CN102255128A - 微电子机械固支梁式定向微波功率耦合器及其制备方法 - Google Patents

Abstract

一种微电子机械固支梁式定向微波功率耦合器及其制备方法，耦合器为四端口微波器件，包括主线和副线，四端口为主线输入端口、主线输出端口、副线耦合输出端口和副线隔离端口，以砷化镓衬底为基底，在基底上设置主线和副线，副线与主线耦合的部分设有MEMS固支梁，MEMS固支梁作为副线的一段耦合线段；MEMS固支梁下方设有驱动电极，对应驱动电极在副线外侧设有压焊块，通过引线与驱动电极连接。本发明的微电子机械固支梁式定向微波功率耦合器不但具有传统定向微波功率耦合器的低损耗、高隔离度和良好的方向性的特点，而且通过控制MEMS固支梁的驱动电压使该微波功率耦合器能够实现耦合和不耦合两种状态，减少不必要的功率损耗。

Description

微电子机械固支梁式定向微波功率耦合器及其制备方法

技术领域

本发明属于微电子机械系统MEMS的技术领域，涉及微波功率耦合器，具体为一种微电子机械固支梁式定向微波功率耦合器及其制备方法。

背景技术

微波功率耦合器是用于微波功率定向分配或功率组合的无源器件，通常使用定向耦合器对微波功率进行耦合。定向微波功率耦合器是一种具有方向性的四端口功率耦合器件，包含主传输线(主线)和副传输线(副线)两部分，主副线之间通过耦合机构，如缝隙、孔和耦合线段等，把主线功率的一部分耦合到副线中去。

传统的定向微波功率耦合器是由波导、同轴线和微带线等构成的，它们具有低的损耗、高的隔离度和良好的方向性等优点，然而其最大的缺点是，主线传输微波信号无论副线要不要求分配微波功率，总是会有一定的微波功率被耦合到副线中去，造成了不必要的功率损耗。随着微波集成电路的发展，现代个人通信系统和雷达系统不仅要求微波功率耦合器在功率耦合过程时具有传统定向微波功率耦合器的优点，如低的损耗、高的隔离度和良好的方向性，而且要求微波功率耦合器能够实现耦合与不耦合两种工作状态，减小不必要的功率损耗。近年来，随着MEMS技术的快速发展，并对MEMS固支梁结构进行了深入的研究，使基于MEMS技术实现上述功能的固支梁式定向微波功率耦合器成为可能。

发明内容

本发明要解决的问题是：现有定向微波功率耦合器的耦合状态不受控制，无论是否需要进行耦合，总是会有一定的微波功率从主线被耦合到副线中去，造成不必要的功率损耗。

本发明的技术方案为：一种微电子机械固支梁式定向微波功率耦合器，为四端口微波器件，包括主线和副线，四端口为主线输入端口、主线输出端口、副线耦合输出端口和副线隔离端口，以砷化镓衬底为基底，在基底上设置主线和副线，副线与主线耦合的部分设有MEMS固支梁，MEMS固支梁作为副线的一段耦合线段，并位于副线中部；MEMS固支梁下方设有驱动电极，对应驱动电极在副线外侧设有压焊块，通过引线与驱动电极连接。

主线包括由共面波导CPW构成主线输入端口、主线输出端口，和由不对称共面带线ACPS构成功率传输部分；副线包括由CPW构成副线耦合输出端口、副线隔离端口，和由ACPS构成功率耦合部分；CPW由一个信号线和两个地线组成，ACPS由一个信号线和一个地线组成，CPW和ACPS的信号线组合构成主线信号线、副线信号线；MEMS固支梁通过MEMS固支梁锚区与副线的功率耦合部分固定连接，驱动电极的两端不与MEMS固支梁的锚区相连接，副线外侧设有两个电输入压焊块，分别通过引线与驱动电极和副线ACPS的地线相连接，其中，连接驱动电极和电输入压焊块的引线隔开副线ACPS的地线，耦合器中所有被隔开的地线通过空气桥相连接；驱动电极、所述引线的隔开地线的部分、以及空气桥下方非地线的部分被氮化硅介质层覆盖。

主线和副线CPW、主线和副线ACPS、MEMS固支梁、MEMS固支梁锚区、驱动电极、空气桥、引线和电输入压焊块的材料均为金。

本发明耦合器隔离端口设有氮化钽材料构成的终端电阻，终端电阻上覆盖氮化硅介质层。

上述微电子机械固支梁式定向微波功率耦合器的制备方法，基于GaAs MMIC工艺，包括以下步骤：

1)准备衬底，选用半绝缘砷化镓衬底作为基底，在衬底正面制备耦合器；

2)在衬底上涂覆光刻胶，并去除预备制作氮化钽终端电阻的位置处的光刻胶；

3)在衬底上溅射氮化钽，其厚度为1μm；

4)将步骤2)中留下的光刻胶剥离去除，连带去除光刻胶上面的氮化钽；

5)在衬底正面涂覆光刻胶，再去除预备制作主线和副线CPW、主线和副线ACPS、MEMS固支梁的锚区、驱动电极、引线以及电输入压焊块地方的光刻胶；

6)在步骤5)处理后的砷化镓衬底上，通过蒸发方式生长一层金，其厚度为0.3μm；

7)将步骤5)中留下的光刻胶去除，连带去除了光刻胶上面的金，形成驱动电极和引线，并初步形成主线和副线CPW、主线和副线ACPS、MEMS固支梁的锚区以及电输入压焊块；

8)反刻氮化钽，形成与副线隔离端口相连接的终端电阻，其方块电阻为25Ω/□；

9)淀积氮化硅：在前面步骤处理得到的砷化镓衬底上用等离子体增强型化学气相淀积法工艺PECVD生长

厚的氮化硅介质层；

10)光刻并刻蚀氮化硅介质层，保留在驱动电极、空气桥下方的CPW信号线、引线和终端电阻上的氮化硅介质层；

11)淀积并光刻聚酰亚胺牺牲层：在砷化镓衬底上涂覆1.6μm厚的聚酰亚胺牺牲层，填满所有凹坑，其中，聚酰亚胺牺牲层的厚度决定了MEMS固支梁与其下方驱动电极上的氮化硅介质层之间的距离，以及空气桥的高度；光刻聚酰亚胺牺牲层，仅保留MEMS固支梁和空气桥下方的牺牲层；

12)通过蒸发方式生长用于电镀的底金：蒸发钛/金/钛，作为底金，其厚度为500/1500/

13)涂覆光刻胶，去除预备制作MEMS固支梁、空气桥、MEMS固支梁的锚区、主线和副线CPW、主线和副线ACPS以及电输入压焊块地方的光刻胶；

14)电镀一层金，其厚度为2μm；

15)去除在步骤13)中留下的光刻胶；

16)反刻钛/金/钛，腐蚀底金，形成MEMS固支梁、空气桥、以及完整的MEMS固支梁的锚区、主线和副线CPW、主线和副线ACPS以及电输入压焊块；

17)将该砷化镓衬底背面减薄至100μm；

18)释放聚酰亚胺牺牲层：显影液浸泡，去除MEMS固支梁和空气桥下的聚酰亚胺牺牲层，去离子水浸泡，无水乙醇脱水，常温下挥发，晾干，得到微电子机械固支梁式定向微波功率耦合器。

本发明提供了一种基于MEMS技术的固支梁式定向微波功率耦合器及其制备方法，为了实现微波功率耦合器具有耦合和不耦合两种工作状态，该耦合器具有一个MEMS固支梁结构，位于由ACPS构成的副线耦合部分并作为耦合部分的一段耦合线段；当耦合器副线上MEMS固支梁结构的驱动电极未施加驱动电压，那么固支梁结构处于UP状态，此时作为副线耦合部分的一段耦合线段的固支梁，与主线传输部分不在同一平面且存在一定的高度差，通过设计由ACPS构成的主线传输部分与副线耦合部分的长度和两者之间的间距以及MEMS固支梁的高度，使副线耦合部分几乎不会从主线耦合微波功率到副线中去，因而微波功率耦合器处于不耦合状态；当耦合器副线上MEMS固支梁结构的驱动电极施加驱动电压，固支梁受驱动电极上电荷吸引而贴近驱动电极，固支梁结构处于DOWN状态，此时固支梁被吸合到驱动电极的氮化硅介质层表面上，作为副线耦合部分的一段耦合线段，并且此时固支梁与主线传输部分几乎在同一平面内，通过设计MEMS固支梁的长度，使副线耦合部分从主线耦合一定比例的微波功率到副线中去，即可以根据要求设计在固支梁结构处于DOWN状态时定向微波功率耦合器的耦合度，因而微波功率耦合器处于耦合状态。

本发明通过设计耦合器主线、副线的长度和间距，以及可动的MEMS固支梁在副线上的长度和高度，可以根据要求设计微波功率耦合器在耦合状态时的耦合度，所述可动的MEMS固支梁是指固支梁具有UP和DOWN两种状态；通过驱动电极控制MEMS固支梁的驱动电压，控制MEMS固支梁结构是否处于DOWN或UP状态，对应副线耦合部分是否从主线耦合一定比例的微波功率到副线中去，也就是该微波功率耦合器实现耦合和不耦合两种状态。

在机械结构上，主线和副线CPW、主线和副线ACPS、MEMS固支梁结构、终端电阻、空气桥结构、引线以及压焊块制作在同一块砷化镓衬底上。

如果主线传输部分与副线耦合部分的长度等于四分之一波长，通过设计主线传输部分与副线耦合部分的间距以及MEMS固支梁的长度，可使固支梁结构处于DOWN状态时，微波功率耦合器的耦合度达到极大值。

有益效果：本发明的微电子机械固支梁式定向微波功率耦合器不但具有传统定向微波功率耦合器的低损耗、高隔离度和良好的方向性特点，而且通过控制MEMS固支梁的驱动电压使该微波功率耦合器能够实现耦合和不耦合两种状态，减少不必要的损耗。

附图说明

图1为本发明微波功率耦合器的示意图；

图2为本发明MEMS固支梁结构的局部示意图，(a)为俯视图，(b)为图2(a)的A-A向剖面图。

具体实施方式

本发明微波功率耦合器为四端口微波器件，如图1所示，以砷化镓衬底19为基底，包括主线5和副线6，四端口为主线输入端口1、主线输出端口2、副线耦合输出端口3和副线隔离端口4，副线6与主线5耦合的部分设有MEMS固支梁9，MEMS固支梁9作为副线6的一段耦合线段，并位于副线6的中部；MEMS固支梁9下方设有驱动电极11，对应驱动电极11在副线6外侧设有压焊块18，通过引线17与驱动电极11连接。

其中主线5包括由共面波导CPW构成主线输入端口1、主线输出端口2，和由不对称共面带线ACPS构成功率传输部分7；副线6包括由CPW构成副线耦合输出端口3、副线隔离端口4，和由ACPS构成功率耦合部分8；CPW由一个信号线和两个地线16组成，ACPS由一个信号线和一个地线16组成，CPW和ACPS的信号线组合构成主线信号线15、副线信号线15′；MEMS固支梁9通过MEMS固支梁锚区10与功率耦合部分8固定连接，驱动电极11的两端不与MEMS固支梁的锚区10相连接，副线6外侧设有两个电输入压焊块18，分别通过引线17与驱动电极11和副线ACPS的地线16相连接，其中，连接驱动电极11和电输入压焊块18的引线17隔开副线ACPS的地线16，耦合器中所有被隔开的地线通过空气桥13相连接；驱动电极11、所述引线17的隔开地线16的部分、以及空气桥13下方非地线的部分被氮化硅介质层12覆盖。

CPW用于实现微波信号在耦合器主线5端口上的输入与输出，和在耦合器副线6端口上的耦合输出和隔离，以及测试仪器与ACPS、ACPS与终端电阻14的电路连接。CPW由一个信号线15和两个地线16组成，采用金材料构成。

ACPS用于实现微波信号在耦合器内主线5上的传输和副线6上的耦合，以及主线输入端口1与主线输出端口2、副线耦合输出端口3与副线隔离端口4的电路连接。主线的输入1与输出端口2和副线的耦合输出3与隔离端口4均由CPW构成，然而用于微波信号在耦合器内传输部分7的主线5和用于微波信号在耦合器内耦合部分8的副线6是由ACPS构成。ACPS由一个信号线15和一个地线16组成，采用金材料构成。

本发明定向微波功率耦合器具有一个MEMS固支梁结构，它位于副线功率耦合部分8上并作为功率耦合部分8的一段耦合线段；如图2(a)(b)所示，MEMS固支梁的锚区10与副线ACPS的信号线15′相连接；MEMS固支梁9下方设有驱动电极11，且驱动电极11的两端不与MEMS固支梁的锚区10相连接；连接驱动电极11的引线17穿过副线ACPS的地线16并与耦合器结构外部的压焊块18相连接，被引线17隔开的副线ACPS的地线16通过空气桥13相连接；驱动电极11和穿过副线ACPS地线的引线17被氮化硅介质层12覆盖。通过设计主副线ACPS的长度和间距以及MEMS固支梁9的长度和高度，实现对定向微波功率耦合器在耦合状态时的耦合度的设计；通过控制固支梁的驱动电极11有无驱动电压用来控制MEMS固支梁9是否处于DOWN或UP状态，对应副线耦合部分8是否从主线5耦合一定比例的微波功率到副线6中去，也就是该固支梁式定向微波功率耦合器是否处于耦合状态。MEMS固支梁9、MEMS固支梁的锚区10、驱动电极11、空气桥13、引线17和压焊块18均采用金材料构成。

空气桥13用于连接所有被分隔开的地线，包括耦合器四端口附近被CPW信号线隔开的CPW的地线16，以及被引线17隔开的副线ACPS的地线16，本发明的具体实施例中，主线两端口的CPW和ACPS共用一个地线，副线两端口的CPW和ACPS共用一个地线。

微波功率耦合器处于耦合状态时，当耦合器的主线输入端1匹配，在任何频率处耦合到副线隔离端口4上的微波功率为零，即耦合器完全隔离；当主线输入端1失配时，本发明设置的与副线的隔离端口4连接的终端电阻14，完全吸收因主线输入端1失配而从主线传输部分7耦合到副线隔离端口4上的微波功率；保证了被副线6耦合出的一定比例微波功率完全由副线的耦合输出端口3输出。终端电阻14被氮化硅介质层12覆盖，其作用是保护终端电阻14与副线隔离端口4的电路连接。终端电阻14采用氮化钽材料构成。

本发明的微电子机械固支梁式定向微波功率耦合器是一个四端口微波器件，主线5上两端口用于微波功率的输入与输出而副线6上两端口用于被耦合出微波功率的耦合输出与隔离。微波信号从由CPW构成的主线输入端口1输入，经由ACPS构成的主线传输部分7，最后从由CPW构成的主线输出端口2输出；在距主线传输部分7一定距离处有一段相等长度的耦合线段作为由ACPS构成的副线耦合部分8；由ACPS构成的副线耦合部分8在耦合器处于耦合状态时能够把由ACPS构成的主线传输部分7上微波功率按一定比例耦合出来，然而在耦合器处于不耦合状态时几乎没有把由ACPS构成的主线传输部分7上微波功率耦合出来；在耦合器处于耦合状态时，当耦合器的主线输入端口1匹配时，被耦合到副线6上的微波功率完全由副线耦合输出端口3输出，此时耦合器的副线隔离端口4没有功率输出，则连接到副线隔离端口4的终端电阻14没有吸收被耦合出来的微波功率，即耦合器完全隔离，然而当耦合器的主线输入端口1失配时，被耦合到副线6上的微波功率部分由副线耦合输出端口3输出，此时耦合器的副线隔离端口4存在一部分功率输出，则连接到副线隔离端口4的终端电阻14吸收这部分被耦合出来的微波功率。该微波功率耦合器具有一个MEMS固支梁结构，它位于由ACPS构成的副线耦合部分8并作为耦合部分8的一段耦合线段；当耦合器副线6上MEMS固支梁结构的驱动电极11未施加驱动电压，那么固支梁结构处于UP状态，通过设计由ACPS构成的主线传输部分7与副线耦合部分8的长度和两者之间的间距以及MEMS固支梁9的高度，使副线耦合部分8几乎没有从主线5耦合微波功率到副线6中去，因而微波功率耦合器处于不耦合状态；当耦合器副线6上MEMS固支梁结构的驱动电极11施加驱动电压，那么固支梁结构处于DOWN状态，通过设计MEMS固支梁9的长度，使副线耦合部分8从主线5耦合一定比例的微波功率到副线6中去，即可以根据要求设计在固支梁结构处于DOWN状态时定向微波功率耦合器的耦合度，因而微波功率耦合器处于耦合状态。如果主线传输部分7与副线耦合部分8的长度等于四分之一波长，通过设计主线传输部分7与副线耦合部分8的间距以及MEMS固支梁9的长度，可使固支梁结构处于DOWN状态微波功率耦合器的耦合度达到极大值。

微电子机械固支梁式定向微波功率耦合器的制备方法为，基于GaAs MMIC工艺，包括以下步骤：

1)准备衬底，选用半绝缘砷化镓衬底19作为基底，在衬底正面制备耦合器；

2)在衬底上涂覆光刻胶，并去除预备制作氮化钽终端电阻14的位置处的光刻胶；

3)在衬底上溅射氮化钽，其厚度为1μm；

4)将步骤2)中留下的光刻胶剥离去除，连带去除光刻胶上面的氮化钽；

5)在衬底正面涂覆光刻胶，再去除预备制作主线和副线CPW、主线和副线ACPS、MEMS固支梁的锚区10、驱动电极11、引线17以及电输入压焊块18地方的光刻胶；

6)在步骤5)处理后的砷化镓衬底上，通过蒸发方式生长一层金，其厚度为0.3μm；

7)将步骤5)中留下的光刻胶去除，连带去除了光刻胶上面的金，形成驱动电极11和引线17，并初步形成主线和副线CPW、主线和副线ACPS、MEMS固支梁的锚区10以及电输入压焊块18；

8)反刻氮化钽，形成与副线隔离端口4相连接的终端电阻14，其方块电阻为25Ω/□；

9)淀积氮化硅：在前面步骤处理得到的砷化镓衬底19上用等离子体增强型化学气相淀积法工艺PECVD生长厚的氮化硅介质层；

10)光刻并刻蚀氮化硅介质层，保留在驱动电极11、空气桥13下方的CPW信号线、引线17和终端电阻14上的氮化硅介质层；

11)淀积并光刻聚酰亚胺牺牲层：在砷化镓衬底19上涂覆1.6μm厚的聚酰亚胺牺牲层，填满所有凹坑，其中，聚酰亚胺牺牲层的厚度决定了MEMS固支梁9与其下方驱动电极11上的氮化硅介质层12之间的距离，以及空气桥13的高度；光刻聚酰亚胺牺牲层，仅保留MEMS固支梁9和空气桥13下方的牺牲层；

12)通过蒸发方式生长用于电镀的底金：蒸发钛/金/钛，作为底金，其厚度为500/1500/

13)涂覆光刻胶，去除预备制作MEMS固支梁9、空气桥13、MEMS固支梁的锚区10、主线和副线CPW、主线和副线ACPS以及电输入压焊块18地方的光刻胶；

14)电镀一层金，其厚度为2μm；

15)去除在步骤13)中留下的光刻胶；

16)反刻钛/金/钛，腐蚀底金，形成MEMS固支梁9、空气桥13、以及完整的MEMS固支梁的锚区10、主线和副线CPW、主线和副线ACPS以及电输入压焊块18；

17)将该砷化镓衬底19背面减薄至100μm；

18)释放聚酰亚胺牺牲层：显影液浸泡，去除MEMS固支梁9和空气桥13下的聚酰亚胺牺牲层，去离子水浸泡，无水乙醇脱水，常温下挥发，晾干，得到微电子机械固支梁式定向微波功率耦合器。

本发明通过MEMS固支梁实现对微波功率耦合器的耦合状态的控制，在微波功率耦合器处于耦合状态时通过副线耦合部分上的耦合线段把主线上微波功率按一定比例耦合到副线中去；为了实现微波功率耦合器具有耦合和不耦合两种工作状态，该耦合器具有一个MEMS固支梁结构，位于由ACPS构成的副线耦合部分并作为耦合部分的一段耦合线段；当耦合器副线上MEMS固支梁结构的驱动电极未施加驱动电压，那么固支梁结构处于UP状态，通过设计由ACPS构成的主线传输部分与副线耦合部分的长度和两者之间的间距以及MEMS固支梁的高度，使副线耦合部分几乎没有从主线耦合微波功率到副线中去，因而微波功率耦合器处于不耦合状态；当耦合器副线上MEMS固支梁结构的驱动电极施加驱动电压，那么固支梁结构处于DOWN状态，通过设计MEMS固支梁的长度，使副线耦合部分从主线耦合一定比例的微波功率到副线中去，即可以根据要求设计在固支梁结构处于DOWN状态时定向微波功率耦合器的耦合度，因而微波功率耦合器处于耦合状态。满足以上条件的结构即属于本发明的微电子机械固支梁式定向微波功率耦合器。

本发明的微电子机械固支梁式定向微波功率耦合器不但具有传统定向微波功率耦合器的低损耗、高隔离度和良好的方向性特点，而且该微波功率耦合器具有耦合和不耦合两种工作状态。

Claims (5)

1.一种微电子机械固支梁式定向微波功率耦合器，为四端口微波器件，包括主线(5)和副线(6)，四端口为主线输入端口(1)、主线输出端口(2)、副线耦合输出端口(3)和副线隔离端口(4)，其特征是以砷化镓衬底(19)为基底，在基底上设置主线(5)和副线(6)，副线(6)与主线(5)耦合的部分设有MEMS固支梁(9)，MEMS固支梁(9)作为副线(6)的一段耦合线段，并位于副线(6)中部；MEMS固支梁(9)下方设有驱动电极(11)，对应驱动电极(11)在副线(6)外侧设有电输入压焊块(18)，通过引线(17)与驱动电极(11)连接。

2.根据权利要求1所述的微电子机械固支梁式定向微波功率耦合器，其特征是主线(5)包括由共面波导CPW构成主线输入端口(1)、主线输出端口(2)，和由不对称共面带线ACPS构成功率传输部分(7)；副线(6)包括由CPW构成副线耦合输出端口(3)、副线隔离端口(4)，和由ACPS构成功率耦合部分(8)；CPW由一个信号线和两个地线(16)组成，ACPS由一个信号线和一个地线(16)组成，CPW和ACPS的信号线组合构成主线信号线(15)、副线信号线(15′)；MEMS固支梁(9)通过MEMS固支梁锚区(10)与功率耦合部分(8)固定连接，驱动电极(11)的两端不与MEMS固支梁的锚区(10)相连接，副线(6)外侧设有两个电输入压焊块(18)，分别通过引线(17)与驱动电极(11)和副线ACPS的地线(16)相连接，其中，连接驱动电极(11)和电输入压焊块(18)的引线(17)隔开副线ACPS的地线(16)，耦合器中所有被隔开的地线通过空气桥(13)相连接；驱动电极(11)、所述引线(17)隔开地线(16)的部分、以及空气桥(13)下方非地线的部分被氮化硅介质层(12)覆盖。

3.根据权利要求2所述的微电子机械固支梁式定向微波功率耦合器，其特征是主线和副线CPW、主线和副线ACPS、MEMS固支梁(9)、MEMS固支梁锚区(10)、驱动电极(11)、空气桥(13)、引线(17)和电输入压焊块(18)的材料均为金。

4.根据权利要求1或2或3所述的微电子机械固支梁式定向微波功率耦合器，其特征是副线隔离端口(4)设有氮化钽材料构成的终端电阻(14)，终端电阻(14)上覆盖氮化硅介质层(12)。

5.权利要求1-4任一项所述的微电子机械固支梁式定向微波功率耦合器的制备方法，其特征是基于GaAs MMIC工艺，包括以下步骤：

1)准备衬底，选用半绝缘砷化镓衬底(19)作为基底，在衬底正面制备耦合器；

2)在衬底上涂覆光刻胶，并去除预备制作氮化钽终端电阻(14)的位置处的光刻胶；

3)在衬底上溅射氮化钽，其厚度为1μm；

4)将步骤2)中留下的光刻胶剥离去除，连带去除光刻胶上面的氮化钽；

5)在衬底正面涂覆光刻胶，再去除预备制作主线和副线CPW、主线和副线ACPS、MEMS固支梁的锚区(10)、驱动电极(11)、引线(17)以及电输入压焊块(18)地方的光刻胶；

6)在步骤5)处理后的砷化镓衬底上，通过蒸发方式生长一层金，其厚度为0.3μm；

7)将步骤5)中留下的光刻胶去除，连带去除了光刻胶上面的金，形成驱动电极(11)和引线(17)，并初步形成主线和副线CPW、主线和副线ACPS、MEMS固支梁的锚区(10)以及电输入压焊块(18)；

8)反刻氮化钽，形成与副线隔离端口(4)相连接的终端电阻(14)，其方块电阻为25Ω/□；

9)淀积氮化硅：在前面步骤处理得到的砷化镓衬底(19)上用等离子体增强型化学气相淀积法工艺PECVD生长厚的氮化硅介质层；

10)光刻并刻蚀氮化硅介质层，保留在驱动电极(11)、空气桥(13)下方的CPW信号线、引线(17)和终端电阻(14)上的氮化硅介质层；

11)淀积并光刻聚酰亚胺牺牲层：在砷化镓衬底(19)上涂覆1.6μm厚的聚酰亚胺牺牲层，填满所有凹坑，其中，聚酰亚胺牺牲层的厚度决定了MEMS固支梁(9)与其下方驱动电极(11)上的氮化硅介质层(12)之间的距离，以及空气桥(13)的高度；光刻聚酰亚胺牺牲层，仅保留MEMS固支梁(9)和空气桥(13)下方的牺牲层；

12)通过蒸发方式生长用于电镀的底金：蒸发钛/金/钛，作为底金，其厚度为500/1500/

13)涂覆光刻胶，去除预备制作MEMS固支梁(9)、空气桥(13)、MEMS固支梁的锚区(10)、主线和副线CPW、主线和副线ACPS以及电输入压焊块(18)地方的光刻胶；

14)电镀一层金，其厚度为2μm；

15)去除在步骤13)中留下的光刻胶；

16)反刻钛/金/钛，腐蚀底金，形成MEMS固支梁(9)、空气桥(13)、以及完整的MEMS固支梁的锚区(10)、主线和副线CPW、主线和副线ACPS以及电输入压焊块(18)；

17)将该砷化镓衬底(19)背面减薄至100μm；

18)释放聚酰亚胺牺牲层：显影液浸泡，去除MEMS固支梁(9)和空气桥(13)下的聚酰亚胺牺牲层，去离子水浸泡，无水乙醇脱水，常温下挥发，晾干，得到微电子机械固支梁式定向微波功率耦合器。

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