件和新系统奠定基础。因而MEMS日益得到世界各国的重视，并得到了迅速的发展。
在MEMS中，多数器件的微机械结构是薄膜结构。薄膜的力学特性与MEMS器件的性能和可靠性密切相关，尤其是多数情况下需要得到自由可动的结构单元以实现其功能的器件，如微机械开关、微阀、微马达、微加速度计等。对于这些MEMS器件，它们所使用薄膜微结构的力学特性，需要准确地测量与描述，以便于仿真分析和优化设计，确定器件失效的临界加载情况等。
通常所见到的材料力学性能的列表数据，都是由大体积材料样本测得的。但是，MEMS并非传统意义下宏观机电系统的简单几何尺寸缩小。机械尺寸微小型化后，构件材料的力学特性和构件在环境介质中的行为以及所受体积力和表面力的相对关系等与宏观尺度下材料相比，均发生了变化。同时，材料结构尺寸的微型化使得测试力学性能的传统测试方法和测试仪器由于物理尺寸的限制已不再适用。精确的测量只有设计与微结构尺寸相当的测试器件才能实现。目前，人们对微尺度硅类材料的力学特性的测量研究，已经有了相当的积累。而非硅类微结构材料的力学特性参数则相对缺乏。对于涉及多种材料应用的MEMS领域，对非硅类微结构薄膜的力学性能研究，具有重要的实际意义。对微尺度下结构材料力学性能的测试，有纳米压痕法、单轴拉伸法、薄膜弯曲实验、静电静态加载驱动实验、扭转实验、谐振法等，它们都有一定的局限性。更重要的是，它们都是根据一种机理进行的测试，所能测得的力学性能参数有限。
发明内容
本发明的目的是提供一种用于MEMS的非硅薄膜力学特性复合测量方法，该方法利用弯曲-扭转复合测量机构，能够实现对微观尺度非硅材料薄膜力学性能多角度、精确的测试，为相关优化设计提供参考依据，以适应MEMS系统优化设计及其工作稳定性和可靠性研究工作的需要。
本发明的目的是这样实现的：
一种用于MEMS的非硅薄膜力学特性复合测量方法，该方法包括以下具体步骤：
a）设定待测量样品单元结构
在衬底上设置呈“十”字形的悬梁及扭梁，悬梁两端的上电极和衬底上的下电极能够用于静电驱动，其中扭梁的截面为倒“T”形；
b）样品单元的制作
第一步、以玻璃片、硅片、氧化铝陶瓷片或表面平整的基片作衬底，用传统方法清洗和烘干衬底；
第二步、在经第一步处理的衬底上溅射Cr，作粘附层，再在粘附层上溅射Cu，作种子层，粘附层与种子层合为第一粘附-种子层，第一粘附-种子层的厚度为80nm，其中粘附层厚度为20nm，种子层厚度为60nm；
第三步、在第一粘附-种子层上涂第一光刻胶，用传统方法烘胶后光刻下电极及引线的结构图形，第一光刻胶的厚度为1～30μm；
第四步、在第三步得到的下电极及引线的结构图形上电镀下电极及引线，电镀的金属是金、铜、坡莫合金或镍，其厚度与第一光刻胶相同，剩余的第一光刻胶充当牺牲层；
第五步、在第一光刻胶和下电极及引线上涂第二光刻胶，用传统方法烘胶后，光刻支撑立柱的结构图形，第二光刻胶的厚度为1～30μm；
第六步、第五步得到的结构图形上电镀支撑立柱，电镀的金属是金、铜、坡莫合金或镍，其厚度与第二光刻胶的相同，剩余的第二光刻胶充当牺牲层；
第七步、在第二光刻胶和支撑立柱上溅射Cr，作粘附层，再在粘附层上溅射Cu，作种子层，粘附层和种子层合为第二粘附-种子层，第二粘附-种子层的厚度为80nm，其中粘附层厚度为20nm，种子层的厚度为60nm；
第八步、 在第二粘附-种子层上涂第三光刻胶，第三光刻胶的厚度是1～30μm，传统方法烘胶后，光刻上电极、悬梁及扭梁的结构图形，在得到的结构图形上电镀电极、悬梁及扭梁，电镀的金属是待测量的薄膜材料；重复一次本步骤，将扭梁7做成截面为倒“T”形；
第九步、将牺牲层材料刻蚀去除，使悬梁及扭梁释放悬空。
c）测量
利用薄膜材料力学特性弯曲-扭转复合测量线路系统，对制作好的样品单元采用非接触式静电驱动-悬梁两端交替激励至谐振、悬梁两端同时激励弯曲变形，利用垂直扫描干涉对悬梁及扭梁薄膜结构进行谐振频率及原位变形的非接触静/动态的测量，将结果进行比对分析，结合ANSYS仿真，能够得到较为精确、全面的薄膜结构材料的力学性能特征参数。
本发明的有益效果：
⑴、利用准LIGA微加工技术的优势，得到具有对称性的测量样品单元，由于测量样品单元悬梁、扭转结构的存在，使得该测量结构同时能进行弯曲和扭转实验，从而实现对材料力学性能弯曲弹性模量、剪切弹性模量、屈服强度、断裂强度、疲劳损伤强度等多个特征参数、尤其是包括泊松比σ的测试与评价；
⑵、利用易于变形的弯曲方法以减小测量的相对误差，利用测试结构的对称性进一步减小测量误差，同时运用ANSYS仿真技术考虑空气环境的影响，进行原位、非接触式加载与测量以避免机械切割、试件夹持对中操作等的不利影响，通过采用多方面多角度的综合措施以保证测量的精确性。
附图说明
图1为本发明的待测量样品单元结构示意图；
图2为本发明的待测样品单元制作流程图；
图3为本发明的薄膜材料力学特性弯曲-扭转复合测量线路系统图。
具体实施方式
实施例
参阅附图1、图2及图3，本发明包括以下步骤：
a）设定待测量样品单元结构
在衬底1上设置呈“十”字形的悬梁6及扭梁7，悬梁6两端的上电极8和衬底1上的下电极9能够用于静电驱动，其中扭梁7的截面为倒“T”形；
b）样品单元的制作
第一步、以玻璃片作衬底1，用传统方法清洗和烘干衬底1；
第二步、在经第一步处理的衬底1上溅射Cr，作粘附层，再在粘附层上溅射Cu，作种子层，粘附层与种子层合为第一粘附-种子层2，第一粘附-种子层2的厚度为80nm，其中粘附层和种子层的厚度分别为20nm和60nm；
第三步、在第一粘附-种子层2上涂第一光刻胶3，用传统方法烘胶后，光刻下电极9及引线4的结构图形，第一光刻胶3的厚度是10μm；
第四步、在第三步得到的下电极9及引线4的结构图形上电镀下电极9及引线4，电镀的金属是铜，其厚度与第一光刻胶3的相同，剩余的第一光刻胶3充当牺牲层；
第五步、在第一光刻胶3和下电极9及引线4上涂第二光刻胶3’，用传统方法烘胶后，光刻支撑立柱5的结构图形，第二光刻胶3’的厚度是20μm；
第六步、在第五步得到的结构图形上电镀支撑立柱5，电镀的金属是铜，其厚度与第二光刻胶3’的相同，剩余的第二光刻胶3’充当牺牲层；
第七步、在第二光刻胶3’和支撑立柱5上溅射Cr，作粘附层，再在粘附层上溅射Cu，作种子层，粘附层和种子层合为第二粘附-种子层2’，第二粘附-种子层2’的厚度为80nm，其中粘附层和种子层的厚度分别为20nm和60nm；
第八步、在第二粘附-种子层2’上涂第三光刻胶3’’，第三光刻胶3’’的厚度是20μm，传统方法烘胶后，光刻上电极8、悬梁6及扭梁7的结构图形，在得到的结构图形上电镀上电极8、悬梁6及扭梁7，电镀的金属是待测量的镍薄膜材料；
重复一次第八步，将扭梁7做成截面为倒“T”形的结构；
第九步、将牺牲层材料刻蚀去除，使悬梁6及扭梁7释放悬空。
c）测量
利用薄膜材料力学特性弯曲-扭转复合测量线路系统，对制作好的样品单元采用非接触式静电驱动-悬梁两端交替激励至谐振、悬梁两端同时激励弯曲变形，利用垂直扫描干涉对悬梁及扭梁薄膜结构进行谐振频率及原位变形的非接触静/动态的测量，将结果进行比对分析，结合ANSYS仿真，得到镍薄膜材料的弯曲弹性模量、剪切弹性模量、屈服强度、断裂强度、疲劳损伤强度等多个力学特征参数以及该材料的泊松比σ。
本发明样品单元制作步骤中，电镀材料为铜、镍或坡莫合金，若待测量材料为不易电镀得到，如铝硅合金，则需要将上述制作步骤的第八步改为溅射工艺得到待测材料；如果待测量材料为不导电的，如氮化硅，则需要将上述制作步骤的第八步中的电镀成份用作导电层，再在其上溅射得到待测量的薄膜材料。
Claims (1)
1.一种用于MEMS的非硅薄膜力学特性复合测量方法，其特征在于该方法包括以下具体步骤：
a）设定待测量样品单元结构
在衬底（1）上设置呈“十”字形的悬梁（6）及扭梁（7），悬梁（6）两端的上电极（8）和衬底（1）上的下电极（9）能够用于静电驱动，其中扭梁（7）的截面为倒“T”形；
b）样品单元的制作
第一步、以玻璃片、硅片、氧化铝陶瓷片或表面平整的基片作衬底（1），用传统方法清洗和烘干衬底（1）；
第二步、在经第一步处理的衬底（1）上溅射Cr，作粘附层，再在粘附层上溅射Cu，作种子层，粘附层与种子层合为第一粘附-种子层（2），第一粘附-种子层（2）的厚度为80nm，其中粘附层厚度为20nm，种子层厚度为60nm；
第三步、在第一粘附-种子层（2）上涂第一光刻胶（3），用传统方法烘胶后光刻下电极（9）及引线（4）的结构图形，第一光刻胶（3）的厚度为1～30μm；
第四步、在第三步得到的下电极（9）及引线（4）的结构图形上电镀下电极（9）及引线（4），电镀的金属是金、铜、坡莫合金或镍，其厚度与第一光刻胶（3）相同，剩余的第一光刻胶（3）充当牺牲层；
第五步、在第一光刻胶（3）和下电极（9）及引线（4）上涂第二光刻胶（3’），用传统方法烘胶后，光刻支撑立柱（5）的结构图形，第二光刻胶（3’）的厚度为1～30μm；
第六步、第五步得到的结构图形上电镀支撑立柱（5），电镀的金属是金、铜、坡莫合金或镍，其厚度与第二光刻胶（3’）的相同，剩余的第二光刻胶（3’）充当牺牲层；
第七步、在第二光刻胶（3’）和支撑立柱（5）上溅射Cr，作粘附层，再在粘附层上溅射Cu，作种子层，粘附层和种子层合为第二粘附-种子层（2’），第二粘附-种子层（2’）的厚度为80nm，其中粘附层厚度为20nm，种子层的厚度为60nm；
第八步、 在第二粘附-种子层（2’）上涂第三光刻胶（3’’），第三光刻胶（3’’）的厚度是1～30μm，传统方法烘胶后，光刻上电极（8）、悬梁（6）及扭梁（7）的结构图形，在得到的结构图形上电镀电极（8）、悬梁（6）及扭梁（7），电镀的金属是待测量的薄膜材料；重复本步骤，使扭梁（7）截面为倒“T”形；
第九步、将牺牲层材料刻蚀去除，使悬梁（6）及扭梁（7）释放悬空；
c）测试
利用薄膜材料力学特性弯曲-扭转复合测量线路系统，对制作好的样品单元采用非接触式静电驱动-悬梁两端交替激励至谐振、悬梁两端同时激励弯曲变形，利用垂直扫描干涉对悬梁（6）及扭梁（7）薄膜结构进行谐振频率及原位变形的非接触静/动态的测量，将结果进行比对分析，结合ANSYS仿真，能够得到较为精确、全面的薄膜结构材料的力学性能特征参数。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011102803932A CN102374948A (zh) | 2011-09-21 | 2011-09-21 | 用于微电子机械系统的非硅薄膜力学特性复合测量方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011102803932A CN102374948A (zh) | 2011-09-21 | 2011-09-21 | 用于微电子机械系统的非硅薄膜力学特性复合测量方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102374948A true CN102374948A (zh) | 2012-03-14 |
Family
ID=45793870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2011102803932A Pending CN102374948A (zh) | 2011-09-21 | 2011-09-21 | 用于微电子机械系统的非硅薄膜力学特性复合测量方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102374948A (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103569951A (zh) * | 2013-10-11 | 2014-02-12 | 华东师范大学 | 一种制备非硅mems悬空膜结构的方法 |
| WO2018196466A1 (zh) * | 2017-04-28 | 2018-11-01 | 东南大学 | 多层复合薄膜结构的力学参数测量方法及装置 |
| CN113277463A (zh) * | 2021-05-14 | 2021-08-20 | 东南大学 | 一种基于载网结构的原位力学测试芯片及制备方法 |
| CN114062432A (zh) * | 2021-11-11 | 2022-02-18 | 河海大学 | 一种单晶硅结构层剪切模量在线测试结构及其测试方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1442686A (zh) * | 2003-04-15 | 2003-09-17 | 东南大学 | 微电子机械系统薄膜横向断裂强度在线测试结构 |
-
2011
- 2011-09-21 CN CN2011102803932A patent/CN102374948A/zh active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1442686A (zh) * | 2003-04-15 | 2003-09-17 | 东南大学 | 微电子机械系统薄膜横向断裂强度在线测试结构 |
Non-Patent Citations (5)
| Title |
|---|
| 姜政等: "扭梁悬臂梁支撑的扭摆式MEMS永磁双稳态机构", 《半导体学报》 * |
| 张永华等: "基于UV-LIGA技术的电磁型射频MEMS开关的集成制作", 《微细加工技术》 * |
| 李成诗等: "基于ANSYS悬臂式RFMEMS开关的力学模拟和疲劳分析", 《半导体技术》 * |
| 汤忠斌等: "MEMS材料力学性能的测试方法", 《机械强度》 * |
| 赵彩峰等: "基于光学干涉技术的MEMS薄膜泊松比在线测量方法研究", 《南京师范大学学报(工程技术版)》 * |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103569951A (zh) * | 2013-10-11 | 2014-02-12 | 华东师范大学 | 一种制备非硅mems悬空膜结构的方法 |
| WO2018196466A1 (zh) * | 2017-04-28 | 2018-11-01 | 东南大学 | 多层复合薄膜结构的力学参数测量方法及装置 |
| CN113277463A (zh) * | 2021-05-14 | 2021-08-20 | 东南大学 | 一种基于载网结构的原位力学测试芯片及制备方法 |
| CN113277463B (zh) * | 2021-05-14 | 2024-03-12 | 东南大学 | 一种基于载网结构的原位力学测试芯片及制备方法 |
| CN114062432A (zh) * | 2021-11-11 | 2022-02-18 | 河海大学 | 一种单晶硅结构层剪切模量在线测试结构及其测试方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Edwards et al. | Comparison of tensile and bulge tests for thin-film silicon nitride | |
| Kahn et al. | Electrostatically actuated failure of microfabricated polysilicon fracture mechanics specimens | |
| Sharpe Jr et al. | Fatigue testing of polysilicon––a review | |
| US20100057381A1 (en) | Imposing and determining stress in sub-micron samples | |
| CN102374948A (zh) | 用于微电子机械系统的非硅薄膜力学特性复合测量方法 | |
| Chen et al. | MEMS residual stress characterization: Methodology and perspective | |
| Bergers et al. | On-wafer time-dependent high reproducibility nano-force tensile testing | |
| Ashurst et al. | An investigation of sidewall adhesion in MEMS | |
| CN112113988A (zh) | 一种电子显微镜原位力学性能测试芯片及其制作方法 | |
| CN102980506B (zh) | 微悬臂梁接触粘附的临界接触长度和粘附力的测量结构 | |
| CN102944515B (zh) | 一种微机械系统中微悬臂梁粘附力的测量结构及测量方法 | |
| CN104729919B (zh) | 一种提取体硅工艺制造的微梁拉伸断裂强度的方法及系统 | |
| Lim et al. | A protocol for improving fabrication yield of thin SU-8 microcantilevers for use in an aptasensor | |
| Ozaki et al. | Biaxial flexure testing of free-standing thin film membrane with nanoindentation system | |
| CN105258788B (zh) | 一种用于高温条件下振动传感器起振元件及其制备方法 | |
| Lin et al. | Novel microtensile method for monotonic and cyclic testing of freestanding copper thin films | |
| Liu et al. | Low cycle fatigue of single crystal silicon thin films | |
| CN103604534A (zh) | 一种增强型偏转电容式表面微机械加工残余应力测试结构 | |
| CN113218982A (zh) | 一种原位力学测试芯片及其制备方法 | |
| Yuan et al. | Investigation on anchor and base design for aluminum nitride flexural mode resonators | |
| CN113218755B (zh) | 一种用于纳尺度薄膜双轴拉伸测试的系统及其制造方法 | |
| EP2118630A2 (en) | Imposing and determining stress in sub-micron samples | |
| CN113237734B (zh) | 一种高精度原位力学测试芯片及其制备方法 | |
| Zhang et al. | An electro-thermal SU-8 cantilever micro actuator based on bimorph effect | |
| Abbas | Design fabrication and calibration of MEMS actuators for in-situ materials testing |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20120314 |