CN102306271B - 基于磁共振防伪材料的识别系统 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 198
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 176
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 22
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 18
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 claims description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 47
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 45
- 235000002639 sodium chloride Nutrition 0.000 description 36
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 33
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 24
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 24
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 24
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 24
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 21
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 19
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 18
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 18
- 238000004435 EPR spectroscopy Methods 0.000 description 16
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 16
- GVPFVAHMJGGAJG-UHFFFAOYSA-L cobalt dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Co+2] GVPFVAHMJGGAJG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 15
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 15
- -1 terbium ion Chemical class 0.000 description 15
- HJTAZXHBEBIQQX-UHFFFAOYSA-N 1,5-bis(chloromethyl)naphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(CCl)=CC=CC2=C1CCl HJTAZXHBEBIQQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- OUCSIUCEQVCDEL-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-tribromophenol Chemical compound OC1=CC=C(Br)C(Br)=C1Br OUCSIUCEQVCDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 12
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000003876 NQR spectroscopy Methods 0.000 description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 12
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 12
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- GOLCXWYRSKYTSP-UHFFFAOYSA-N arsenic trioxide Inorganic materials O1[As]2O[As]1O2 GOLCXWYRSKYTSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- KQHXBDOEECKORE-UHFFFAOYSA-L beryllium sulfate Chemical compound [Be+2].[O-]S([O-])(=O)=O KQHXBDOEECKORE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 12
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 12
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 12
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 12
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 12
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 12
- IPJKJLXEVHOKSE-UHFFFAOYSA-L manganese dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mn+2] IPJKJLXEVHOKSE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 12
- NALMPLUMOWIVJC-UHFFFAOYSA-N n,n,4-trimethylbenzeneamine oxide Chemical compound CC1=CC=C([N+](C)(C)[O-])C=C1 NALMPLUMOWIVJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 12
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 12
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 12
- 239000011697 sodium iodate Substances 0.000 description 12
- 235000015281 sodium iodate Nutrition 0.000 description 12
- 229940032753 sodium iodate Drugs 0.000 description 12
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 12
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 11
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 6
- VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N Fe3+ Chemical compound [Fe+3] VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WAEMQWOKJMHJLA-UHFFFAOYSA-N Manganese(2+) Chemical compound [Mn+2] WAEMQWOKJMHJLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 6
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 6
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 6
- YZYDPPZYDIRSJT-UHFFFAOYSA-K boron phosphate Chemical compound [B+3].[O-]P([O-])([O-])=O YZYDPPZYDIRSJT-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 6
- 229910000149 boron phosphate Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910001430 chromium ion Inorganic materials 0.000 description 6
- GRWVQDDAKZFPFI-UHFFFAOYSA-H chromium(III) sulfate Chemical compound [Cr+3].[Cr+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O GRWVQDDAKZFPFI-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 6
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 6
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- AGZFLONEGJYOST-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(dioxo)manganese oxalonitrile Chemical compound [Mn](=O)(=O)([O-])[O-].[K+].N#CC#N.[K+] AGZFLONEGJYOST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YBYGDBANBWOYIF-UHFFFAOYSA-N erbium(3+);trinitrate Chemical compound [Er+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O YBYGDBANBWOYIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001447 ferric ion Inorganic materials 0.000 description 6
- 229940075613 gadolinium oxide Drugs 0.000 description 6
- 229910001938 gadolinium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- RJOJUSXNYCILHH-UHFFFAOYSA-N gadolinium(3+) Chemical compound [Gd+3] RJOJUSXNYCILHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N gadolinium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Gd+3].[Gd+3] CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 6
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 6
- 229910000358 iron sulfate Inorganic materials 0.000 description 6
- BAUYGSIQEAFULO-UHFFFAOYSA-L iron(2+) sulfate (anhydrous) Chemical compound [Fe+2].[O-]S([O-])(=O)=O BAUYGSIQEAFULO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 229910001437 manganese ion Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 6
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 6
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 230000005311 nuclear magnetism Effects 0.000 description 4
- OBYUWBOIIKWGJI-UHFFFAOYSA-N [P].O[N+]([O-])=O Chemical compound [P].O[N+]([O-])=O OBYUWBOIIKWGJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- RXPAJWPEYBDXOG-UHFFFAOYSA-N hydron;methyl 4-methoxypyridine-2-carboxylate;chloride Chemical compound Cl.COC(=O)C1=CC(OC)=CC=N1 RXPAJWPEYBDXOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MTRJKZUDDJZTLA-UHFFFAOYSA-N iron yttrium Chemical compound [Fe].[Y] MTRJKZUDDJZTLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021644 lanthanide ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005298 paramagnetic effect Effects 0.000 description 3
- 239000004317 sodium nitrate Substances 0.000 description 3
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 description 3
- 239000001488 sodium phosphate Substances 0.000 description 3
- 229910000162 sodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 229910001428 transition metal ion Inorganic materials 0.000 description 3
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 125000002221 trityl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C([*])(C1=C(C(=C(C(=C1[H])[H])[H])[H])[H])C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000005329 antiferromagnetic resonance Effects 0.000 description 1
- 230000002301 combined effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005293 ferrimagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000005350 ferromagnetic resonance Effects 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005426 magnetic field effect Effects 0.000 description 1
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 238000004451 qualitative analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
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- Inspection Of Paper Currency And Valuable Securities (AREA)
- Medicines Containing Antibodies Or Antigens For Use As Internal Diagnostic Agents (AREA)
Abstract
本发明涉及基于磁共振防伪材料的识别系统。本发明包括有微处理器单元、频率生成单元、调制单元、功率放大单元、天线、解调单元、信号处理单元和模数转换单元。这样,采用磁共振防伪材料具有独特的配方,可以嵌入到纸张、油墨等物品,基于磁共振原理的本发明的识别设备向磁共振防伪材料发射激励电磁波,磁共振防伪材料响应激励产生相应的电磁信号,本发明识别设备接收到上述信号,进行数据处理,从而判断是否存在磁共振防伪材料,给出真伪鉴别结果。
Description
技术领域
本发明涉及防伪识别的技术领域,尤其涉及一种基于磁共振防伪材料的识别系统。
背景技术
目前,作为防伪识别的防伪技术充分应用到有价证券、票据、名优、商标、发票、磁卡等领域,但是,现在通用的是采用荧光油墨防伪,或电子芯片防伪,现有电子芯片防伪技术采用的电子设备和电子编码都存在破解的可能性,这样的话,这个防伪就失去了时间上的长久性和稳定性;而荧光油墨防伪容易由于其材料较易制的,从而容易被复制,该防伪措施也失去了作用。有鉴于此,如何提供一种更为可靠的新型防伪材料识别设备来进行防伪识别成为有待解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的就是针对现有技术的不足之处而提供的基于磁共振防伪材料的识别系统。
为达到上述目的,本发明的技术方案是:基于磁共振防伪材料的识别系统,其特征在于:所述基于磁共振防伪材料的识别系统由磁共振防伪材料、磁共振防伪识别设备组成;通过所述的磁共振防伪识别设备向包含磁共振防伪材料的物品发射特定频率的电磁场信号,所述电磁场信号激活磁共振防伪材料的原子以提供磁共振信号响应;磁共振防伪材料的原子反射相应的磁共振电磁信号;所述磁共振防伪识别设备接收磁共振电磁信号并鉴别是否是对应的专属磁共振防伪材料,从而判断真伪。
所述磁共振防伪材料是用核磁共振技术探测的材料,即:核自旋或核磁矩不为零的元素或被测的原子核的自旋量子数不为零的元素。
所述材料包括:含有氢1H、碳13C、氮14N、磷31P、钠23Na、铝27Al、氯35Cl、钾39K、锰55Mn、铁57Fe、钴59Co、砷75As、金79Au、溴81Br、碘127I元素的一种或多种物质。
所述材料进一步包括:水、碳酸钠、氮14N、硝酸磷,磷酸钠、氯化钠、硫酸钠、氯化铝、氯化钾KCl、硫酸钾、氢氧化锰Mn(OH)2、氯化铁、氯化钴、三氧化二砷、三溴苯酚、碘酸钠的一种或多种物质。
或,所述磁共振防伪材料是用核四极矩共振NQR探测的材料,即:含有非零核四极矩元素的材料。
所述探测材料包括:含有锂7Li、铍9Be、硼11B、氮14N、钠23Na、铝27Al、氯35Cl、钾39K、锰55Mn、铁57Fe、钴59Co、砷75As、金79Au、溴81Br、碘127I、铋209Bi元素的一种或多种物质。
所述探测材料进一步包括:含有含锂水盐LiCL??Li2SO4??H2O、硫酸铍BeSO4、磷酸硼、硝酸钠、氯化钠、硫酸钠、氯化铝、氯化钾、硫酸钾、氢氧化锰、锰、铁、钴、氯化铁、氯化钴、三氧化二砷、三溴苯酚、碘酸钠、硝酸铋Bi(NO3)3·5H2O的一种或多种物质。
或,所述磁共振防伪材料是用自旋回波核磁共振探测的材料,即:核自旋和核磁矩不为零的元素。
所述探测材料包括:含有氢1H、碳13C、氮14N、磷31P、钠23Na、铝27Al、氯35Cl、钾39K、锰55Mn、铁57Fe、钴59Co、砷75As、金79Au、溴81Br、碘127I元素的一种或多种物质。
所述探测材料进一步包括:水、碳酸钠、硝酸、磷酸、氯化钠、硫酸钠、氯化铝、氯化钾KCl、氯化钾、硫酸钾、氢氧化锰Mn(OH)2、氯化铁、氯化钴、三氧化二砷、三溴苯酚、碘酸钠、钇铝石榴石、钇铁石榴石的一种或多种物质。
或,所述磁共振防伪材料是用电子顺磁共振EPR或电子自旋共振ESR探测的材料,即:选用过渡金属离子或其无机盐或其配伍化合物;镧系离子或其无机盐或其配伍化合物;含有不成对电子或顺磁性的有机分子的一种或数种。
所述探测的材料包括:含有铜离子CU2+、锰离子Mn2+、铁离子Fe3+、铬离子Cr3+、钆离子Gd3+、铽离子Tb3+、铒离子Er3+的材料。
所述探测的材料进一步包括:硫酸铜,氯化铜、氰锰酸钾K4[Mn(CN)6]、硫酸铁,氯化铁、硫酸铬Cr2(SO4)3、氧化钆,硝酸铒、萘、三苯甲基、硝基氢的一种或数种物质。
或、所述磁共振防伪材料是用序磁共振探测的材料,即:含有非零核磁元素的材料,所述材料具体包括:含有铁Fe、钴Co、镍Ni元素材料的一种或数种物质。
所述探测的材料进一步包括:含有氯化铁、钇—镧石榴石型铁氧体、氯化钴、砷化镍材料的一种或数种物质。
或,所述磁共振防伪材料是用磁双共振探测的材料,即:用相互影响的电子顺磁共振和核四极矩共振探测的材料。
所述探测的材料包括:含有锂7Li、铍9Be、硼11B、氮14N、钠23Na、铝27Al、氯35Cl、钾39K、锰55Mn、铁57Fe、钴59Co、砷75As、金79Au、溴81Br、碘127I、铋209Bi、铜离子CU2+、锰离子Mn2+、铁离子Fe3+、铬离子Cr3+、钆离子Gd3+、铽离子Tb3+、铒离子Er3+元素材料的一种或数种物质。
所述探测的材料进一步包括:含有含锂水盐LiCL??Li2SO4??H2O、硫酸铍BeSO4、磷酸硼、硝酸、氯化钠、硫酸钠、氯化铝、氯化钾KCl、氯化钾、硫酸钾、氢氧化锰Mn(OH)2、氯化铁、氯化钴、三氧化二砷、三溴苯酚、碘酸钠、硫酸铜,氯化铜、氰锰酸钾K4[Mn(CN)6]、硫酸铁,氯化铁、硫酸铬Cr2(SO4)3、氧化钆,硝酸铒的一种或数种物质。
所述磁共振防伪识别设备包括有天线、射频发射电路、射频接收电路及微处理器单元,微处理器单元控制射频发射电路通过天线向磁共振防伪材料的物品发射特定频率的电磁场信号,所述电磁场信号激活磁共振防伪材料的原子以提供磁共振信号响应;磁共振防伪材料的原子反射相应的磁共振电磁信号;所述射频接收电路通过天线接收磁共振电磁信号送达微处理器单元鉴别是否是对应的专属标签。
所述射频发射电路由频率生成单元、调制单元、功率放大单元组成,所述射频接收电路由解调单元、信号处理单元和模数转换单元组成,微处理器单元传送第一控制信号到频率生成单元使频率生成单元产生设定频率的基准电磁波,频率生成单元将基准电磁波传送到调制单元,微处理器单元将磁共振防伪材料数字信号传送到调制单元,磁共振防伪材料数字信号与基准电磁波进行混频后调制成为磁共振射频信号,调制单元将磁共振射频信号传送到功率放大单元,功率放大单元将磁共振射频信号功率放大后传送到天线,天线将功率放大后的磁共振射频信号发射到磁共振防伪材料;天线接收磁共振防伪材料并响应磁共振射频信号,产生磁共振后传回电磁模拟信号,天线将电磁模拟信号传送到解调单元解调成为低频电磁模拟信号,解调单元将低频电磁模拟信号传送到信号处理单元,信号处理单元将低频电磁模拟信号处理进行信号放大后传送到模数转换单元,模数转换单元将放大后的低频电磁模拟信号转换成数字信号传送到微处理器单元,微处理器单元根据接收到的数字信号进行鉴别是否是对应的专属磁共振防伪材料。
所述频率生成单元包括有频率生成芯片和晶振芯片,晶振芯片的输出端连接到频率生成芯片中的一输入端用来给频率生成芯片提供一个基本频率信号。
所述解调单元由放大器芯片、连接电容和解调芯片依次连接而成。
所述信号处理单元包括有两个运算放大器,解调后的信号进入第一运算放大器的第一输入端,第一运算放大器的输出端将放大信号通过第一电阻后反馈到第一运算放大器的第二输入端,第一运算放大器的第二输入端与第二电阻、第一电容依次连接后接地;第一运算放大器的输出端通过第三电阻、第四电阻后连接到第二运算放大器的第一输入端,第二运算放大器的第一输入端通过第二电容接地,第二运算放大器的输出端反馈连接到第二运算放大器的第二输入端,第二运算放大器的第二输入端通过第三电容连接到第三电阻和第四电阻之间。
所述功率放大单元主要包括有射频场效应管,其中,调制后的信号一路通过第三电容接地,调制后的信号另一路通过第五电阻、第四电容后连接到射频场效应管的栅极,射频场效应管的栅极还通过第五电容接地,射频场效应管的源极接地,射频场效应管的漏极一路通过第六电阻连接电源,射频场效应管的漏极另一路通过第六电容连接天线。
采用上述结构后,本发明设备工作时,通过微处理器单元向频率生成单元输出控制信号,控制频率生成单元生成设定频率的基准电磁波。微处理器单元将数字信号发送到调制单元,与频率生成单元提供的基准电磁波进行混频,调制成为射频信号,经过功率放大后通过天线发射到被检测物品,被检测物品上的磁共振防伪材料被该信号激励,产生相应的电磁波信号被天线接收,并返回到解调单元解调成为低频信号后进入信号处理单元进行信号放大,在由模数转换单元将放大后的低频电磁模拟信号转换成数字信号传送到微处理器单元,微处理器单元根据接收到的数字信号进行计算,从而判断返回的电磁波是否载有应有数据,从而鉴别被测物品是否嵌有磁共振防伪材料。而本发明的设备利用了微处理器单元将磁共振的数字信号基准电磁波进行混频,形成磁共振的射频波使磁共振防伪材料受到激励共振并反射回电磁波,这是与通常的射频设备不一样的地方。因此,本发明与现有技术相比,磁共振防伪材料可以嵌入各种物品,所以应用领域广泛。而且可以掺入各种干扰材料,使成分分析极其复杂,不易破解。本发明设备鉴别真伪依靠的是电磁波射频信号,而不是简单的电子信号,不易破解,可以长期稳定使用。
附图说明
图1是本发明原理流程图。
图2是本发明实施例工作流程图。
图3是本发明电路原理图。
图4是本发明电路原理图中的信号处理单元电路图。
图5是本发明电路原理图中的功率放大单元电路图。
具体实施方式
如图1至图5所示,本发明的磁共振防伪识别设备,一种基于磁共振防伪材料的识别系统,所述基于磁共振防伪材料的识别系统由磁共振防伪材料、磁共振防伪识别设备组成;用磁共振防伪材料制成的磁共振防伪标识90,通过所述的磁共振防伪识别设备向包含磁共振防伪标识90的物品发射特定频率的电磁场信号,所述电磁场信号激活磁共振防伪标识中磁共振防伪材料的原子以提供磁共振信号响应;磁共振防伪标识90中磁共振防伪材料的原子反射相应的磁共振电磁信号;所述磁共振防伪识别设备接收磁共振电磁信号并鉴别是否是对应的专属标签,从而判断产品之真伪。
所述磁共振防伪材料是用核磁共振技术探测的材料,即:核自旋或核磁矩不为零的元素或被测的原子核的自旋量子数不为零的元素。
所述材料包括:含有氢1H、碳13C、氮14N、磷31P、钠23Na、铝27Al、氯35Cl、钾39K、锰55Mn、铁57Fe、钴59Co、砷75As、金79Au、溴81Br、碘127I元素的一种或多种物质。
所述材料进一步包括:水、碳酸钠、氮14N、硝酸磷,磷酸钠、氯化钠、硫酸钠、氯化铝、氯化钾KCl、硫酸钾、氢氧化锰Mn(OH)2、氯化铁、氯化钴、三氧化二砷、三溴苯酚、碘酸钠的一种或多种物质。
或,所述磁共振防伪材料是用核四极矩共振NQR探测的材料,即:含有非零核四极矩元素的材料。
所述探测材料包括:含有锂7Li、铍9Be、硼11B、氮14N、钠23Na、铝27Al、氯35Cl、钾39K、锰55Mn、铁57Fe、钴59Co、砷75As、金79Au、溴81Br、碘127I、铋209Bi元素的一种或多种物质。
所述探测材料进一步包括:含有含锂水盐LiCL??Li2SO4??H2O、硫酸铍BeSO4、磷酸硼、硝酸钠、氯化钠、硫酸钠、氯化铝、氯化钾、硫酸钾、氢氧化锰、氯化铁、氯化钴、三氧化二砷、三溴苯酚、碘酸钠、硝酸铋Bi(NO3)3·5H2O的一种或多种物质。
或,所述磁共振防伪材料是用自旋回波核磁共振探测的材料,即:核自旋和核磁矩不为零的元素。
所述探测材料包括:含有氢1H、碳13C、氮14N、磷31P、钠23Na、铝27Al、氯35Cl、钾39K、锰55Mn、铁57Fe、钴59Co、砷75As、金79Au、溴81Br、碘127I元素的一种或多种物质。
所述探测材料进一步包括:水、碳酸钠、硝酸、磷酸、氯化钠、硫酸钠、氯化铝、氯化钾KCl、氯化钾、硫酸钾、氢氧化锰Mn(OH)2、氯化铁、氯化钴、三氧化二砷、三溴苯酚、碘酸钠、钇铝石榴石、钇铁石榴石的一种或多种物质。
或,所述磁共振防伪材料是用电子顺磁共振EPR或电子自旋共振ESR探测的材料,即:选用过渡金属离子或其无机盐或其配伍化合物;镧系离子或其无机盐或其配伍化合物;含有不成对电子或顺磁性的有机分子的一种或数种。
所述探测的材料包括:含有铜离子CU2+、锰离子Mn2+、铁离子Fe3+、铬离子Cr3+、钆离子Gd3+、铽离子Tb3+、铒离子Er3+的材料。
所述探测的材料进一步包括:硫酸铜,氯化铜、氰锰酸钾K4[Mn(CN)6]、硫酸铁,氯化铁、硫酸铬Cr2(SO4)3、氧化钆,硝酸铒、萘、三苯甲基、硝基氢的一种或数种物质。
或、所述磁共振防伪材料是用序磁共振探测的材料,即:含有非零核磁元素的材料,所述材料具体包括:含有铁Fe、钴Co、镍Ni元素材料的一种或数种物质。
所述探测的材料进一步包括:含有氯化铁、钇—镧石榴石型铁氧体、氯化钴、砷化镍材料的一种或数种物质。
或,所述磁共振防伪材料是用磁双共振探测的材料,即:用相互影响的电子顺磁共振和核四极矩共振探测的材料。
所述探测的材料包括:含有锂7Li、铍9Be、硼11B、氮14N、钠23Na、铝27Al、氯35Cl、钾39K、锰55Mn、铁57Fe、钴59Co、砷75As、金79Au、溴81Br、碘127I、铋209Bi、铜离子CU2+、锰离子Mn2+、铁离子Fe3+、铬离子Cr3+、钆离子Gd3+、铽离子Tb3+、铒离子Er3+元素材料的一种或数种物质。
所述探测的材料进一步包括:含有含锂水盐LiCL??Li2SO4??H2O、硫酸铍BeSO4、磷酸硼、硝酸、氯化钠、硫酸钠、氯化铝、氯化钾KCl、氯化钾、硫酸钾、氢氧化锰Mn(OH)2、锰、铁、钴、氯化铁、氯化钴、三氧化二砷、三溴苯酚、碘酸钠、硫酸铜,氯化铜、氰锰酸钾K4[Mn(CN)6]、硫酸铁,氯化铁、硫酸铬Cr2(SO4)3、氧化钆,硝酸铒的一种或数种物质。
所述磁共振防伪识别设备包括有天线50、射频发射电路a、射频接收电路b及微处理器单元10,微处理器单元10控制射频发射电路a通过天线50向包含磁共振防伪标识90的物品发射150M Hz或500M Hz或900M Hz的电磁场信号,所述电磁场信号激活磁共振防伪标识90中磁共振防伪材料的原子以提供磁共振信号响应;磁共振防伪标识90中磁共振防伪材料的原子反射相应的磁共振电磁信号;所述射频接收电路b通过天线50接收磁共振电磁信号送达微处理器单元10鉴别是否是对应的专属磁共振防伪材料。
所述射频发射电路a由频率生成单元20、调制单元30、功率放大单元40组成,所述射频接收电路b由解调单元60、信号处理单元70和模数转换单元80组成,微处理器单元10传送第一控制信号到频率生成单元20使频率生成单元20生成设定频率的基准电磁波,频率生成单元20将基准电磁波传送到调制单元60,微处理器单元10将预先储存的磁共振防伪材料数字信号传送到调制单元60,预先储存的磁共振防伪材料数字信号与基准电磁波进行混频后调制成为磁共振射频信号,调制单元60将磁共振射频信号传送到功率放大单元40,功率放大单元40将磁共振射频信号功率放大后传送到天线50,天线50将功率放大后的磁共振射频信号发射到磁共振防伪标识90;天线50接收磁共振防伪标识90响应磁共振射频信号产生磁共振后发射出的电磁返回模拟信号,天线50将电磁返回模拟信号传送到解调单元60解调成为低频电磁模拟信号,解调单元60将低频电磁模拟信号传送到信号处理单元70,信号处理单元70将低频电磁模拟信号处理进行信号放大后传送到模数转换单元80,模数转换单元80将放大后的低频电磁模拟信号转换成数字信号传送到微处理器单元10,微处理器单元10根据接收到的数字信号进行鉴别是否是对应的专属磁共振防伪标识。
所述频率生成单元20包括有频率生成芯片21和晶振芯片22,晶振芯片22的输出端连接到频率生成芯片21中的一输入端用来给频率生成芯片21提供一个基本频率信号。
所述解调单元30由放大器芯片31、连接电容32和解调芯片33依次连接而成。
如图3所示,所述信号处理单元70包括有两个运算放大器,解调后的信号进入第一运算放大器71的第一输入端,第一运算放大器71的输出端将放大信号通过第一电阻72后反馈到第一运算放大器71的第二输入端,第一运算放大器71的第二输入端与第二电阻73、第一电容74依次连接后接地;第一运算放大器71的输出端通过第三电阻75、第四电阻76后连接到第二运算放大器77的第一输入端,第二运算放大器77的第一输入端通过第二电容78接地,第二运算放大器77的输出端反馈连接到第二运算放大器77的第二输入端,第二运算放大器77的第二输入端通过第三电容79连接到第三电阻75和第四电阻76之间。
如图4所示,所述功率放大单元40主要包括有射频场效应管41,其中,调制后的信号一路通过第三电容42接地,调制后的信号另一路通过第五电阻43、第四电容44后连接到射频场效应管41的栅极,射频场效应管41的栅极还通过第五电容45接地,射频场效应管41的源极接地,射频场效应管41的漏极一路通过第六电阻46连接电源47,射频场效应管41的漏极另一路通过第六电容48连接天线。
由于磁共振防伪材料的特性是:可以在核磁共振NMR/核四极矩共振NQR/自旋回波核磁共振/电子顺磁共振EPR或电子自旋共振ESR/序磁共振/磁双共振效应下识别出来的物质。
其中:NMR为核磁共振:是磁矩不为零的原子核,在外磁场作用下自旋能级发生蔡曼分裂,共振吸收某一定频率的射频辐射的物理过程。核磁共振波谱学是光谱学的一个分支,其共振频率在射频波段,相应的跃迁是核自旋在核蔡曼能级上的跃迁。
NQR 是自旋量子数大于1/2的原子核受电磁波激励,电磁波频率与原子核处不均匀电场相互作用的能级间的跃迁频率相近时产生的共振现象。
ESR电子自旋共振,是由不配对电子的磁矩发源的一种磁共振技术,是研究化合物或矿物中不成对电子状态的重要工具,用与定性和定量检测物质原子或分子中所含的不配对电子,并探索其周围环境的结构特性。
序磁共振,包括铁磁共振,亚铁磁共振,反铁磁共振,是探测非零核磁元素的一种方法。
磁双共振,是固体中有两种或更多互相耦合的基团或磁共振系统时,一种基团或系统的磁共振可以影响另一种基团或系统的磁共振,因而可以利用其中的一种磁共振来探测另一种磁共振。
利用以上磁共振组合效应,通过识别器读取物品上磁共振防伪材料产生的磁共振信号,从而识别物品真伪。如发票,磁共振防伪材料与油墨混合,印刷在标识上,用识别器读取标识特定位置的磁共振数字信号,识别器显示发票真伪、种类和地区等信息。
所述磁共振防伪材料是用核磁共振技术探测的材料,即:核自旋或核磁矩不为零的元素或被测的原子核的自旋量子数不为零的元素。
所述材料包括:含有氢1H、碳13C、氮14N、磷31P、钠23Na、铝27Al、氯35Cl、钾39K、锰55Mn、铁57Fe、钴59Co、砷75As、金79Au、溴81Br、碘127I元素的一种或多种物质。
所述材料进一步包括:水、碳酸钠、氮14N、硝酸磷,磷酸钠、氯化钠、硫酸钠、氯化铝、氯化钾KCl、硫酸钾、氢氧化锰Mn(OH)2、氯化铁、氯化钴、三氧化二砷、三溴苯酚、碘酸钠的一种或多种物质。
或,所述磁共振防伪材料是用核四极矩共振NQR探测的材料,即:含有非零核四极矩元素的材料。
所述探测材料包括:含有锂7Li、铍9Be、硼11B、氮14N、钠23Na、铝27Al、氯35Cl、钾39K、锰55Mn、铁57Fe、钴59Co、砷75As、金79Au、溴81Br、碘127I、铋209Bi元素的一种或多种物质。
所述探测材料进一步包括:含有含锂水盐LiCL??Li2SO4??H2O、硫酸铍BeSO4、磷酸硼、硝酸钠、氯化钠、硫酸钠、氯化铝、氯化钾、硫酸钾、氢氧化锰、锰、铁、钴、氯化铁、氯化钴、三氧化二砷、三溴苯酚、碘酸钠、硝酸铋Bi(NO3)3·5H2O的一种或多种物质。
或,所述磁共振防伪材料是用自旋回波核磁共振探测的材料,即:核自旋和核磁矩不为零的元素。
所述探测材料包括:含有氢1H、碳13C、氮14N、磷31P、钠23Na、铝27Al、氯35Cl、钾39K、锰55Mn、铁57Fe、钴59Co、砷75As、金79Au、溴81Br、碘127I元素的一种或多种物质。
所述探测材料进一步包括:水、碳酸钠、硝酸、磷酸、氯化钠、硫酸钠、氯化铝、氯化钾KCl、氯化钾、硫酸钾、氢氧化锰Mn(OH)2、氯化铁、氯化钴、三氧化二砷、三溴苯酚、碘酸钠、钇铝石榴石、钇铁石榴石的一种或多种物质。
或,所述磁共振防伪材料是用电子顺磁共振EPR或电子自旋共振ESR探测的材料,即:选用过渡金属离子或其无机盐或其配伍化合物;镧系离子或其无机盐或其配伍化合物;含有不成对电子或顺磁性的有机分子的一种或数种。
所述探测的材料包括:含有铜离子CU2+、锰离子Mn2+、铁离子Fe3+、铬离子Cr3+、钆离子Gd3+、铽离子Tb3+、铒离子Er3+的材料。
所述探测的材料进一步包括:硫酸铜,氯化铜、氰锰酸钾K4[Mn(CN)6]、硫酸铁,氯化铁、硫酸铬Cr2(SO4)3、氧化钆,硝酸铒、萘、三苯甲基、硝基氢的一种或数种物质。
或、所述磁共振防伪材料是用序磁共振探测的材料,即:含有非零核磁元素的材料,所述材料具体包括:含有铁Fe、钴Co、镍Ni元素材料的一种或数种物质。
所述探测的材料进一步包括:含有氯化铁、钇—镧石榴石型铁氧体、氯化钴、砷化镍材料的一种或数种物质。
或,所述磁共振防伪材料是用磁双共振探测的材料,即:用相互影响的电子顺磁共振和核四极矩共振探测的材料。
所述探测的材料包括:含有锂7Li、铍9Be、硼11B、氮14N、钠23Na、铝27Al、氯35Cl、钾39K、锰55Mn、铁57Fe、钴59Co、砷75As、金79Au、溴81Br、碘127I、铋209Bi、铜离子CU2+、锰离子Mn2+、铁离子Fe3+、铬离子Cr3+、钆离子Gd3+、铽离子Tb3+、铒离子Er3+元素材料的一种或数种物质。
所述探测的材料进一步包括:含有含锂水盐LiCL??Li2SO4??H2O、硫酸铍BeSO4、磷酸硼、硝酸、氯化钠、硫酸钠、氯化铝、氯化钾KCl、氯化钾、硫酸钾、氢氧化锰Mn(OH)2、锰、铁、钴、氯化铁、氯化钴、三氧化二砷、三溴苯酚、碘酸钠、硫酸铜,氯化铜、氰锰酸钾K4[Mn(CN)6]、硫酸铁,氯化铁、硫酸铬Cr2(SO4)3、氧化钆,硝酸铒的一种或数种物质。
这样,采用磁共振防伪材料具有独特的配方,可以嵌入到纸张、油墨等物品,基于磁共振原理的本发明的识别设备向磁共振防伪材料发射激励电磁波,磁共振防伪材料响应激励产生相应的电磁信号,本发明识别设备接收到上述信号,进行数据处理,从而判断是否存在磁共振防伪材料,给出真伪鉴别结果。
Claims (5)
1.基于磁共振防伪材料的识别系统,其特征在于:所述基于磁共振防伪材料的识别系统由磁共振防伪材料、磁共振防伪识别设备组成;通过所述的磁共振防伪识别设备向包含磁共振防伪材料的物品发射特定频率的电磁场信号,所述电磁场信号激活磁共振防伪材料的原子以提供磁共振信号响应;磁共振防伪材料的原子反射相应的磁共振电磁信号;所述磁共振防伪识别设备接收磁共振电磁信号并鉴别是否是对应的专属磁共振防伪材料,从而判断真伪;
所述磁共振防伪识别设备包括有天线、射频发射电路、射频接收电路及微处理器单元,微处理器单元控制射频发射电路通过天线向磁共振防伪材料发射特定频率的电磁场信号,所述电磁场信号激活磁共振防伪材料的原子以提供磁共振信号响应;磁共振防伪材料的原子反射相应的磁共振电磁信号;所述射频接收电路通过天线接收磁共振电磁信号送达微处理器单元鉴别是否是对应的磁共振防伪材料;
所述的磁共振防伪识别设备发射的特定频率包括:100M Hz -1G Hz;
所述射频发射电路由频率生成单元、调制单元、功率放大单元组成,所述射频接收电路由解调单元、信号处理单元和模数转换单元组成,微处理器单元传送第一控制信号到频率生成单元使频率生成单元生成设定频率的基准电磁波,频率生成单元将基准电磁波传送到调制单元,微处理器单元将预先储存的磁共振防伪材料数字信号传送到调制单元,预先储存的磁共振防伪材料数字信号与基准电磁波进行混频后调制成为磁共振射频信号,调制单元将磁共振射频信号传送到功率放大单元,功率放大单元将磁共振射频信号功率放大后传送到天线,天线将功率放大后的磁共振射频信号发射到磁共振防伪材料;天线接收磁共振防伪材料响应磁共振射频信号产生磁共振后发射出的电磁返回模拟信号,天线将电磁返回模拟信号传送到解调单元解调成为低频电磁模拟信号,解调单元将低频电磁模拟信号传送到信号处理单元,信号处理单元将低频电磁模拟信号处理进行信号放大后传送到模数转换单元,模数转换单元将放大后的低频电磁模拟信号转换成数字信号传送到微处理器单元,微处理器单元根据接收到的数字信号进行鉴别是否是对应的专属磁共振防伪材料。
2.根据权利要求1所述的基于磁共振防伪材料的识别系统,其特征在于:所述频率生成单元包括有频率生成芯片和晶振芯片,晶振芯片的输出端连接到频率生成芯片中的一输入端用来给频率生成芯片提供一个基本频率信号。
3.根据权利要求2所述的基于磁共振防伪材料的识别系统,其特征在于:所述解调单元由放大器芯片、连接电容和解调芯片依次连接而成。
4.根据权利要求3所述的基于磁共振防伪材料的识别系统,其特征在于:所述信号处理单元包括有两个运算放大器,解调后的信号进入第一运算放大器的第一输入端,第一运算放大器的输出端将放大信号通过第一电阻后反馈到第一运算放大器的第二输入端,第一运算放大器的第二输入端与第二电阻、第一电容依次连接后接地;第一运算放大器的输出端通过第三电阻、第四电阻后连接到第二运算放大器的第一输入端,第二运算放大器的第一输入端通过第二电容接地,第二运算放大器的输出端反馈连接到第二运算放大器的第二输入端,第二运算放大器的第二输入端通过第三电容连接到第三电阻和第四电阻之间。
5.根据权利要求4所述的基于磁共振防伪材料的识别系统,其特征在于:所述功率放大单元主要包括有射频场效应管,其中,调制后的信号一路通过第三电容接地,调制后的信号另一路通过第五电阻、第四电容后连接到射频场效应管的栅极,射频场效应管的栅极还通过第五电容接地,射频场效应管的源极接地,射频场效应管的漏极一路通过第六电阻连接电源,射频场效应管的漏极另一路通过第六电容连接天线。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201110224468 CN102306271B (zh) | 2011-08-05 | 2011-08-05 | 基于磁共振防伪材料的识别系统 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN 201110224468 CN102306271B (zh) | 2011-08-05 | 2011-08-05 | 基于磁共振防伪材料的识别系统 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102306271A CN102306271A (zh) | 2012-01-04 |
CN102306271B true CN102306271B (zh) | 2013-12-25 |
Family
ID=45380131
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 201110224468 Active CN102306271B (zh) | 2011-08-05 | 2011-08-05 | 基于磁共振防伪材料的识别系统 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102306271B (zh) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103366209B (zh) * | 2012-09-19 | 2017-02-08 | 深圳力合防伪技术有限公司 | 具有多重防伪标识的票据结构及识别方法 |
CN103364451B (zh) * | 2013-06-03 | 2016-01-20 | 华中科技大学 | 一种基于频率特性的设备内导体材料识别方法 |
CN103593905B (zh) * | 2013-10-28 | 2016-05-04 | 深圳力合防伪技术有限公司 | 反铁磁共振射频识别票证管理系统和方法 |
CN105488897A (zh) * | 2013-10-28 | 2016-04-13 | 东莞市清大曜嘉信息技术有限公司 | 反铁磁共振标识的条码识别终端及其识读方法 |
CN105608582A (zh) * | 2014-10-30 | 2016-05-25 | 上海天臣防伪技术股份有限公司 | 利用材料低频共振感应特性的防伪方法 |
CN105654317A (zh) * | 2016-01-11 | 2016-06-08 | 东莞市清大曜嘉信息技术有限公司 | 基于磁共振射频识别的食品安全追溯系统及其追溯方法 |
CN109033896B (zh) * | 2018-06-28 | 2022-07-22 | 江苏金陵科技集团有限公司 | 一种涉密存储介质的管控系统及其管控方法 |
CN109608940A (zh) * | 2018-12-17 | 2019-04-12 | 惠州市华阳光学技术有限公司 | 一种具有多种防伪功能的颜料片及其制备方法 |
KR20210036716A (ko) * | 2019-09-26 | 2021-04-05 | 주식회사 케이티앤지 | 복수의 에어로졸 생성기질로 에어로졸을 생성하는 에어로졸 생성 시스템 및 그 장치 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7388498B2 (en) * | 2005-09-30 | 2008-06-17 | Weyerhaeuser Company | Method and system for producing and reading labels based on magnetic resonance techniques |
JP4345396B2 (ja) * | 2003-07-23 | 2009-10-14 | 凸版印刷株式会社 | 検証システム及びそれに用いる検証用補助体 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001043418A (ja) * | 1999-07-28 | 2001-02-16 | Tokyo Gas Co Ltd | コードリーダ |
-
2011
- 2011-08-05 CN CN 201110224468 patent/CN102306271B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4345396B2 (ja) * | 2003-07-23 | 2009-10-14 | 凸版印刷株式会社 | 検証システム及びそれに用いる検証用補助体 |
US7388498B2 (en) * | 2005-09-30 | 2008-06-17 | Weyerhaeuser Company | Method and system for producing and reading labels based on magnetic resonance techniques |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102306271A (zh) | 2012-01-04 |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
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