CN102169107A - 芯片钠离子沾污失效分析实现方法 - Google Patents

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林康生
陈品霞
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Abstract

本发明涉及一种芯片钠离子沾污失效分析实现方法，包括次级离子质谱仪，其特征在于，按如下步骤进行：a.Decap机将成品芯片的封装去掉，露出芯片表面；b.用次级离子质谱仪做出芯片表面的离子图谱；c.用次级离子质谱仪做出芯片表面的钠离子分布图；d.结合离子图谱和钠离子分布图对钠离的沾污层度进行分析。本发明利用次级离子质谱仪检测分析芯片钠离子沾污情况，可有效了解芯片具体情况，防止由于钠离子沾污造成芯片时效的事故发生。

Description

芯片钠离子沾污失效分析实现方法
技术领域
本发明涉及一种芯片钠离子沾污失效分析实现方法，属于芯片检测分析领域。
背景技术
芯片为一种脉宽调制器芯片，在整机装配调试过程中脉宽调制器出现失效。失效现象为启动和关断电压发生变化，表现了参数漂移的特征，整机满载输出时输出电压偏低。整机使用过程中有相同的失效现象，而且失效现象特征比较一致。通过现象分析可初步推断出失效的原因为：芯片生产过程中某个批次发生了钠离子沾污了芯片表面事故，导致批次性的芯片的参数发生漂移。这样对于钠离子的检测就至关重要了。因此，针对上述问题是本发明的研究目的。
发明内容
本发明的目的在于提供一种芯片钠离子沾污失效分析实现方法，有利于对芯片沾污程度进行分析，了解芯片失效。
本发明的特征在于：一种芯片钠离子沾污失效分析实现方法，包括次级离子质谱仪，其特征在于，按如下步骤进行：
a. Decap机将成品芯片的封装去掉，露出芯片表面；
b. 用次级离子质谱仪做出芯片表面的离子图谱；
c. 用次级离子质谱仪做出芯片表面的钠离子分布图；
d.结合离子图谱和钠离子分布图对钠离的沾污层度进行分析。
本发明的优点：本发明利用次级离子质谱仪检测分析芯片钠离子沾污情况，可有效了解芯片具体情况，防止由于钠离子沾污造成芯片时效的事故发生。
附图说明
图1为本发明次级离子质谱仪的结构框图。
图2 本发明实施例结构示意图。
具体实施方式
参考图1和图2，一种芯片钠离子沾污失效分析实现方法，包括次级离子质谱仪，按如下步骤进行：
a. Decap机将成品芯片的封装去掉，露出芯片表面；
b. 用次级离子质谱仪做出芯片表面的离子图谱；
c. 用次级离子质谱仪做出芯片表面的钠离子分布图；
d.结合离子图谱和钠离子分布图对钠离的沾污层度进行分析。
上述次级离子质谱仪将离子束的能量值设为10KV，离子束选择铯离子束，设置的深度分辨率为1nm，横向分辨率为1000nm，灵敏度>10-4，分析时间为5min。
具体实施过程如下: 用Decap机将成品芯片的封装去掉，露出芯片表面，然后用次级离子质谱仪做出芯片表面的离子图谱，用次级离子质谱仪做出芯片表面的钠离子分布图，对钠离的沾污层度进行分析。失效样品的分析可以肯定，样品芯片无过电烧毁。ＳＩＭＳ分析结果证明该样品芯片有钠离子沾污，并且芯片表面存在钠离子聚集现象，样品失效是由于样品表面或钝化层存在钠离子沾污引起的。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims (2)

1.一种芯片钠离子沾污失效分析实现方法，包括次级离子质谱仪，其特征在于，按如下步骤进行：
a. Decap机将成品芯片的封装去掉，露出芯片表面；
b. 用次级离子质谱仪做出芯片表面的离子图谱；
c. 用次级离子质谱仪做出芯片表面的钠离子分布图；
d.结合离子图谱和钠离子分布图对钠离的沾污层度进行分析。 
2.根据权利要求1所述的芯片钠离子沾污失效分析实现方法，其特征在于：所述次级离子质谱仪将离子束的能量值设为10KV,离子束选择铯离子束，设置的深度分辨率为1nm，横向分辨率为1000nm,灵敏度>10-4,分析时间为5min。
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