CN102135770A - 电阻焊过程质量监控系统的电路结构 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种电阻焊过程质量监控系统的电路结构,其特征在于:点焊监控结构为主从式,上位机采用计算机,下位机采用单片机;上位计算机主要是将点焊控制信息下载到单片机和将下位单片机传送的信息转变为实时曲线,并存入数据库中;单片机1执行完成了传感器采集-采集模块分析-数据AD-存储单元暂存;单片机2主要负责网络上传-上微机分析处理显示同时从双口RAM中读取点焊控制信息对点焊过程进行控制;将双口RAM中存储的点焊信息发送到个人计算机,并从个人计算机接收点焊控制信息,存入双口RAM指定的单元中,供CPU1进行读取。能确保点焊过程质量监控的数据准确、运行正常、信号不被干扰。

Description

电阻焊过程质量监控系统的电路结构
技术领域
本发明涉及一种电阻焊过程质量监控系统的电路结构,应用于电阻点焊过程质量监控功能。
背景技术
点焊过程是一个热、电、力、冶金等因素相互耦合的复杂过程,众所周知,焊接质量与焊接过程中的参数之间存在一定关系,为了更好的控制焊接质量,首先应该尽可能多的检测到那些与点焊质量有关的参数,其次是找到这些参数与点焊质量的关系,即提取对象特征信息。单一参数与点焊质量的关系可以通过分析和试验获得的某一特征信息来表示,而多参数与质量的关系即是这些特征信息的集合,可以运用信息融合方法对多传感器数据进行高精度融合,最终获得点焊质量的有效描述。
发明内容
本发明的目的在于提供一种电阻焊过程质量监控系统的电路结构,其能确保点焊过程质量监控的数据准确、运行正常、信号不被干扰。
本发明的技术方案是这样实现的:电阻焊过程质量监控系统的电路结构,其特征在于:点焊监控结构为主从式,上位机采用计算机,下位机采用单片机;上位计算机主要是将点焊控制信息下载到单片机和将下位单片机传送的信息转变为实时曲线,并存入数据库中;单片机1执行完成了传感器采集-采集模块分析-数据AD-存储单元暂存;单片机2主要负责网络上传-上微机分析处理显示同时从双口RAM中读取点焊控制信息对点焊过程进行控制;将双口RAM中存储的点焊信息发送到个人计算机,并从个人计算机接收点焊控制信息,存入双口RAM指定的单元中,供CPU1进行读取。
本发明的积极效果是能确保点焊过程质量监控的数据准确、运行正常、信号不被干扰。
附图说明
图1为本发明的电路连接的结构原理图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步说明:如图1所示,电阻焊过程质量监控系统的电路结构,其特征在于:点焊监控结构为主从式,上位机采用计算机,下位机采用单片机;上位计算机主要是将点焊控制信息下载到单片机和将下位单片机传送的信息转变为实时曲线,并存入数据库中;单片机1执行完成了传感器采集-采集模块分析-数据AD-存储单元暂存;单片机2主要负责网络上传-上微机分析处理显示同时从双口RAM中读取点焊控制信息对点焊过程进行控制;将双口RAM中存储的点焊信息发送到个人计算机,并从个人计算机接收点焊控制信息,存入双口RAM指定的单元中,供CPU1进行读取。
电阻点焊监控系统硬件主要由以下几部分组成:两片C8051F020芯片,双端口存储芯片IDT71V32,以太网控制器CS8900A,地址锁存器74HC573,网络接口HR901175A,以及其它控制电路构成。在本电阻点焊过程质量监控系统中,选择两片兼容MCS-51内核的C8051F020芯片作为核心控制单元,CPU1主要负责对点焊过程参数进行采集,和利用CPU2传递的电阻点焊控制信息对点焊过程进行控制。CPU2主要是减轻CPU1的工作负担,负责以太网的通信。两者通过双端口存储芯片 IDT71V32进行数据交流和共享。以太网控制器局域网处理芯片CS8900A,利用CS8900A的8位接口模式,将负责通信的CPU2与CS8900A连接,以太网控制器以太网数据包的形式将点焊过程参数通过网络接口发送给上位计算机,和将计算机发送的控制信息数据包传递给CPU2。

Claims (1)

1.电阻焊过程质量监控系统的电路结构,其特征在于:点焊监控结构为主从式,上位机采用计算机,下位机采用单片机;上位计算机主要是将点焊控制信息下载到单片机和将下位单片机传送的信息转变为实时曲线,并存入数据库中;CPU1执行完成了传感器采集-采集模块分析-数据AD-存储单元暂存;CPU2主要负责网络上传-上微机分析处理显示同时从双口RAM中读取点焊控制信息对点焊过程进行控制;将双口RAM中存储的点焊信息发送到个人计算机,并从个人计算机接收点焊控制信息,存入双口RAM指定的单元中,供CPU1进行读取。
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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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