发明内容
为解决上述问题,本发明提供一种高温炉温度控制系统,包括PLC、可控硅、调磁变压器、高温炉和温度传感器,
其中,所述高温炉包括加热池、发热元件、隔热屏、包括石墨棉和玻璃棉的保温层、带有水冷套的炉壳和带有水冷套的炉盖,所述可控硅连接接触器,用于控制所述可控硅的电源通断,所述可控硅配置有散热器,所述高温炉的发热元件的输入电路上连接有快速熔断器,用于在发热元件发生短路或者其他故障时快速将其断开,所述调磁变压器的调磁电路上连接有分流器,用于测量调磁电流以及控制所述调磁变压器的输出电流,
PLC的输出信号输入至可控硅,可控硅根据输入信号改变输出量并将其输入至调磁变压器,调磁变压器由此改变输出电压并将其施加给高温炉的发热元件,温度传感器实时采集高温炉的温度,并且将所采集的温度信号反馈给PLC,PLC根据温度的变化来改变输出信号,进而改变施加到发热元件上的电压值,从而使所述系统的五个部件构成封闭的单向循环系统。
本发明提供一种高温炉温度控制系统,通过利用PLC取代传统的继电器,同时采用可控硅变压器实现无级调压,将成熟的可编程逻辑控制技术与电子电力技术相结合,显著提高了高温炉的控温精度,实现经济高效稳定的控温,尤其适合应用于1700度以上的高温冶炼工业。
本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
具体实施方式
本发明提供一种高温炉温度控制系统,该控温系统专为一种工作温度在1700℃以上的大型钛高温电解炉而设计。图1所示为该温度控制系统的结构图,该系统包括:PLC10、可控硅20、调磁变压器30、高温炉40和温度传感器50。
高温炉40的结构参照图2,主要包括加热池1、发热元件2、隔热屏3、包括石墨棉4和玻璃棉5的保温层、带有水冷套的炉壳6和带有水冷套的炉盖7,炉体为长方体,长为3m,宽为1.5m,高为2m。高温炉底部铺设耐火砖8。为提高炉内温度场的均匀性,加热池1分为四区控温,每区构成独立闭环回路,进行温度控制。为减少炉壁的热损失,在电热元件2的四周平行设置三层石墨隔热屏3,以及在隔热屏3的最外层和炉壳6之间依次填充有石墨棉4和玻璃棉5作为保温层。为减少熔池对炉盖7的热辐射,在熔池上方设置三层熔池盖板9,炉盖7上密封插入石墨电极13、加料管11以及出料管12。
可控硅20的主电路上连接有接触器44,用于控制可控硅20的电源通断,通过启停按钮手动控制可控硅20的接通和断开,可控硅20还配置有散热器22;高温炉40的发热元件2的输入电路上连接有快速熔断器46,用于在发热元件2发生短路或者其他故障时快速将其断开,起安全保护作用;调磁变压器30的调磁电路上连接有分流器60,用于测量调磁电流的大小以及控制调磁变压器30的输出电流。
其中,PLC10的输出信号输入至可控硅20,可控硅20根据输入信号改变输出量并将其输入至调磁变压器30,调磁变压器30由此改变输出电压并将其施加给高温炉40的发热元件2,温度传感器50实时采集高温炉40的温度,并且将所采集的温度信号反馈给PLC10,PLC10根据温度的变化来改变输出信号,进而改变施加到发热元件2上的电压值,从而使该系统的五个部件构成一个封闭的单向循环系统。
该系统通过PLC10控制高温炉温度的控制原理图参照图3。首先在PLC10上设置目标温度SP,PLC系统对目标温度SP进行计算以输出具有定幅值和定脉宽的触发脉冲Q给可控硅20的控制极,可控硅20被导通,其导通角为θ(0≤θ≤180度),可控硅20输出直流电压V1给调磁变压器30作为其励磁电压,调磁变压器30的输出电压V2施加于高温炉40内的发热元件2,从而调整高温炉40的升温速率及温度,温度传感器50实时采集高温炉40的温度T并且将其反馈给PLC10,PLC10将实际温度T和目标温度SP进行差值比较,以调整其输出给可控硅20的信号。以此循环,从而实现对高温炉40的温度的实时控制。在上述过程中,可控硅20是间歇式地输出直流电压给调磁变压器30,引起调磁变压器内部的电磁感应变化,从而产生输出电压。
其中,PLC10对反馈温度PV和目标温度SP进行差值比较分为两种情况:(1)当反馈温度PV低于目标温度SP时,PLC10发出指令以调整其输出给可控硅20的触发脉冲Q的幅值和脉宽,即调整可控硅20的导通角θ,进而调整可控硅20的输出直流电压V1,以调整施加于发热元件2的电压V2,最终调整高温炉的升温速率v;(2)当反馈温度PV升高至或者高于目标温度SP时,PLC10停止向可控硅20输出触发脉冲,使可控硅20的导通角θ为零,可控硅20关断,从而使高温炉40的发热元件2停止工作。通过这种方法,对高温炉40的温度进行实时监控,以提高高温炉的温度精度和工作稳定性。
本发明实施例中的PLC10采用西门子S7-200系统,其硬件结构如图4所示,包括:CPU、数字信号输入/输出模块(DI/DO)、模拟信号输入/输出模块(AI/AO)。其中,CPU是PLC的控制核心,其配置为CPU226CN,优选型为CPU226-2BD23-OXA8,其I/O点数为24/16;DI/DO的配置为EM223或EM221,其中,EM223的优选型为EM 223-1PM22-OXA8,32输入24VDC/32继电器输出,以及EM 223-1PL22-OXA,16输入24VDC/16继电器输出,EM221的优选型为EM221-1BH22-OXA8,16点输入24VDC输出;AI/AO的配置为EM231或EM232,EM231的优选型为EM231-OHC22-OXA8,AI位数为4×12位,EM232的优选型为232-OHD22-OXA8,AO位数为4×12位。
优选地,S7-200的PPI接口的物理特性为RS-485,可以在PPI、MPI和自由通讯口方式下工作,为实现PLC与上位机的通讯提供了多种选择。
可选地,PLC10还包括显示屏,例如Eview500系列的触摸式显示屏,以实现人机对话功能,具体包括:显示系统状态、故障情况,显示主要控制参数(高温炉升温速率及温度值)的实时变化情况及趋势图,修改参数等功能,使PLC的控制操作直观易行。
可选地,PLC10还包括以太网模块,例如CP243-1,其作用是将PLC直接连入以太网,通过以太网进行远距离交换数据,与其他的PLC进行数据传输,通信基于TCP/IP,安装方便、简单。
PLC是本发明提供的温度控制系统的核心装置,其通过采用模块化设计概念,实现温度模拟量、数字化控制,由于PLC的运算速度快、精度高、准确可靠,从而提高了整套高温炉温度控制系统的可靠性、抗干扰性以及控温精度。并且,PLC具有兼容性好、扩展性强、直观易操作、维护方便的优点。
可控硅20在该系统中实现可控整流和无级调压的作用,由PLC 10根据目标温度与反馈温度的差值输出具有定幅值和定脉宽的触发脉冲来调整可控硅20的导通角θ,进而调整可控硅的输出直流电压,即调整调磁变压器30的励磁电压。可控硅20为单向可控硅,以避免承受反向高电压。在本发明实施例中,可控硅优选山东威海星佳电子有限公司的型号为MFC-55A-1200V的可控硅。另外,该系统的可控硅20配置有散热器22,以帮助可控硅散热,减少可控硅的故障率、延长使用寿命。优选地,将可控硅20安装在散热器上,使可控硅更好地散发热量。
调磁变压器30能够根据负载需求调整其输出电压,由于本发明提供的控温系统用于超高加热温度(1700度以上)的高温炉,故优选采用低压大电流调磁变压器,例如型号为TSH-485/0.5的调磁变压器。另外,由于高温炉的工作电流可达到2980A,其调磁变压器中调磁线路直流电流可达到40A,故在可控硅20与调磁变压器30的调磁电路之间连接分流器60,用于测量调磁变压器30的调磁电流的大小,以及控制调磁变压器的输出电流。分流器60的两个接线端分别与可控硅20的输出端和磁性变压器30的调磁电路的输入端连接,小接线端连接电流表。电流表可以置于操作台,用于显示控制调磁线路的电流。
温度传感器50可以为接触式或非接触式温度传感器,由于高温炉的工作温度需要达到1700度以上的高温,因此本发明实施例优选地采用测温上限不受感温元件耐温程度限制的非接触式温度传感器,如红外温度传感器。另外,温度传感器50可以是电阻输出型、电压输出型或者电流输出型模拟温度传感器。在本发明实施例中,为了匹配温度控制系统的S7-200型PLC,温度传感器50优选的为电流输出型温度传感器,其电流输出为4-20mA的标准信号,可以直接输入到PLC处理,从而不需要在PLC中设置的模拟信号转换回路。
优选地,在本发明实施例中,该对温度控制系统的电源采取集中式管理,例如利用配电柜统一配电,并且,对所述配电柜配置一台或多台风扇加强散热,以避免配电柜内温度过高造成的元器件的老化,从而提高系统运行的可靠性。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同限定。