CN102209129B

CN102209129B - 一种手机

Info

Publication number: CN102209129B
Application number: CN201110142957.6A
Authority: CN
Inventors: 杨金华
Original assignee: Huizhou TCL Mobile Communication Co Ltd
Current assignee: Huizhou TCL Mobile Communication Co Ltd
Priority date: 2011-05-30
Filing date: 2011-05-30
Publication date: 2014-04-02
Anticipated expiration: 2031-05-30
Also published as: CN102209129A

Abstract

本发明公开了一种手机，包括：SIM卡卡槽，包括电源输入端；电源管理芯片，包括：电源输出端，其与电源输入端连接；控制电压输出端，在手机正常工作时输出控制电压，在手机关机时停止输出控制电压；NFC控制芯片，在手机靠近读卡器时，产生使能电压；低压差线性稳压器，在使能电压的控制下输出第二供电电压；受控开关，其第一端与低压差线性稳压器连接，第三端与电源输入端连接，第二端与控制电压输出端连接，第二端在获取到控制电压时，断开第一端与第三端，在没有获取到控制电压时，连接第一端与第三端。通过以上方式，本发明的技术方案可使得NFC智能卡无论在手机处于正常工作状态下，抑或处于关机状态下均能正常工作，以实现卡模拟功能。

Description

一种手机

技术领域

本发明涉及手机近距离无线通讯技术领域，特别是涉及一种手机。

背景技术

NFC（Near Field Communication，近距离无线通讯技术）越来越普及于人们日常生活当中，用户利用NFC能够方便快捷地进行近距离的无线通讯，通常用于小额的电子支付，例如公交卡。手机作为人们日常随身携带的通讯工具，将NFC功能集成在手机上，能够大大地提升用户体验使用NFC的功能。

现有技术的具有NFC功能的手机均设置有SIM卡卡槽，NFC智能卡可插入至SIM卡卡槽中，使得手机可扩展NFC功能，但，在现有技术中，仅采用电源管理芯片对SIM卡卡槽进行供电，因此，在手机正常工作时，能保证插入至SIM卡卡槽中的NFC智能卡能正常工作，但，在手机处于关机状态下，由于电源管理芯片停止工作，因此，插入至SIM卡卡槽中的NFC智能卡不能获取有效供电，从而不能实现卡模拟功能。

因此，亟需提供一种手机，以解决现有技术中具有NFC功能的手机不能在手机关机时实现卡模拟功能的技术问题。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种手机，以解决上述技术问题。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种手机，包括：SIM卡卡槽，包括第一SIM卡卡槽以及第二SIM卡卡槽，第一SIM卡卡槽设置有第一电源输入端，第二SIM卡卡槽设置有第二电源输入端，第一SIM卡卡槽在NFC智能卡插入时通过第一电源输入端向NFC智能卡供电，第二SIM卡卡槽在NFC智能卡插入时通过第二电源输入端向NFC智能卡供电；电源管理芯片，包括：第一电源输出端，第一电源输出端与第一电源输入端连接，以在手机正常工作时向第一SIM卡卡槽提供第一供电电压，并在手机关机时停止向第一SIM卡卡槽提供第一供电电压；第二电源输出端，第二电源输出端与第二电源输入端连接，以在手机正常工作时向第二SIM卡卡槽提供第一供电电压，并在手机关机时停止向第二SIM卡卡槽提供第一供电电压；控制电压输出端，在手机正常工作时输出控制电压，在手机关机时停止输出控制电压；NFC控制芯片，在手机靠近读卡器时，产生使能电压；低压差线性稳压器，在使能电压的控制下输出第二供电电压；受控开关，包括第一受控开关以及第二受控开关，第一受控开关的第一端和第二受控开关的第一端与低压差线性稳压器连接，以获取第二供电电压，第一受控开关的第三端与电源输入端连接，第二受控开关的第三端与第二电源输入端连接，第一受控开关的第二端和第二受控开关的第二端与控制电压输出端连接，第一受控开关的第二端在获取到控制电压时，断开第一受控开关的第一端与第三端，在没有获取到控制电压时，连接第一受控开关的第一端与第三端，第二受控开关的第二端在获取到控制电压时，断开第二受控开关的第一端与第三端，在没有获取到控制电压时，连接第二受控开关的第一端与第三端。

其中，第一受控开关包括第一P型MOS管和第二P型MOS管，第一P型MOS管的栅极连接第二P型MOS管的栅极，第一P型MOS管的源极连接第二P型MOS管的源极，第一P型MOS管的漏极为第一受控开关的第一端，第一P型MOS管的栅极与第二P型MOS管的栅极的连接点作为第一受控开关的第二端，第二P型MOS管的漏极为第一受控开关的第三端。

其中，第二受控开关包括第三P型MOS管和第四P型MOS管，第三P型MOS管的栅极连接第四P型MOS管的栅极，第三P型MOS管的源极连接第四P型MOS管的源极，第三P型MOS管的漏极为第二受控开关的第一端，第三P型MOS管的栅极与第四P型MOS管的栅极的连接点作为第二受控开关的第二端，第四P型MOS管的漏极为第二受控开关的第三端。

其中，手机进一步包括第一电阻，第一电阻的第一端与控制电压输出端连接，第一电阻的第二端与受控开关的第二端连接。

其中，手机进一步包括第二电阻，第二电阻的第一端与控制电压输出端连接，第二电阻的第二端接地。

其中，近手机进一步包括电池，电池分别与电源管理芯片以及低压差线性稳压器连接，以同时向电源管理芯片以及低压差线性稳压器供电。

本发明的有益效果是：区别于现有技术，本发明的手机在处于正常工作状态下向利用电源管理芯片向SIM卡卡槽提供电源，并且在处于关机状态下利用低压差线性稳压器为SIM卡卡槽提供电源，从而使得NFC智能卡无论在手机处于正常工作状态下，抑或处于关机状态下均能正常工作，实现卡模拟功能。

附图说明

图1是本发明手机的优选实施例的电路结构示意图。

具体实施方式

首先请参见图1，图1是本发明手机的优选实施例的电路结构示意图。如图1所示，根据本发明实施例的手机10包括第一SIM卡卡槽11、第二SIM卡卡槽12、第一受控开关13、第二受控开关14、电源管理芯片15、低压差线性稳压器16、NFC控制芯片17、电池18、第一电阻R1、第二电阻R2以及电容C1。

在本实施例中，第一SIM卡卡槽11设置有第一电源输入端111，以在第一NFC智能卡（图未示）插入第一SIM卡卡槽11时通过第一电源输入端111向第一NFC智能卡供电。第二SIM卡卡槽12设置有第二电源输入端121，以在第二NFC智能卡（图未示）插入第二SIM卡卡槽12时通过第二电源输入端121向第二NFC智能卡供电。

电源管理芯片15包括第一电源输出端151、第二电源输出端152、控制电压输出端153以及电源输入端154。第一电源输出端151与第一电源输入端111连接，以在手机10正常工作时向第一SIM卡卡槽11提供第一供电电压，并在手机10关机时停止向第一SIM卡卡槽11提供第一供电电压。第二电源输出端152与第二电源输入端121连接，以在手机10正常工作时向第二SIM卡卡槽12提供第一供电电压，并在手机10关机时停止向第二SIM卡卡槽12提供第一供电电压。控制电压输出端153在手机10正常工作时输出控制电源，并在手机10关机时停止输出控制电压。

低压差线性稳压器16（Low Dropout Regulator，LDO）用于输出第二供电电压，其包括IN端口、EN端口、OUT端口以及接地端口，低压差线性稳压器16的接地端口接地。在本实施例中，低压差线性稳压器16的OUT端口输出的第二供电电压的最大电压值为1.8V。

NFC控制芯片17包括SIMMVCC端口以及VDHF端口。其中，NFC控制芯片17的SIMVCC端口连接低压差线性稳压器16的EN端口，以在手机10靠近读卡器（图未示）时产生使能电压，使得低压差线性稳压器16在使能电压的控制下输出第二供电电压。NFC控制芯片17的VDHF端口连接电容C1的一端，电源C1的另一端接地。在手机10靠近读卡器时，手机10具有卡模拟功能，读卡器会发出一个13.56MHz的磁场，此时NFC控制芯片17感应到该磁场并且在NFC控制芯片17的VDHF端口会产生一个2.5V的电压。在本实施例中，NFC控制芯片17优选为PN544芯片，VDHF端口产生的电压在NFC智能卡作为卡模拟功能时为NFC控制芯片17供电，在NFC控制芯片17从VDHF端口获取2.5V的电压后，NFC控制芯片17的SIMVCC端口产生使能电压为1.8V，并向低压差线性稳压器16的EN端口提供5mA的电流。本实施例的手机10进一步包括电池18，电池18分别与电源管理芯片15的电源输入端154以及低压差线性稳压器16的IN端口连接，以同时向电源管理芯片15以及低压差线性稳压器16供电。在本实施例中，电池18为电源管理芯片15提供最低电压为手机10设定的最小关机电压，为低压差线性稳压器16供电的最小电压为2.6V。

因此，在手机10靠近读卡器时，NFC控制芯片17从VDHF端口获取2.5V的电压，并产生1.8V的使能电压至低压差线性稳压器16的EN端口，使得低压差线性稳压器16从OUT端口输出第二供电电压。

请进一步参见图1，第一受控开关13包括第一端131、第二端132以及第三端133。第二受控开关14包括第一端141、第二端142以及第三端143。其中，第一受控开关13的第一端131和第二受控开关14的第一端141与低压差线性稳压器16的OUT端连接以获取第二供电电压。第一受控开关13的第二端132和第二受控开关14的第二端142与控制电压输出端153连接。第一受控开关13的第三端133与第一电源输入端111连接，第二受控开关14的第三端143与第二电源输入端121连接。

其中，在手机10正常工作时，第一受控开关13的第二端132和第二受控开关14的第二端142从控制电压输出端153获取控制电压，第一受控开关13的第一端131与第一受控开关的第三端133断开连接，第二受控开关14的第一端141与第二受控开关的第三端143断开连接，此时，第一SIM卡卡槽11通过第一电源输入端111以及第一电源输出端151从电源管理芯片15获取第一供电电压，第二SIM卡卡槽12过第二电源输入端121以及第一电源输出端152从电源管理芯片15获取第一供电电压。

而在手机10处于关机状态时，电源管理芯片15停止工作，并停止输出控制电压和第一供电电压，在手机10靠近读卡器时，低压差线性稳压器16获取使能信号，通过OUT端口提供第二供电电压。第一受控开关13的第二端132和第二受控开关14的第二端142停止从控制电压输出端153获取控制电压，此时，第一受控开关13的第一端131与第一受控开关13的第三端133连接在一起，因此，第一SIM卡卡槽11通过第一电源输入端111、第一受控开关13的第三端133以及第一受控开关13的第一端131从低压差线性稳压器16的OUT端获取第二供电电压。同理，第二SIM卡卡槽12通过第二电源输入端121、第二受控开关14的第三端143以及第二受控开关14的第一端141从低压差线性稳压器16的OUT端获取第二供电电压。

因此，无论在手机10正常工作，抑或是手机10处于关机状态，只要手机10靠近读卡器，第一SIM卡卡槽11以及第二SIM卡卡槽12均可获得稳定的电源输入，从而保证手机10在任何状态下均可实现卡模拟功能。

请进一步参见图1，在本发明的优选实施例中，手机10进一步设置有第一电阻R1以及第二电阻R2，第一电阻R1的第一端191与控制电压输出端153连接，第一电阻R1的第二端192与第一受控开关13的第二端132和第二受控开关14的第二端142连接，第二电阻R2的第一端193与控制电压输出端153连接，第二电阻R2的第二端194接地。第一电阻R1可起到限流保护的作用，而第二电阻R2的电阻值设置为大于100kΩ，可避免控制电压输出端153漏电流过大。

值得注意的是第一受控开关13和第二受控开关14可由现有技术中各种受控开关模块实现，如继电器，模拟开关等。而在本发明的优选实施例中第一受控开关13和第二受控开关14可均由双MOS管反接串联组成。

其中，第一受控开关13包括第一P型MOS管M1和第二P型MOS管M2。第一P型MOS管M1的栅极连接第二P型MOS管M2的栅极，第一P型MOS管M1的源极连接第二P型MOS管M2的源极。第一P型MOS管M1的漏极为第一受控开关13的第一端131，第一P型MOS管M1的栅极与第二P型MOS管M2的栅极的连接点作为第一受控开关13的第二端132，第二P型MOS管M2的漏极为第一受控开关13的第三端133。

第二受控开关14包括第三P型MOS管M3和第四P型MOS管M4，第三P型MOS管M3的栅极连接第四P型MOS管M4的栅极，第三P型MOS管M3的源极连接第四P型MOS管M4的源极。第三P型MOS管M3的漏极为第二受控开关14的第一端141，第三P型MOS管M3的栅极与第四P型MOS管M4的栅极的连接点作为第二受控开关14的第二端142，第四P型MOS管M4的漏极为第二受控开关14的第三端143。

其中，第一受控开关13的工作原理如下：第一P型MOS管M1的漏极和源极之间可等效为一寄生二极管D1，因此，在第一P型MOS管M1的栅极无论有没有获取到控制电压的情况下，只要低压差线性稳压器16的OUT端输出第二工作电压，该第二工作电压均可通过第一P型MOS管M1的漏极和栅极传输至第二P型MOS管M2的源极。因此，在第二P型MOS管M2的源极电压为第二工作电压的前提下，只要第二P型MOS管M2的栅极电压比第二工作电压小，即满足栅级和源极电压之差小于0V时，就可以使得第二P型MOS管的漏极和源极导通，故在电源管理芯片停止输出控制电压，使得第二P型MOS管M2的栅极电压不能获取控制电压时，第二P型MOS管M2的栅极电压为0V，此时，第二P型MOS管的漏极和源极导通，使得第二P型MOS管M2的漏极可输出第二工作电压至第一SIM卡卡插槽11。

同样地，第二受控开关14的工作原理与第一受控开关13一致，于此不再赘述。

由于上述的双MOS管具有更低的导通电阻，其一般为0.2欧姆左右，非常适合NFC智能卡对电源的要求，因此，在本发明的优选实施例中，优选采用上述的双MOS管作为受控开关。

值得注意的是，在本实施例中，采用了两个受控开关（即第一受控开关13和第二受控开关14）以及两个SIM卡卡槽（即第一SIM卡卡槽11和第二SIM卡卡槽12）的技术方案作出阐述，但，在本发明的其他实施例中，也可只采用单个受控开关以及单个SIM卡卡槽，使得单个SIM卡卡槽能够在手机10正常工作或处于关机状态下均能获取对应的工作电压。另外，只要低压差线性稳压器16以及电源管理芯片15的性能允许，也可设置两个以上的受控开关和SIM卡卡槽，本发明对其数量不不作具体限定，本领域技术人员在领会本发明思想后均可作出相应扩展。

因此，本发明的手机在处于正常工作状态下向利用电源管理芯片向SIM卡卡槽提供电源，并且在处于关机状态下利用低压差线性稳压器为SIM卡卡槽提供电源，从而使得NFC智能卡无论在手机处于正常工作状态下，抑或处于关机状态下均能正常工作，实现卡模拟功能。

以上仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims

1.一种手机，其特征在于，包括：

SIM卡卡槽，包括第一SIM卡卡槽以及第二SIM卡卡槽，所述第一SIM卡卡槽设置有第一电源输入端，所述第二SIM卡卡槽设置有第二电源输入端，所述第一SIM卡卡槽在NFC智能卡插入时通过所述第一电源输入端向所述NFC智能卡供电，所述第二SIM卡卡槽在NFC智能卡插入时通过所述第二电源输入端向所述NFC智能卡供电；

电源管理芯片，包括第一电源输出端、第二电源输出端以及控制电压输出端；

所述第一电源输出端与所述第一电源输入端连接，以在所述手机正常工作时向所述第一SIM卡卡槽提供第一供电电压，并在所述手机关机时停止向所述第一SIM卡卡槽提供所述第一供电电压；

所述第二电源输出端与所述第二电源输入端连接，以在所述手机正常工作时向所述第二SIM卡卡槽提供第一供电电压，并在所述手机关机时停止向所述第二SIM卡卡槽提供所述第一供电电压；

所述控制电压输出端在所述手机正常工作时输出控制电压，在所述手机关机时停止输出所述控制电压；

NFC控制芯片，在所述手机靠近读卡器时，产生使能电压；

低压差线性稳压器，在所述使能电压的控制下输出第二供电电压；

受控开关，包括第一受控开关以及第二受控开关，所述第一受控开关的第一端和所述第二受控开关的第一端与所述低压差线性稳压器连接，以获取所述第二供电电压，所述第一受控开关的第三端与所述第一电源输入端连接，所述第二受控开关的第三端与所述第二电源输入端连接，所述第一受控开关的第二端和所述第二受控开关的第二端与所述控制电压输出端连接，所述第一受控开关的第二端在获取到所述控制电压时，断开所述第一受控开关的所述第一端与所述第三端，在没有获取到所述控制电压时，连接所述第一受控开关的所述第一端与所述第三端，所述第二受控开关的第二端在获取到所述控制电压时，断开所述第二受控开关的所述第一端与所述第三端，在没有获取到所述控制电压时，连接所述第二受控开关的所述第一端与所述第三端。

2.根据权利要求1所述的手机，其特征在于，所述第一受控开关包括第一P型MOS管和第二P型MOS管，所述第一P型MOS管的栅极连接所述第二P型MOS管的栅极，所述第一P型MOS管的源极连接所述第二P型MOS管的源极，所述第一P型MOS管的漏极为所述第一受控开关的第一端，所述第一P型MOS管的栅极与所述第二P型MOS管的栅极的连接点作为所述第一受控开关的第二端，所述第二P型MOS管的漏极为所述第一受控开关的第三端。

3.根据权利要求1所述的手机，其特征在于，所述第二受控开关包括第三P型MOS管和第四P型MOS管，所述第三P型MOS管的栅极连接所述第四P型MOS管的栅极，所述第三P型MOS管的源极连接所述第四P型MOS管的源极，所述第三P型MOS管的漏极为所述第二受控开关的第一端，所述第三P型MOS管的栅极与所述第四P型MOS管的栅极的连接点作为所述第二受控开关的第二端，所述第四P型MOS管的漏极为所述第二受控开关的第三端。

4.根据权利要求1所述的手机，其特征在于，所述手机进一步包括第一电阻，所述第一电阻的第一端与所述控制电压输出端连接，所述第一电阻的第二端与所述受控开关的第二端连接。

5.根据权利要求1所述的手机，其特征在于，所述手机进一步包括第二电阻，所述第二电阻的第一端与所述控制电压输出端连接，所述第二电阻的第二端接地。

6.根据权利要求1所述的手机，其特征在于，所述手机进一步包括电池，所述电池分别与所述电源管理芯片以及所述低压差线性稳压器连接，以同时向所述电源管理芯片以及所述低压差线性稳压器供电。