CN102214573B - 一种纳米线共振压电场效应晶体管的制作方法 - Google Patents
一种纳米线共振压电场效应晶体管的制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102214573B CN102214573B CN201010145211.6A CN201010145211A CN102214573B CN 102214573 B CN102214573 B CN 102214573B CN 201010145211 A CN201010145211 A CN 201010145211A CN 102214573 B CN102214573 B CN 102214573B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- piezoelectric
- dimension
- nano
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 title claims abstract description 73
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 18
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 17
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 230000012010 growth Effects 0.000 claims description 13
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims description 9
- 230000009647 facial growth Effects 0.000 claims description 6
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 5
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 3
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 abstract description 30
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract description 5
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract 2
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 6
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 6
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 6
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本发明公开了一种纳米线共振压电场效应晶体管的制作方法，包括：步骤1：在衬底背面制作背栅电极；步骤2：在衬底正面生长氧化介质；步骤3：在生长的氧化介质上制作底层电极；步骤4：超声降解一维压电纳米线材料，并转移至衬底表面；步骤5：将一维压电纳米材料精确组装在底层电极上；步骤6：在底层电极之上制作覆盖一维压电纳米材料的顶层电极；步骤7：在源漏电极间施加直流电压并监测电流；步骤8：将背栅电极外接至RF激励信号源。利用本发明，调节RF激励信号频率接近一维压电纳米线固有频率，使得一维压电纳米线发生共振，导致周期性振荡形变，将激励信号能量转换为一维压电纳米线的能量，达到制作纳米线共振压电场效应晶体管的目的。
Description
技术领域
本发明涉及纳米材料和器件技术领域，尤其涉及一种纳米线共振压电场效应晶体管的制作方法。
背景技术
物质都有各自的固有频率，一旦外界激励信号的频率接近其固有频率，该物质将产生共振。2007年，美国加利福尼亚大学伯克利分校的A.ZETTL等人利用碳纳米管(CNT)制成了迄今为止世界上最小的收音机——纳米收音机，该收音机由一根CNT及电极组成，可以发出MHz频率的音频信号，其最为显著的特点在于：将传统收音机中需要独立部件实现的各个功能(天线、调谐器、放大器和解调器等)全部由一根CNT实现，这其中就利用了当输入信号和CNT固有频率接近时，CNT产生共振的原理。
压电效应是指某些电介质晶体在沿特定方向的压力作用下，会在其两端分别出现正负电荷分布，从而在其内部形成电场的现象。压电效应已被广泛应用于晶体振荡器、电声器件、超声波发生器等领域。
选择具有压电效应的一维纳米材料(如ZnO纳米线)作为沟道，其优势在于：一维压电纳米材料不仅和其它一维纳米材料一样能够产生共振，而且由于共振时一维压电纳米材料将进行周期性振荡，即一维压电纳米材料发生形变，振荡形变的一维压电纳米线产生压电效应，形成压电极化电场，该电场将调节沟道自由载流子，从而代替了常规FET栅电压的调制功能。
以本征ZnO纳米线为例，纳米线共振压电场效应晶体管的器件结构示意图以及工作原理图如图2所示。
图2(a)为器件结构示意图。Si衬底上生长SiO2氧化介质；在SiO2氧化介质上制作底层电极；将ZnO纳米线(水平方向为c轴)的两端精确组装在底层电极上；在底层电极上制作覆盖ZnO纳米线的顶层电极；本征ZnO纳米线内存在自由电子(e-)，呈N型导电特性。
图2(b)、图2(c)和图2(d)为器件工作原理图。正负电极之间施加电压，监测流过ZnO纳米线的电流变化。ZnO纳米线可以看作两端固定的一根纳米悬浮梁。当外界激励信号频率f0接近ZnO纳米线的固有频率时，ZnO纳米线将产生共振，进行周期性振荡。
当ZnO纳米线向下弯曲时，如图2(b)所示，产生压电效应，在纳米线伸展一侧积累正电荷，而在压缩一侧出现等量负电荷，形成压电极化电场。如果纳米线形变情况不改变，这些由压电效应产生的压电极化电荷是固定的，不会移动或者复合。对于N型ZnO纳米线来说，纳米线伸展一侧的正电荷将吸附纳米线内的自由电子(e-)。当ZnO纳米线形变至一定程度时，将产生足够的压电极化电荷，耗尽全部自由电子，相当于起到了常规场效应晶体管栅电极的作用，此时ZnO纳米线沟道处于截止状态。
当纳米线恢复平衡位置时，如图2(c)所示，压电电荷消失，ZnO纳米线内的自由电子在源漏电压的作用下定向移动，ZnO纳米线沟道处于开启状态。
与纳米线向下弯曲的情形相似，当ZnO纳米线向上弯曲时，如图2(d)所示，也会产生由形变导致的压电电荷，耗尽ZnO纳米线内的自由电子，使得沟道截止。
由此可知，当ZnO纳米线向上或向下弯曲时，产生压电效应，由形变导致的压电电荷将吸附ZnO纳米线内的自由电子，使得流过ZnO纳米线的电流减少或者截止。当ZnO纳米线恢复平衡状态时，压电效应消失，流过ZnO纳米线的电流恢复正常值。
利用一维压电纳米材料及器件工艺，制作纳米线共振压电场效应晶体管在纳米技术、传感器、开关、机电耦合、能量转换、自供电等领域均具有重要的研究和应用价值。
发明内容
(一)要解决的技术问题
有鉴于此，如何利用压电效应调制沟道自由载流子是一项具有挑战性的研究工作。本发明利用一维压电纳米材料的共振原理和压电效应，制作了纳米线共振压电场效应晶体管，利用RF激励信号引起一维压电纳米线共振，振荡形变的一维压电纳米线将产生压电效应，形成压电极化电场，利用该电场调制沟道自由载流子，代替常规FET栅电压的调制功能。
(二)技术方案
为达到上述目的，本发明提供了一种纳米线共振压电场效应晶体管的制作方法，该方法包括：
步骤1：在衬底背面制作背栅电极；
步骤2：在衬底正面生长氧化介质；
步骤3：在生长的氧化介质上制作底层电极；
步骤4：超声降解一维压电纳米线材料，并转移至衬底表面；
步骤5：将一维压电纳米材料精确组装在底层电极上；
步骤6：在底层电极之上制作覆盖一维压电纳米材料的顶层电极；
步骤7：在源漏电极间施加直流电压并监测电流；
步骤8：将背栅电极外接至RF激励信号源。
上述方案中，所述步骤1包括：采用微电子制作工艺，在Si衬底背面蒸发一层金属，作为背栅电极。
上述方案中，所述步骤2包括：采用等离子体增强化学气相沉积技术，在Si衬底正面生长一层SiO2介质，实现Si衬底与后续制作的电极之间、以及Si衬底与组装的一维压电纳米材料之间的隔离。
上述方案中，所述步骤3包括：采用微电子制作工艺，经光刻、蒸发金属、剥离工艺，在生长的氧化介质上制作规则的电极，作为底层电极。
上述方案中，所述步骤4包括：将生长一维压电ZnO纳米线材料的基片浸泡于异丙酮溶液中，采用超声降解技术，使一维压电ZnO纳米线材料从生长基片表面脱落，悬浮于异丙酮溶液，一维压电纳米材料被分散在溶液内，以减少相互缠绕，然后将含有一维压电纳米材料的异丙酮溶液滴于Si器件衬底的正面。
上述方案中，所述步骤5包括：利用纳米操控平台及技术，将一维压电ZnO纳米线材料的两端分别精确组装在两个底层电极上，这两个底层电极分别作为底层正负电极，使得组装在这两个底层正负电极之间的一维压电纳米材料处于悬浮状态。
上述方案中，所述步骤6包括：采用微电子制作工艺，经光刻、蒸发金属、剥离工艺，在底层电极之上制作覆盖一维压电纳米材料的电极，作为顶层电极；顶层电极金属、底层电极金属与一维压电纳米材料为欧姆接触。
上述方案中，所述步骤7包括：利用引线键合技术，通过导线，外接至电压信号源，在正负电极上施加电压，并监测其电流变化。
上述方案中，所述步骤8包括：将背栅电极连接RF激励信号源，调节RF激励信号源频率接近一维压电纳米线固有频率，使得一维压电纳米线发生共振，导致振荡形变，产生压电效应。
(三)有益效果
从上述技术方案可以看出，本发明具有以下有益效果：
本发明提供的这种制作纳米线共振压电场效应晶体管的方法，包括在衬底背面制作背栅电极、衬底正面生长氧化介质、在生长的氧化介质上制作底层电极、超声降解一维压电纳米线材料，并转移至衬底表面、将一维压电纳米材料精确组装在底层正负电极之间、在底层电极之上制作覆盖一维压电纳米材料的顶层电极、源漏电极间施加直流电压并监测电流、背栅电极外接至RF激励信号源。本发明利用一维压电纳米线材料，经过上述工艺流程，调节RF激励信号频率接近一维压电纳米线固有频率，使得一维压电纳米线发生共振，导致周期性振荡形变，将激励信号能量转换为一维压电纳米线的能量。振荡形变的一维压电纳米线产生压电效应，形成压电极化电场，该电场调制一维压电纳米线自由载流子，代替常规FET栅电压的调制功能，达到了制作纳米线共振压电场效应晶体管的目的。
附图说明
图1是本发明提供的制作纳米线共振压电场效应晶体管的方法流程图；
图2是本发明提供的利用ZnO纳米线共振压电场效应晶体管的器件结构示意图以及工作原理图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
如图1所示，图1是本发明提供的制作纳米线共振压电场效应晶体管的方法流程图，该方法包括以下步骤：
步骤1：在衬底背面制作背栅电极。采用微电子制作工艺，在Si衬底背面蒸发一层金属，作为背栅电极。
步骤2：在衬底正面生长氧化介质。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术，在Si衬底正面生长一层氧化介质(如SiO2介质)，实现Si衬底和后续制作的电极、组装的一维压电纳米材料之间的隔离。
步骤3：在生长的氧化介质上制作底层电极。采用微电子制作工艺，经光刻、蒸发金属、剥离等工艺，在生长的氧化介质上制作规则的电极，作为底层电极。
步骤4：超声降解一维压电纳米线材料(如ZnO纳米线)，并转移至衬底表面。将生长一维压电纳米材料的基片浸泡于异丙酮溶液中，采用超声降解技术，使一维压电纳米材料从生长基片表面脱落，悬浮于异丙酮溶液。一维压电纳米材料被分散在溶液内，以减少相互缠绕。然后将含有一维压电纳米材料的异丙酮溶液滴于Si器件衬底的正面。
步骤5：将一维压电纳米材料精确组装在底层电极上。利用纳米操控平台及技术，将一维压电纳米材料的两端分别精确组装在两个底层电极上，分别作为底层正负电极；使得组装在底层正负电极之间的一维压电纳米材料处于悬浮状态。
步骤6：在底层电极之上制作覆盖一维压电纳米材料的顶层电极。采用微电子制作工艺，经光刻、蒸发金属、剥离等工艺，在底层电极之上制作覆盖一维压电纳米材料的电极，作为顶层电极。顶层和底层电极金属和一维压电纳米材料为欧姆接触，提供了良好的电气连接，同时起到了固定悬浮一维压电纳米材料的作用。
步骤7：源漏电极间施加直流电压并监测电流。利用引线键合技术，通过导线，外接至电压信号源。在正负电极上施加电压，并监测其电流变化。
步骤8：背栅电极外接至RF激励信号源。将背栅电极连接RF激励信号源，调节RF激励信号源频率接近一维压电纳米线固有频率，使得一维压电纳米线发生共振，导致振荡形变，产生压电效应。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种纳米线共振压电场效应晶体管的制作方法，其特征在于，该方法包括：
步骤1：在衬底背面制作背栅电极；
步骤2：在衬底正面生长氧化介质；
步骤3：在生长的氧化介质上制作两个底层电极；
步骤4：超声降解一维压电纳米线材料，并转移至衬底表面；
步骤5：利用纳米操控平台及技术，将一维压电ZnO纳米线材料的两端分别精确组装在两个底层电极上，这两个底层电极分别作为底层正负电极，使得组装在这两个底层正负电极之间的一维压电纳米线材料处于悬浮状态；
步骤6：在底层电极之上制作分别覆盖一维压电纳米线材料两端的两个顶层电极；
步骤7：在源漏电极间施加直流电压并监测电流，其中两个底层、顶层电极分别构成了晶体管的源漏电极；
步骤8：将背栅电极外接至RF激励信号源，调节RF激励信号源频率接近一维压电纳米线固有频率，使得一维压电纳米线发生共振，导致振荡形变，产生压电效应。
2.根据权利要求1所述的纳米线共振压电场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤1包括：
采用微电子制作工艺，在Si衬底背面蒸发一层金属，作为背栅电极。
3.根据权利要求1所述的纳米线共振压电场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤2包括：
采用等离子体增强化学气相沉积技术，在Si衬底正面生长一层SiO2介质，实现Si衬底与后续制作的电极之间、以及Si衬底与组装的一维压电纳米线材料之间的隔离。
4.根据权利要求1所述的纳米线共振压电场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤3包括：
采用微电子制作工艺，经光刻、蒸发金属、剥离工艺，在生长的氧化介质上制作规则的电极，作为底层电极。
5.根据权利要求1所述的纳米线共振压电场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤4包括：
将生长一维压电ZnO纳米线材料的基片浸泡于异丙酮溶液中，采用超声降解技术，使一维压电ZnO纳米线材料从生长基片表面脱落，悬浮于异丙酮溶液，一维压电纳米线材料被分散在溶液内，以减少相互缠绕，然后将含有一维压电纳米线材料的异丙酮溶液滴于Si衬底的正面。
6.根据权利要求1所述的纳米线共振压电场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤6包括：
采用微电子制作工艺，经光刻、蒸发金属、剥离工艺，在底层电极之上制作覆盖一维压电纳米线材料的电极，作为顶层电极；顶层电极金属、底层电极金属与一维压电纳米线材料为欧姆接触。
7.根据权利要求1所述的纳米线共振压电场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤7包括：
利用引线键合技术，通过导线，外接至电压信号源，在源漏电极上施加电压，并监测其电流变化。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201010145211.6A CN102214573B (zh) | 2010-04-09 | 2010-04-09 | 一种纳米线共振压电场效应晶体管的制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201010145211.6A CN102214573B (zh) | 2010-04-09 | 2010-04-09 | 一种纳米线共振压电场效应晶体管的制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102214573A CN102214573A (zh) | 2011-10-12 |
| CN102214573B true CN102214573B (zh) | 2013-05-01 |
Family
ID=44745832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201010145211.6A Active CN102214573B (zh) | 2010-04-09 | 2010-04-09 | 一种纳米线共振压电场效应晶体管的制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102214573B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103579490B (zh) * | 2012-07-18 | 2019-02-19 | 北京纳米能源与系统研究所 | 一种晶体管和晶体管阵列 |
| CN107747954B (zh) * | 2017-09-29 | 2020-05-05 | 苏州涟漪信息科技有限公司 | 一种自源式传感器 |
| CN108052137B (zh) * | 2017-12-06 | 2020-04-03 | 浙江海洋大学 | 一种超声引线键合超声波频率自调整方法 |
| CN111244261B (zh) * | 2020-02-15 | 2022-09-02 | 郑州大学 | 一种无结场效应晶体管式压力传感器及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1745468A (zh) * | 2002-09-30 | 2006-03-08 | 纳米系统公司 | 大面积纳米启动宏电子衬底及其用途 |
| CN101540287A (zh) * | 2009-04-23 | 2009-09-23 | 中国科学院微电子研究所 | 一种背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法 |
| CN102214577A (zh) * | 2010-04-09 | 2011-10-12 | 中国科学院微电子研究所 | 一种制作纳米开关的方法 |
-
2010
- 2010-04-09 CN CN201010145211.6A patent/CN102214573B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1745468A (zh) * | 2002-09-30 | 2006-03-08 | 纳米系统公司 | 大面积纳米启动宏电子衬底及其用途 |
| CN101540287A (zh) * | 2009-04-23 | 2009-09-23 | 中国科学院微电子研究所 | 一种背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法 |
| CN102214577A (zh) * | 2010-04-09 | 2011-10-12 | 中国科学院微电子研究所 | 一种制作纳米开关的方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Piezoelectric Effect on the Electronic Transport Characteristics of ZnO Nanowire Field-Effect Transistors on Bent Flexible Substrates;Soon-Shin Kwon et al;《ADVANCED MATERIALS》;20081231;第20卷;第4557–4562页 * |
| Soon-Shin Kwon et al.Piezoelectric Effect on the Electronic Transport Characteristics of ZnO Nanowire Field-Effect Transistors on Bent Flexible Substrates.《ADVANCED MATERIALS》.2008,第20卷第4557–4562页. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102214573A (zh) | 2011-10-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101454686B1 (ko) | 에너지 변환 장치 및 방법 | |
| CN102214573B (zh) | 一种纳米线共振压电场效应晶体管的制作方法 | |
| KR101562060B1 (ko) | 전기 에너지 발생 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP6050035B2 (ja) | 電気エネルギー発生素子及びその駆動方法 | |
| US8426055B2 (en) | Apparatus for storing energy and method for manufacturing the same | |
| JP2006505119A (ja) | 電界効果トランジスタおよび該電界効果トランジスタの製造方法 | |
| US9252704B2 (en) | Voltage tunable oscillator using bilayer graphene and a lead zirconate titanate capacitor | |
| Wang et al. | Piezotronics and piezo-phototronics based on a-axis nano/microwires: fundamentals and applications | |
| US20070001551A1 (en) | Sonic sensor and diaphragm | |
| Kim et al. | Realizing broadbands of strong nonlinear coupling in nanoelectromechanical electron shuttles | |
| CN107947633B (zh) | 压电-电磁复合式振动能量收集器及其制备方法 | |
| Waseem et al. | GaN/Al2O3 core-shell nanowire based flexible and stable piezoelectric energy harvester | |
| CN102214577B (zh) | 一种制作纳米开关的方法 | |
| Poulin-Vittrant et al. | Challenges of low-temperature synthesized ZnO nanostructures and their integration into nano-systems | |
| CN102213611A (zh) | 一种探测次声波的方法 | |
| CN107332523A (zh) | 一种抑制频率牵引效应的功率放大器 | |
| KR20120088745A (ko) | 스펙트럼으로 그룹화된 나노 크기의 스위치들을 가진 ｒｆ 전력 증폭기 | |
| CN101924183B (zh) | 有机场效应晶体管 | |
| KR101308908B1 (ko) | 미세 압전 진동자로 구성되는 발전 소자를 이용한 적층형 에너지 하베스팅 장치 및 발전 소자의 제조 방법 | |
| Wang | Nanogenerators and nanopiezotronics | |
| CN113097312A (zh) | ScAlN/GaN双势垒共振隧穿二极管及其制作方法 | |
| JP6954184B2 (ja) | 半導体デバイス、受信機及び半導体デバイスの製造方法 | |
| JP7069486B2 (ja) | 高電子移動度トランジスタ | |
| KR101361824B1 (ko) | 미세 압전 진동자를 이용한 발전 소자와 그 패드 제조 방법 | |
| US20240223148A1 (en) | Semiconductor structure and method for preparing semiconductor structure, film bulk acoustic resonator and method for preparing film bulk acoustic resonator |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20170120 Address after: 100029 Beijing city Chaoyang District Beitucheng West Road No. 3 Patentee after: Beijing Zhongke micro Investment Management Co.,Ltd. Address before: 100029 Beijing city Chaoyang District Beitucheng West Road No. 3 Patentee before: Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20170323 Address after: 518057 Guangdong city of Shenzhen province Nanshan District Guangdong streets High-tech Zone District No. 2 Ke Feng Lu idiopathic information building B 604 Patentee after: SHENZHEN ZHONGKE SYSTEM INTEGRATION TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 100029 Beijing city Chaoyang District Beitucheng West Road No. 3 Patentee before: Beijing Zhongke micro Investment Management Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20190530 Address after: 518000 South Huancheng Road, Pingdi Street, Longgang District, Shenzhen City, Guangdong Province 67-1 Patentee after: SHENZHEN ZHONGLI NEW ENERGY TECHNOLOGY CO.,LTD. Address before: 518057 Building 604, Special Information Port B, No. 2 Kefeng Road, Central District, Yuehai Street High-tech Zone, Nanshan District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee before: SHENZHEN ZHONGKE SYSTEM INTEGRATION TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20220214 Address after: 518000 Room 501, building 2, No. 1310, Kukeng sightseeing Road, Kukeng community, Guanlan street, Longhua District, Shenzhen, Guangdong Province Patentee after: SHENZHEN SIPTORY TECHNOLOGIES Co.,Ltd. Address before: 518000 South Huancheng Road, Pingdi Street, Longgang District, Shenzhen City, Guangdong Province 67-1 Patentee before: SHENZHEN ZHONGLI NEW ENERGY TECHNOLOGY CO.,LTD. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |