CN102270602A - 一种铝导线的形成方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种铝导线的形成方法,属于集成电路制造技术领域。所述方法包括:步骤(1):在铝金属导线层的上方,设置光阻和硬膜介电层作为阻挡层;步骤(2):不使用特殊保护性气体,直接对所述铝金属导线层进行蚀刻,形成铝导线。本发明能够得到良好的铝导线形状,并且反应室无颗粒问题,避免了产品发生铝导线桥接的缺陷,提高了产品良率。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路制造技术,尤其涉及一种铝导线的形成方法。
背景技术
在集成电路(Integrated Circuit,IC)制造工艺中,后段金属化制程需要在晶片上制作形成金属导线。制程发展演进到0.13μm以下,后段金属化制程一般采用铜(Cu)工艺,但对于运行速度要求不高的IC,仍然可以采用铝(Al)工艺。
目前,Al工艺大部分采用硬膜(Hard Mask)介电层作为后续Al蚀刻的阻挡层,并且在Al蚀刻过程中,还需要使用侧壁保护能力强的特殊气体(如CHF3)才能获得良好的Al导线形状。
在上述Al蚀刻过程中,反应室易产生颗粒,导致产品发生Al导线桥接的缺陷(如图1中的箭头所示),影响了产品良率。
发明内容
本发明提供一种铝导线的形成方法,它能够避免反应室产生颗粒,提高产品良率。
为达到上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种铝导线的形成方法,包括:
步骤(1):在铝金属导线层的上方,设置光阻和硬膜介电层作为阻挡层;
步骤(2):不使用特殊保护性气体,直接对所述铝金属导线层进行蚀刻,形成铝导线。
作为对上述技术方案的优化,所述铝导线的线宽小于或等于0.13μm。
本发明提供的铝导线的形成方法中,采用光阻和硬膜介电层作为后续铝蚀刻的阻挡层,蚀刻工艺不使用特殊保护性气体,同样可以得到良好的铝导线形状。并且本发明中,反应室无颗粒问题,避免了产品发生铝导线桥接的缺陷,提高了产品良率。
附图说明
图1为现有技术中产品上导线桥接情况的照片示意图;
图2为本发明蚀刻前产品的结构示意图;
图3为本发明蚀刻中产品的结构示意图;
图4为本发明最终得到的产品的结构示意图。
具体实施方式
为解决现有技术采用Al工艺的金属化制程中,Al蚀刻时反应室易产生颗粒,导致产品发生Al导线桥接的缺陷,影响了产品良率的问题,本发明提供一种铝导线的形成方法。下面结合附图对本发明作详细说明。
如图2~图4所示,本发明的铝导线的形成方法,包括:
步骤(1):在Al金属导线层2的上方,设置光阻4和硬膜介电层3作为阻挡层;
本步骤中,如图2所示,Al金属导线层2位于衬底1的上方。设置阻挡层时,可以将硬膜介电层3设置在Al金属导线层2的上方,光阻4依次设置在硬膜介电层3的上方。
步骤(2):不使用特殊保护性气体,直接对Al金属导线层2进行蚀刻,形成铝导线。
本步骤中的蚀刻采用本领域常用的无需保护性气体的蚀刻方式即可,具体蚀刻方式此处不再赘述。
本发明的铝导线的形成方法中,采用光阻4和硬膜介电层3作为后续Al蚀刻的阻挡层,蚀刻工艺不使用特殊保护性气体,同样可以得到良好的Al导线形状。并且本发明中,反应室无颗粒问题,避免了产品发生Al导线桥接的缺陷,提高了产品良率。
本发明的方法特别适用小线宽的情况,即形成的Al导线的线宽小于或等于0.13μm的情况。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并非用来限定本发明的实施范围;如果不脱离本发明的精神和范围,对本发明进行修改或者等同替换,均应涵盖在本发明权利要求的保护范围当中。
Claims (2)
1.一种铝导线的形成方法,其特征在于,包括:
步骤(1):在铝金属导线层的上方,设置光阻和硬膜介电层作为阻挡层;
步骤(2):不使用特殊保护性气体,直接对所述铝金属导线层进行蚀刻,形成铝导线。
2.根据权利要求1所述的铝导线的形成方法,其特征在于,所述铝导线的线宽小于或等于0.13μm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN2010101944996A CN102270602A (zh) | 2010-06-04 | 2010-06-04 | 一种铝导线的形成方法 |
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Publications (1)
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Family
ID=45052844
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CN2010101944996A Pending CN102270602A (zh) | 2010-06-04 | 2010-06-04 | 一种铝导线的形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN102270602A (zh) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1147692A (zh) * | 1995-08-16 | 1997-04-16 | 日本电气株式会社 | 用干法刻蚀在半导体衬底上形成金属布线的方法 |
CN1221809A (zh) * | 1997-11-14 | 1999-07-07 | 西门子公司 | Al基金属层的刻蚀方法 |
US20100003828A1 (en) * | 2007-11-28 | 2010-01-07 | Guowen Ding | Methods for adjusting critical dimension uniformity in an etch process with a highly concentrated unsaturated hydrocarbon gas |
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2010
- 2010-06-04 CN CN2010101944996A patent/CN102270602A/zh active Pending
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20111207 |