CN102157917A - 越底反控时基电路 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种越底反控时基电路，在完全兼容555时基电路的所有功能之外，扩展了新功能；解决了原有主控(超上限和下限限位控制)电路和定时电路经常因故障而失控，不能及时切断负载供电，存在安全隐患的技术问题；所采用的技术方案是：新增设了底限基准、比较、触发保护电路，当传感电路发生异常故障时，优先触发后级电路翻转，产生越底反控保护作用，强迫切断负载供电，可靠地防止故障失控。应用在温度、压力、水位、定时控制电路中，能提高安全性能，避免使用时发生严重事故(如火灾)。因此，本发明具有重要的实用价值，在小家电及简易测量、定时、控制、安全防护等电子应用领域用途更广，且使产品性/价比更高。

Description

越底反控时基电路

技术领域

本发明涉及一种控制电路/时基电路，尤其涉及一种确保主控(超上下限位控制)或定时控制电路在故障时不失控的越底反控时基电路，应用在温度、压力、水位、定时控制电器中，能提高安全性能，避免使用时发生严重事故(如火灾)。因此，本发明在小家电及简易测量、定时、控制、安全防护等电子应用领域用途更广，且使电器产品性/价比更高。

背景技术

为了核实本发明的新颖性，设计人查阅了大量相关技术资料(专业书籍、报刊)，检索了相关专利文献。都只有发现仅完成主控(超上下限位控制)功能的电路较多(如555时基电路就是其经典代表)，从未发现涉及对异常故障进行监测、对主控电路进行监控(保护控制)、防止异常失控的相关技术资料。

目前，在电子应用领域得到广泛应用的经典式555时基电路，作为最基础的通用性功能器件，备受电子应用专业设计人员和电子爱好者的青睐，而且现已得到学术界的普通认可，其结构和原理已成为大学电子专业《数字电路》教科书中的重要理论。

经典式555时基电路虽然通用性强，用途广泛。但只有单一的主控(超上下限位控制)功能，内部结构较复杂，大致由分压器、比较器、R-S触发器、反相驱动器、放电开关等五个部分组成。引出脚位8只，若是CMOS型555电路，还要多两个反相器(一个用于复位，另一个设在R-S触发器Q端和驱动器之间)。其原理是：分压器设置上限和下限，比较器将输入电位与上限和下限作比较，若输入电位超出上限或下限电位，两比较器分别触发R-S触发器的R端或S端，Q端输出相应电平经驱动器输出控制负载，这个控制过程和原理，仅仅只能完成超上下限位控制功能，完全没有故障保护控制功能，是空白项，另外在性能上存在不佳之处，复位端MR(第4脚)复位电位设置不当，且离散性太大，又不能与输入电位作比较。控制端V_C(第5脚)只能外调上限，下限内置固定，V_C对地电容必不可少。

发明内容

本发明主要解决原有主控(超上下限位控制)电路和定时电路经常因异常故障而失控，不能及时切断负载供电，存在使用安全隐患的技术问题；提供一种能监测异常故障，并有越底反控保护功能，防止主控电路失控，及时切断负载供电，避免发生严重事故(如火灾)，确保使用安全的越底反控时基电路。

本发明同时解决原有实现超限位控制功能电路的复位端的复位电位设置不当，且离散性太大，性能不佳的技术问题；提供一种复位功能兼作保护显示和消振功能，减小离散性，提高性能的越底反控时基电路。

本发明为解决上述技术问题，采用了下述技术方案：

新增设了底限比较电路(8)，将其传感信号输入端与原有上下限位比较电路(3)、(4)的两个传感信号输入端(V_i)并接于同一点，底限比较电路(8)的底限基准电位(V_d)由底限基准或过热保护电路(7)中分压点提供，底限比较电路(8)的输出端连接复位/限位触发接口电路(9)的底限控制端；复位/限位触发接口电路(9)的上下限位输入端分别连接上限比较电路(3)和下限比较电路(4)的输出端，复位/限位触发接口电路(9)的两个输出端分别对应连接施密特触发电路(10)的两个输入端，施密特触发电路(10)的输出端(Vo)连接驱动执行电路(11)的输入端，施密特触发电路(10)的控制端(Vs)还连接放电电路(5)的控制输入端；复位/限位触发接口电路(9)的双向控制端口(BER)连接保护显示/强制复位/消除临振电路(6)的双向控制端口，保护显示/强制复位/消除临振电路(6)的消振输出端连接上限比较电路(3)和下限比较电路(4)及底限比较电路(8)的共同输入端(V_i)。电路正常工作时，输入端V_i电位在上限至下限之间波动变化，底限比较电路(8)处于守备状态。

当传感电路发生故障时，使输入端V_i电位低于底限基准电位V_d，即输入电位发生越底，底限比较电路(8)产生反控保护作用，优先触发后级施密特电路(10)翻转，强迫负载断电，达到防止失控的目的。

因此，本发明超越了555时基电路，新增加的越底反控保护功能，具有重要的实用价值和更广的用途。

本发明的技术优势和有益效果如下：

1、在完全兼容经典式555时基电路的所有功能之外，扩展了新的重要功能，即增加了越底反控保护功能和自身过热保护功能，能可靠地防止故障失控，提高了安全性能，因而具有更重要的实用价值和更广泛的用途。

2、提高了复位电平和性能，使复位端同时兼备故障保护显示功能和消除临振功能，还能改善NTC低温时的不良特性。

3、可从外部灵活设置调节上下限基准电位和回差，使传感信号输入端(V_i)所接传感电路简化，方便应用。

4、只有一个传感信号输入端，高低电位触发都有效，应用简便。

5、由于后级电路不采用RS触发器，而是采用施密特触发器，不用输入脉冲触发，而是用输入电位触发，因而抗干扰能力更强，还可省掉抗干扰电容。

6、电路结构简单，成本低，性/价比高。

附图说明

图1是本发明的电路原理框图。

图2是本发明实施例1的具体电路原理图。

图3是本发明实施例2的具体电路原理图。

实施例1和实施例2的电路原理框图，如图1所示，(1)为传感电路，(2)为上下限基准设置电路，(3)为上限比较电路，(4)为下限比较电路，(5)为放电电路，(6)为保护显示/强制复位/消除临振电路，(7)为底限基准或过热保护电路，(8)为底限比较电路，(9)为复位/限位触发接口电路，(10)为施密特触发电路，(11)为驱动执行电路。

具体实施方式

下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。

实施例1和实施例2的电路原理框图，如图1所示，(1)为传感电路，(2)为上下限基准设置电路，(3)为上限比较电路，(4)为下限比较电路，(5)为放电电路，(6)为保护显示/强制复位/消除临振电路，(7)为底限基准或过热保护电路，(8)为底限比较电路，(9)为复位/限位触发接口电路，(10)为施密特触发电路，(11)为驱动执行电路。

新设的底限比较电路(8)的传感信号输入端(V_i)与上限比较电路(3)和下限比较电路(4)的两个输入端(V_i)并联于同一点，再连接传感电路(1)的输出端；上限比较电路(3)的基准电位(V_h)、和下限比较电路(4)的基准电位(V_L)由上限/下限基准设置电路(2)提供、底限比较电路(8)的底限基准电位(V_d)由底限基准或过热保护电路(7)中分压点提供，底限比较电路(8)的输出端连接复位/限位触发接口电路(9)的底限控制端；复位/限位触发接口电路(9)的上、下限位输入端，分别连接上限比较电路(3)和下限比较电路(4)的输出端，复位/限位触发接口电路(9)的双向控制端口(BER)连接保护显示/强制复位/消除临振电路(6)的双向控制端口(BER)，保护显示/强制复位/消除临振电路(6)的消振输出端连接上限比较电路(3)、下限比较电路(4)、底限比较电路(8)的共同输入端(V_i)；复位/限位触发接口电路(9)的两个输出端分别对应连接施密特触发电路(10)的两个输入端，施密特触发电路(10)的控制端(Vs)还连接放电电路(5)的控制输入端，施密特触发电路(10)的输出端(Vo)连接驱动执行电路(11)的输入端，驱动执行电路(11)控制负载。

实施例1：

本实施例是作控温电路应用的实例，具体电路原理图，如图2所示，所述的传感电路(1)包括负温度系数热敏电阻Ntc21和电阻R29，所述的上限、下限基准设置电路(2)包括电阻R211、R212、R213，所述的上限比较电路(3)为电压比较器B22，所述的下限比较电路(4)为电压比较器B23，所述的放电电路(5)为电压比较器B24，所述的保护显示/强制复位/消除临振电路(6)包括发光二极管LED21和电阻R26、R27、R28，所述的底限基准或过热保护电路(7)包括正温度系数热敏电阻Pt_C21和电阻R21，所述的底限比较电路(8)为电压比较器B21，所述的复位/限位触发接口电路(9)包括电阻R22、R23、二极管D23及双向端口BER连接线，所述的施密特触发电路(10)包括运算放大器A21和电阻R24，所述的驱动执行电路(11)包括电阻R25、二极管D21、D22、三极管T21、继电器J21。

图2电路连接方式：

负温度系数热敏电阻Ntc21一端接电源V+极，另一端连接电阻R29、R28，电阻R29另一端接地(GND)，电阻R28另一端接双向端口BER(保护显示和强制复位端)，电阻R211、R212、R213顺序串联后，电阻R211的另一端接电源V+极，电阻213另一端接地(GND)，电阻R211、R212连接点接电压比较器B22反相(-)输入端，作为上限基准电位设置端(V_h)，电阻R212、R213连接点接电压比较器B23反相(-)输入端，作为下限基准电位设置端(V_L)，电阻R21串接热敏电阻Ptc21的分压点(V_d)为底限比较器B21反相(-)输入端提供底限基准电位，电阻R21另一端接电源正极(V+)，热敏电阻Ptc21另一端接地(GND)，电压比较器B21、B22、B23的三个正相(+)输入端并接于一点，作为传感信号输入端(V_i)，电压比较器B21的输出端直接与电压比较器B24、运算放大器A21的两正相(+)输入端并接后，作为双向端口BER，再与保显/复位/消振电路(6)中电阻R26、R27、R28、R24并接，电阻R24的另一端接运算放大器A21输出端(Vo)，电阻R27另一端接地，电阻R26另一端接发光二机管LED21负极，发光二极管LED21正极接电源正极(V+)；电压比较器B23输出端接二极管D23负极，电压比较器B22输出端接电阻R22，电阻R22另一端并接电阻R23和二极管D23正极后，与电压比较器B24、运算放大器A21的两反相(-)输入端相连，电阻R23另一端接电源正极(V+)，电压比较器B24输出端作为电容放电端(DIS)，运算放大器A21输出端(Vo)还接有电阻R25，R25另一端接稳压管D22负极，D22正极接三极管T21基极，三极管发射极接地(GND)，三极管集电极接二极管D21正极和继电器J21线圈，J21线圈另一端与二极管D21并接于电源正极(V₊)。

图2电路工作原理：

电路上电之初，因负温度系数热敏电阻Nt_C21处于低温高阻状态，使其与电阻R29串接的分压点(传感信号输入端V_i)电位也较低，低于下限基准电位V_L，但大于底限基准电位V_d，故电压比较器B21输出高电平给双向端口BER，使运算放大器A21及电压比较器B24的正相(+)输入端都得到高电位，此时双向端口BER电位高低决定于电阻R26串R27的分压比，通常设定为2/3V+左右，发光二极管LED21因通过电流较小，不发光或只有微光，表示底限保护处于守备状态；电压比较器B22因正相(+)输入端电位(V_i)低于反相(-)输入端电位(V_h)，输出低电平给电阻R22，电压比较器B23正相(+)输入端电位也低于反相(-)端电位而输出低电位给二极管D23负极，而此时运算放大器A21反相(-)输入端和电压比较器B24反相(-)输入端(二极管D23正极)电位大约1V左右，小于双向端口BER电位(约2/3V+)，故此运算放大器A21输出端(Vo)和电压比较器B24的输出端(DIS)都输出高电平，DIS端的悬空高电平可以让外电路中定时电容充电，输出端Vo的高电平(可输出电流)一方面经电阻R24反馈给双向端口BER，使运算放大器A21产生施密特触发效应，锁定为高输出状态，另一方面经电阻R25，稳压二极管D22驱动三极管T21导通，继电器J21线圈通电吸合，J21常开触点接通负载电源，使负载发热升温。

电路通电一定时间后，因负温度系数热敏电阻Nt_C21随负载温度上升，阻值变小，使传感信号输入端V_i电位上升，当V_i电位大于V_l电位，但仍然低于V_h电位时，电压比较器B23输出高电平，电压比较器B22仍然输出低电平，此时，二极管D23正极并接点电位决定于电阻R23串联R22的分压比，通常设定为1/2V+左右，仍然小于双向端口BER电位(约2/3V+)，故运算放大器A21输出端和电压比较器B24输出端仍然输出高电平，维持原状态，三极管T21继续让继电器J21维持给负载通电状态，负载温度继续升高，使负温度系数热敏电阻Ntc21阻值继续减小，输入端V_i电位继续上升，当V_i电位上升至大于上限基准电位V_h时，电压比较器B22输出高电平，而此时二极管D23正极电位接近电源正极(V+)电压，使运算放大器A21和电压比较器B24的两个反相(-)输入端电位高于其两个正相(+)输入端电位(约2/3V+)，其两个输出端都输出低电平，放电端(DIS)低电平可使外电路定时电容放电，输出端Vo低电平一方面经反馈电阻R24反馈至A21正相输入端，使双向端口BER电位更低，约为1/3V₊左右，发光二极管LED21也只增亮一点，表示电路仍处于正常工作状态，另一方面输出端Vo低电平使三极管失去基流而截止，继电器J21线圈断电释放(其反电势由二极管D21消除)，其常开触点断开，切断负载供电，负载温度开始下降。热敏电阻Nt_C21随温度下降，阻值逐渐变大，输入端V_i电位下降，输出端Vo继续维持低电位状态，当V_i电位降至小于V_l电位时，电压比较器B23输出端由高电平变为低电平，触发施密特电路翻转，即运算放大器A21又输出高电平，驱动三极管导通，继电器J21线圈又吸合，负载又得电升温，使电路进入下一控温循环过程，在上限至下限之间进行正常循环控温过程中，底限比较器B21始终输出高电平，发二极管LED21只发微光，表示电路处于守备状态。

当传感电路发生故障(如Ntc21断线开路或V_i端对地短路)时，使输入端V_i电位低于底限基准电位V_d，即输入电位发生越底，产生以下反控保护作用：使底限电压比较器B21输出低电位(＜0.3V)，低于运算放大器A21和电压比较器B24两反相(-)输入端及二极管D23正极电位(约1V左右)，因而运算放大器A21输出端(V₀)和电压比较器B24输出端(DIS)都输出低电平，输出端Vo低电平使三极管T21截止，继电器J21断电释放，强迫负载断电，达到防止失控的目的。

因此，本实施例超越了555时基电路，新增加的越底反控保护功能，具有重要的实用价值和更广的用途。

实施例2：

本实施例也是作控温电路应用的实例，具体电路原理图，如图3所示，所述的传感电路(1)包括负温度系数热敏电阻Ntc31和电阻R39，所述的上限/下限基准设置电路(2)包括电阻R311、R312、R313，所述的上限比较电路(3)为电压比较器B32，所述的下限比较电路(4)为电压比较器B33，所述的放电电路(5)为电压比较器B34，所述的保护显示/强制复位/消除临振电路(6)包括发光二极管LED31和电阻R314、R36、R37、R38，所述的底限基准或过热保护电路(7)包括正温度系数热敏电阻Pt_C31和电阻R31，所述的底限比较电路(8)为电压比较器B31，所述的复位/限位触发接口电路(9)包括电阻R32、R33、R35、及双向控制端口BER连接线，所述的施密特触发电路(10)包括电压比较器B35和电阻R34，所述的驱动执行电路(11)包括电阻R315、R310、二极管D31、三极管T31、继电器J31。

图3电路连接方式：

负温度系数热敏电阻Ntc31一端接电源正极(V+)，另一端连接电阻R39、R38，电阻R39另一端接地(GND)，电阻R38另一端接双向控制端口BER(保护显示/强制复位端)；电阻R311、R312、R313顺序串联后，电阻R311的另一端接电源正极(V+)，电阻R313另一端接地(GND)，电阻R311、R312连接点接电压比较器B32正相(+)输入端，作为上限基准电位设置端(V_h)，电阻R312、R313连接点接电压比较器B33反相(-)输入端，作为下限基准电位设置端(V₁)，电阻R31串接正温度系数热敏电阻Ptc31的分压点(V_d)为底限比较器B31反相(-)输入端提供底限基准电位，电阻R31另一端接电源正极(V₊)，正温度系数热敏电阻Ptc31另一端接地(GND)；电压比较器B31、B33的两个正相(+)输入端和电压比较器B32反相(-)输入端并接于一点，作为传感信号输入端(V_i)，电压比较器B31的输出端直接作为双向控制端口BER，再与保显/复位/消振电路(6)中电阻R38、R314和发光二极管LED31负极并接，电阻R314的另一端接发光二极管LED31正极和电阻R36、R37，电阻R36另一端接电源正极(V+)，电阻R37另一端接地，电阻R38另一端接传感信号输入端(V_i)；电压比较器B31、B32输出端之间跨接电阻R32，电压比较器B32输出端还连接电压比较器B34正相(+)输入端和电压比较器B35反相(-)输入端，电压比较器B33输出端连接电阻R33，电阻R33另一端并接电阻R34、R35和电压比较器B34反相(-)输入端及电压比较器B35正相(+)输入端，电阻R35另一端接电源正极(V+)，电阻R34另一端接电压比较器B35输出端，电压比较器B34输出端作为电容放电端(DIS)，电压比较器B35输出端还接有电阻R315、R310，R315另一端接电源正极(V₊)，R310另一端接三极管T31基极，三极管T31发射极电源正极(V₊)，三极管集电极接二极管D31负极和继电器J31线圈，J31线圈另一端与二极管D31正极都接电路地端(GND)。

图3电路工作原理：

电路上电之初，因负温度系数热敏电阻Ntc31处于低温高阻状态，使其与电阻R39串接的分压点(传感信号输入端V_i)电位也较低，低于下限基准电位V_l，但大于底限基准电位V_d，故电压比较器B31输出高电平给双向控制端口BER，电压比较器B32输出高电平给电压比较器B35反相(-)输入端和电压比较器B34正相(+)输入端，电压比较器B33输出低电平给电阻R33，电压比较器B35正相(+)输入端和电压比较器B34反相(-)输入端得到的电位是电阻R33、R34串R35的分压(约为1/3V₊左右)，此时双向端口BER电位高低决定于电阻R36串R37的分压比，通常设定为5/6V+左右，发光二极管LED31不发光，表示底限保护处于守备状态；电压比较器B34因正相(+)输入端电位高于反相(-)输入端电位而输出悬空的高电平，可以让外电路中定时电容充电；电压比较器B35因正相(+)输入端电位低于反相(-)输入端电位而输出低电平，经电阻R34反馈使电压比较器B35正相(+)输入端电位更低，于是产生施密特触发效应，将电压比较器B35输出端(Vo)锁定为低输出状态，经电阻R310驱动三极管T31导通，继电器J31线圈通电吸合，J31常开触点接通负载电源，使负载发热升温。

电路通电一定时间后，因负温度系数热敏电阻Nt_C31随负载温度上升，阻值变小，使传感信号输入端V_i电位上升，当V_i电位大于V_l电位，但仍然低于V_h电位时，电压比较器B33输出高电平，电压比较器B32仍然输出高电平，此时，电压比较器B35正相(+)输入端和电压比较器B34反相(-)输入端得到的电位约为2/3V₊左右，仍然小于双向控制端口BER电位(约为5/6V₊左右)，电压比较器B34仍然输出悬空的高电平，可以让外电路中定时电容继续充电，电压比较器B35输出端仍然维持原有低电平状态，三极管T31继续导通，让继电器J31维持给负载通电状态，负载温度继续升高，使负温度系数热敏电阻Ntc31阻值继续减小，输入端Vi电位继续上升，当Vi电位上升至大于上限基准电位V_h时，电压比较器B32输出低电平，此时，电压比较器B34因正相(+)输入端电位低于反相(-)输入端电位而输出低电平，可以让外电路中定时电容放电；电压比较器B35因正相(+)输入端电位高于反相(-)输入端电位而输出高电平，经电阻R34反馈使电压比较器B35正相(+)输入端电位更高，接近电源正极(V+)电压，于是产生施密特触发效应，将电压比较器B35输出端(Vo)锁定为高输出状态，三极管T31因无基极电流而截止，继电器J31线圈断电释放(其反电势由二极管D31消除)，J31常开触点断开负载电源，使负载降温。热敏电阻Ntc31随温度下降，阻值逐渐变大，输入端V_i电位下降，电压比较器B32输出高电平，电压比较器B35输出端Vo仍然维持原有高电平状态，使负载继续降温，输入端V_i电位继续下降，当V_i电位降至小于V_l电位时，电压比较器B33输出端由高电平变为低电平，触发施密特电路翻转，即电压比较器B35输出端(Vo)锁定为低输出状态，经电阻R310驱动三极管T31导通，继电器J31线圈又吸合，负载又得电升温，使电路进入下一控温循环过程，在上限至下限之间进行正常循环控温过程中，底限比较器B31始终输出高电平，发二极管LED31只发微光，表示电路处于守备状态。

当传感电路发生故障(如Ntc31断线开路或V_i端对地短路)时，使输入端V_i电位低于底限基准电位V_d，即输入电位发生越底，产生以下反控保护作用：使底限电压比较器B31输出低电位(＜0.3V)，经电阻R32拉低电压比较器B35反相(-)输入端电位，又使电压比较器B35输出端(Vo)锁定为高输出状态，强迫三极管T31截止，继电器J31线圈断电释放，切断负载供电，达到防止失控的目的。

因此，本实施例超越了555时基电路，新增加的越底反控保护功能，具有重要的实用价值和更广的用途。

Claims (6)

1.一种越底反控时基电路，包括传感电路(1)、上限/下限基准设置电路(2)、上限比较电路(3)、下限比较电路(4)、放电电路(5)、驱动执行电路(11)，其特征在于：还包括保护显示/强制复位/消除临振电路(6)、底限基准或过热保护(7)、底限比较电路(8)、复位/限位触发接口电路(9)、施密特触发电路(10)；新设的底限比较电路(8)的传感信号输入端(V_i)与上限比较电路(3)和下限比较电路(4)两个输入端(V_i)并联于同一点，底限比较电路(8)的底限基准电位由底限基准或过热保护电路(7)中分压点(V_d)提供，底限比较电路(8)的输出端连接复位/限位触发接口电路(9)的底限控制端；复位/限位触发接口电路(9)的上、下限位输入端，分别连接上限比较电路(3)和下限比较电路(4)的输出端，复位/限位触发接口电路(9)的两个输出端分别对应连接施密特触发电路(10)的两个输入端，施密特触发电路(10)的输出端(Vo)连接驱动执行电路(11)的输入端，施密特触发电路(10)的控制端(Vs)还连接放电电路(5)的控制输入端；复位/限位触发接口电路(9)的双向控制端口BER连接保护显示/强制复位/消除临振电路(6)的双向控制端口，保护显示/强制复位/消除临振电路(6)的消振输出端连接上限比较电路(3)、下限比较电路(4)、底限比较电路(8)共同的传感信号输入端(V_i)。

2.根据据权利要求1所述的越底反控时基电路，其特征在于：所述的保护显示/强制复位/消除临振电路(6)包括实施例1中电阻R26、R27、R28和发光二极管LED21，或实施例2中电阻R36、R37、R38、R314和发光二极管LED31；在实施例1(图2)中，电阻R26、R27、R28并接点与电压比较器B21的输出端(双向控制端口BER)和运算放大器A21的正极(+)输入端相连，电阻R27的另一端接地(GND)，电阻R26的另一端接发光二极管LED21负极，LED21正极接电源电压正极(V+)，电阻R28另一端接传感信号输入端(V_i)；在实施例2(图3)中，发光二极管LED31正极与电阻R36、R37、R314的一端并接，电阻R36的另一端接电源电压正极(V₊)，电阻R37的另一端接地(GND)，电阻R314的另一端与发光二极管LED31负极和电阻R38的另一端并接后连接至模块(虚线框)电路的双向控制端口BER，电阻R38的另一端接至模块(虚线框)电路的传感信号输入端(V_i)。

3.根据权利要求1所述的越底反控时基电路，其特征在于：所述的底限基准或过热保护电路(7)包括实施例1中电阻R21和正温度系数热敏电阻PTC21(或定值电阻)，或包括实施例2中电阻R31和正温度系数热敏电阻PTC31(或定值电阻)；在实施例1(图2)中，电阻R21和正温度系数热敏电阻PTC21串接的分压点(V_d)接至电压比较器B21反相(-)输入端，电阻R21另一端接电源电压正极(V₊)，正温度系数热敏电阻PTC21另一端接地(GND)；在实施例2(图3)中，电阻R31和正温度系数热敏电阻PTC31串联分压点(V_d)连接电压比较器B31反相(-)输入端，电阻R31另一端接电源电压正极(V₊)，热敏电阻PTC31另一端接地(GND)。

4.根据权利要求1所述的越底反控时基电路，其特证在于：所述的底限比较电路(8)包括实施例1中电压比较器B21，或包括实施例2中电压比较器B31；在实施例1(图2)中电压比较器B21的正相(+)输入端与传感信号输入端(V_i)相连接，电压比较器B21输出端与电压比较器B24正相(+)输入端和运算放大器A21正相(+)输入端相连后，直接作为模块(虚线框)电路的双向控制端口BER；在实施例2(图3)中，电压比较器B31输出端与电阻R32一端连接后，直接作为模块(虚线框)电路的双向控制端口BER；电压比较器B31正相(+)输入端与电压比较器B32反相(-)输入端和电压比较器B33的正相(+)输入端相连接后，作为模块(虚线框)电路的传感信号输入端(Vi)。

5.根据权利要求书1所述的越底反控时基电路，其特征在于：所述的复位/限位触发接口电路(9)包括实施例1中电阻R22、R23、二极管D23、双向控制端口BER连接线，或包括实施例2中电阻R32、R33、R35和双向控制端口BER连线；在实施例1中，电阻R22、R23、二极管D23正极并接点与运算放大器A21反相(-)输入端和电压比较器B24反相(-)输入端相连接，电阻R22另一端连接电压比较器B22输出端，电阻R23另一端连接电源电压正极(V+)，二极管D23负极接电压比较器B23输出端，电压比较器B21输出端直接与电压比较器B24正相(+)输入端和运算放大器A21正相(+)输入端连接后，作为模块(虚线框)电路的双向控制端口BER(保显/复位/消振电路控制端)；在实施例2中，电阻R32两端跨接于电压比较器B31、B32的两个输出端，电压比较器B34的反相(-)输入端和电压比较器B35的正相(+)输入端相连接后，再与电阻R33、R35并接，电阻R33另一端连接电压比较器B33的输出端，电阻R35的另一端连接电源电压正极(V+)，电压比较器B32的输出端还与电压比较器B34正相(+)输入端和电压比较器B35反相(-)输入端相连，电压比较器B31输出端直接与双向控制端口BER相连接。

6.根据权利要求1所述的越底反控时基电路，其特征在于：所述的施密特触发电路(10)包括实施例1中运算放大器A21、电阻R24，或包括实施例2中电压比较器B35、电阻R34，也可以由门电路或专用施密特触发器或其它功能等效的器件为主组成施密特触发电路(10)；在实施例1(图2)中，运算放大器A21正相(+)输入端与电压比较器B21输出端和双向控制端口BER直接相连，运算放大器A21反相(-)输入端与电压比较器B24反相(-)输入端和二极管D23正极以及电阻R22、R23的并联结点相连接，运算放大器A21输出端直接作为模块(虚线框)电路的输出端(Vo)，经串接电阻R25、稳压二极管D22推动控制三极管T21的导通与截止，反馈电阻R24跨接于运算放大器A21输出端(Vo)和正极(+)输入端；在实施例2(图3)中，电压比较器B35反相(-)输入端与电压比较器B32输出端和电压比较器B34正相(+)输入端以及电阻R32相连接，电压比较器B35正相(+)输入端连接电阻R33、R34、R35的并接点和电压比较器B34反相(-)输入端，反馈电阻R34另一端连接电压比较器B35输出端(Vo)，电压比较器B35输出端(Vo)还经串联电阻R310控制三极管T31的导通与截止。

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