CN102364875B - 一种双环反馈高线性度可变增益放大器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种双环反馈高线性度可变增益放大器，包括放大器、共集共基晶体管、反馈电阻和隔直电容。本发明设计一种双环反馈高线性度可变增益放大器利用新的双反馈结构实现高线性度中频可变增益，在功耗和电路复杂度不增加的情况下，可以获得极高的线性度性能，反之，在给定指标的应用中，本专利所述电路结构可以减低系统功耗，因此在节能降耗的社会发展趋势中具有十分广阔的应用前景。

Description

一种双环反馈高线性度可变增益放大器
技术领域
本发明涉及放大器技术领域，特别涉及一种双环反馈高线性度可变增益放大器。
背景技术
中频放大器作为增益调节单元广泛应用于各种通信系统中，在收发信机的接收链路中，中频放大器处于混频器与模数转换器之间，其输出信号幅度较大，信号容易失真，因此为了不影响系统性能，对中频放大器的线性度指标有着较高的要求。
发明内容
为此本发明设计一种双环反馈高线性度可变增益放大器利用新的双反馈结构实现高线性度中频可变增益，从而可大大提高放大器的线性度，为达到此目的，本发明提供一种双环反馈高线性度可变增益放大器，包括放大器、共集共基晶体管、反馈电阻和隔直电容，所述放大器包括第一放大器和第二放大器，所述第一放大器的正输入端为正极输入端，第一放大器的负输入端与连接节点A相连，第一放大器的输出端与第一共集共基晶体管的基极相连，所述第一共集共基晶体管的发射极连在第三连接电阻与连接节点A之间，第一共集共基晶体管的集电极与第三共集共基晶体管的发射极相连，所述第二放大器的负输入端为负极输入端，第二放大器的正输入端与连接节点B相连，第二放大器的输出端与第二共集共基晶体管的基极相连，所述第二共集共基晶体管的发射极连在第三连接电阻与连接节点B之间，第二共集共基晶体管的集电极与第四共集共基晶体管的发射极相连，所述第三共集共基晶体管的集电极与连接节点C相连，所述第四共集共基晶体管的集电极与连接节点D相连，所述连接节点A与连接节点D相连，连接节点A与连接节点D之间连有第一隔直电容和第一反馈电阻，所述连接节点B与连接节点C相连，连接节点B与连接节点C之间连有第二隔直电容和第二反馈电阻，所述第三共集共基晶体管连接节点C与第四共集共基晶体管连接节点D相连。
作为本发明的另一种改进，所述第三共集共基晶体管连接节点C与第四共集共基晶体管连接节点D之间连有保护电阻，通过保护电阻对电路起保护。
本发明设计一种双环反馈高线性度可变增益放大器利用新的双反馈结构实现高线性度中频可变增益，在功耗和电路复杂度不增加的情况下，可以获得极高的线性度性能，反之，在给定指标的应用中，本专利所述电路结构可以减低系统功耗，因此在节能降耗的社会发展趋势中具有十分广阔的应用前景。
附图说明
图1为本发明结构框图；
图中的构件为：
1-1、第一放大器；1-2、第二放大器；
2-1、第一共集共基晶体管；2-2、第二共集共基晶体管；
2-3、第三共集共基晶体管；2-4、第四共集共基晶体管；
3-1、第一隔直电容；3-2、第二隔直电容；
4-1、第一反馈电阻；4-2、第二反馈电阻；
4-3、第三连接电阻；5、保护电阻；
具体实施方式
以下结合附图和实施例对发明做详细的说明：
本发明设计一种双环反馈高线性度可变增益放大器利用新的双反馈结构实现高线性度中频可变增益，从而可大大提高放大器的线性度。
作为本专利一种具体实施例本发明提供实现框图如图1所示一种双环反馈高线性度可变增益放大器，包括放大器、共集共基晶体管、反馈电阻和隔直电容，所述放大器包括第一放大器1和第二放大器2，所述第一放大器1的正输入端为正极输入端，第一放大器1的负输入端与连接节点A相连，第一放大器1的输出端与第一共集共基晶体管2-1的基极相连，所述第一共集共基晶体管2-1的发射极连在第三连接电阻4-3与连接节点A之间，第一共集共基晶体管2-1的集电极与第三共集共基晶体管2-3的发射极相连，所述第二放大器2的负输入端为负极输入端，第二放大器2的正输入端与连接节点B相连，第二放大器2的输出端与第二共集共基晶体管2-2的基极相连，所述第二共集共基晶体管2-2的发射极连在第三连接电阻4-3与连接节点B之间，第二共集共基晶体管2-2的集电极与第四共集共基晶体管2-4的发射极相连，所述第三共集共基晶体管2-3的集电极与连接节点C相连，所述第四共集共基晶体管2-4的集电极与连接节点D相连，所述连接节点A与连接节点D相连，连接节点A与连接节点D之间连有第一隔直电容3-1和第一反馈电阻4-1，所述连接节点B与连接节点C相连，连接节点B与连接节点C之间连有第二隔直电容3-2和第二反馈电阻4-2，所述第三共集共基晶体管2-3连接节点C与第四共集共基晶体管2-4连接节点D相连，所述第三共集共基晶体管2-3连接节点C与第四共集共基晶体管2-4连接节点D之间连有保护电阻5，通过保护电阻5对电路起保护。
在本文中提出了一种新的双反馈结构实现高线性度中频可变增益放大器，包括两个反馈电路，由第一放大器1-1和第一共集共基晶体管2-1组成反馈环路一，由差分输出信号经由第一隔直电容3-1和第一反馈电阻4-1、第二隔直电容3-2和第二反馈电阻4-2分别进入节点A、B，形成反馈环路二。其中反馈环路一能将输入信号转换为电流输出，由于该环路具有极高的带宽，因此可以极大的减小输出电流的失真，该输出电流再经四个共集共基晶体管在放大器的输出端再次转换成电压，完成信号放大的功能；而反馈环路二则在进一步改善放大器的线性度的同时使放大器的差分输出阻抗值稳定为Rf，Rf为第一反馈电阻4-1与第二反馈电阻4-2的阻值。本发明正是这样利用新的双反馈结构实现高线性度中频可变增益，在功耗和电路复杂度不增加的情况下，可以获得极高的线性度性能，由于在给定指标的应用中，本专利所述电路结构可以减低系统功耗，因此在节能降耗的社会发展趋势中具有十分广阔的应用前景。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非是对本发明作任何其他形式的限制，而依据本发明的技术实质所作的任何修改或等同变化，仍属于本发明所要求保护的范围。

Claims (2)

1.一种双环反馈高线性度可变增益放大器，包括放大器、共集共基晶体管、反馈电阻和隔直电容，其特征在于：所述放大器包括第一放大器（1）和第二放大器（2），所述第一放大器（1）的正输入端为正极输入端，第一放大器（1）的负输入端与连接节点A相连，第一放大器（1）的输出端与第一共集共基晶体管（2-1）的基极相连，所述第一共集共基晶体管（2-1）的发射极连在第三连接电阻（4-3）与连接节点A之间，第一共集共基晶体管（2-1）的集电极与第三共集共基晶体管（2-3）的发射极相连，所述第二放大器（2）的负输入端为负极输入端，第二放大器（2）的正输入端与连接节点B相连，第二放大器（2）的输出端与第二共集共基晶体管（2-2）的基极相连，所述第二共集共基晶体管（2-2）的发射极连在第三连接电阻（4-3）与连接节点B之间，第二共集共基晶体管（2-2）的集电极与第四共集共基晶体管（2-4）的发射极相连，所述第三共集共基晶体管（2-3）的集电极与连接节点C相连，所述第四共集共基晶体管（2-4）的集电极与连接节点D相连，所述连接节点A与连接节点D相连，连接节点A与连接节点D之间连有第一隔直电容（3-1）和第一反馈电阻（4-1），所述连接节点B与连接节点C相连，连接节点B与连接节点C之间连有第二隔直电容（3-2）和第二反馈电阻（4-2），所述第三共集共基晶体管（2-3）连接节点C与第四共集共基晶体管（2-4）连接节点D相连。
2.根据权利要求1所述的一种双环反馈高线性度可变增益放大器，其特征在于：所述第三共集共基晶体管（2-3）连接节点C与第四共集共基晶体管（2-4）连接节点D之间连有保护电阻（5）。
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