CN102244482A - 太阳能光热发电装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种太阳能光热发电装置，至少包含一个光热发电模块，该光热发电模块是由一个温度阻尼器及若干个太阳能芯片所构成；该温度阻尼器设有电荷产生端芯片、电子产生端芯片、吸热板、温度感知片和导电线路等，该若干个太阳能芯片呈陈列的方式固晶在温度阻尼器的吸热板上，由导电线路相互电性连接，且与温度阻尼器的电极端导线电性串接。该太阳能光热发电装置，既能将光能和热能同时转换成电能，增加太阳能转换为电能输出的效率，又能使太阳能芯片得到高效率的散热。

Description

太阳能光热发电装置

技术领域

本发明涉及一种太阳能光热发电装置。

背景技术

近年来，随着高油价时代的来临与社会对节能议题的重视，全球太阳能产业愈趋发达。若能有效利用太阳能，不仅可以克服目前石化能源日益短缺的问题，亦可避免由火力发电厂或核电厂所造成的温室效应与核废料的处理等环保问题。故绿色能源中，太阳能光电利用近年来备受各界关注，而太阳能转换电能的效率，则是最具发展性的研究领域。

太阳能发电原理，简单的说，是利用太阳能芯片(电池)吸收0.2μm～0.4μm波长的太阳光，将光能转换成电能输出的一种发电方式。虽然半导体技术的提升，有助于太阳能芯片光能转换电能的效率，但伴随光能的热囤积造成组件温度上升产生大量暗电流，这会使转换效率下降，因此，如中国台湾证书第M362979号「具散热功能之太阳能电池封装结构及其散热金属板」新型专利案，是利用一散热铝板来提供太阳能芯片散热，姑且不论其散热成效，事实上，热也是一种能，若能把热(能)转换成电能输出利用(不再以温度来表现)，不但可解决太阳能芯片的散热问题，并可增加太阳能转换电能的产值。

现有技术中的温度阻尼阻件，如图1，其具有一电荷产生芯片端1及一电子产生芯片端2，该电荷产生芯片端1与电子产生芯片端2间的非电极面设有一第一面板3，及电极面设有一第二面板4；通电后第一面板3产热，第二面板4产冷，当通电方向相反时，则第一面板3产冷，第二面板4产热，根据其功能，一般应用在产热或产冷产业上；事实上，温度阻尼组件，是一个能被温度激发振荡的组件，其特性含正温度与负温度阻尼效应，在不通电状态下，当第一面板3与第二面板4的的温度有温差时，会有发电的作用产生，换言之，第二面板4处于环境常温，第一面板3与热源接触，当第一面板3温度高于第二面板4温度时，温度阻尼组就会发电由电极端送出，只要送出来的电可以不断的被吸收，第一面板3的热即可被移除的降温至第二面板4无温差(不发电)时为止；因此，若把这项技术运用在太阳能芯片的散热用途上，将得到高效率的散热成果，并对电产值的增加有所帮助；不过，无论是太阳能芯片(或是温度阻尼组件)，其所产生的电是电能(Cell电堆)不是电力(Battery电池)，如图2，在透过充电电路10对蓄电池20充电时，为符合图3所示等效电路之最大功率移转定理，如图2，充电电路是由一电感L、一晶体管Q、一控制晶体管Q的控制器IC及一二极管D₁所构成，以电流充电方式对蓄电池20充电，因此造成反应效率差、电力储存少(最大值只有一半)、充电速度慢、充电温度高，且蓄电池20无法快速放电(高温会造成电池受损)，以及无法同时充电与放电(因路径只有一条)；若这些技术难题无法克服，则太阳能芯片(电池)在产业上，还是无法得到最佳化利用。虽然中国台湾发明公开公报第200729707号「用于解析系统电路的频谱器」专利案，可以被用来动态阻抗匹配，并推导建构出无穷级共振舱，解开系统对偶性难题，有利非线性动态系统稳定化，并包括动态因素调整、动态适应性阻尼，适应性全通滤波器均可获得完整解析；有了无穷级共振舱，这使通过的电子流可作振荡与阻尼效应，以多次短路吸电形成射频电力，即能以电压充电方式，将电力贮存入蓄电装置中作为负载的输入端，如此可完全改进现有充电器的缺失，经长期测试，市面各种蓄电装置或储电器或储电构件均未能在直接利用时得到理想的成果，其中，超级电容虽已具备了各项要求的条件，但其储电时的短路现象却在技术上仍有瓶颈，关键在储电器要会作正功与负功，且超级电容是电容值电介电效应后极化产生：

$\mathrm{Xc}=\frac{1}{2\mathrm{\πfc}},$

频率f由介电效应后极化才为∞无限大，X_C＝0只要电容值C不为零(实体的电容存在)，即是超级电容等效电容，如图4；因而，为使充电时电堆的内阻为零成共振，则须在技术上再寻求突破。

发明内容

为了克服上述缺陷，本发明提供了一种太阳能光热发电装置，该装置把太阳能转换成电能的利用率与效率大大提高，并可使太阳能芯片高效散热。

本发明为了解决其技术问题所采用的技术方案是：一种太阳能光热发电装置，所述太阳能光热发电装置至少包含一个光热发电模块，该光热发电模块是由一个温度阻尼器及若干个太阳能芯片所构成；该温度阻尼器，具有至少一电荷产生端芯片及至少一电子产生端芯片，该每一电荷产生端芯片的非电极端面与每一电子产生端芯片的非电极端面上相互连接的设有一吸热板，而该每一电荷产生端芯片的电极端和每一电子产生端芯片的电极端各设焊锡面接出导线，且在该焊锡面各设有一室温感知片，在该吸热板的相对于电动产生端芯片和电子产生端芯片的表面上经绝缘处理的设有导电线路；该若干个太阳能芯片呈陈列方式的固晶在温度阻尼器的吸热板上，由导电线路相互电性连接，且与温度阻尼器的电极端导线电性串接。该太阳能芯片将光能转换为电能时热能被吸热板吸收，当温度阻尼器的吸热板温度高于室温感知片温度时会有温场转为电场的效应产生电子流；因此，光热发电模块可将光能与热能同时转换为电能，以增加太阳能转换为电能输出的效率，且温度阻尼器温场转为电场时的电子流可接出利用或储存，使吸热板上热温形同被移除与室温感知片等温的作用，从而使太阳能芯片得到高效率的散热效果。

作为本发明的进一步改进，所述光热发电模块将光能与热能转换为电能的输出端，还包含一与光热发电模块电性连接的第一处理器电路，及一与第一处理器电路电性连接的储电器；该第一处理器电路具有一P型晶体管及N型晶体管，并由一第一IC控制器控制该P型晶体管及N型晶体管，该第一IC控制器能处理光热发电模块端输出的电能，共振产生RFCell(辐射电堆)辐射电给储电器。储电器能以电压充电模式进行电力储存，且使负载可从储电器接出电力使用。

作为本发明的进一步改进，该光热发电模块电能输出端包含一第一处理器电路及一储电器，还包含一相接市电的第二处理器电路且与该第一处理器电路并联；该第二处理器电路具有一对市电整流的整流器、一SCR硅控整流器及一MosFET场效晶体管，并由一第二IC控制器控制该硅控整流器及场效应晶体管，该第二IC控制器能把市电处理成RFCell(辐射电堆)辐射电接给储电器储存，因此该储电器可随机由市电作电力不足时的补偿性充电，使负载运作用电正常。

作为本发明的进一步改进，该储电器的输入端接入RFCell(辐射电堆)，输出端与电功率负载连接，其至少包括一第一无穷级共振舱、一第二无穷级共振舱、一有极性电抗型超级电感、一无极性电纳型超级电感、一无极性电抗型超级电容及一有极性电纳型超级电容；

该一第一无穷级共振舱，设在RFCell(辐射电堆)一极端，至少包含有一第一电性阻尼器及一第一电容；

该一有极性电抗型超级电感，是由一与第一无穷级共振舱的第一电性阻尼器及第一电容电性连接的第一实体电感线圈环绕在一第一永久磁铁上所构成；

该一第二无穷级共振舱，一端与第一无穷级共振舱电性串接，另一端则作为负载接电的一极端，至少包含有一第二电性阻尼器及一第二电容；

该一无极性电纳型超级电感，是由一与第二无穷级共振舱的第二电性阻尼器及第二电容电性连接的第二实体电感线圈环绕在一第二永久磁铁上所构成；

该一无极性电抗型超级电容，设在RFCell(辐射电堆)另一极端电性连接负载接电另一极端的线路上，与第一无穷级共振舱的输出端并联电性连接；

该一有极性电纳型超级电容，设在RFCell(辐射电堆)N极端电性连接负载接电另一极端的线路上，与第二无穷级共振舱的输入端并联电性连接。

利用上述第一无穷级共振舱的共振、阻尼效应，由该有极性电抗型超级电感的吸、放电作用，在第一永久磁铁造成磁场不收缩的情况下，由劳伦斯力将RFCell(辐射电堆)辐射电端电流转成电子流，使无极性电抗型超级电容的表面聚集电荷，瞬间使该有极性电纳型超级电容产生极化效应，将电荷转成电压贮存；而第二无穷级共振舱的共振、阻尼效应，则由该无极性电纳型超级电感与有极性电纳型超级电容共振，使从有极性电纳型超级电容输出的高密度电荷，在流经无极性电纳型超级电感时会因劳伦斯力的作用转成电子流到负载端；因此可形成高频响应的电压充电，达到充电速度快、温度低的效果，并可产生数倍的能量的效益，且允许极度放电及可同时作充电与放电。

作为本发明的进一步改进，所述有极性电抗型超级电感与第一无穷级共振舱的第一电性阻尼器及第一电容电性连接，是以若干股细铜线在第一永久磁铁上绕成电感，使通过的电流经由第一永久磁铁放大再变成无穷多束电子流发射出去。

作为本发明的进一步改进，所述无极性电纳型超级电感与第二无穷级共振舱之第二电性阻尼器及第二电容电性连接，是以若干股细铜线在第二永久磁铁上绕成电感，使通过的电荷被转成无穷多束电子流发射出去。

作为本发明的优选方式，所述温度阻尼器的吸热板为石墨板。

作为本发明的优选方式，所述太阳能芯片为砷化镓基材所构成的太阳能电芯片。

本发明的有益效果是：该太阳能光热发电装置至少包含一个光热发电模块，该光热发电模块设有一温度阻尼器及若干个太阳能芯片构成的光热发电模块，该温度阻尼器上设有电荷产生端芯片、电子产生端芯片、吸热板、温度感知片和导电线路等，该若干个太阳能芯片呈陈列的方式固晶在温度阻尼器的吸热板上，由导电线路相互电性连接，且与温度阻尼器之电极端导线电性串接；该太阳能芯片将光能转换为电能时热能被吸热板吸收，该温度阻尼器的吸热板温度高于室温感知片温度时会有温场转为电场的效应产生电子流；因此，光热发电模块即能将光能与热能同时转换为电能，来增加太阳能转换为电能输出的效率，且温度阻尼器温场转为电场时的电子可流接出利用或储存，而使吸热板上热温形同被移除与室温感知片等温的作用，从而使太阳能芯片得到高效率的散热效果。

附图说明

图1为现有温度阻尼组件构造示意图；

图2为现有太阳能芯片充电电路示意图；

图3为最大功率移转的等效电路示意图；

图4为超级电容的等效电路示意图；

图5为本发明构造示意图；

图6为本发明构造另一实施例示意图；

图7为本发明储电器构造电路示意图；

图8为无穷级共振舱正电性阻尼效应等效电路示意图；

图9为无穷级共振舱负电性阻尼效应等效电路示意图；

图10为超级电感的等效电路示意图。

对照附图，作以下补充说明：

1-电荷产生芯片端           2-电子产生芯片端

3-第一面板                 4-第二面板

10-充电电路                20-蓄电池

L-电感                     Q-晶体管

D₁-二极管                  A-光热发电模块

30-温度阻尼器              31-电荷产生端芯片

32-电子产生端芯片          33-吸热板

34-焊锡面                  35-导线

36-室温感知片              40-太阳能芯片

B-第一处理器电路           Q₁-P型晶体管

Q₂-N型晶体管               50-第一IC控制器

E-第二处理器电路           51-整流器

52-硅控整流器              53-场效应晶体管

54-第二IC控制器            C-储电器

D-负载                     60-第一无穷级共振舱

Xu₁-第一电性阻尼器         C₁-第一电容

61-有极性电抗型超级电感    L₁-第一实体电感线圈

610-第一永久磁铁           70-第二无穷级共振舱

Xu₂-第二电性阻尼器         C₂-第二电容

71-无极性电纳型超级电感    L₂-第二实体电感线圈

80-无极性电抗型超级电容    710-第二永久磁铁

81-有极性电纳型超级电容

具体实施方式

一种太阳能光热发电装置，如图5，至少包含一光热发电模块A，该光热发电模块A由一温度阻尼器30及若干个太阳能芯片40所构成；该温度阻尼器30，具有至少一电荷产生端芯片31及至少一电子产生端芯片32，该每一电荷产生端芯片31与每一电子产生端芯片32的非电极端面上相互连接的设有一吸热板33，而电极端则各设焊锡面34接出导线35及各设有一室温感知片36，且该吸热板33的上表面，并经绝缘处理的设有导电线路；该若干个太阳能芯片40呈陈列的方式固晶在温度阻尼器30的吸热板33上，由导电线路相互电性连接，且与温度阻尼器30的电极端导线35电性串接；该太阳能芯片40将光能转换为电能时热能被吸热板33吸收，当温度阻尼器30的吸热板33温度高于室温感知片36温度时，会有温场转为电场的效应产生电子流；因此，光热发电模块A即能将光能与热能同时转换为电能，来增加太阳能转换为电能输出的效率，且温度阻尼器30温场转为电场时的电子流可接出利用或储存，乃使吸热板33上的热温形同被移除与室温感知片36等温的作用，而使太阳能芯片40得到高效率的散热效果；并且，上述温度阻尼器30的吸热板33，可为石墨板，具有良好吸导热性能；又且，上述太阳能芯片40，可为砷化镓基材(GaAsBase)所构成的太阳能发电芯片40，具光能转换电能的高稳定性与良好效率。

根据上述实施例，其中，如图5，该光热发电模块A将光能与热能转换为电能的输出端，还包含一与光热发电模块A电性连接的第一处理器电路B，及一与第一处理器电路B电性连接的储电器C；该第一处理器电路B，具有一P型晶体管Q₁及N型晶体管Q₂，并由一第一IC控制器50控制该P型晶体管及N型晶体管，该第一IC控制器能处理光热发电模块A端输出的电能，共振产生RFCell(辐射电堆)给储电器C，而储电器C能以电压充电模式进行电力储存，且使负载D可从储电器C接出电力使用。

根据上述实施例，其中，如图6，该光热发电模块A电能输出端包含一第一处理器电路B及一储电器C，该第一处理器电路B产生RFCell(辐射电堆)辐射电给储电器C端，还包含一相接市电第二处理器电路E与该第一处理器电路B并联；该第二处理器电路E，具有一对市电(AC)整流的整流器51、一SCR硅控整流器52及一MosFET场效晶体管53，并由一第二IC控制器54控制该硅控整流器52及场效应晶体管53，该第二IC控制器能把AC市电处理成RFCell(辐射电堆)接给储电器C储存，而储电器C可随机由市电作电力不足时的补偿性充电，使负载D运作用电正常。

根据上述实施例，其中，如图5、6，该储电器C的输入端接入RFCell(辐射电堆)，输出端与电功率负载连接，如图7，其至少包括一第一无穷级共振舱60、一第二无穷级共振舱70、一有极性电抗型超级电感61、一无极性电纳型超级电感71、一无极性电抗型超级电容80(Ultra Capacitor)及一有极性电纳型超级电容81(Super Capacitor)；

该一第一无穷级共振舱60，设在RFCell(辐射电堆)P极端，包含有一第一电性阻尼器Xu₁、一第一电容C₁；

该一有极性电抗型超级电感61(Super Inductor)，是由一与第一无穷级共振舱60的第一电性阻尼器Xu₁及第一电容C₁电性连接的第一实体电感线圈L₁环绕在一第一永久磁铁610上所构成；

该一第二无穷级共振舱70，一端与第一无穷级共振舱60电性串接，另一端则作为负载D接电的一正极端，包含有一第二电性阻尼器Xu₂及一第二电容C₂；

该一无极性电纳型超级电感71(Ultra inductor)，是由一与第二无穷级共振舱70的第二电性阻尼器Xu₂及第二电容C₂电性连接的第二实体电感线圈L₂环绕在一第二永久磁铁710上所构成；

该一无极性电抗型超级电容80，设在RFCell(辐射电堆)N极端电性连接负载D接电另一负极端的线路上，与第一无穷级共振舱60的输出端并联电性连接；

该一有极性电纳型超级电容81，设在RFCell(辐射电堆)N极端电性连接负载D接电另一负极端的线路上，与第二无穷级共振舱70的输入端并联电性连接；

利用上述第一无穷级共振舱60的共振、阻尼效应，由该有极性电抗型超级电感61的吸、放电动作，在第一永久磁铁610造成磁场不收缩的作用下，由劳伦斯力将RFCell(辐射电堆)端电流转成电子流，使无极性电抗型超级电容80的表面聚集电荷，瞬间该有极性电纳型超级电容81极化效应，将电荷转成电压贮存；而第二无穷级共振舱70的共振、阻尼效应，则由该无极性电纳型超级电感71与有极性电纳型超级电容81共振，使从有极性电纳型超级电容81输出的高密度电荷，在流经无极性电纳型超级电感71时会因劳伦斯力的作用转成电子流到负载D端；据以形成为高频响应的电压充电，达到充电速度快、温度低，可倍增的效益，且允许极度放电及可同时作充电与放电；且上述该有极性电抗型超级电感6l与第一无穷级共振舱60之第一电性阻尼器Xu₁及第一电容C₁电性连接，是以若干股细铜线在第一永久磁铁610上绕成电感，使通过的电流经由第一永久磁铁610放大再变成无穷多束电子流发射出去；又且，上述该无极性电纳型超级电感71与第二无穷级共振舱70的第二电性阻尼器Xu₂及第二电容C₂电性连接，是以若干股细铜线在第二永久磁铁710上绕成电感，使通过的电荷被转成无穷多束电子流发射出去。

亦即，上述储电器C的实施例，如图7，该第一无穷级共振舱60及第二无穷级共振舱70，其电性阻尼会产生以下效应：

(一)正电性阻尼效应

①将搜集再生电结合凸型谐振器，呈阻抗状态。

②将搜集再生电结合凹型谐振器，呈导纳状态。

③凸型谐振器结合凹型谐振器，呈无穷共振-∞Ohm状态。

故将实功转成虚功呈Sink状态，等效电路如图8，

(二)负电性阻尼效应

①将搜集再生电结合凸型谐振器，呈导纳状态。

②将搜集再生电结合凹型谐振器，呈阻抗状态。

③凸型谐振器结合凹型谐振器，呈无穷共振∞Ohm状态。

兹将虚功转成实功呈Source状态，等效电路如图9。

因此，如图7所示电路也称为二次RFCell(辐射电堆)储存器(RF Cell Storage)，可快充快放没有温度及不会有最大功率移转的问题。将可取代现今所有的二次电池。有极性电抗、无极性电纳型超级电感61、71与无极性电抗、有极性电纳型超级电容80、81的组合，快速充电与放电分别表示导纳与阻抗呈-∞与+∞，换言之，即是超导或零损。

也就是，有极性电抗、无极性电纳型超级电感61、71分别是电感值各由第一、二永久磁铁610、710分别激发第一、二实体电感线圈L₁、L₂产生：XL＝2πfL，频率f各是由第一、二永久磁铁610、710激发为∞，XL＝∞，只要电感值L不为零(实体的电感存在)，即是构成为超级电感，其等效电感电路如图10。由于，如图7，该无极性电抗、有极性电纳型超级电容80、81，分别是电容值由介电效应后极化产生：

$\mathrm{Xc}=\frac{1}{2\mathrm{\πfc}},$

频率f由介电效应后极化为∞，X_c＝0，只要电容值C不为零(实体的电容存在)，即是超级电容，其等效电容如图4。

若携带的电能为

则

$W_L(t_1,t_2)={\∫}_{t_1}^{t_2}\mathrm{\υidt}={\∫}_{t_1}^{t_2}L\frac{\mathrm{di}}{\mathrm{dt}}\mathrm{idt}=L{\∫}_{i\left(t_1\right)}^{i\left(t_2\right)}\mathrm{idt}$

$=\frac{L}{2}{i}^2{|}_{i\left(t_1\right)}^{i\left(t_2\right)}=\frac{L}{2}\{{\left[i\left(t_2\right)\right]}^2-{\left[i\left(t_1\right)\right]}^2\}$

$W_c(t_1,t_2)={\∫}_{t_1}^{t_2}\mathrm{\υidt}={\∫}_{t_1}^{t_2}\mathrm{\υC}\frac{\mathrm{d\υ}}{\mathrm{dt}}\mathrm{dt}=C{\∫}_{\mathrm{\υ}\left(t_1\right)}^{\mathrm{\υ}\left(t_2\right)}\mathrm{\υd\υ}$

$=\frac{C}{2}{\mathrm{\υ}}^2{|}_{\mathrm{\υ}\left(t_1\right)}^{\mathrm{\υ}\left(t_2\right)}=\frac{C}{2}\{{\left[\mathrm{\υ}\left(t_2\right)\right]}^2-{\left[\mathrm{\υ}\left(t_1\right)\right]}^2\}$

若i与v同属周期函数T＝t2-t1，i(t2)＝i(t1)；v(t2)＝v(t1)，W(t1，t2)＝0故不会耗能(物理上称为耗虚功)。

根据上述储电器C实例的说明，现再由以下说明能更加了解储电器C放电时的作用情形：如图7

极化端有极性电纳型超级电容81开始放电(在正、负极接负载D的状态下)，原本只要输出是一高密度电荷送到负载D端，但因不希望是D C直流(会让电堆发热)，故是由无极性电纳型超级电感71与有极性电纳型超级电容81共振；换言之，超级电感X_L＝2πfL，X_L＝∞，是f＝∞或L＝∞，由于频率f是由第二永久磁铁710激发为∞，形成放电时电堆的内阻∞，因此流经无极性电纳型超级电感71的高密度电荷，则会被转成高密度电子流输出给负载D，不存在有发热问题，允许极度放电(电流大小，随负载D作变化)；且这里无极性电纳型超级电感71，其两端所产生的涡电流(作用于磁场中的楞次效应)，则可由第二无穷级共振舱70的电性阻尼器Xu₂的效用加以消除。

因此，由上述实施例，储电器C具备以下效益及特色：

①电压充电(电能功率)

②高频响应(电荷与电子流)

③充电时间快速(电堆内阻为零)

④没有最大功率移转问题

⑤没有温度问题

⑥可极度放电

⑦可同时充电与放电(输入与输出绝缘)

以上说明对本发明而言只是说明性的，而非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离所附说明书所限定的范围的情况下，可做出许多修改、变化或等效，但都将落入本发明的保护范围内。

Claims (8)

1.一种太阳能光热发电装置，其特征在于：所述太阳能光热发电装置至少包含一个光热发电模块，该光热发电模块是由一个温度阻尼器及若干个太阳能芯片所构成；该温度阻尼器具有至少一电荷产生端芯片及至少一电子产生端芯片，该每一电荷产生端芯片的非电极端面与每一电子产生端芯片的非电极端面上相互连接的设有一吸热板，而该每一电荷产生端芯片的电极端和每一电子产生端芯片的电极端各设焊锡面接出导线，且在该焊锡面各设有一室温感知片，在该吸热板的相对于电荷产生端芯片和电子产生端芯片的表面上，经绝缘处理的设有导电线路；该若干个太阳能芯片呈陈列的方式固晶在温度阻尼器的吸热板上，由导电线路相互电性连接，且与温度阻尼器的电极端导线电性串接。

2.根据权利要求1所述的太阳能光热发电装置，其特征在于：所述温度阻尼器的吸热板为石墨板。

3.根据权利要求1所述的太阳能光热发电装置，其特征在于：所述太阳能芯片为砷化镓基材所构成的太阳能电芯片。

4.根据权利要求1所述的太阳能光热发电装置，其特征在于：所述光热发电模块将光能与热能转换为电能的输出端，还包含一与光热发电模块电性连接的第一处理器电路，及一与第一处理器电路电性连接的储电器；该第一处理器电路具有一P型晶体管及N型晶体管，并由一第一控制器(简称IC)控制该P型晶体管及N型晶体管，该第一IC控制器能处理光热发电模块端输出的电能，共振产生RFCell(辐射电堆)。

5.根据权利要求4所述的太阳能光热发电装置，其特征在于：该光热发电模块电能输出端包含一第一处理器电路及一储电器，还包含一相接市电的第二处理器电路且与该第一处理器电路并联；该第二处理器电路具有一对市电整流的整流器、一硅控整流器(简称：SCR)及一MosFET场效晶体管，并由一第二IC控制器控制该硅控整流器及场效应晶体管。

6.根据权利要求4或5所述的太阳能光热发电装置，其特征在于：该储电器的输入端接入RFCell(辐射电堆)，输出端与电功率负载连接，其至少包括一第一无穷级共振舱、一第二无穷级共振舱、一有极性电抗型超级电感、一无极性电纳型超级电感、一无极性电抗型超级电容及一有极性电纳型超级电容；

该一第一无穷级共振舱，设在RFCell(辐射电堆)一极端，至少包含有一第一电性阻尼器及一第一电容；

该一有极性电抗型超级电感，是由一与第一无穷级共振舱的第一电性阻尼器及第一电容电性连接的第一实体电感线圈环绕在一第一永久磁铁上所构成；

该一第二无穷级共振舱，一端与第一无穷级共振舱电性串接，另一端则作为负载接电的一极端，至少包含有一第二电性阻尼器及一第二电容；

该一无极性电纳型超级电感，是由一与第二无穷级共振舱的第二电性阻尼器及第二电容电性连接的第二实体电感线圈环绕在一第二永久磁铁上所构成；

该一无极性电抗型超级电容，设在RFCell(辐射电堆)另一极端电性连接负载接电另一极端的线路上，与第一无穷级共振舱的输出端并联电性连接；

该一有极性电纳型超级电容，设在RFCell(辐射电堆)N极端电性连接负载接电另一极端的线路上，与第二无穷级共振舱的输入端并联电性连接。

7.根据权利要求6所述的太阳能光热发电装置，其特征在于：所述有极性电抗型超级电感与第一无穷级共振舱的第一电性阻尼器及第一电容电性连接，是以若干股细铜线在第一永久磁铁上绕成电感。

8.根据权利要求6所述的太阳能光热发电装置，其特征在于：所述无极性电纳型超级电感与第二无穷级共振舱的第二电性阻尼器及第二电容电性连接，是以若干股细铜线在第二永久磁铁上绕成电感。

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