CN102364450A - 一种NandFlash物理地址和逻辑地址映射的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种NandFlash物理地址和逻辑地址映射的方法，属于一种微电子技术，其具体步骤为在系统发出写操作指令之后，寻找PageMapping表，写入数据时，如果Block写满后，系统会分配一个空Block来进行写操作，写满的Block改为BlockMapping，释放掉原来的PageMapping表，更新为现在的PageMapping，重复上面的操作直到写操作完成。该一种NandFlash物理地址和逻辑地址映射的方法和现有技术相比，充分发挥两种Mapping的优势和避免劣势，极大提高NandFlash的使用价值。
Description
技术领域
本发明涉及一种微电子技术领域，具体地说是一种NandFlash物理地址和逻辑地址映射的方法。
背景技术
Nand-flash内存是flash内存的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有自身重量轻、抗振动、抗电磁辐射并且成本低廉、容量较大、改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，并逐步占领存储市场。近年来固态硬盘SSD的推出，更进一步提高了NandFlash在市场上的份额。
而NandFlash自身的工艺特点，使得它具有必需以Block为单位的擦除操作和以Page为单位的写操作，因此NandFlash会有Block Mapping（块映射）和Page Mapping（页映射）两种逻辑地址与物理地址映射的方法。Block Mapping占用存储空间小，但会造成NandFlash的使用浪费；Page Mapping可以有效地利用NandFlash的存储资源，但其Mapping表会占用大量的系统内存。如何发挥两种Mapping的优势和避免劣势，能极大提高NandFlash的使用价值，成为当今微电子技术的一大难题。
发明内容
本发明的技术任务是针对在现有技术的不足，提供一种NandFlash物理地址和逻辑地址映射的方法。
本发明的技术方案是按以下方式实现的，该一种NandFlash物理地址和逻辑地址映射的方法，其具体的实现方法如下：
步骤一、首先由系统发出写操作指令；
步骤二、指令发出后，系统寻找Page Mapping表，如果表格空，则系统分配一个空Block来进行写操作，并进行Page Mapping，如果表内有信息，则系统根据信息，按顺序写入数据，并进行Page Mapping；
步骤三、在写入数据时，如果Block写满，即数据超过Block大小，系统会分配一个空Block来进行写操作，并且将写满的Block改为Block Mapping，释放掉原来的Page Mapping表，更新为现在的Page Mapping；
步骤四、重复上述操作，直至写操作完成。
上述步骤二的按顺序写入数据时为按Page顺序向下写入数据。
所述Page Mapping的数量随实际需求调整。
所述的实际需求是指以NandFlash为存储介质的设备的实际需求。
本发明与现有技术相比所产生的有益效果是：
本发明的一种NandFlash物理地址和逻辑地址映射的方法能够将块映射Block Mapping和页映射Page Mapping有效结合，根据以NandFlash为存储介质的设备的实际需求，而灵活调整Page Mapping的多少，从而达到减少芯片上内存或系统内存的大小、有效合理的使用NandFlash并且提高NandFlash使用寿命。
附图说明
附图1是本发明所述方法的流程图。
具体实施方式
为将块映射Block Mapping和页映射Page Mapping有效结合，下面结合附图对本发明所提供的一种NandFlash物理地址和逻辑地址映射的方法作以下详细说明。
如附图1所示，现提供一种NandFlash物理地址和逻辑地址映射的方法，其具体的实现方法如下：
步骤一、首先由系统发出写操作指令；
步骤二、指令发出后，系统寻找Page Mapping表，如果表格空，则系统分配一个空Block来进行写操作，并进行Page Mapping，如果表内有信息，则系统根据信息，按顺序写入数据，并进行Page Mapping；
步骤三、在写入数据时，如果Block写满，即数据超过Block大小，系统会分配一个空Block来进行写操作，并且将写满的Block改为Block Mapping，释放掉原来的Page Mapping表，更新为现在的Page Mapping；
步骤四、重复上述操作，直至写操作完成。
上述步骤二的按顺序写入数据时为按Page顺序向下写入数据，不能跨Page写，因此，将Block Mapping和Page Mapping相结合，只有正在执行写操作的Block使用Page Mapping，而写满的Block和空Block则为Block Mapping。
所述Page Mapping的数量随实际需求调整，比如固态硬盘SSD会采用多通道多片选的结构，则采用Page Mapping的Block可以根据通道数和每个通道上的片选数而改变，如每个通道的片选均有1个Block采用Page Mapping。
所述的实际需求是指以NandFlash为存储介质的设备的实际需求。
本发明的一种NandFlash物理地址和逻辑地址映射的方法能够将块映射Block Mapping和页映射Page Mapping有效结合，发挥两种Mapping的优势和避免劣势，极大提高NandFlash的使用价值，具有很好的推广使用价值。
Claims (4)
1.一种NandFlash物理地址和逻辑地址映射的方法，其特征在于其具体的实现方法如下：
步骤一、首先由系统发出写操作指令；
步骤二、指令发出后，系统寻找Page Mapping表，如果表格空，则系统分配一个空Block来进行写操作，并进行Page Mapping，如果表内有信息，则系统根据信息，按顺序写入数据，并进行Page Mapping；
步骤三、在写入数据时，如果Block写满，即数据超过Block大小，系统会分配一个空Block来进行写操作，并且将写满的Block改为Block Mapping，释放掉原来的Page Mapping表，更新为现在的Page Mapping；
步骤四、重复上述操作，直至写操作完成。
2.根据权利要求1所述的一种NandFlash物理地址和逻辑地址映射的方法，其特征在于上述步骤二的按顺序写入数据时为按Page顺序向下写入数据。
3.根据权利要求1所述的一种NandFlash物理地址和逻辑地址映射的方法，其特征在于所述Page Mapping的数量随实际需求调整。
4.根据权利要求3所述的一种NandFlash物理地址和逻辑地址映射的方法，其特征在于所述的实际需求是指以NandFlash为存储介质的设备的实际需求。
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