CN102148489A - 一种交流欠压或断电快速响应电路 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种交流欠压或断电快速响应电路。所述电路包括分别与PWM控制芯片电源脚连接的MOS管Q13、及与高压启动脚连接的电阻R4,电阻R4另一端分别通过二极管串连一个电阻连接到交流电源输入端L2、N2;所述电阻R4另一端还依次通过信号整形电路及控制电路连接MOS管栅极实现对MOS管的控制进而实现对PWM控制芯片的控制。本发明所述电路能够在交流输入欠压或断开时,快速抑制PWM脉冲发生芯片的工作,使其停止向电子产品内其它功能电路供电,有效避免当交流欠压或掉电到上电的时间间隔较短时,容易造成整机工作时序混乱产品不能正常工作的问题,同时解决电器电源在交流欠压时电源非正常工作的问题。
Description
技术领域
本发明涉及电子产品电源技术,具体是指一种应用于电子产品电源部分的交流欠压或断电快速响应电路。
背景技术
各种使用交流电源的电器产品,当关闭交流电源时,由于电器电源内部电容的储能作用,电源的待机部分会工作很长时间,以至于电源指示灯很长时间不能熄灭,给使用者带来不方便。如图1所示,是现有平板电视电源待机部分电路框图。当交流电源关断时,由于储能电容C1的储能作用,待机电路部分的辅助供电端VCC′向PWM控制芯片继续供电,PWM控制芯片会在很长时间内继续工作,如果短时间内再上电,这样从掉电到上电的时间间隔较短时,容易造成整机工作时序混乱,甚至不能正常工作。另外当交流处于欠压时,由于交流输入电压异常,电器内电源处于非正常工作状态,很容易造成电器内电源温升高,易损坏,容易出现安全问题。
发明内容
本发明旨在解决上述电子产品中电源欠压或关闭后由于储能电容放电作用导致电源部分持续工作时间较长、及交流欠压时电器电源处于非正常工作状态问题。
为解决上述问题,本发明采取的技术方案为:一种交流欠压或断电快速响应电路,连接于交流电源与PWM控制芯片之间,包括分别与PWM控制芯片电源脚连接的起限流作用的电阻R18,储能电容C5并联在PWM控制芯片电源脚与地之间,电阻R18的另一端接供电电源VA,及与PWM控制芯片电源脚连接接用于对储能电容C3放电的MOS管Q13、及与PWM控制芯片高压启动脚连接的电阻R4,电阻R4另一端分别通过二极管串连一个电阻连接到交流电源输入端L2、N2;所述电阻R4另一端通过信号整形电路及控制电路连接MOS管Q13栅极实现对MOS管Q13的控制进而实现对PWM控制芯片供电电源的控制。
所述整形电路包括三极管Q11,所述三极管Q11基极通过串联的电阻R11连接电阻R4的另一端、射极通过稳压管ZD11接地,同时通过电阻R22连接供电电源VA,集电极通过串联电阻R13连接供电电源VA、同时通过隔直电容C11连接控制电路。
所述控制电路包括三极管Q12及连接在Q12集电极与地之间的电容C12;三极管Q12集电极还连接MOS管Q13栅极、另还通过电阻R16连接供电电源VA;三极管Q12基极通过电阻R14连接隔直电容C11一端,同时通过电阻R15接地,三极管Q12射极接地。
所述三极管Q12基极还通过给隔直电容C11起放电作用的二极管D13接地。所述MOS管Q13漏极通过电阻R17连接PWM控制芯片的电源脚。所述整形电路中三极管Q11基极通过电阻R12接地,同时通过起反向保护作用的D12接地。
本发明所述电路应用于电子产品电源电路部分,当外部交流电源欠压或断开外部交流电源时,所述电路能够在交流电源欠压或断电操作后快速检测出交流断电信号,快速抑制PWM控制芯片的工作,使其停止向电子产品内其它功能电路供电,有效避免当掉电到上电的时间间隔较短时,容易造成整机工作时序混乱产品不能正常工作的问题,以及交流欠压时电器内电源处于非正常工作状态问题。
附图说明
图1是现有平板电视电源待机部分一电路框图;
图2是现有平板电视电源待机部分另一电路框图;
图3是本发明实施例一电路原理图;
图4是本发明实施例二电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明作进一步的详细说明。
如图1或图2所示,现有技术中电子产品电源部分待机电路一般采用一个PWM控制芯片及变压器从交流电源整流滤波后得到的直流电源变换成适合于电子产品工作的待机电源。当交流电源关断时,由于储能电容C1的储能作用,待机电路部分的辅助供电端VCC′会向PWM芯片继续供电,PWM芯片会在很长时间内继续工作,以至于电源指示灯很长时间不能熄灭,给使用者带来不方便。如果短时间内再上电,这样从掉电到上电的时间间隔较短时,容易造成整机工作时序混乱,甚至不能正常工作。而当交流电源欠压时,电器内电源处于非正常工作状态。
而本发明所述电路很好的解决了上述问题。如图3所示为本发明实施例一电路原理图。本实施例中PWM控制芯片型号为LD7575.
本发明所述电路连接于交流电源与PWM控制芯片之间,包括分别与PWM控制芯片电源脚连接的起限流作用的电阻R18,储能电容C5并联在PWM控制芯片电源脚与地之间,电阻R18的另一端接供电电源VA,及与PWM控制芯片电源脚连接接用于对储能电容C5放电的MOS管Q13、及与PWM控制芯片高压启动脚连接的电阻R4,电阻R4另一端分别通过二极管串连一个电阻连接到交流电源输入端L2、N2;所述电阻R4另一端依次通过信号整形电路及控制电路连接MOS管Q13栅极实现对MOS管Q13的控制进而实现对PWM控制芯片供电电源的控制。
其中,整形电路包括三极管Q11,所述三极管Q11基极通过串联的电阻R11连接电阻R4的另一端、射极通过稳压管ZD11接地,同时通过电阻R22连接供电电源VA,集电极通过串联电阻R13连接供电电源VA、同时通过隔直电容C11连接控制电路。
所述控制电路包括三极管Q12及连接在Q12集电极与地之间的电容C12;三极管Q12集电极还连接MOS管Q13栅极、另还通过电阻R16连接供电电源VA;三极管Q12基极通过电阻R14连接隔直电容C11一端,同时通过电阻R15接地,三极管Q12射极接地。
所述三极管Q12基极还通过给隔直电容C11起放电作用的二极管D13接地。所述MOS管Q13漏极通过电阻R17连接PWM控制芯片的电源脚。所述整形电路中三极管Q11基极通过电阻R12接地,同时通过起反向保护作用的D12接地。
其工作原理如下:在交流电源正常供电时,PWM控制芯片正常工作,其供电电源VA同时通过电阻R16给电容C12充电。二极管D14,D15分别串连电阻R20,R21采集交流电源信号AC,该信号经电阻R11、R12、R13、二极管D12及三极管Q11,稳压二极管ZD11,电阻R22组成的信号整形电路整形后在三极管Q11的集电极输出工作频率为市电频率两倍的脉冲波,该脉冲波通过隔直电容C11、电阻R14、R15进而控制三极管Q12。在每个正脉冲波时,Q12导通一次,从而给电容C12放电一次。这样保证电容C12中不聚集高电荷,从而Q13不导通,即不影响PWM控制IC正常工作。
由于三极管Q11的发射极接有稳压管ZD11及通过电阻R22接到供电电源VA,当交流欠压或断电时,三极管Q11停止工作,由于隔直电容C11的作用,使三极管Q12停止导通,而电源VA继续通过电阻R16给电容C12充电,当电容C12的电压达到MOS管Q13的导通电压VGTH1时,Q13导通。MOS管Q13导通时将待机PWM控制芯片的PWM电源脚拉低,由于电阻R18的存在,且电容C3较小,则该芯片因失电而停止工作,其脉冲输出脚OUT端无脉冲输出,从而辅助供电端VCC′停止向该芯片供电。当释放到电容C5电压低于PWM控制芯片的关断门槛电压时,芯片内部的高压起动MOSFET开通。由于电阻R17的存在,在MOS管Q13导通时,使得VCC电压达不到PWM控制芯片的开起工作电压,从而PWM控制芯片内部的高压启动MOSFET管一直处于恒流导通状态,该恒定电流通过电阻R20或R21产生压降,进一步减少交流采集信号AC的幅度。这样,就进一步加深三极管Q11的截止深度。只有当交流电压回升到比截止时电压更高时待机电路才能重新工作。
如图4,为本发明另一实施例电路原理图,该实施例中PWM控制芯片型号为FSQ510.涉及交流断电快速响应及交流滤波电容放电电路部分的工作原理与图3所示实施例相同,在此不再赘述。
本发明具体实施时,N2端可直接与交流输入N端相连或通过EMI滤波器中的一个或多个共膜电感或一个或多个差膜电感与交流输入N端相连。L2端可直接与交流输入L端相连或通过EMI滤波器中的一个或多个共膜电感或一个或多个差膜电感与交流输入L端相连。交流信号AC端可直接与交流输入N端相连或通过EMI滤波器中的一个或多个共膜电感或一个或多个差膜电感与交流输入N端相连;或者交流信号AC直接与交流输入L端相连或通过EMI滤波器中的一个或多个共膜电感或一个或多个差膜电感与交流输入L端相连。
Claims (6)
1.一种交流欠压或断电快速响应电路,连接于交流电源与PWM控制芯片之间,其特征在于:包括分别与PWM控制芯片电源脚连接的起限流作用的电阻R18,储能电容C5并联在PWM控制芯片电源脚与地之间,电阻R18的另一端接供电电源VA,及与PWM控制芯片电源脚连接接用于对储能电容C5放电的MOS管Q13、及与PWM控制芯片高压启动脚连接的电阻R4,电阻R4另一端分别通过二极管串连一个电阻连接到交流电源输入端L2、N2;所述电阻R4另一端依次通过信号整形电路及控制电路连接MOS管Q13栅极实现对MOS管Q13的控制进而实现对PWM控制芯片供电电源的控制。
2.根据权利要求1所述的交流欠压或断电快速响应电路,其特征在于:所述整形电路包括三极管Q11,所述三极管Q11基极通过串联的电阻R11连接电阻R4的另一端、射极通过稳压管ZD11接地,同时通过电阻R22连接供电电源VA,集电极通过串联电阻R13连接供电电源VA、同时通过隔直电容C11连接控制电路。
3.根据权利要求1所述的交流欠压或断电快速响应电路,其特征在于:所述控制电路包括三极管Q12及连接在Q12集电极与地之间的电容C12;三极管Q12集电极还连接MOS管Q13栅极、另还通过电阻R16连接供电电源VA;三极管Q12基极通过电阻R14连接隔直电容C11一端,同时通过电阻R15接地,三极管Q12射极接地。
4.根据权利要求2或3所述的交流欠压或断电快速响应电路,其特征在于:三极管Q12基极还通过给隔直电容C11起放电作用的二极管D13接地。
5.根据权利要求2或3所述的交流欠压或断电快速响应电路,其特征在于:所述MOS管Q13漏极通过电阻R17连接PWM控制芯片的电源脚。
6.根据权利要求2或3所述的交流欠压或断电快速响应电路,其特征在于:所述整形电路中三极管Q11基极通过电阻R12接地,同时通过起反向保护作用的D12接地。
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2010
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