CN102157339A - 电磁感应式高频无极灯 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及领域为管壳内无任何电极且由外部电磁场或外部微粒子辐射激励填充气体发光的灯，具体为一种电磁感应式高频无极灯。一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳(1)，其特征是：还包括功率耦合器(2)、感应线圈(3)、主汞齐(4)、辅助汞齐(5)和荧光粉(6)，灯泡壳(1)中心空腔(21)内插入感应线圈(3)，感应线圈(3)的另一端和功率耦合器(2)连接，主汞齐(4)固定在灯泡壳(1)内壁中心空腔(21)的和侧壁的转折处，辅助汞齐(5)固定在灯泡壳(1)内壁中心空腔(21)的另一端侧壁上。本发明具有非常优异的综合性能。
Description
技术领域
本发明涉及领域为管壳内无任何电极且由外部电磁场或外部微粒子辐射激励填充气体发光的灯，具体为一种电磁感应式高频无极灯。
背景技术
迄今已有多种电光源被用来照亮黑夜、延伸白昼，这些电光源按其发光原理主要可分为两大类：热辐射光源也即固体电光源和气体放电光源。热辐射光源是利用电流将金属或陶瓷之类的物体加热到白炽程度而产生发光的光源，白炽灯和LED灯属于此类。气体放电光源是在电场作用下，电流通过电离的气体而发射光的光源，气体放电光源按放电形式又可分为弧光放电灯和辉光放电灯。目前常用的光源有白炽灯、LED灯、荧光灯、高压钠灯、金卤灯、霓虹灯等。目前，还没有一种灯具能同时在光效、寿命、结构、频闪、显色性等各方面都体现出优良的性能，比如：白炽灯光效低、寿命短；LED灯价格昂贵，配备专用电源，且功率有限制；高压钠灯光效高，显色性差，结构复杂，需配备启动器件或专用电路才能工作；金卤灯和霓虹灯都需配备专用电路才能工作，应用范围较狭窄。目前，市场上缺乏一类各方面的综合性能优异的照明灯具。
发明内容
为了克服现有技术的缺陷，提供一种同时在光效高、寿命长、结构简单、频闪低、显色性好的灯具，本发明公开了一种电磁感应式高频无极灯。
本发明通过如下技术方案达到发明目的：
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳，其特征是：还包括功率耦合器、感应线圈、主汞齐、辅助汞齐和荧光粉，灯泡壳一端有一向内凹陷的中心空腔，中心空腔内插入感应线圈，感应线圈的另一端和功率耦合器连接，
桥式整流电路的输出端分别和半桥功率场效应管甲V和半桥功率场效应管乙V的一端连接，半桥功率场效应管甲V和半桥功率场效应管乙V两者串联连接，功率耦合器的一端连接在半桥功率场效应管甲V和半桥功率场效应管乙V的串联连接点上，功率耦合器的另一端连接在桥式整流电路和半桥功率场效应管乙V的连接点上，
主汞齐、固定在灯泡壳内壁中心空腔的和侧壁的转折处，辅助汞齐固定在灯泡壳内壁中心空腔的另一端侧壁上。
所述的电磁感应式高频无极灯，其特征是：在桥式整流电路和交流电源之间还串联电磁兼容净化电路，在桥式整流电路和功率耦合器之间还依次串联功率因数校正电路和高频电子功率发生器电路。
所述的电磁感应式高频无极灯，其特征是：主汞齐和辅助汞齐都为直径.mm的球状颗粒，且都由Hg、Zn和Sn配成，Hg的质量百分比浓度为％～％，余量为Zn和Sn，Zn和Sn以任意比混合后溶于Hg中。
所述的电磁感应式高频无极灯，其特征是：主汞齐和辅助汞齐都为直径2.5mm的球状颗粒，且都由Hg、Zn、Bi、In和Ag配成，Hg的质量百分比浓度为3.5％～5.0％，余量为Zn、Bi、In和Ag，Zn、Bi、In和Ag以任意比混合后溶于Hg中。
所述的电磁感应式高频无极灯，其特征是：主汞齐和辅助汞齐都为直径2.5mm的球状颗粒，且都由Hg、Sn、Bi、In和Ag配成，Hg的质量百分比浓度为3％～12％，余量为Sn、Bi、In和Ag，Sn、Bi、In和Ag以任意比混合后溶于Hg中。
本发明使用时，由同一激励信号源发出的两个幅度相等，相位相反的高频信号驱动两只半桥功率场效应管V的栅极G，使半桥功率场效应管甲和半桥功率场效应管乙轮流导通，在半桥功率场效应管甲和半桥功率场效应管乙的中点输出占空比％的方波脉冲，经功率耦合器传递给装于灯泡壳内的感应线圈，变成被放大了的高压高频正弦波。高频磁场通过泡壳内腔体的分布电容将能量感应至腔内，使汞齐原子受激发射紫外光子，紫外光子激发涂在灯泡壳内壁上的荧光粉而发光。
本发明具有非常优异的综合性能，几乎汇集了所有不同类型电光源的优点，具有如下有益效果：
1.寿命长。一般的白炽灯、日光灯、节能灯、及其它气体放电灯都有灯丝或电极，而灯丝或电极的溅射效应恰恰是限制灯使用寿命的必然组件。本发明没有电极，是靠电磁感应原理与荧光放电原理相结合而发光，所以它不存在限制寿命的必然组件。使用寿命仅决定于电子元器件的质量等级、电路设计和泡体的制造工艺，一般使用寿命可达5万～10万小时；
2.节能。与白炽灯相比，节能达75％左右，本发明85w功率的光通量与450w白炽灯光通量大致相当；
3.环保。本发明使用了固体汞齐，即使打破也不会对环境造成污染，有99％以上的可回收率：
4.无频闪。本发明工作频率高，不会造成眼睛疲劳，保护眼睛健康；
5.显色性好。本发明显色指数大于80，光色柔和，呈现被照物体的自然色泽；
6.色温可选。本发明的色温可在2700K～6500K范围内调节，而且可制成彩色灯泡，用于园林装饰；
7.可见光比例高。本发明在发出的光线中，可见光比例达80％以上，视觉效果好；
8.不需预热。本发明可立即启动和再启动，多次开关不会有普通带电极放电灯中的光衰退现象；
9.电气性能优良。本发明功率因数高，电流谐波低，恒电压供电，输出恒定的光通量；
10.安装可适应性。本发明可在任意方位上安装，不受限制。
附图说明
图1是本发明的结构示意图；
图2是本发明串联了电磁兼容净化电路、功率因数校正电路和高频电子功率发生器电路的结构示意图。
具体实施方式
以下通过具体实施例进一步说明本发明。
实施例1
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6，如图1所示，具体结构是：灯泡壳1一端有一向内凹陷的中心空腔21，中心空腔21内插入感应线圈3，感应线圈3的另一端和功率耦合器2连接，桥式整流电路7的输出端分别和半桥功率场效应管甲8和半桥功率场效应管乙9的一端连接，半桥功率场效应管甲8和半桥功率场效应管乙9两者串联连接，功率耦合器2的一端连接在半桥功率场效应管甲8和半桥功率场效应管乙9的串联连接点上，功率耦合器2的另一端连接在桥式整流电路7和半桥功率场效应管乙9的连接点上，主汞齐4固定在灯泡壳1内壁中心空腔21的和侧壁的转折处，辅助汞齐5固定在灯泡壳1内壁中心空腔21的另一端侧壁上。
主汞齐4和辅助汞齐5采用如下配方：
| 组分 | Hg | Zn | Sn |
| 含量g | 10 | 9 | 81 |
制备时采用常规的汞齐制备方法，即先使原料熔化，再使之呈滴状冷却，最后固化成形，并制成直径为2.5mm的汞齐颗粒，用于无极灯的主汞齐或辅汞齐。
本实施例使用时，由同一激励信号源发出的两个幅度相等，相位相反的高频信号驱动两只半桥功率场效应管V的栅极G，使半桥功率场效应管甲8和半桥功率场效应管乙9轮流导通，在半桥功率场效应管甲8和半桥功率场效应管乙9的中点输出占空比50％的方波脉冲，经功率耦合器2传递给装于灯泡壳内的感应线圈3，变成被放大了的高压高频正弦波。高频磁场通过泡壳内腔体的分布电容将能量感应至腔内，使汞齐原子受激发射紫外光子，紫外光子激发涂在灯泡壳1内壁上的荧光粉6而发光。
实施例2
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6，主汞齐4和辅助汞齐5采用如下配方：
| 组分 | Hg | Zn | Sn |
| 含量g | 20 | 24 | 56 |
其他结构和制备方法都和实施例1同。
实施例3
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6，主汞齐4和辅助汞齐5采用如下配方：
| 组分 | Hg | Zn | Sn |
| 含量g | 10 | 45 | 45 |
其他结构和制备方法都和实施例1同。
实施例4
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6，主汞齐4和辅助汞齐5采用如下配方：
| 组分 | Hg | Zn | Sn |
| 含量g | 40 | 42 | 18 |
其他结构和制备方法都和实施例1同。
实施例5
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6，主汞齐4和辅助汞齐5采用如下配方：
| 组分 | Hg | Zn | Sn |
| 含量g | 50 | 45 | 5 |
其他结构和制备方法都和实施例1同。
实施例6
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6，如图2所示，在桥式整流电路7和交流电源之间还串联电磁兼容净化电路41，在桥式整流电路7和功率耦合器2之间还依次串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43。其他结构和制备方法都和实施例1同。
本实施例使用时，电路中串有为保险丝和防雷压敏电阻。电磁兼容净化电路41是为传导干扰而设计，防止9KHz～30KHz电磁干扰从电源线串入及阻止机内电磁干扰从电源线泄漏出去。交流电经过电磁兼容净化电路41的双向“过滤”之后进入桥式整流电路7，经电容滤波进入功率因数校正电路42，在这里将电压变换提升至400V左右的稳定直流电，作为高频电子功率发生器43的直流供电电源。高频电子功率发生器43产生一个设定频率的高频功率源，本实施例设定为2.68MHz，根据需要该频率值可在2.50MHz～3.0MHz范围内调节。高频功率经过功率耦合器2，将高频电磁波耦合至灯泡壳1的内腔，由于电磁感应原理使灯泡内壁的三基色粉原子受激发射而发光。
实施例7
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6、电磁兼容净化电路41、串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43，主汞齐4和辅助汞齐5都采用如下配方：
| 组分 | Hg | Bi | In | Zn | Ag |
| 含量g | 3.5 | 9.65 | 19.3 | 28.95 | 38.6 |
其他结构和制备方法都和实施例6同。
实施例68
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6、电磁兼容净化电路41、串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43，主汞齐4和辅助汞齐5都采用如下配方：
| 组分 | Hg | Bi | In | Zn | Ag |
| 含量g | 4.5 | 38.2 | 9.55 | 19.1 | 28.65 |
其他结构和制备方法都和实施例6同。
实施例69
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6、电磁兼容净化电路41、串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43，主汞齐4和辅助汞齐5都采用如下配方：
| 组分 | Hg | Bi | In | Zn | Ag |
| 含量g | 4.8 | 66.64 | 4.76 | 9.52 | 14.28 |
其他结构和制备方法都和实施例6同。
实施例70
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6、电磁兼容净化电路41、串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43，主汞齐4和辅助汞齐5都采用如下配方：
| 组分 | Hg | Bi | In | Zn | Ag |
| 含量g | 5 | 85.5 | 4.75 | 0.95 | 3.8 |
其他结构和制备方法都和实施例6同。
实施例71
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6、电磁兼容净化电路41、串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43，主汞齐4和辅助汞齐5都采用如下配方：
| 组分 | Hg | Bi | In | Zn | Ag |
| 含量g | 3.5 | 38.6 | 9.65 | 19.3 | 28.95 |
其他结构和制备方法都和实施例6同。
实施例72
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6、电磁兼容净化电路41、串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43，主汞齐4和辅助汞齐5都采用如下配方：
| 组分 | Hg | Bi | In | Zn | Ag |
| 含量g | 4.5 | 28.65 | 38.2 | 9.55 | 19.1 |
其他结构和制备方法都和实施例6同。
实施例73
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6、电磁兼容净化电路41、串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43，主汞齐4和辅助汞齐5都采用如下配方：
| 组分 | Hg | Bi | In | Zn | Ag |
| 含量g | 4.8 | 14.28 | 66.64 | 4.76 | 9.52 |
其他结构和制备方法都和实施例6同。
实施例74
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6、电磁兼容净化电路41、串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43，主汞齐4和辅助汞齐5都采用如下配方：
| 组分 | Hg | Bi | In | Zn | Ag |
| 含量g | 5 | 3.8 | 85.5 | 4.75 | 0.95 |
其他结构和制备方法都和实施例6同。
实施例75
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6、电磁兼容净化电路41、串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43，主汞齐4和辅助汞齐5都采用如下配方：
| 组分 | Hg | Bi | In | Zn | Ag |
| 含量g | 3.5 | 28.95 | 38.6 | 9.65 | 19.3 |
其他结构和制备方法都和实施例6同。
实施例76
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6、电磁兼容净化电路41、串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43，主汞齐4和辅助汞齐5都采用如下配方：
| 组分 | Hg | Bi | In | Zn | Ag |
| 含量g | 4.5 | 19.1 | 28.65 | 38.2 | 9.55 |
其他结构和制备方法都和实施例6同。
实施例77
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6、电磁兼容净化电路41、串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43，主汞齐4和辅助汞齐5都采用如下配方：
| 组分 | Hg | Bi | In | Zn | Ag |
| 含量g | 4.8 | 9.52 | 14.28 | 66.64 | 4.76 |
其他结构和制备方法都和实施例6同。
实施例78
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6、电磁兼容净化电路41、串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43，主汞齐4和辅助汞齐5都采用如下配方：
| 组分 | Hg | Bi | In | Zn | Ag |
| 含量g | 5 | 3.8 | 0.95 | 85.5 | 4.75 |
其他结构和制备方法都和实施例6同。
实施例79
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6、电磁兼容净化电路41、串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43，主汞齐4和辅助汞齐5都采用如下配方：
| 组分 | Hg | Bi | In | Zn | Ag |
| 含量g | 3.5 | 19.3 | 28.95 | 38.6 | 9.65 |
其他结构和制备方法都和实施例6同。
实施例80
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6、电磁兼容净化电路41、串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43，主汞齐4和辅助汞齐5都采用如下配方：
| 组分 | Hg | Bi | In | Zn | Ag |
| 含量g | 4.5 | 9.55 | 19.1 | 28.65 | 38.2 |
其他结构和制备方法都和实施例6同。
实施例81
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6、电磁兼容净化电路41、串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43，主汞齐4和辅助汞齐5都采用如下配方：
| 组分 | Hg | Bi | In | Zn | Ag |
| 含量g | 4.8 | 4.76 | 9.52 | 14.28 | 66.64 |
其他结构和制备方法都和实施例6同。
实施例82
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6、电磁兼容净化电路41、串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43，主汞齐4和辅助汞齐5都采用如下配方：
| 组分 | Hg | Bi | In | Zn | Ag |
| 含量g | 5 | 0.95 | 3.8 | 4.75 | 85.5 |
其他结构和制备方法都和实施例6同。
实施例83
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6、电磁兼容净化电路41、串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43，主汞齐4和辅助汞齐5都采用如下配方：
| 组分 | Hg | Bi | In | Sn | Ag |
| 含量g | 3 | 9.7 | 19.4 | 29.1 | 38.8 |
其他结构和制备方法都和实施例6同。
实施例84
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6、电磁兼容净化电路41、串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43，主汞齐4和辅助汞齐5都采用如下配方：
| 组分 | Hg | Bi | In | Sn | Ag |
| 含量g | 5.4 | 28.38 | 37.84 | 9.46 | 18.92 |
其他结构和制备方法都和实施例6同。
实施例85
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6、电磁兼容净化电路41、串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43，主汞齐4和辅助汞齐5都采用如下配方：
| 组分 | Hg | Bi | In | Sn | Ag |
| 含量g | 6 | 47 | 9.4 | 18.8 | 18.8 |
其他结构和制备方法都和实施例6同。
实施例86
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6、电磁兼容净化电路41、串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43，主汞齐4和辅助汞齐5都采用如下配方：
| 组分 | Hg | Bi | In | Sn | Ag |
| 含量g | 9 | 63.7 | 9.1 | 9.1 | 9.1 |
其他结构和制备方法都和实施例6同。
实施例87
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6、电磁兼容净化电路41、串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43，主汞齐4和辅助汞齐5都采用如下配方：
| 组分 | Hg | Bi | In | Sn | Ag |
| 含量g | 12 | 79.2 | 0.88 | 3.52 | 4.4 |
其他结构和制备方法都和实施例6同。
实施例88
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6、电磁兼容净化电路41、串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43，主汞齐4和辅助汞齐5都采用如下配方：
| 组分 | Hg | Bi | In | Sn | Ag |
| 含量g | 3 | 38.8 | 9.7 | 19.4 | 29.1 |
其他结构和制备方法都和实施例6同。
实施例89
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6、电磁兼容净化电路41、串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43，主汞齐4和辅助汞齐5都采用如下配方：
| 组分 | Hg | Bi | In | Sn | Ag |
| 含量g | 5.4 | 18.92 | 28.38 | 37.84 | 9.46 |
其他结构和制备方法都和实施例6同。
实施例90
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6、电磁兼容净化电路41、串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43，主汞齐4和辅助汞齐5都采用如下配方：
| 组分 | Hg | Bi | In | Sn | Ag |
| 含量g | 6 | 18.8 | 47 | 9.4 | 18.8 |
其他结构和制备方法都和实施例6同。
实施例91
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6、电磁兼容净化电路41、串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43，主汞齐4和辅助汞齐5都采用如下配方：
| 组分 | Hg | Bi | In | Sn | Ag |
| 含量g | 9 | 9.1 | 63.7 | 9.1 | 9.1 |
其他结构和制备方法都和实施例6同。
实施例92
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6、电磁兼容净化电路41、串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43，主汞齐4和辅助汞齐5都采用如下配方：
| 组分 | Hg | Bi | In | Sn | Ag |
| 含量g | 12 | 4.4 | 79.2 | 0.88 | 3.52 |
其他结构和制备方法都和实施例6同。
实施例93
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6、电磁兼容净化电路41、串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43，主汞齐4和辅助汞齐5都采用如下配方：
| 组分 | Hg | Bi | In | Sn | Ag |
| 含量g | 3 | 29.1 | 38.8 | 9.7 | 19.4 |
其他结构和制备方法都和实施例6同。
实施例94
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6、电磁兼容净化电路41、串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43，主汞齐4和辅助汞齐5都采用如下配方：
| 组分 | Hg | Bi | In | Sn | Ag |
| 含量g | 5.4 | 9.46 | 18.92 | 28.38 | 37.84 |
其他结构和制备方法都和实施例6同。
实施例95
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6、电磁兼容净化电路41、串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43，主汞齐4和辅助汞齐5都采用如下配方：
| 组分 | Hg | Bi | In | Sn | Ag |
| 含量g | 6 | 18.8 | 18.8 | 47 | 9.4 |
其他结构和制备方法都和实施例6同。
实施例96
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6、电磁兼容净化电路41、串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43，主汞齐4和辅助汞齐5都采用如下配方：
| 组分 | Hg | Bi | In | Sn | Ag |
| 含量g | 9 | 9.1 | 9.1 | 63.7 | 9.1 |
其他结构和制备方法都和实施例6同。
实施例97
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6、电磁兼容净化电路41、串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43，主汞齐4和辅助汞齐5都采用如下配方：
| 组分 | Hg | Bi | In | Sn | Ag |
| 含量g | 12 | 3.52 | 4.4 | 79.2 | 0.88 |
其他结构和制备方法都和实施例6同。
实施例98
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6、电磁兼容净化电路41、串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43，主汞齐4和辅助汞齐5都采用如下配方：
| 组分 | Hg | Bi | In | Sn | Ag |
| 含量g | 3 | 19.4 | 29.1 | 38.8 | 9.7 |
其他结构和制备方法都和实施例6同。
实施例99
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6、电磁兼容净化电路41、串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43，主汞齐4和辅助汞齐5都采用如下配方：
| 组分 | Hg | Bi | In | Sn | Ag |
| 含量g | 5.4 | 37.84 | 9.46 | 18.92 | 28.38 |
其他结构和制备方法都和实施例6同。
实施例100
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6、电磁兼容净化电路41、串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43，主汞齐4和辅助汞齐5都采用如下配方：
| 组分 | Hg | Bi | In | Sn | Ag |
| 含量g | 6 | 9.4 | 18.8 | 18.8 | 47 |
其他结构和制备方法都和实施例6同。
实施例101
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6、电磁兼容净化电路41、串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43，主汞齐4和辅助汞齐5都采用如下配方：
| 组分 | Hg | Bi | In | Sn | Ag |
| 含量g | 9 | 9.1 | 9.1 | 9.1 | 63.7 |
其他结构和制备方法都和实施例6同。
实施例102
一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳1，功率耦合器2、感应线圈3、主汞齐4、辅助汞齐5和荧光粉6、电磁兼容净化电路41、串联功率因数校正电路42和高频电子功率发生器电路43，主汞齐4和辅助汞齐5都采用如下配方：
| 组分 | Hg | Bi | In | Sn | Ag |
| 含量g | 12 | 0.88 | 3.52 | 4.4 | 79.2 |
其他结构和制备方法都和实施例6同。
Claims (5)
1.一种电磁感应式高频无极灯，包括灯泡壳(1)，其特征是：还包括功率耦合器(2)、感应线圈(3)、主汞齐(4)、辅助汞齐(5)和荧光粉(6)，灯泡壳(1)一端有一向内凹陷的中心空腔(21)，中心空腔(21)内插入感应线圈(3)，感应线圈(3)的另一端和功率耦合器(2)连接，桥式整流电路(7)的输出端分别和半桥功率场效应管甲(8)和半桥功率场效应管乙(9)的一端连接，半桥功率场效应管甲(8)和半桥功率场效应管乙(9)两者串联连接，功率耦合器(2)的一端连接在半桥功率场效应管甲(8)和半桥功率场效应管乙(9)的串联连接点上，功率耦合器(2)的另一端连接在桥式整流电路(7)和半桥功率场效应管乙(9)的连接点上，主汞齐(4)固定在灯泡壳(1)内壁中心空腔(21)的和侧壁的转折处，辅助汞齐(5)固定在灯泡壳(1)内壁中心空腔(21)的另一端侧壁上。
2.如权利要求1所述的电磁感应式高频无极灯，其特征是：在桥式整流电路(7)和交流电源之间还串联电磁兼容净化电路(41)，在桥式整流电路(7)和功率耦合器(2)之间还依次串联功率因数校正电路(42)和高频电子功率发生器电路(43)。
3.如权利要求1或2所述的电磁感应式高频无极灯，其特征是：主汞齐(4)和辅助汞齐(5)都为直径2.5mm的球状颗粒，且都由Hg、Zn和Sn配成，Hg的质量百分比浓度为10％～50％，余量为Zn和Sn，Zn和Sn以任意比混合后溶于Hg中。
4.如权利要求1或2所述的电磁感应式高频无极灯，其特征是：主汞齐(4)和辅助汞齐(5)都为直径2.5mm的球状颗粒，且都由Hg、Zn、Bi、In和Ag配成，Hg的质量百分比浓度为3.5％～5.0％，余量为Zn、Bi、In和Ag，Zn、Bi、In和Ag以任意比混合后溶于Hg中。
5.如权利要求1或2所述的电磁感应式高频无极灯，其特征是：主汞齐(4)和辅助汞齐(5)都为直径2.5mm的球状颗粒，且都由Hg、Sn、Bi、In和Ag配成，Hg的质量百分比浓度为3％～12％，余量为Sn、Bi、In和Ag，Sn、Bi、In和Ag以任意比混合后溶于Hg中。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2010-02-11 CN CN2010101097044A patent/CN102157339A/zh active Pending
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