CN102184633A - 一种cmos工艺实现的红外接收放大电路 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及CMOS集成电路,具体涉及一种面向学习型遥控器,适合CMOS集成电路工艺实现的红外接收放大电路。本发明是一种适合用N阱CMOS工艺实现的红外接收放大电路。该电路可方便集成到学习型遥控器的主芯片内部,除保留红外发射必须要的红外发射二极管外,不需要其他的器件。根据N阱CMOS工艺的特点,利用寄生的横向三极管,该种横向三极管的电流放大倍数β比较小,因此采用达林顿结构,提高电流放大倍数。

Description

一种CMOS工艺实现的红外接收放大电路
技术领域
本发明涉及CMOS集成电路,具体涉及一种面向学习型遥控器,适合CMOS集成电路工艺实现的红外接收放大电路。
背景技术
随着数字电视的普及,面向机顶盒和电视机应用的学习型遥控器现在已经非常普遍。与传统的遥控器相比,学习型遥控器能够在遥控机顶盒的基础上,通过学习的方式,学习电视机遥控器常用的6到8个按键,实现一个遥控器同时遥控机顶盒和电视机的功能。
红外接收放大电路是学习型遥控器实现接收学习的关键,为节约成本,一般利用遥控器原有的红外发射二极管光敏特性,作为接收二极管使用。申请号200720028512.4的实用新型专利“自学习型遥控器的红外收发电路”公布了一种实现方式,该方式需要用到2个PNP三级管、1个NPN三级管和若干电阻、电容等分立器件,利用红外发射二极管在接收红外信号时出现的反向电流特性,对该电流信号进行放大整形后,输入到微控制器内部进行接收、存储和识别处理。
该专利公布的电路是目前学习遥控器的常见做法,但是该电路必须要2个PNP和1个NPN三级管和若干电阻、电容等分立器件,增加了遥控器的元器件成本和制造工序,也降低了遥控器的可靠性。该电路不适合用CMOS工艺实现,因此无法集成到学习型遥控器的主芯片中间。
为克服上述缺点,本发明电路专门设计了一种适合用CMOS工艺实现的红外接收放大电路。该电路可方便集成到学习型遥控器的主芯片内部,这样除保留红外发射必须要的红外发射二极管外,不需要其他的器件。
发明内容
本发明目的是设计了一种适合用CMOS工艺实现的红外接收放大电路,该电路可方便的集成到学习型遥控器的主芯片中间。能够进一步简化学习型遥控器的外围电路设计,节省元器件成本和制造成本,同时提高了遥控器的可靠性。
本发明的电路图如附图1所示,设计上需要根据N阱CMOS工艺的特点,PNP1和PNP2都是寄生的横向三极管,该种横向三极管的电流放大倍数β比较小,因此采用达林顿结构,提高电流放大倍数。红外发射二极管在接收红外信号时,因为其光敏特性会感应出微弱的反向电流,该反向电流记过2级达林顿结构的PNP管放大之后,拉低比较器的正输入端电压。需要说明的是,电路的结构设计,保证在没有红外信号的情况下,正输入端电压大于负输入端电压,比较器输出为高。当有红外信号输入,且感应出来的反向电流足够大(要求大于2微安)时,比较器正输入端的电压被拉低,导致比较器翻转,输出为低。因为比较器的输出信号已经整形且具备较强的驱动能力,可直接输入到数字电路部分使用。
需要说明的是,附图1中间的电阻选择需要根据工艺的具体模型参数和灵敏度要求,通过仿真确定。
通过上述原理分析,本发明电路利用了CMOS工艺的寄生三极管特性,为提高电流放大倍数使用了达林顿结构,电路原理清晰,结构简单、可靠。适合集成到同样是CMOS设计的学习型遥控器的主芯片中间。
附图说明
参照下面的详细说明和附图,可以更好的理解本发明的有关结构和实现方法以及其目的、特征和优势。附图中的结构仅仅作为本发明的一个设计实例。
图1为支持本发明的红外信号接收放大电路。
如图1所示,除了红外发射二极管外,包括4个电阻和2个PNP管、比较器都适合用CMOS工艺实现。其中PNP1和PNP2是利用了N阱CMOS工艺的寄生横向三极管,特点是电流放大倍数β小,且集电极必须接地。图中的比较器是常见结构,CMOS工艺较容易实现。PNP1和PNP1接成两级达林顿结构,目的是弥补单级三极管的电流放大倍数β小的缺点,提高电路的输入灵敏度。
具体实施方式
在以下的详细说明中,描述了特定的细节以便提供对本发明全面的理解。然而本专业的技术人员会认识到,本发明也可以用其它相类似的细节实施。
附图1为支持本发明的红外信号接收放大电路。设计上根据N阱CMOS工艺的特点,PNP1和PNP2都是寄生的横向三极管,该种横向三极管的电流放大倍数β比较小,因此采用达林顿结构,提高电流放大倍数。红外发射二极管在接收红外信号时,因为其光敏特性会感应出微弱的反向电流,该反向电流记过2级达林顿结构的PNP管放大之后,拉低比较器的正输入端电压。需要说明的是,电路的结构设计,保证在没有红外信号的情况下,正输入端电压大于负输入端电压,比较器输出为高。当有红外信号输入,且感应出来的反向电流足够大(要求大于2微安)时,比较器正输入端的电压被拉低,导致比较器翻转,输出为低。因为比较器的输出信号已经整形且具备较强的驱动能力,可直接输入到数字电路部分使用。
需要说明的是,附图1中间的电阻选择需要根据工艺的具体模型参数和灵敏度要求,通过仿真确定。
需要说明的是,红外遥控信号一般的频率范围从20K赫兹到500K赫兹,采用本发明电路能够完全覆盖该频率范围,适合各种常见红外遥控信号的接收放大。
通过上述原理分析,本发明电路利用了CMOS工艺的寄生三极管特性,为提高电流放大倍数使用了达林顿结构,电路原理清晰,结构简单、可靠。适合集成到同样是CMOS设计的学习型遥控器的主芯片中间。
虽然此处说明描述了本发明的某此特征及一种实现方法,但是对于本专业的技术人员来说,将会出现许多修改、替换、变化和等效代换。因此,本发明的保护范围由所附的权利要求的范围为准。

Claims (1)

1.一种面向学习型遥控器,适合CMOS集成电路工艺实现的红外接收放大电路。该电路具有如下特征:
①利用N阱CMOS工艺的特点,使用寄生的横向三极管,并采用达林顿结构,提高电流放大倍数;
②电流的灵敏度高且可调整,通过具体工艺的模型和电路仿真选择电阻参数,可调整灵敏度;
③电路频率范围能够覆盖20K到500K赫兹的红外遥控信号频率范围,适用性广;
④电路适合用N阱CMOS工艺实现,有利于集成到学习型遥控器的主芯片中,提高遥控器的可靠性,降低成本。
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C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
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