CN102157542A

CN102157542A - 一种pmoled扫描电极布线结构

Info

Publication number: CN102157542A
Application number: CN 201010593168
Authority: CN
Inventors: 闫晓剑
Original assignee: Sichuan CCO Display Technology Co Ltd
Current assignee: Sichuan CCO Display Technology Co Ltd
Priority date: 2010-12-17
Filing date: 2010-12-17
Publication date: 2011-08-17

Abstract

本发明涉及平面显示技术，其针对传统技术的不足，公开了一种新型的PMOLED扫描电极布线结构，减小扫描电极的自身压降，保证PMOLED显示屏的的发光亮度，改善其品质。其技术方案的要点可概括为：增大了扫描电极的第一段宽度，按照金属薄膜电阻的定义，扫描电极面积越大，则电阻越低，因此，减小了因扫描电极引起的电压降，从而保证了发光亮度；同时对于不同的扫描电极的第三段采取了渐变式的设计：扫描电极宽度从外向内逐渐减小，从而减小了行与行之间的亮度显示差异，改善了PMOLED显示屏的品质。本发明适用于PMOLED显示屏。

Description

一种PMOLED扫描电极布线结构

技术领域

本发明涉及平面显示技术，具体的说是涉及一种PMOLED扫描电极布线结构。

背景技术

OLED(有机发光二极管)是新一代的照明和显示装置，其通过将有机发光材料夹在透明阳极和金属反射阴极之间，形成有机薄膜，对有机薄膜施加电压来进行发光。PMOLED是被动式驱动发光的OLED显示屏，一股是由驱动IC(芯片)向显示屏中的发光像素供电，通过对显示屏的扫描电极进行逐行扫描来达到显示图像的目的。由于显示屏的空间大小有局限性，而其接线又极其复杂，要在有限的空间内布置下繁复的线路，这就涉及到对扫描电极的布线问题。传统技术中的PMOLED扫描电极布线结构如图1所示，其包括像素点阵列和分布在像素点阵列左右两侧的n个扫描电极，n等于像素点阵列的行数；第一个扫描电极分布在像素点阵列的一侧连接像素点阵列的第一行，第二个扫描电极分布在像素点阵列的另一侧连接像素点阵列的第二行，第三个扫描电极分布在像素点阵列的一侧连接像素点阵列的第三行，第四个扫描电极分布在像素点阵列的另一侧连接像素点阵列的第四行…以此类推；其中，每个扫描电极分五段设计：第一段为与像素点1连接的接触孔2，其宽度等于一个像素点1的高度；第二段为接触孔的引出电极，水平方向布线；第三段为竖直方向布线的电极；第四段为向中央倾斜布线的电极；第五段为竖直方向布线的电极，用于连接驱动IC；处于像素点阵列同侧的各扫描电极的第二段逐渐缩短(从图1中可见，连接奇数行的扫描电极的第二段逐渐缩短，连接偶数行的扫描电极的第二段也逐渐缩短)，不同的扫描电极之间在宽度设计上基本是一致的。上述布线结构存在着缺陷：由于扫描电极本身存在一定的电阻，当电流由驱动IC流向OLED发光单元时，会产生电流损耗，而距离驱动IC越远则电流损耗越大，因此，电流在各行像素点对应的扫描电极中的损耗大小不一致，造成OLED发光单元中行与行之间亮度有差异，从而导致整个PMOLED显示屏的亮度显示不均匀。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：针对传统技术的不足，提出一种新型的PMOLED扫描电极布线结构，减小扫描电极的自身压降，保证PMOLED显示屏的的发光亮度，改善其品质。

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案是：一种PMOLED扫描电极布线结构，包括像素点阵列和分布在像素点阵列左右两侧的n个扫描电极，n等于像素点阵列的行数；第一个扫描电极分布在像素点阵列的一侧连接像素点阵列的第一行，第二个扫描电极分布在像素点阵列的另一侧连接像素点阵列的第二行，第三个扫描电极分布在像素点阵列的一侧连接像素点阵列的第三行，第四个扫描电极分布在像素点阵列的另一侧连接像素点阵列的第四行…以此类推；其中，每个扫描电极分五段设计：第一段为与像素点连接的接触孔；第二段为接触孔的引出电极；第三段为竖直方向布线的电极；第四段为向中央倾斜布线的电极；第五段为竖直方向布线的电极；处于像素点阵列同侧的各扫描电极的第二段逐渐缩短，每个扫描电极的第一段的宽度为两个像素点高度之和。

进一步，每个扫描电极的第二段与水平方向呈一定角度。

进一步，所述一定角度为45°。

进一步，处于像素点阵列同侧的各扫描电极满足以下要求：各扫描电极的第一段的宽度均相等；各扫描电极的第二段的宽度均相等；各扫描电极的第三段的宽度呈渐变趋势，越向外侧越宽；各扫描电极的第四段的宽度均相等；各扫描电极的第五段的宽度均相等。

进一步，所述扫描电极采用Cr或Mo或Al制成。

本发明的有益效果是：将扫描电极分五段设计，每段设计都最大化地利用了空间，按照金属薄膜电阻的定义，扫描电极面积越大，则电阻越低，因此，减小了因扫描电极引起的电压降，从而保证了发光亮度；同时对于不同的扫描电极的第三段采取了渐变式的设计：扫描电极宽度从外向内逐渐减小，从而减小了行与行之间的亮度显示差异，改善了PMOLED显示屏的品质。

附图说明

图1为传统的PMOLED扫描电极布线结构示意图；

图2为本发明实施例的PMOLED扫描电极布线结构示意图。

图中，1为像素点，2为接触孔，3为扫描电极的第二段，4为扫描电极的第三段，5为扫描电极的第四段，6为扫描电极的第五段。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本发明作进一步的描述。

本发明公开了一种新型的PMOLED扫描电极布线结构，其目的在于减小扫描电极的自身压降，保证PMOLED显示屏的的发光亮度，改善其品质。相对于传统技术，其改进点在于：增加了扫描电极的第一段设计的宽度，由于扫描电极宽度的增加，降低了其自身电阻，因此，通过扫描电极的电流损耗减小，从而保证了发光亮度；再进一步设计，将扫描电极的第二段设计为倾斜式，则可以减小扫描电极的长度，尤其是将第二段设计为与水平方向呈45°角，则可以将扫描电极的长度减小到最短，进一步减小扫描电极的电流损耗。

此外，对于不同的扫描电极的第三段采取了渐变式的设计：扫描电极宽度从外向内逐渐减小。对于同一种材质的扫描电极来说，扫描电极导线越长，即离驱动IC越远电流损耗就越大，因此，分布在同一侧的不同的扫描电极的电流损耗是呈渐变趋势的，越往外侧，扫描电极导线的长度越长，电流损耗越大；因此，我们通过将同一侧的不同的扫描电极的第三段的宽度也设计成渐变形式的，越往外侧，宽度越大，从而减小了行与行之间的亮度显示差异，改善了PMOLED显示屏的品质。

实施例：

如图2所示，本例中的PMOLED扫描电极布线结构，包括像素点阵列和分布在像素点阵列左右两侧的n个扫描电极，n等于像素点阵列的行数；第一个扫描电极分布在像素点阵列的左侧连接像素点阵列的第一行，第二个扫描电极分布在像素点阵列的右侧连接像素点阵列的第二行，第三个扫描电极分布在像素点阵列的左侧连接像素点阵列的第三行，第四个扫描电极分布在像素点阵列的右侧连接像素点阵列的第四行…以此类推；其中，每个扫描电极分五段设计：第一段为与像素点1连接的接触孔2，其宽度等于两个像素点1的高度之和；第二段3为接触孔的引出电极，与水平方向呈45°角；第三段4为竖直方向布线的电极；第四段5为向中央倾斜布线的电极；第五段6为竖直方向布线的电极，用于连接驱动IC；处于像素点阵列同侧的各扫描电极的第二段逐渐缩短。

分布在同一侧的不同的扫描电极之间需满足以下要求：第一段的宽度均相等；第二段3的宽度均相等；第三段4的宽度呈渐变趋势，越向外侧越宽；第四段5的宽度均相等；第五段6的宽度均相等。

通过上述设计，最大化利用了PMOLED显示屏的周围空间，减小了扫描电极自身的电流损耗，有力保证了显示屏的发光亮度，并且减小了行与行之间的亮度显示差异，改善了PMOLED显示屏的品质，有利于提升市场竞争力。

本发明中的扫描电极可采用Cr或Mo或Al材料制成，也可采用其它金属材料制成。

Claims

1.一种PMOLED扫描电极布线结构，包括像素点阵列和分布在像素点阵列左右两侧的n个扫描电极，n等于像素点阵列的行数；第一个扫描电极分布在像素点阵列的一侧连接像素点阵列的第一行，第二个扫描电极分布在像素点阵列的另一侧连接像素点阵列的第二行，第三个扫描电极分布在像素点阵列的一侧连接像素点阵列的第三行，第四个扫描电极分布在像素点阵列的另一侧连接像素点阵列的第四行…以此类推；其中，每个扫描电极分五段设计：第一段为与像素点连接的接触孔；第二段为接触孔的引出电极；第三段为竖直方向布线的电极；第四段为向中央倾斜布线的电极；第五段为竖直方向布线的电极；处于像素点阵列同侧的各扫描电极的第二段逐渐缩短，其特征在于：每个扫描电极的第一段的宽度为两个像素点高度之和。

2.如权利要求1所述的一种PMOLED扫描电极布线结构，其特征在于：每个扫描电极的第二段与水平方向呈一定角度。

3.如权利要求2所述的一种PMOLED扫描电极布线结构，其特征在于：所述一定角度为45°。

4.如权利要求3所述的一种PMOLED扫描电极布线结构，其特征在于：处于像素点阵列同侧的各扫描电极满足以下要求：各扫描电极的第一段的宽度均相等；各扫描电极的第二段的宽度均相等；各扫描电极的第三段的宽度呈渐变趋势，越向外侧越宽；各扫描电极的第四段的宽度均相等；各扫描电极的第五段的宽度均相等。

5.如权利要求1至4任意一项所述的一种PMOLED扫描电极布线结构，其特征在于：所述扫描电极采用Cr或Mo或Al制成。