CN102158589B

CN102158589B - 一种高像素摄像模组以及芯片的烧录方法

Info

Publication number: CN102158589B
Application number: CN201110021245.9A
Authority: CN
Inventors: 蔡赞赞; 徐永松; 徐重耀; 史慧波
Original assignee: Ningbo Sunny Opotech Co Ltd
Current assignee: Ningbo Sunny Opotech Co Ltd
Priority date: 2011-01-19
Filing date: 2011-01-19
Publication date: 2014-02-19
Anticipated expiration: 2031-01-19
Also published as: CN102158589A

Abstract

本发明公开了一种高像素摄像模组，包括光学检测元件、可编程芯片以及固定所述光学检测元件和可编程芯片的线路板，其特征在于，所述可编程芯片是一次性可编程芯片，并且，所述感光光学检测元件与上述芯片集成为一体，在上述芯片中烧录有上述光学检测元件的镜头一致性补偿参数，手机软件通过，设定的格式读取上述参数，从而校正所述光学检测元件的光学精确度。与现有的高像素摄像模组结构相比，该种技术方案减少了整体模组的尺寸，并且，能够使模组的应用范围加大，同时可以提高模组批量生产中的良率和生产效率，而且所需要的时间较短，具有非常好的技术优点和技术效果。此外，本发明还公开了上述高像素摄像模组上的芯片的烧录方法。

Description

一种高像素摄像模组以及芯片的烧录方法

技术领域

本方案属于光电领域，涉及一种高像素摄像模组，同时，本发明还涉及一种模组的光学检测元件上集成的一次性可编程芯片的烧录方法。

背景技术

随着手机技术的发展，大大推动了摄像模组的应用。

目前的高像素摄像模组，其结构主要包括带有光学检测元件(sensor)的线路板以及设置有光学检测元件的各种参数的电可擦可编程只读存储器(EEPROM)，在该处理器内部设置好上述参数的寻址方式，就能够依靠软件来对光学检测元件进行比较精确的调节，从而获得较好的摄像效果。

图1是现有技术中高像素摄像模组的结构示意图。

如图所示，其示例性的表示了现有的高像素摄像模组的结构，其包括，光学检测元件1以及固定光学检测元件1的线路板4、与光学检测元件1连接在一起的存储器3，并且，在线路板4之中，位于光学检测元件1的下方位置处设置有黑色银箔2。

上述电可擦可编程只读存储器内部烧录有各种数据以及对应的寻址方式，因此，在上述模组提供给客户之后，客户就能够按照对应的引脚以及软件设计，就能够使相应的光学检测元件起到非常精确的控制和识别过程。

但是，这种传统的技术方案，需要在光学检测元件上加电可擦可编程只读存储器，但是，采用多加入的电可擦可编程只读存储器方案以后，有以下的技术难题：

首先，由于增加了一个电可擦可编程只读存储器，因此有形之中增加了生产的成本，同时，由于增加了一步工序，从而降低了生产的良率以及生产效率；

其次，由于上述电可擦可编程只读存储器，本身有一个读/写引脚来控制的，由于我们需要把电可擦可编程只读存储器一直处于写的状态，所以在客户端多次的操作中，就有可能把电可擦可编程只读存储器内数据被冲掉的危险。

此外，由于电可擦可编程只读存储器本身是有一定的空间的，如果客户需要采用socket的方案，电可擦可编程只读存储器是无法放置进去的；

并且，由于电可擦可编程只读存储器的尺寸比较小，是非常难修复或是难更换的，那么这颗模组的部分器件有可能报废或整个模组直接报废。

这些缺点使得采取电可擦可编程只读存储器的方案的高像素摄像模组，在一定程度上阻碍了其大范围地推广和使用。

发明内容

本发明针对现有的技术问题，提供一种新型的高像素摄像模组，并且，同时还涉及了一种上述高像素摄像模组的烧录方法。

具体来说，本发明解决上述技术问题所采用的技术方案如下面所描述：

一种高像素摄像模组，光学检测元件、可编程芯片以及固定所述光学检测元件和可编程芯片的线路板，所述可编程芯片是一次性可编程芯片，并且，所述感光光学检测元件与上述芯片集成为一体，在上述芯片中烧录有上述光学检测元件的镜头一致性补偿参数，手机软件通过设定的格式读取上述参数，从而校正所述光学检测元件的光学精确度。

进一步地，优选的结构是，所述可编程芯片之中还烧录有用于表示摄像模组特性的区别特征参数。

此外，本发明还公开了一种高像素摄像模组上的芯片的烧录方法，包括下列步骤：(1)首先产生镜头一致性补偿参数；(2)对所述模组进行上电；(3)初始化一次性可编程芯片，并控制烧录电压上升到第一电压值，延迟设定的时间后，再控制烧录电压跳跃到第二电压值；(4)将镜头一致性补偿参数下载并烧录到所述一次性可编程芯片之中；(5)去掉烧录电压上面的第二电压值，完成烧录过程。

进一步地，优选的方法是，所述第一电压值是是2.5V，所述第二电压值在8.5V-9V之间，并且，所述延迟的时间是600ms。

进一步地，优选的方法是，所述第二电压值是8.5V。

进一步地，优选的方法是，所述方法还包括有下列步骤：(6)读取烧录后的芯片内部的烧录值并校验。

进一步地，优选的方法是，在步骤(4)中，对所述一次性可编程芯片进行烧录是采取硬件进行编程并且成组的方式写入。

进一步地，优选的方法是，在步骤(4)中，对所述一次性可编程芯片进行烧录是采取跳跃性的方式进行烧录的。

进一步地，优选的方法是，在步骤(4)中，包括：(41)将一次性可编程芯片内部的存储空间划分为多个参数空间；(42)在进行烧录的时候，同时烧录三套同样的镜头一致性补偿参数到对应的参数空间之中。

进一步地，优选的方法是，还包括有，在步骤(4)中，在烧录镜头一致性补偿参数的同时，还烧录有用于表示摄像模组特性的区别特征参数。

本发明在采取了上述技术方案以后所具有的有益效果如下面所描述：

第一，由于采取了上述技术方案以后，一次性可编程芯片与光学检测元件内部集成在一起，由此整体结构上去掉了电可擦可编程只读存储器，大大节省整体摄像模组的尺寸；

第二，由于在对上述一次性可编程芯片进行烧录的时候，其烧录的方法相对于传统的烧录方法较为简单，不用烧录寄存器，只需烧录值，因此，其数据准确性高；

第三，该一次性可编程芯片烧录方法可以提高模组批量生产中的良率和生产效率，而且所需要的时间较短，可以提高模组图像的亮度均匀性，颜色一致性，对模组的加工制作也极为方便，能够充分优化模组生产时的工序，具有非常好的技术优点和技术效果。

附图说明

通过下面结合附图对其示例性实施例进行的描述，本发明上述特征和优点将会变得更加清楚和容易理解。

图1是现有技术中高像素摄像模组的结构示意图；

图2是本发明高像素摄像模组的具体实施例的结构示意图；

图3是本发明所述的高像素摄像模组的芯片的烧录方法的流程图；

图4是本发明所述的高像素摄像模组的芯片的烧录电压的示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明进行更进一步地详细的描述。

图2是本发明高像素摄像模组的具体实施例的结构示意图。

如图所示，该实施例与现有的设计相比，去掉了电可擦可编程只读存储器(EEPROM)，并且，采取了集成有一次性可编程芯片(OTP，图中未示出)的光学检测元件1，所述光学检测元件1通过焊接或其他的方法固定在线路板4上面，在光学检测元件1的下方位置处设置有黑色银箔2。

并且，在上述光学检测元件所集成的一次性可编程芯片之中，烧录对应于感光光学检测元件的镜头一致性补偿参数(LSC)，上述参数的读取格式设置在手机的软件之中，手机软件通过上述读取格式读取上述镜头一致性补偿参数，从而校正感光光学检测元件的精确度。

并且，所述光学检测元件是焊接在所述线路板上面的。

此外，在一个优选实施例之中，所述可编程芯片之中还烧录有用于表示摄像模组特性的区别特征参数。

由于本发明采取了上述技术方案，因此，与现有的结构的高像素摄像模组相比，大大减少了整体模组的尺寸，并且，能够使模组的应用范围加大，同时，还能够优化后续模组生产时的工序，因此，其成品率也增加了，进而降低了生产成本，具有较好的技术效果。

下面结合本发明的流程图来对本发明所述的高像素摄像模组的芯片的烧录方法进行一个详细的描述。

图3是本发明所述的高像素摄像模组的芯片的烧录方法的流程图。

如图所示，其主要包括下列步骤：S101：首先产生镜头一致性补偿参数；S102：对所述模组进行上电；S103：初始化一次性可编程芯片；S104：控制烧录电压上升到第一电压值，延迟设定的时间后，再控制烧录电压跳跃到第二电压值；S105：将镜头一致性补偿参数下载并烧录到一次性可编程芯片之中；S106：去掉烧录电压上面的电压值，完成烧录过程。以及，S107：读取一次性可编程芯片的值并进行校验是否烧录成功。

由于一次性可编程芯片的烧录方法是一次性烧录，因此，如果烧录不成功，其只能认为烧录失败。在优选实施例之中，上述烧录电压和延迟时间是采取以下数据：第一电压值在2.5V，第二电压值是在8.5-9V之间，优选第二电压值在8.5V，并且，优选延迟的时间是600ms。

具体来说，在进行芯片烧录的时候，是这样地：

第一，在编制以及烧录程序的过程中，一个专用的高电压将用来执行一次性可编程芯片的存储器编程，这个烧录电压(Vpp)要达到8.5V；并且，在任何时候，Vpp的瞬时电压都不能超过9V，以便于烧录程序成功。

其示例性地表示了为了达到最佳的效果，烧录电压Vpp升压的的一个过程。如图所示，其电压的升压过程是这样的：Vpp首先保持低电平约200MS，然后升到2.5V，延时六百毫秒之后将Vpp升到8.5V，该电压即是烧录时的电压。

如图所示，在烧录完成之后，Vpp由8.5V降低到2.5V，延时600MS之后，Vpp降低到低电平，这可以保护Vpp并阻止VAA上的任何待机问题，整个烧录的过程仅需要不到一秒的时间。

采取了该种技术方案后，只能够实现一次性编程，并且，在每次更换镜头类型的时候，需要再次进行烧录。

在实施例之中，所述一次性可编程芯片之中有755byte空间，而一套参数烧录需要204byte的空间，因此其总共可以烧录三套参数，可确保烧录的可靠性。为此，我们在上述S104步骤中，烧录的时候，是同时烧录三套数据一致的镜头一致性补偿参数。这样地话，即使其中一套参数失败，我们也可以从其他两套参数中选择一套，因此，该过程大大降低了产品的报废率，提高了产品的可靠性。

在优选实施例之中，我们采取的是SOC 5140芯片，其有6.5K位一次性可编程芯片存储器，因此，其部分空间可以用来储存特殊的信息，例如，用于表示摄像模组特性的区别特征参数，因此，模组制造者可以根据这个特性或者红外滤光片以及其他的特性来标签或者区别其他的模组类型。

由于对一次性可编程芯片烧录的时候，只是刻录数值，因此，我们采取硬件方法烧录的方法来对一次性可编程芯片进行烧录，而不是采用传统的固件烧录的方法，因此，烧录速度快并且成品率高。此外，由于是硬件烧录的方式，省去了其他多余的操作步骤，我们可以在对一次性可编程芯片进行烧录的时候，能够利用一次性可编程芯片的成组方式。其中，一次性可编程芯片成组方式的最大优点是我们不需要给出额外的命令来增加地址，我们只需要载入数据，然后执行写命令就行了，因此，其烧录方法比较快捷。

本发明在采取了上述技术方案以后，该烧录方法可以提高模组批量生产中的良率和生产效率，而且所需要的时间较短，可以提高模组图像的亮度均匀性，颜色一致性，对模组的加工制作也极为方便，不需要再在光学检测元件上加电可擦可编程只读存储器，可大大节省空间，并优化模组生产时的工序，并且降低了模组成本，改善了产品的外观和构造，提升了可靠性，降低工艺难度，有利于模组的批量生产。

需要注意的是，上述具体实施例是示例性的，在本发明的上述教导下，本领域技术人员可以在上述实施例的基础上进行各种改进和变形，而这些改进或者变形落在本发明的保护范围内。

本领域技术人员应该明白，上面的具体描述只是为了解释本发明的目的，并非用于限制本发明。本发明的保护范围由权利要求及其等同物限定。

Claims

1.一种用于高像素摄像模组上的芯片的烧录方法，包括下列步骤：（1）首先产生镜头一致性补偿参数；（2）对所述模组进行上电；（3）初始化一次性可编程芯片，并控制烧录电压上升到第一电压值，延迟设定的时间后，再控制烧录电压跳跃到第二电压值；（4）将镜头一致性补偿参数下载并烧录到所述一次性可编程芯片之中；（5）去掉烧录电压上面的第二电压值，完成烧录过程;

所述第一电压值是2.5V，所述第二电压值在8.5V-9V之间，并且，所述延迟的时间是600ms;在步骤（4）中，对所述一次性可编程芯片进行烧录是采取硬件进行编程并且成组的方式写入;并且在步骤（4）中，包括：(41)将一次性可编程芯片内部的存储空间划分为多个参数空间；(42)在进行烧录的时候，同时烧录三套同样的镜头一致性补偿参数到对应的参数空间之中。

2.根据权利要求1所述的高像素摄像模组上的芯片的烧录方法，其特征在于，所述第二电压值是8.5V。

3.根据权利要求1所述的高像素摄像模组上的芯片的烧录方法，其特征在于，所述方法还包括有下列步骤：（6）读取烧录后的芯片内部的烧录值并校验。

4.根据权利要求1所述的高像素摄像模组上的芯片的烧录方法，其特征在于，在步骤（4）中，对所述一次性可编程芯片进行烧录是采取跳跃性的方式进行烧录的。

5.根据权利要求1所述的高像素摄像模组上的芯片的烧录方法，其特征在于，还包括有，在步骤（4）中，在烧录镜头一致性补偿参数的同时，还烧录有用于表示摄像模组特性的区别特征参数。