CN102175428B - 一种led内量子效率的测量装置及其方法 - Google Patents

Abstract

一种LED内量子效率的测量装置和方法，包含激发光束、参考光束、光收集器、测光仪和温控单元。温控单元对光收集器与LED控温，激发光束激发LED发光，光输出稳定的参考光束投射在光学收集器的内壁上，光学收集器收集参考光束和LED发射光，测光仪的取样接口设置在光学收集器壁面上。分别测出高温与低温条件下LED发射光功率和参考光束输出功率即可得出LED的内量子效率。本装置和方法适合测量各种类型的外延材料及LED芯片和LED器件。

Description

一种LED内量子效率的测量装置及其方法

【技术领域】

本发明涉及量子效率测量领域，具体涉及一种LED内量子效率的测量装置及其方法。

【背景技术】

提高光效是LED产业发展的热点之一，选择高内量子效率的LED材料是制造高光效LED灯具的第一步。测量LED材料与LED的内量子效率可以用光致发光法也可以用电致发光法，二者基本等效。用光致发光法测量LED内量子效率的原理简述如下：当能量大于禁带宽度的光子注入有源层时，会产生自由的空穴电子对。空穴与电子对辐射复合释放能量，发出光子。但并不是所有的空穴电子(载流子)对复合都能产生光子，空穴电子对辐射复合产生光子的效率称为内量子效率。内量子效率是LED的固有特性，材料的不同，内量子效率也不同。同一种材料的LED，不同的温度下内量子效率也不相同。高温(相对于低温而言)下的LED，由于多声子过程(晶格振动)吸收能量以及俄歇效应(复合释放的能量被另外的载流子吸收从而跃迁到更高的能态)，产生非辐射复合，使得辐射复合的效率降低。在低温情况下(如100K或更低)，晶格振动和俄歇效应大幅度减弱，非辐射复合被抑制。此时内量子效率近似达到100％。由于内量子效率对温度有依赖性，我们可以采用相对的方法来测量得到LED在高温的内量子效率：

${\mathrm{\η}}_{\mathrm{IQE}}=\frac{P_{\left(\mathrm{HT}\right)}}{P_{\left(\mathrm{LT}\right)}}...\left(1\right)$

其中，η_IQE为内量子效率，P_(HT)为LED在高温下的输出功率，P_(LT)为LED在低温下的输出功率。

目前常用的测量装置为：采用较短波长的激光器作为激发光源，采用物镜或棱镜或者积分球收集出射光，分别测量高低温两种条件下的LED的出光功率，二者相比得到相对的内量子效率。其中，采用物镜或棱镜收集出射光收集的仅仅是某个立体角范围的光通量，而且对于装置的机械稳定性和光束对准要求很高，由于光束收集的缺陷可能会给最终测量带来较大误差。而用积分球作为收集装置的测试系统，其常用的制冷方法是向积分球内吹入氮气来获得低温，此方法所获得的低温一方面稳定性不高，另一方面积分球内容易出现明显的冷热不均现象。此外更为重要的是，由于测量过程中会经历比较大的温差变化，测量仪器或其他辅助设备的光学性能本身受温度变化的影响也会发生较大变化，从而引起较大测量值的改变。现有技术并不能将高低温条件下由测量设备带来的读数变化和实际的LED内量子效率变化区分开来。

【发明内容】

针对上述技术的不足，本发明旨在提供一种既可避免收集损失带来的误差，又能稳定的获得低温，同时可以校正由于温度差异过大所引起的仪器测量误差的LED内量子效率测试系统。

为达到上述目的，本发明采用了下列技术方案：

一种LED内量子效率的测量装置，包括激发光束、装载被测LED的样品槽、光收集器和测光仪，其特征在于，还包括温控单元，光输出稳定的参考光束，所述的样品槽设置在光收集器的壁面开口上，样品槽的温度由温控单元控制，激发光束从光收集器的入光口进入光收集器并照射到样品槽内的被测LED上，参考光束通过入光口或设在光收集器上的其他入光口照射在光收集器的内壁上，在光收集器的壁面上设置探测窗口，测光仪的取样端口安装在探测窗口上。

在本发明中，采用密闭性好的测光积分球作为光收集器，收集从LED发出的2π立体角范围内的光信号。积分球是光辐射测量领域中比较好的光收集器，具有稳定度高，方向依赖性小，无需对准，收集损失小等优点。在本发明中设置光输出稳定的参考光束照射在积分球内壁的涂层上，由于在高温和低温下，参考光束的光输出不会发生变化，因此，如果在高温和低温条件下，测光仪的读数发生变化了，一定是由于测量装置本身的状态在高低温环境下发生了变化而引起的。基于这一原理，比较高低温两种条件下，测光仪测量参考光束的读数，计算校准因子，可校准温差所引起的测量仪器状态变化带来的误差。

本发明可通过以下技术方案对进一步限定和完善：

上述LED内量子效率的测量装置，在光收集器的入光口前的光路上，设置可通过角度或位置的变化来切换激发光束或参考光束分别进入光收集器的可调反射镜，可调反射镜的角度或位置由反射镜调节器调节，如果激发光束或者参考光束在同一水平面上，可通过调节反射镜的角度将激发光束或者参考光束分别导入光收集器，如果激发光束与参考光束不在同一水平面上，可通过调节反射镜的位置与角度将激发光束或者参考光束分别导入光收集器(如图1所示)。

或者，在上述的光收集器的入光口前的光路上设置具有选择性透过功能的滤光片，所述的滤光片透射激发光束而反射参考光束，或所述的滤光片透射参考光束而反射激发光束。(如图2所示)。

或者，上述的激发光束与参考光束直接导入光收集器(如图3所示)。

上述LED内量子效率的测量装置，温控单元中设温控腔，所述的光收集器以及样品槽都置于温控单元的温控腔体中。温控单元对整个腔体空间精确控温，使得光收集器能稳定均匀的获得低温。

上述LED内量子效率的测量装置，激发光束由调谐激光器产生，可根据不同的LED设置不同频率的激发光，所设置的激发光频率高于LED本身的发光频率。且激发光束被扩束器扩束，扩束后使得激发光束强度分布更均匀，增大了激发面积。

上述LED内量子效率的测量装置，激发光束以大于5°的入射角斜入射到被测LED上，这样的设置避免了从样品反射的激光返回到激发装置，保证了激发装置的稳定性。

上述LED内量子效率的测量装置，所述的光收集器是内壁具有均匀漫反射材料的积分球。

上述LED内量子效率的测量装置，温控单元通过液氮或液氦制冷，液氮温度为77.36K，液氦温度为4.2K(标准大气压下)。

上述LED内量子效率的测量装置，激发光束的调谐激光器、参考光束发射器，测光仪，反射镜调节器以及温控单元都与控制单元电连接，由控制单元对以上各部分进行控制。

上述的激发装置激发光束强度可调，可根据需要设置不同的激发光束强度。

上述的测光仪是光谱辐射计或者辐射度计。当测光仪是光谱辐射计时，能够测量出LED发射的光谱功率分布和参考光束的光谱功率分布，所测量的参数比较齐全。而当测光仪是辐射度计或光度计时只能测量一定波段内的平均光输出量。

一种测量LED内量子效率的方法，其特征在于，包括以下测量步骤：

1)在高温条件下，用激发光束照射位于积分球壁面上的被测LED，测量记录取样端口位于积分球壁面的测光仪对被测LED的发射光的响应，记为P_LED(HT)，将一束稳定的参考光束导入同一积分球，测量记录同一测光仪对参考光束的响应，记为P_R(HT)；

2)在低温条件下，用与步骤1)相同的激发光束照射被测LED并测量记录同一测光仪对被测LED的发射光的响应，记为P_LED(LT)，将相同的参考光束导入同一积分球，并测量记录同一测光仪对参考光束的响应，记为P_R(LT)；

3)比较低温和高温两种条件下，测光仪对参考光束的响应，计算温度校准因子：

$K=\frac{P_{R\left(\mathrm{LT}\right)}}{P_{R\left(\mathrm{HT}\right)}}...\left(2\right)$

4)比较高温和低温两种条件下，测光仪对被测LED的发射光的响应，并用温度校准因子校准，得到被测LED的内量子效率η_IQE：

${\mathrm{\η}}_{\mathrm{IQE}}=\frac{P_{\mathrm{LED}\left(\mathrm{HT}\right)}}{P_{\mathrm{LED}\left(\mathrm{LT}\right)}}\·K...\left(3\right)$

本发明的测量方法可以通过以下技术方案加以限定和完善：

在所述步骤1)中分别测量被测LED(2)的发射光的光谱功率P_LED(HT)(λ)和参考光束的光谱步骤P_R(HT)(λ)功率，在2)中分别测量被测LED的发射光光谱功率P_LED(LT)(λ)和参考光束的光谱P_R(LT)(λ)，步骤3)中计算得到的校准因子是波长的函数，步骤4)中使用对应波长的校准因子校准被测LED发射光的在该波长下的功率。

测量装置在高低温下的状态变化可能与波长相关，为了使测量校正达到更好的效果，建议参考光束和LED发射光具有相同或相似的测量波段，使用每一波长下的校正因子来校正对应波长下LED发射光的测量值。测量时需要先后测得参考光和LED发射光的输出功率。

上述的校准因子由下式可得：

$K\left(\mathrm{\λ}\right)=\frac{P_{R\left(\mathrm{LT}\right)}\left(\mathrm{\λ}\right)}{P_{R\left(\mathrm{HT}\right)}\left(\mathrm{\λ}\right)}...\left(4\right)$

LED的内量子效率可通过下式得到：

${\mathrm{\η}}_{\mathrm{IQE}}\left(\mathrm{\λ}\right)=\frac{P_{\mathrm{LED}\left(\mathrm{HT}\right)}\left(\mathrm{\λ}\right)}{P_{\mathrm{LED}\left(\mathrm{LT}\right)}\left(\mathrm{\λ}\right)}\·K\left(\mathrm{\λ}\right)...\left(5\right)$

或者内量子效率是一个积分量，即计算公式为：

${\mathrm{\η}}_{\mathrm{IQE}}\left(\mathrm{\λ}\right)=\frac{\underset{a}{\∫}{P}_{\mathrm{LED}\left(\mathrm{HT}\right)}\left(\mathrm{\λ}\right)\·K\left(\mathrm{\λ}\right)\·W\left(\mathrm{\λ}\right)}{\underset{a}{\∫}{P}_{\mathrm{LED}\left(\mathrm{LT}\right)}\left(\mathrm{\λ}\right)\·W\left(\mathrm{\λ}\right)}...\left(6\right)$

式中，a是积分波段范围，W(λ)为指定的加权积分函数，例如，人眼光视效率函数V(λ)。

假定测量装置在高低温下的状态变化与波长无关，即在某一固定的温差下校准因子是一常量。此时若激发光束、参考光束和LED发射光输出功率的光谱范围不重叠，推荐同时测量参考光和LED发射光的输出功率(如图2)，因为这可以减小测量时间，便于提高测量复现性。而当激发光束与参考光束或者是参考光束与LED发射光的光谱有重叠时，需要先后测量参考光和LED发射光的输出功率(如图1，图2，图3)。

上述的一种LED内量子效率的测量方法，所述的参考光束是带宽较宽的标准光源，或者是气体激光源。

综上所述，本发明所述的一种测量LED的内量子效率的装置，既可避免收集损失带来的误差，又可以校正由于温度差异过大所引起的仪器测量误差，所述的测量装置适合测量各种类型的外延材料及LED芯片和LED器件。

【附图说明】

附图1为实施例1的测量装置图；

附图2为实施例2的测量装置图；

附图3为实施例3的测量装置图；

1-激发光束；2-LED；3-LED样品槽；4-光收集器；5-测光仪；6-温控单元；7-参考光束；8-入光口光谱仪取样装置；9-探测窗口；10-反射镜；11-反射镜调节器；12-滤光片；13-调谐激光器；14-扩束器；15-参考光束发射器；16-挡光板；17-控制单元。

【具体实施方式1】

按图1连接装置，所述测量LED内量子效率的装置，积分球4装置在温控单元6的腔体内，被测LED2放置在积分球4底端样品槽3中，测光仪是光谱仪5，连接光谱仪5与积分球4。开启参考光束发射器15，调节反射镜调节器11使得参考光束7进入积分球并照射到积分球内壁上，光谱仪5测量参考光束输出功率P_R(HT)，开启调谐激光器13，调节反射镜调节器11使得激发光束1进入积分球内并照射到LED上，光谱仪5测量LED的激发光功率P_LED(HT)。

按图1连接装置，所述测量LED内量子效率的装置，积分球4装置在温控单元6的腔体内，被测LED2放置在积分球4底端样品槽3中，测光仪是光谱仪5，连接光谱仪5与积分球4。开启低温装置，待温度达到目标温度后，开启参考光束发射器15，调节反射镜调节器11使得参考光束7进入积分球并照射到积分球内壁上，光谱仪5测量参考光束输出功率P_R(LT)，开启调谐激光器13，调节反射镜调节器11使得激发光束1进入积分球内并照射到LED上，光谱仪5测量LED的激发光功率P_LED(LT)。

测量步骤如下：

i)高温条件下，开启参考光束发射器15，调节反射镜调节器11使得参考光束7进入积分球并照射到积分球内壁上，光谱仪测量参考光束7的输出功率P_R(HT)，关闭参考光束发射器15，开启调谐激光器13，调节反射镜调节器11使得激发光束1进入积分球内并照射到LED上，待发光稳定后光谱仪测量LED发射光的输出功率P_LED(HT)；

ii)开启低温装置，待达到目标温度后，开启参考光束发射器15，调节反射镜调节器11使得参考光束7进入积分球并照射到积分球内壁上，光谱仪5测量参考光束的输出功率P_R(LT)，关闭参考光束发射器15，开启调谐激光器13，调节反射镜调节器11使得激发光束1进入积分球内并照射到LED上，待发光稳定后光谱仪测量LED发射光的输出功率P_LED(LT)。

iii)假定K与波长无关，分析参考光的光谱数据，分别计算对应波长的校准因子K，将光谱中的LED发射光的输出功率带入式(3)，即可得被测量LED的内量子效率。

$K=\frac{P_{R\left(\mathrm{LT}\right)}}{P_{R\left(\mathrm{HT}\right)}}...\left(2\right)$

${\mathrm{\η}}_{\mathrm{IQE}}=\frac{P_{\mathrm{LED}\left(\mathrm{HT}\right)}}{P_{\mathrm{LED}\left(\mathrm{LT}\right)}}\·K...\left(3\right)$

假定K与波长有关，分析参考光的光谱数据，分别计算对应波长的校准因子K(λ)，将光谱中的LED发射光的输出功率带入式(5)，即可得被测量LED的内量子效率。

$K\left(\mathrm{\λ}\right)=\frac{P_{R\left(\mathrm{LT}\right)}\left(\mathrm{\λ}\right)}{P_{R\left(\mathrm{HT}\right)}\left(\mathrm{\λ}\right)}...\left(4\right)$

${\mathrm{\η}}_{\mathrm{IQE}}\left(\mathrm{\λ}\right)=\frac{P_{\mathrm{LED}\left(\mathrm{HT}\right)}\left(\mathrm{\λ}\right)}{P_{\mathrm{LED}\left(\mathrm{LT}\right)}\left(\mathrm{\λ}\right)}\·K\left(\mathrm{\λ}\right)...\left(5\right)$

【具体实施方式2】

按图2连接装置，所述测量LED内量子效率的装置，积分球4装置在温控单元6的腔体内，LED放置在积分球底端样品槽3中，连接光谱仪5与积分球4。开启参考光束发射器15，参考光束7通过滤光片12反射进入积分球4，照射到积分球4内壁上，光谱仪5测量参考光的输出功率P_R(HT)，关闭参考光束发射器15，开启调谐激光器13，激发光束1由反射镜10反射通过滤光片12进入积分球4照射到LED2上，光谱仪5测量高温下LED激发光输出功率P_LED(HT)。

按图2连接装置，所述测量LED内量子效率的装置，积分球4装置在温控单元6的腔体内，LED2放置在积分球4底端样品槽3中，连接光谱仪5与积分球4。开启低温装置，待达到目标温度后，开启参考光束发射器15，参考光束7通过滤光片12反射进入积分球4，照射到积分球4内壁上，光谱仪5测量参考光的输出功率P_R(LT)，关闭参考光束发射器15，开启调谐激光器13，激发光束1由反射镜10反射通过滤光片12进入积分球4照射到LED2上，光谱仪5测量低温下LED激发光输出功率P_LED(LT)。

其具体的测量步骤如下：

i)高温条件下，开启参考光束发射器15，参考光束7通过滤光片12反射进入积分球4，照射到积分球4内壁上，光谱仪5测量参考光的输出功率P_R(HT)，关闭参考光束发射器15，开启调谐激光器13，激发光束1由反射镜10反射通过滤光片12进入积分球4照射到LED2上，光谱仪5测量低温下LED激发光输出功率P_LED(HT)。

ii)开启低温控制，待达到目标温度后，开启参考光束发射器15，参考光束7通过滤光片12反射进入积分球4，照射到积分球4内壁上，光谱仪5测量参考光的输出功率P_R(LT)，关闭参考光束发射器15，开启调谐激光器13，激发光束1由反射镜10反射通过滤光片12进入积分球4照射到LED2上，光谱仪5测量低温下LED激发光输出功率P_LED(LT)。

iii)假定K与波长无关，分析参考光的光谱数据，分别计算对应波长的校准因子K，将光谱中的LED发射光的输出功率带入式(3)，即可得被测量LED的内量子效率。

$K=\frac{P_{R\left(\mathrm{LT}\right)}}{P_{R\left(\mathrm{HT}\right)}}...\left(2\right)$

${\mathrm{\η}}_{\mathrm{IQE}}=\frac{P_{\mathrm{LED}\left(\mathrm{HT}\right)}}{P_{\mathrm{LED}\left(\mathrm{LT}\right)}}\·K...\left(3\right)$

假定K与波长有关，分析参考光的光谱数据，分别计算对应波长的校准因子K(λ)，将光谱中的LED发射光的输出功率带入式(5)，即可得被测量LED的内量子效率。

$K\left(\mathrm{\λ}\right)=\frac{P_{R\left(\mathrm{LT}\right)}\left(\mathrm{\λ}\right)}{P_{R\left(\mathrm{HT}\right)}\left(\mathrm{\λ}\right)}...\left(4\right)$

${\mathrm{\η}}_{\mathrm{IQE}}\left(\mathrm{\λ}\right)=\frac{P_{\mathrm{LED}\left(\mathrm{HT}\right)}\left(\mathrm{\λ}\right)}{P_{\mathrm{LED}\left(\mathrm{LT}\right)}\left(\mathrm{\λ}\right)}\·K\left(\mathrm{\λ}\right)...\left(5\right)$

注：K与波长无关时，且调谐激光器激发光，LED发射光，参考光三者光谱不重叠时，可同时开启参考光束发射器与调谐激光器。

【具体实施方式3】

按图3连接装置，所述测量LED内量子效率的装置，积分球4装置在温控单元6的腔体内，LED放置在积分球底端样品槽3中，连接光谱仪5与积分球4。参考光束7与激发光束1直接入射进入积分球，开启参考光束发射器15，参考照射到积分球4内壁上，光谱仪5测量参考光的输出功率P_R(HT)，关闭参考光束发射器15，开启调谐激光器13，激发光束1进入积分球4照射到LED2上，光谱仪5测量高温下LED激发光输出功率P_LED(HT)。

按图3连接装置，所述测量LED内量子效率的装置，积分球4装置在温控单元6的腔体内，LED2放置在积分球4底端样品槽3中，连接光谱仪5与积分球4。开启低温装置，待达到目标温度后，参考光束7与激发光束1直接入射进入积分球，开启参考光束发射器15，参考照射到积分球4内壁上，光谱仪5测量参考光的输出功率P_R(LT)，关闭参考光束发射器15，开启调谐激光器13，激发光束1进入积分球4照射到LED2上，光谱仪5测量低温下LED激发光输出功率P_LED(LT)。

其具体的测量步骤如下：

i)高温条件下，开启参考光束发射器15，参考光束7进入积分球4，照射到积分球4内壁上，光谱仪5测量参考光的输出功率P_R(HT)，关闭参考光束发射器15，开启调谐激光器13，激发光束进入积分球4照射到LED2上，光谱仪5测量低温下LED激发光输出功率P_LED(HT)。

ii)开启低温控制，待达到目标温度后，开启参考光束发射器15，参考光束7进入积分球4，照射到积分球4内壁上，光谱仪5测量参考光的输出功率P_R(LT)，关闭参考光束发射器15，开启调谐激光器13，激发光束1进入积分球4照射到LED2上，光谱仪5测量低温下LED激发光输出功率P_LED(LT)。

iv)假定K与波长无关，分析参考光的光谱数据，分别计算对应波长的校准因子K，将光谱中的LED发射光的输出功率带入式(3)，即可得被测量LED的内量子效率。

$K=\frac{P_{R\left(\mathrm{LT}\right)}}{P_{R\left(\mathrm{HT}\right)}}...\left(2\right)$

${\mathrm{\η}}_{\mathrm{IQE}}=\frac{P_{\mathrm{LED}\left(\mathrm{HT}\right)}}{P_{\mathrm{LED}\left(\mathrm{LT}\right)}}\·K...\left(3\right)$

假定K与波长有关，分析参考光的光谱数据，分别计算对应波长的校准因子K(λ)，将光谱中的LED发射光的输出功率带入式(5)，即可得被测量LED的内量子效率。

$K\left(\mathrm{\λ}\right)=\frac{P_{R\left(\mathrm{LT}\right)}\left(\mathrm{\λ}\right)}{P_{R\left(\mathrm{HT}\right)}\left(\mathrm{\λ}\right)}...\left(4\right)$

${\mathrm{\η}}_{\mathrm{IQE}}\left(\mathrm{\λ}\right)=\frac{P_{\mathrm{LED}\left(\mathrm{HT}\right)}\left(\mathrm{\λ}\right)}{P_{\mathrm{LED}\left(\mathrm{LT}\right)}\left(\mathrm{\λ}\right)}\·K\left(\mathrm{\λ}\right)...\left(5\right)$

注：K与波长无关时，且调谐激光器激发光，LED发射光，参考光三者光谱不重叠时，可同时开启参考光束发射器与调谐激光器。

Claims (9)

1.一种LED内量子效率的测量装置，包括激发光束(1)、装载被测LED(2)的样品槽(3)、光收集器(4)和测光仪(5)，其特征在于，还包括温控单元(6)，光输出稳定的参考光束(7)，所述的样品槽(3)设置在光收集器(4)的壁面开口上，样品槽(3)的温度由温控单元(6)控制，激发光束(1)从光收集器(4)的入光口(8)进入光收集器(4)并照射到样品槽(3)内的被测LED(2)上，参考光束(7)通过入光口(8)或设在光收集器(4)上的其他入光口照射在光收集器(4)的内壁上；在光收集器(4)的壁面上设置探测窗口(9)，测光仪(5)的取样端口安装在探测窗口(9)上。 

2.如权利要求1所述的LED内量子效率的测量装置，其特征在于，在光收集器(4)的入光口(8)前的光路上，设置可通过角度或位置的变化来切换激发光束(1)或参考光束(7)分别进入光收集器(4)的可调反射镜(10)，可调反射镜(10)的角度或位置由反射镜调节器(11)调节。 

3.如权利要求1所述的LED内量子效率的测量装置，其特征在于，在光收集器(4)的入光口(8)前的光路上设置具有选择性透过功能的滤光片(12)，所述的滤光片(12)透射激发光束(1)而反射参考光束(7)，或所述的滤光片(12)透射参考光束(7)而反射激发光束(1)。 

4.如权利要求1或2或3所述的LED内量子效率的测量装置，其特征在于，温控单元(6)中设有温控腔，所述的光收集器(4)以及样品槽(3)都置于温控单元(6)的温控腔体中。 

5.如权利要求1或2或3所述的LED内量子效率的测量装置，其特征在于，激发光束(1)由可调谐激光器(13)产生，并且被扩束器(14)扩束。 

6.如权利要求1或2或3所述的LED内量子效率的测量装置，其特征在于，所述的激发光束(1)以大于5度的入射角斜入射到被测LED(2)上。 

7.如权利要求1所述的LED内量子效率的测量装置，其特征在于，所述的光收集器(4)是内壁具有均匀漫反射内表面的积分球。 

8.一种LED内量子效率的测量方法，其特征在于，包括以下步骤： 

1)在高温条件下，用激发光束(1)照射位于光收集器(4)壁面上的被测LED(2)，测量记录取样端口位于光收集器(4)的壁面的测光仪(5)对被测LED(2)的发射光的响应，记为P_LED(HT)，将一束稳定的参考光束(7)导入同一光收集器(4)，测量记录同一测光仪(5)对参考光束(7)的响应，记为P_R(HT)； 

2)在低温条件下，用与步骤1)相同的激发光束(1)照射被测LED(2)并测量记录同一测光仪(5)对被测LED(2)的发射光的响应，记为P_LED(LT)，将相同的参考光束(7)导入 同一光收集器(4)，并测量记录同一测光仪(5)对参考光束(7)的响应，记为P_R(LT)； 

3)比较低温和高温两种条件下，测光仪对参考光束的响应，计算温度校准因子： 

4)比较高温和低温两种条件下，测光仪对被测LED的发射光的响应，并用温度校准因子校准，得到被测LED的内量子效率η_IQE： 

9.如权利要求8所述的一种LED内量子效率的测量方法，其特征在于，在所述步骤1)中分别测量被测LED(2)的发射光的光谱功率P_LED(HT)(λ)和参考光束的光谱功率P_R(HT)(λ)，在步骤2)中分别测量被测LED(2)的发射光光谱功率P_LED(LT)(λ)和参考光束的光谱功率P_R(LT)(λ)，步骤3)中计算得到的校准因子是波长的函数，步骤4)中使用对应波长的校准因子校准被测LED(2)发射光的在该波长下的功率。 

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