CN102255244A - 用于测定AlGaN/GaN超晶格电阻率的GaN基激光器及测试方法 - Google Patents

用于测定AlGaN/GaN超晶格电阻率的GaN基激光器及测试方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102255244A
CN102255244A CN 201110137586 CN201110137586A CN102255244A CN 102255244 A CN102255244 A CN 102255244A CN 201110137586 CN201110137586 CN 201110137586 CN 201110137586 A CN201110137586 A CN 201110137586A CN 102255244 A CN102255244 A CN 102255244A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
gan
algan
laser
ohmic electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN 201110137586
Other languages
English (en)
Other versions
CN102255244B (zh
Inventor
李德尧
许海军
吴超
廛宇飞
朱建军
赵德刚
张书明
杨辉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing University of Chemical Technology
Original Assignee
Beijing University of Chemical Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing University of Chemical Technology filed Critical Beijing University of Chemical Technology
Priority to CN 201110137586 priority Critical patent/CN102255244B/zh
Publication of CN102255244A publication Critical patent/CN102255244A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102255244B publication Critical patent/CN102255244B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

用于测定GaN基半导体激光器中AlGaN/GaN超晶格电阻率的激光器结构和测试方法属于半导体激光器领域。本发明提出的用于测定AlGaN/GaN超晶格光限制层电阻率的激光器为两种具有不同厚度的n型或p型AlGaN/GaN超晶格光限制层的激光器，通过测量激光器的I-V特性曲线，确定每种激光器的串联电阻，而具有不同厚度的AlGaN/GaN超晶格光限制层的激光器的串联电阻之差即为改变的那部分厚度的AlGaN/GaN超晶格的电阻，由此可求出AlGaN/GaN超晶格光限制层的电阻率。利用该结构的激光器可分别测定GaN基半导体激光器中n型和p型AlGaN/GaN超晶格光限制层的电阻率，为GaN基半导体激光器的结构设计与生长制作提供参考数据。

Description

用于测定AlGaN/GaN超晶格电阻率的GaN基激光器及测试方法
技术领域
本发明属于半导体器件领域，特别是指一种用于测定AlGaN/GaN超晶格电阻率的GaN基半导体激光器及其制作、测试方法。
背景技术
作为第三代半导体，氮化镓(GaN)及其系列材料(包括氮化铝、铝镓氮、铟镓氮、氮化铟)以其禁带宽度大、光谱范围宽(覆盖了从紫外到红外的全波段)、耐高温性和耐腐蚀性好，在光电子学和微电子学领域内具有巨大的应用价值。GaN基激光器是一种非常重要的GaN基光电子器件，由于其发射的光波在蓝紫光波段，GaN基激光器在高密度光信息存储、投影显示、激光打印、水下通信、生物化学试剂的激活以及医疗方面具有重要的应用价值。由于P型AlGaN中受主杂质的电离能大，GaN基激光器中P型AlGaN光限制层的空穴浓度偏低，使激光器中p型部分的电阻率偏大，导致激光器的工作电压偏高。采用AlGaN/GaN超晶格等可使工作电压有所降低，但采用不同结构的AlGaN/GaN超晶格作为光限制层对GaN基激光器的工作电压的影响差异较大。由于GaN基激光器结构和制作工艺的复杂性，很难确认某一激光器工作电压的变化与AlGaN/GaN超晶格的采用的直接关联关系，给AlGaN/GaN超晶格的结构优化带来了很多困难，限制了GaN基激光器技术的发展。同时，n型AlGaN/GaN超晶格光限制层的电阻率也需要通过实验确定，为GaN基半导体激光器的进一步优化提供依据。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种用于测定AlGaN/GaN超晶格电阻率的GaN基激光器及其测试方法，其是利用将原来p型或n型AlGaN/GaN超晶格光限制层的厚度设计为不同的几个数值，同时保持其他各层的参数和生长制作条件不变，然后将具有不同厚度的AlGaN/GaN超晶格光限制层的激光器外延片制作出条形宽度和长度都相同的激光器管芯，测量激光器管芯在相同温度下的电流-电压关系，从而确定具有不同厚度的AlGaN/GaN超晶格光限制层的激光器的串联电阻，由串联电阻的差值确定AlGaN/GaN超晶格光限制层的电阻率。
本发明的用于测定AlGaN/GaN超晶格电阻率的GaN基激光器，其特征在于：
用于测定p型AlGaN/GaN超晶格电阻率的GaN基激光器为两种具有不同厚度的AlGaN/GaN超晶格光限制层的GaN基半导体激光器；其中的第一种GaN基半导体激光器自下向上依次包括：
衬底10；
欧姆接触层11；
下限制层12，该下限制层12为多个周期的AlGaN/GaN超晶格，其总厚度为1.10微米；
下波导层13；
有源层14；
电子阻挡层15；
上波导层16；
上限制层17，该上限制层为多个周期的AlGaN/GaN超晶格，其总厚度为0.20～0.30微米；
覆盖层18；
绝缘层21，该绝缘层21制作在刻蚀后露出的下限制层12、下波导层13、有源层14、电子阻挡层15、上波导层16、上限制层17和覆盖层18的侧面；
露出的下限制层12、下波导层13、有源层14、电子阻挡层15、上波导层16、上限制层17和覆盖层18形成左右对称的条形；
n型欧姆电极22，该n型欧姆电极制作在经刻蚀后露出的欧姆接触层11的上表面且在条形的两侧均制作有n型欧姆电极；
p型欧姆电极23，该p型欧姆电极制作在覆盖层18的上表面；
其中的第二种GaN基半导体激光器自下向上依次包括：
衬底10；
欧姆接触层11；
下限制层12，该下限制层12为多个周期的AlGaN/GaN超晶格，其总厚度为1.10微米；
下波导层13；
有源层14；
电子阻挡层15；
上波导层16；
上限制层17，该上限制层为多个周期的AlGaN/GaN超晶格，其总厚度为0.70～0.80微米；
覆盖层18；
绝缘层21，该绝缘层21制作在刻蚀后露出的下限制层12、下波导层13、有源层14、电子阻挡层15、上波导层16、上限制层17和覆盖层18的侧面；
露出的下限制层12、下波导层13、有源层14、电子阻挡层15、上波导层16、上限制层17和覆盖层18形成左右对称的条形；
n型欧姆电极22，该n型欧姆电极制作在经刻蚀后露出的欧姆接触层11的上表面且在条形的两侧均制作有n型欧姆电极；
p型欧姆电极23，该p型欧姆电极制作在覆盖层18的上表面；
用于测定n型AlGaN/GaN超晶格电阻率的GaN基激光器为两种具有不同厚度的n型AlGaN/GaN超晶格光限制层的GaN基半导体激光器；
其中的第三种GaN基半导体激光器自下向上依次包括：
衬底10；
欧姆接触层11；
下限制层12，该下限制层12为多个周期的AlGaN/GaN超晶格，其总厚度为0.20～0.40微米；
下波导层13；
有源层14；
电子阻挡层15；
上波导层16；
上限制层17，该上限制层为多个周期的AlGaN/GaN超晶格，其总厚度为0.80微米；
覆盖层18；
绝缘层21，该绝缘层21制作在刻蚀后露出的下限制层12、下波导层13、有源层14、电子阻挡层15、上波导层16、上限制层17和覆盖层18的侧面；
露出的下限制层12、下波导层13、有源层14、电子阻挡层15、上波导层16、上限制层17和覆盖层18形成左右对称的条形；
n型欧姆电极22，该n型欧姆电极制作在经刻蚀后露出的欧姆接触层11的上表面且在条形的两侧均制作有n型欧姆电极；
p型欧姆电极23，该p型欧姆电极制作在覆盖层18的上表面；
其中的第四种GaN基半导体激光器自下向上依次包括：
衬底10；
欧姆接触层11；
下限制层12，该下限制层12为多个周期的AlGaN/GaN超晶格，其总厚度为0.90～1.10微米；
下波导层13；
有源层14；
电子阻挡层15；
上波导层16；
上限制层17，该上限制层为多个周期的AlGaN/GaN超晶格，其总厚度为0.80微米；
覆盖层18；
绝缘层21，该绝缘层21制作在刻蚀后露出的下限制层12、下波导层13、有源层14、电子阻挡层15、上波导层16、上限制层17和覆盖层18的侧面；
露出的下限制层12、下波导层13、有源层14、电子阻挡层15、上波导层16、上限制层17和覆盖层18形成左右对称的条形；
n型欧姆电极22，该n型欧姆电极制作在经刻蚀后露出的欧姆接触层11的上表面且在条形的两侧均制作有n型欧姆电极；
p型欧姆电极23，该p型欧姆电极制作在覆盖层18的上表面；
其中所述的衬底10为(0001)面的蓝宝石衬底，该衬底具有价格低廉的优势。
其中所述的上限制层为多个周期的AlGaN/GaN超晶格，其总厚度在第一种与第二种激光器分别为为0.20～0.30微米和0.70～0.80微米；下限制层也为多个周期的AlGaN/GaN超晶格，其总厚度在第三种与第四种激光器分别为0.20～0.40微米和0.90～1.10微米。
该厚度范围的选择一是考虑厚度的变化能够引起激光器的串联电阻的明显变化，二是考虑厚度过大会造成外延片应力积累而出现裂纹，并且生长时间也会相应延长而造成资源的浪费。
所述激光器测定AlGaN/GaN超晶格电阻率的测试方法，其特征在于：
当用于测定p型AlGaN/GaN超晶格电阻率的GaN基激光器时，采用第一种和第二种激光器，
当用于测定n型AlGaN/GaN超晶格电阻率的GaN基激光器时，采用第三种和第四种激光器，
分别测量两种具有不同厚度AlGaN/GaN超晶格光限制层的GaN基半导体激光器的I-V特性曲线，由该曲线确定激光器的串联电阻，而两种激光器的串联电阻之差即为改变的那部分厚度的AlGaN/GaN超晶格光限制层的电阻R，再由
Figure BDA0000063550850000051
求出AlGaN/GaN超晶格光限制层的电阻率。
本发明是对普通的GaN基激光器的结构做了改进。其特征在于，将普通的p型或n型AlGaN/GaN超晶格光限制层的厚度改为不同的几个数值，同时保持其它各层的参数和制作条件不变，而激光器的结构则采用简单的条形结构以避免复杂的工艺过程所带来的差异。同时，在条形激光器的p电极的两侧均制作有n电极，这样可以使通过激光器的电流在整个条形的垂直于电流方向的横截面内分布均匀，从而可以使用
Figure BDA0000063550850000052
计算电阻率。这样就可以通过测量具有不同厚度的p型或n型AlGaN/GaN超晶格光限制层的激光器的串联电阻，确定p型或n型AlGaN/GaN超晶格光限制层的电阻率。本发明提出的用于测定AlGaN/GaN超晶格光限制层电阻率的GaN基半导体激光器具有所使用的衬底价格低廉，GaN基半导体激光器结构简单、制作工艺重复性好和节约成本的优势。能够测量GaN基半导体激光器中AlGaN/GaN超晶格光限制层的电阻率，这一点是利用发光二极管结构优化AlGaN/GaN超晶格光限制层所不能比拟的。
附图说明
为进一步说明本发明的技术内容，以下结合实施例及附图详细说明如后，其中：
图1是本发明中GaN基激光器的材料结构示意图；
图2是本发明中GaN基激光器的器件结构示意图；
具体实施方式
本发明提出的用于测定AlGaN/GaN超晶格电阻率的GaN基激光器的器件制备过程为：以(0001)面的蓝宝石为衬底10，利用MOCVD、MBE或者其他生长GaN材料的设备生长出器件结构。该结构包括n型欧姆接触层11、n型Al0.1～0.5Ga0.5～0.9N/GaN超晶格下限制层12、n型GaN下波导层13、InGaN/GaN有源层14、AlGaN电子阻挡层15、P型GaN上波导层16、P型Al0.1～0.5Ga0.5～0.9N/GaN超晶格上限制层17和P型GaN覆盖层。用干法刻蚀等方法刻出条形激光器结构，条形长度方向沿氮化镓的[11-20]方向。蒸镀二氧化硅绝缘层。蒸镀欧姆接触电极金属并热退火，实现欧姆接触电极。将外延片沿氮化镓的[1]-20]方向划片分割成长条，将长条沿氮化镓的0(11-20)面解理成所设计腔长的激光器管芯。最后再压焊引出电极、封装成激光器器件。
实施例1
为了进一步说明本器件结构的效果，我们以工作波长为405nm的GaN基激光器为例说明该器件结构的制备过程。各层的材料及厚度见表1。具体如下：利用MOCVD方法在(0001)面的蓝宝石衬底10上生长出器件结构。该结构包括n型欧姆接触层11(厚度为3.0μm，掺杂浓度为6.5×1015cm-3)、n型Al0.2Ga0.8N/GaN超晶格下限制层12(厚度为1.10μm，GaN阱宽为2.0nm，Al0.2Ga0.8N垒宽为2.0nm，掺杂浓度为3.0×1018cm-3)、n型GaN下波导层13(厚度为0.08μm，掺杂浓度为5.0×1015cm-3)、In0.15Ga0.85N/GaN有源区层14(多量子阱为5个周期，InGaN阱宽为3nm，GaN垒宽为8nm，掺杂浓度为3.0×1017cm-3)、Al0.2Ga0.8N电子阻挡层15(厚度为20nm，掺杂浓度为5.0×1015cm-3)、P型GaN上波导层16(厚度为0.08μm，掺杂浓度为3.0×1017cm-3)、P型Al0.16Ga0.84N/GaN超晶格上限制层17(两个外延片中该层的厚度分别为0.2μm和0.8μm，GaN阱宽为2.5nm，Al0.2Ga0.8N垒宽为2.5nm，掺杂浓度为8.0×1018cm-3)和P型GaN覆盖层18(厚度为0.20μm，掺杂浓度为2.4×1020cm-3)。用反应离子刻蚀方法刻出条形宽度为80μm的条形结构，条形长条沿氮化镓的[11-20]方向。蒸镀二氧化硅绝缘层，蒸镀欧姆接触电极金属并热退火实现欧姆接触电极。将外延片沿氮化镓的[11-20]方向划片分割成长条。将长条沿氮化镓的(11-20)面解理成腔长为600μm的激光器管芯。最后再压焊、封装成激光器器件。
我们对完成制作的条形激光器管芯进行了I-V特性测试，两种P型Al0.16Ga0.84N/GaN超晶格上限制层厚度分别为0.2μm和0.8μm的GaN基激光器的串联电阻分别为1.15欧姆和2.39欧姆。计算得到P型Al0.16Ga0.84N/GaN超晶格上限制层垂直于超晶格Al0.16Ga0.84N与GaN界面方向的电阻率为9.92Ω.cm。
实施例2
为了进一步说明本器件结构的效果，我们以工作波长为405nm的GaN基激光器为例说明该器件结构的制备过程。各层的材料及厚度见表2。具体如下：利用MOCVD方法在(0001)面的蓝宝石衬底10上生长出器件结构。该结构包括n型欧姆接触层11(厚度为3.0μm，掺杂浓度为6.5×1015cm-3)、n型Al0.2Ga0.8N/GaN超晶格下限制层12(两个外延片中该层的厚度分别为0.3μm和1.1μm，Ga N阱宽为2.0nm，Al0.2Ga0.8N垒宽为2.0nm，掺杂浓度为3.0×1018cm-3)、n型GaN下波导层13(厚度为0.08μm，掺杂浓度为5.0×1015cm-3)、In0.15Ga0.85N/GaN有源区层14(多量子阱为5个周期，InGaN阱宽为3nm，GaN垒宽为8nm，掺杂浓度为3.0×1017cm-3)、Al0.2Ga0.8N电子阻挡层15(厚度为20nm，掺杂浓度为5.0×1015cm-3)、P型GaN上波导层16(厚度为0.08μm，掺杂浓度为3.0×1017cm-3)、P型Al0.16Ga0.84N/GaN超晶格上限制层17(厚度为0.8μm，GaN阱宽为2.5nm，Al0.2Ga0.8N垒宽为2.5nm，掺杂浓度为8.0×1018cm-3)和P型GaN覆盖层18(厚度为0.20μm，掺杂浓度为2.4×1020cm-3)。用反应离子刻蚀方法刻出条形宽度为80μm的条阶结构，条形长条沿氮化镓的[11-20]方向。蒸镀二氧化硅绝缘层，蒸镀欧姆接触电极金属并热退火实现欧姆接触电极。将外延片沿氮化镓的[11-20]方向划片分割成长条。将长条沿氮化镓的(11-20)面解理成腔长为600μm的激光器管芯。最后再压焊、封装成激光器器件。
我们对完成制作的条形激光器管芯进行了I-V特性测试，两种n型Al0.2Ga0.8N/GaN超晶格下限制层厚度分别为0.30μm和1.10μm的GaN基激光器的串联电阻分别为2.272欧姆和2.379欧姆。计算得到n型Al0.2Ga0.8N/GaN超晶格下限制层垂直于超晶格Al0.2Ga0.8N与GaN界面方向的电阻率为0.642Ω·cm。
表1本发明中GaN基激光器的各层材料及参数
Figure BDA0000063550850000091
表2本发明中GaN基激光器的各层材料及参数
Figure BDA0000063550850000092
Figure BDA0000063550850000101

Claims (3)

1.用于测定AlGaN/GaN超晶格电阻率的GaN基激光器，其特征在于：
用于测定p型AlGaN/GaN超晶格电阻率的GaN基激光器为两种具有不同厚度的AlGaN/GaN超晶格光限制层的GaN基半导体激光器；其中的第一种GaN基半导体激光器自下向上依次包括：
衬底(10)；
欧姆接触层(11)；
下限制层(12)，该下限制层(12)为多个周期的AlGaN/GaN超晶格，其总厚度为1.10微米；
下波导层(13)；
有源层(14)；
电子阻挡层(15)；
上波导层(16)；
上限制层(17)，该上限制层为多个周期的AlGaN/GaN超晶格，其总厚度为0.20～0.30微米；
覆盖层(18)；
绝缘层(21)，该绝缘层(21)制作在刻蚀后露出的下限制层(12)、下波导层(13)、有源层(14)、电子阻挡层(15)、上波导层(16)、上限制层(17)和覆盖层(18)的侧面；
露出的下限制层(12)、下波导层(13)、有源层(14)、电子阻挡层(15)、上波导层(16)、上限制层(17)和覆盖层(18)形成左右对称的条形；
n型欧姆电极(22)，该n型欧姆电极制作在经刻蚀后露出的欧姆接触层(11)的上表面且在条形的两侧均制作有n型欧姆电极；
p型欧姆电极(23)，该p型欧姆电极制作在覆盖层(18)的上表面；
其中的第二种GaN基半导体激光器自下向上依次包括：
衬底(10)；
欧姆接触层(11)；
下限制层(12)，该下限制层(12)为多个周期的AlGaN/GaN超晶格，其总厚度为1.10微米；
下波导层(13)；
有源层(14)；
电子阻挡层(15)；
上波导层(16)；
上限制层(17)，该上限制层为多个周期的AlGaN/GaN超晶格，其总厚度为0.70～0.80微米；
覆盖层(18)；
绝缘层(21)，该绝缘层(21)制作在刻蚀后露出的下限制层(12)、下波导层(13)、有源层(14)、电子阻挡层(15)、上波导层(16)、上限制层(17)和覆盖层(18)的侧面；
露出的下限制层(12)、下波导层(13)、有源层(14)、电子阻挡层(15)、上波导层(16)、上限制层(17)和覆盖层(18)形成左右对称的条形；
n型欧姆电极(22)，该n型欧姆电极制作在经刻蚀后露出的欧姆接触层(11)的上表面且在条形的两侧均制作有n型欧姆电极；
p型欧姆电极(23)，该p型欧姆电极制作在覆盖层(18)的上表面；
用于测定n型AlGaN/GaN超晶格电阻率的GaN基激光器为两种具有不同厚度的n型AlGaN/GaN超晶格光限制层的GaN基半导体激光器；
其中的第三种GaN基半导体激光器自下向上依次包括：
衬底(10)；
欧姆接触层(11)；
下限制层(12)，该下限制层(12)为多个周期的AlGaN/GaN超晶格，其总厚度为0.20～0.40微米；
下波导层(13)；
有源层(14)；
电子阻挡层(15)；
上波导层(16)；
上限制层(17)，该上限制层为多个周期的AlGaN/GaN超晶格，其总厚度为0.80微米；
覆盖层(18)；
绝缘层(21)，该绝缘层(21)制作在刻蚀后露出的下限制层(12)、下波导层(13)、有源层(14)、电子阻挡层(15)、上波导层(16)、上限制层(17)和覆盖层(18)的侧面；
露出的下限制层(12)、下波导层(13)、有源层(14)、电子阻挡层(15)、上波导层(16)、上限制层(17)和覆盖层(18)形成左右对称的条形；
n型欧姆电极(22)，该n型欧姆电极制作在经刻蚀后露出的欧姆接触层(11)的上表面且在条形的两侧均制作有n型欧姆电极；
p型欧姆电极(23)，该p型欧姆电极制作在覆盖层(18)的上表面；
其中的第四种GaN基半导体激光器自下向上依次包括：
衬底(10)；
欧姆接触层(11)；
下限制层(12)，该下限制层(12)为多个周期的AlGaN/GaN超晶格，其总厚度为0.90～1.10微米；
下波导层(13)；
有源层(14)；
电子阻挡层(15)；
上波导层(16)；
上限制层(17)，该上限制层为多个周期的AlGaN/GaN超晶格，其总厚度为0.80微米；
覆盖层(18)；
绝缘层(21)，该绝缘层(21)制作在刻蚀后露出的下限制层(12)、下波导层(13)、有源层(14)、电子阻挡层(15)、上波导层(16)、上限制层(17)和覆盖层(18)的侧面；
露出的下限制层(12)、下波导层(13)、有源层(14)、电子阻挡层(15)、上波导层(16)、上限制层(17)和覆盖层(18)形成左右对称的条形；
n型欧姆电极(22)，该n型欧姆电极制作在经刻蚀后露出的欧姆接触层(11)的上表面且在条形的两侧均制作有n型欧姆电极；
p型欧姆电极(23)，该p型欧姆电极制作在覆盖层(18)的上表面；
2.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，其中所述的衬底(10)为(0001)面的蓝宝石衬底。
3.应用权利要求1所述激光器测定AlGaN/GaN超晶格电阻率的测试方法，其特征在于：
当用于测定p型AlGaN/GaN超晶格电阻率的GaN基激光器时，采用第一种和第二种激光器，
当用于测定n型AlGaN/GaN超晶格电阻率的GaN基激光器时，采用第三种和第四种激光器，
分别测量两种具有不同厚度AlGaN/GaN超晶格光限制层的GaN基半导体激光器的I-V特性曲线，由该曲线确定激光器的串联电阻，而两种激光器的串联电阻之差即为改变的那部分厚度的AlGaN/GaN超晶格光限制层的电阻R，再由
Figure FDA0000063550840000041
求出AlGaN/GaN超晶格光限制层的电阻率。
CN 201110137586 2011-05-25 2011-05-25 用于测定AlGaN/GaN超晶格电阻率的GaN基激光器及测试方法 Expired - Fee Related CN102255244B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201110137586 CN102255244B (zh) 2011-05-25 2011-05-25 用于测定AlGaN/GaN超晶格电阻率的GaN基激光器及测试方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201110137586 CN102255244B (zh) 2011-05-25 2011-05-25 用于测定AlGaN/GaN超晶格电阻率的GaN基激光器及测试方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102255244A true CN102255244A (zh) 2011-11-23
CN102255244B CN102255244B (zh) 2013-04-17

Family

ID=44982294

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 201110137586 Expired - Fee Related CN102255244B (zh) 2011-05-25 2011-05-25 用于测定AlGaN/GaN超晶格电阻率的GaN基激光器及测试方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102255244B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103124046A (zh) * 2013-01-18 2013-05-29 西安卓铭光电科技有限公司 一种半导体激光器
CN105406358A (zh) * 2015-11-25 2016-03-16 武汉电信器件有限公司 一种GaN基激光器制备方法和结构
CN111370993A (zh) * 2020-04-15 2020-07-03 广东鸿芯科技有限公司 一种具有恒温控制功能的半导体激光器件及其制造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003086841A (ja) * 2001-09-11 2003-03-20 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体素子の製造方法
CN102064471A (zh) * 2010-11-26 2011-05-18 北京化工大学 一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003086841A (ja) * 2001-09-11 2003-03-20 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体素子の製造方法
CN102064471A (zh) * 2010-11-26 2011-05-18 北京化工大学 一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
《第十五届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议-广州08》 20081231 季莲，张立群等 高功率InGaN蓝紫光激光器列阵 88-91 1-3 第卷, 第期 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103124046A (zh) * 2013-01-18 2013-05-29 西安卓铭光电科技有限公司 一种半导体激光器
CN103124046B (zh) * 2013-01-18 2015-05-13 西安卓铭光电科技有限公司 一种半导体激光器
CN105406358A (zh) * 2015-11-25 2016-03-16 武汉电信器件有限公司 一种GaN基激光器制备方法和结构
CN111370993A (zh) * 2020-04-15 2020-07-03 广东鸿芯科技有限公司 一种具有恒温控制功能的半导体激光器件及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102255244B (zh) 2013-04-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8445383B2 (en) Transparent nanocrystalline diamond contacts to wide bandgap semiconductor devices
CN102025110B (zh) 斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法
Ramizy et al. Porous GaN on Si (1 1 1) and its application to hydrogen gas sensor
CN102064471B (zh) 一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法
CN105765742A (zh) 包括阳极氧化铝层的异质结构
CN104465849A (zh) 半导体光检测装置
CN102227046A (zh) 一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法
CN100459331C (zh) 不对称的脊形波导氮化镓基半导体激光器及其制作方法
Gao et al. Axial p‐n junction design and characterization for InP nanowire array solar cells
Pandey et al. A red-emitting micrometer scale LED with external quantum efficiency> 8%
EP1815568A1 (en) Semiconductor materials and devices
CN105206727A (zh) InGaN/GaN多量子阱单纳米柱LED器件及其制备方法
CN102255244B (zh) 用于测定AlGaN/GaN超晶格电阻率的GaN基激光器及测试方法
Wu et al. Phosphor-free nanopyramid white light-emitting diodes grown on {101¯ 1} planes using nanospherical-lens photolithography
Zhang et al. Enhancing the light extraction efficiency for AlGaN-based DUV LEDs with a laterally over-etched p-GaN layer at the top of truncated cones
Priante et al. Enhanced electro-optic performance of surface-treated nanowires: origin and mechanism of nanoscale current injection for reliable ultraviolet light-emitting diodes
US20120132943A1 (en) Semiconductor light emitting device
Wei et al. Tunable nanostructured distributed Bragg reflectors for III-nitride optoelectronic applications
Turski et al. Nitride LEDs and lasers with buried tunnel junctions
CN104538843A (zh) 二氧化碳检测用半导体激光芯片的制作方法
Dalapati et al. Current-induced degradation behaviors of InGaN/GaN multiple quantum well UV photodetectors: Role of electrically active defects
Hasan et al. All-MOCVD-grown gallium nitride diodes with ultra-low resistance tunnel junctions
CN105870267B (zh) 一种量子点超辐射发光二极管及其制作方法
Brubaker et al. Core-shell pin GaN nanowire LEDs by N-polar selective area growth
Sarkar et al. Growth of uniform Mg-doped p-AlGaN nanowires using plasma-assisted molecular beam epitaxy technique for UV-A emitters

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130417

Termination date: 20150525

EXPY Termination of patent right or utility model