CN102075142A - 高精密控温晶体振荡器 - Google Patents

高精密控温晶体振荡器 Download PDF

Info

Publication number
CN102075142A
CN102075142A CN 201010615034 CN201010615034A CN102075142A CN 102075142 A CN102075142 A CN 102075142A CN 201010615034 CN201010615034 CN 201010615034 CN 201010615034 A CN201010615034 A CN 201010615034A CN 102075142 A CN102075142 A CN 102075142A
Authority
CN
China
Prior art keywords
resistance
triode
operational amplifier
connects
capacitor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN 201010615034
Other languages
English (en)
Inventor
饶棣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DONGGUAN JINZHEN ELECTRONICS Co Ltd
Original Assignee
DONGGUAN JINZHEN ELECTRONICS Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by DONGGUAN JINZHEN ELECTRONICS Co Ltd filed Critical DONGGUAN JINZHEN ELECTRONICS Co Ltd
Priority to CN 201010615034 priority Critical patent/CN102075142A/zh
Publication of CN102075142A publication Critical patent/CN102075142A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)

Abstract

本发明公开了一种高精密控温晶体振荡器,该振荡器的电路包括控温电路和主振部分的电路,控温电路包括一负温度系数的中等B值热敏电阻RT1,两个运算放大器IC1A、IC1B,两个PNP三极管Q1和Q2。本发明结合传统技术中双方的优缺点,独创了双运放双监控点的控温电路,即能达到三运放的精密控温效果,利用热参量和电流参量的同时监控,使得加热的控制更精细、更准确;且既降低了生产成本,同时热敏电阻以接地的方式接入电路,调试很方便,并且可实现批量的生产,与国外同类产品比较更具有竞争力。

Description

高精密控温晶体振荡器
 
技术领域
本发明涉及电子与电路技术领域,尤其涉及一种控温晶体振荡器的电路,包括取样电路和主振电路。
 
背景技术
恒温晶体振荡器,是对晶体进行恒温并精密控温实现的。它作为精密时频信号源被广泛应用于全球定位系统、通信、计量、遥测遥控、频谱以及网络分析仪等电子仪器中,是所有电子设备的核心器件,被誉名为“心脏”。
目前国内的控温电路主要形式是采用单运放单变量控制型,加热管一般采用场效应管。这种加热控温电路,由于只有单组变量参数,过于简单,控温不是很精密,从而导致产品的恒温槽体的温度波动幅度较大,进而影响整个产品的性能;而国外有部分厂家采用三运放控温电路,这种加热电路复杂,成本高,调试烦冗,对技术人员的基础有较高的要求,同时增加了产品的材料成本,因此竟争优势不明显,难以推广应用。由于温度传感的感应效果比较滞慢,如果单靠温度的感应控制加热管来工作,则效果并不理想。
 
发明内容
本发明要解决的技术问题是针对现有技术的缺陷,提供一种成本更低、调试方便、具有精密控温效果的高精密控温晶体振荡器。
为解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案:一种高精密控温晶体振荡器,该振荡器的电路包括控温电路和主振部分的电路,其特征在于:控温电路的电路包括一负温度系数的热敏电阻RT1(热敏电阻为中等B值)两个运算放大器IC1A、IC1B,两个PNP三极管Q1和Q2;热敏电阻RT1一端接地,另一端连接控温点调节电阻R8,电阻R8另一端连接电阻R5,电阻R5连接电阻R6,电阻R6另一端接地;电阻R8与热敏电阻RT1之间接出一路连接电阻R9,电阻R9连接运算放大器IC1A的反相端,运算放大器IC1A的同相端连接电阻R7,电阻R7另一端连接在电阻R5与电阻R6之间;运算放大器IC1A的反相端与输出端之间跨接有灵敏度调节电路;运算放大器IC1A的输出端连接电阻R4,电阻R4连接运算放大器IC1B的同相端,运算放大器IC1B的反相端连接电阻R2;运算放大器IC1B的输出端连接三极管Q1的基极,三极管Q1连接三极管Q2的基极;三极管Q1的发射极通过电阻R0连接电源VCC,三极管Q2的发射极通过另一电阻R0连接电源VCC,三极管Q1和三极管Q2的集电极接地;运算放大器IC1B的反相端与三极管Q1的发射极之间连接有电阻R1,运算放大器IC1B的反相端与三极管Q2的发射极之间连接有另一电阻R1;运算放大器IC1B的输出端与反相端之间连接有调节电容Cf1,运算放大器IC1B的同相端连接有电阻R3;运算放大器IC1A和运算放大器IC1B分别各自连接电源VCC并接地;R8、R5和R2接内部稳压电源;控温电路采用双运放结构。
主振部分的电路包括三极管V1、晶振BC1、电容Ct、电容C3、电容C4,三极管V1的发射极接地,三极管V1的基极与发射极之间连接有电容C3,三极管V1的集电极与发射极之间连接有电容C4,三极管V1的基极连接晶振BC1,晶振BC1连接电容Ct,电容Ct连接三极管的集电极。
进一步地,热敏电阻RT1其一端与地相连,且两端并接有滤波电容C2。
进一步地,所述灵敏度调节电路包括一可调电阻Rf,可调电阻Rf串联可调电容Cf2,可调电阻Rf与可调电容Cf2并联可调电容Cf3。
进一步地,两个电阻R0与电源VCC相连的一端连接滤波电容C1。
本发明结合传统技术中双方的优缺点,独创了双运放双监控点的控温电路,即能达到三运放的精密控温效果,利用热参量和电流参量的同时监控,使得加热的控制更精细、更准确;且既降低了生产成本,同时热敏电阻以接地的方式接入电路,调试很方便,并且可实现批量的生产,与国外同类产品比较更具有竞争力。
 
附图说明
图1为本发明控温电路原理图;
图2为本发明主振电路原理图。
 
具体实施方式
本实施例中,参照图1和图2,所述高精密控温晶体振荡器,该振荡器的电路包括控温电路和主振部分的电路,控温电路的电路包括一负温度系数的热敏电阻RT1,两个运算放大器IC1A、IC1B,两个PNP三极管Q1和Q2;热敏电阻RT1一端接地,另一端连接控温点调节电阻R8,电阻R8另一端连接电阻R5,电阻R5连接电阻R6,电阻R6另一端接地;电阻R8与热敏电阻RT1之间接出一路连接电阻R9,电阻R9连接运算放大器IC1A的反相端,运算放大器IC1A的同相端连接电阻R7,电阻R7另一端连接在电阻R5与电阻R6之间;运算放大器IC1A的反相端与输出端之间跨接有灵敏度调节电路;运算放大器IC1A的输出端连接电阻R4,电阻R4连接运算放大器IC1B的同相端,运算放大器IC1B的反相端连接电阻R2;运算放大器IC1B的输出端连接三极管Q1的基极,三极管Q1连接三极管Q2的基极;三极管Q1的发射极通过电阻R0连接电源VCC,三极管Q2的发射极通过另一电阻R0连接电源VCC,三极管Q1和三极管Q2的集电极接地;运算放大器IC1B的反相端与三极管Q1的发射极之间连接有电阻R1,运算放大器IC1B的反相端与三极管Q2的发射极之间连接有另一电阻R1;运算放大器IC1B的输出端与反相端之间连接有调节电容Cf1,运算放大器IC1B的同相端连接有电阻R3;运算放大器IC1A和运算放大器IC1B分别各自连接电源VCC并接地;R8、R5和R2接内部稳压电源;控温电路采用双运放结构。
主振部分的电路包括三极管V1、晶振BC1、电容Ct、电容C3、电容C4,三极管V1的发射极接地,三极管V1的基极与发射极之间连接有电容C3,三极管V1的集电极与发射极之间连接有电容C4,三极管V1的基极连接晶振BC1,晶振BC1连接电容Ct,电容Ct连接三极管的集电极。
热敏电阻RT1其一端与地相连,且两端并接有滤波电容C2。
所述灵敏度调节电路包括一可调电阻Rf,可调电阻Rf串联可调电容Cf2,可调电阻Rf与可调电容Cf2并联可调电容Cf3。
两个电阻R0与电源VCC相连的一端连接滤波电容C1。
控温电路基本原理:
(1)、温度取样:采用中等B值的热敏电阻,其感应的温度参量信号,通过轨对轨运放组成的比较电路,且通过设置合适的积分反馈,将波动的温度参量信号,转化成锯齿波信号,输入下一极运放的同相端。
(2)、电流取样:通过在加热主回路上设置适当电流检测电阻,将电流信号转化为取样电压,反馈给第二级运放的反相端,同时该信号与同相端的温度监控信号进行动态比较后,输出一动态的控制电压,从而有效控制加热三极管的工作状态,因而有效控制了加热量。该方案利用热参量和电流参量的同时监控,使得加热的控制更精细,更准确。
主振电路:
 采用调试方便的柯尔匹兹电路形式,同时结合晶体本身固有的特性,通过设置合理的抑制电路,让晶体良好、稳定的震荡在固有的频率上。
以上已将本发明做一详细说明,以上所述,仅为本发明之较佳实施例而已,当不能限定本发明实施范围,即凡依本申请范围所作均等变化与修饰,皆应仍属本发明涵盖范围内。

Claims (4)

1.一种高精密控温晶体振荡器,该振荡器的电路包括控温电路和主振部分的电路,其特征在于:控温电路包括一负温度系数的热敏电阻RT1,两个运算放大器IC1A、IC1B,两个PNP三极管Q1和Q2;热敏电阻RT1一端接地,另一端连接控温点调节电阻R8,电阻R8另一端连接电阻R5,电阻R5连接电阻R6,电阻R6另一端接地;电阻R8与热敏电阻RT1之间接出一路连接电阻R9,电阻R9连接运算放大器IC1A的反相端,运算放大器IC1A的同相端连接电阻R7,电阻R7另一端连接在电阻R5与电阻R6之间;运算放大器IC1A的反相端与输出端之间跨接有灵敏度调节电路;运算放大器IC1A的输出端连接电阻R4,电阻R4连接运算放大器IC1B的同相端,运算放大器IC1B的反相端连接电阻R2;运算放大器IC1B的输出端连接三极管Q1的基极,三极管Q1连接三极管Q2的基极;三极管Q1的发射极通过电阻R0连接电源VCC,三极管Q2的发射极通过另一电阻R0连接电源VCC,三极管Q1和三极管Q2的集电极接地;运算放大器IC1B的反相端与三极管Q1的发射极之间连接有电阻R1,运算放大器IC1B的反相端与三极管Q2的发射极之间连接有另一电阻R1;运算放大器IC1B的输出端与反相端之间连接有调节电容Cf1,运算放大器IC1B的同相端连接有电阻R3;运算放大器IC1A和运算放大器IC1B分别各自连接电源VCC并接地;
R8、R5和R2接内部稳压电源;
主振部分的电路包括三极管V1、晶振BC1、电容Ct、电容C3、电容C4,三极管V1的发射极接地,三极管V1的基极与发射极之间连接有电容C3,三极管V1的集电极与发射极之间连接有电容C4,三极管V1的基极连接晶振BC1,晶振BC1连接电容Ct,电容Ct连接三极管的集电极。
2.根据权利要求1所述的高精密控温晶体振荡器,其特征在于:热敏电阻RT1其一端与地相连,且两端并接有滤波电容C2。
3.根据权利要求1所述的高精密控温晶体振荡器,其特征在于:所述灵敏度调节电路包括一可调电阻Rf,可调电阻Rf串联可调电容Cf2,可调电阻Rf与可调电容Cf2并联可调电容Cf3。
4.根据权利要求1所述的高精密控温晶体振荡器,其特征在于:控温电路采用双运放结构。
CN 201010615034 2010-12-30 2010-12-30 高精密控温晶体振荡器 Pending CN102075142A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201010615034 CN102075142A (zh) 2010-12-30 2010-12-30 高精密控温晶体振荡器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201010615034 CN102075142A (zh) 2010-12-30 2010-12-30 高精密控温晶体振荡器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102075142A true CN102075142A (zh) 2011-05-25

Family

ID=44033518

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 201010615034 Pending CN102075142A (zh) 2010-12-30 2010-12-30 高精密控温晶体振荡器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102075142A (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102801386A (zh) * 2012-08-22 2012-11-28 东莞市金振电子有限公司 一种加强恒温晶体振荡器的热稳定性的系统
CN102820883A (zh) * 2012-08-22 2012-12-12 东莞市金振电子有限公司 一种恒温晶体振荡器控温系统
CN102866717A (zh) * 2011-07-08 2013-01-09 日本电波工业株式会社 恒温槽控制晶体振荡器的温度控制电路
CN102931913A (zh) * 2012-10-31 2013-02-13 珠海市杰理科技有限公司 高精度振荡器
CN103162685A (zh) * 2013-03-13 2013-06-19 西安工业大学 姿态传感器
CN109586710A (zh) * 2018-11-30 2019-04-05 四川九洲电器集团有限责任公司 一种温补晶振频率调谐电路
CN114545998A (zh) * 2022-04-27 2022-05-27 成都世源频控技术股份有限公司 一种恒温晶体振荡器自适应保护温度控制电路及实现方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4833426A (en) * 1987-05-22 1989-05-23 Compagnie D'electronique Et De Piezo-Electricite C.E.P.E. Controllable frequency, temperature compensated piezoelectric oscillator of high spectral purity
US6259333B1 (en) * 1997-04-18 2001-07-10 Bitex Limited Company Temperature compensation quartz oscillator
US20090020517A1 (en) * 2007-07-20 2009-01-22 Manabu Ito Control circuit for thermostatic oven in oven controlled crystal oscillator
CN201414110Y (zh) * 2009-03-17 2010-02-24 西安华伟电力电子技术有限责任公司 高精密宽频率控制范围的恒温晶体振荡器
CN201904759U (zh) * 2010-12-30 2011-07-20 东莞市金振电子有限公司 高精密控温晶体振荡器

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4833426A (en) * 1987-05-22 1989-05-23 Compagnie D'electronique Et De Piezo-Electricite C.E.P.E. Controllable frequency, temperature compensated piezoelectric oscillator of high spectral purity
US6259333B1 (en) * 1997-04-18 2001-07-10 Bitex Limited Company Temperature compensation quartz oscillator
US20090020517A1 (en) * 2007-07-20 2009-01-22 Manabu Ito Control circuit for thermostatic oven in oven controlled crystal oscillator
CN201414110Y (zh) * 2009-03-17 2010-02-24 西安华伟电力电子技术有限责任公司 高精密宽频率控制范围的恒温晶体振荡器
CN201904759U (zh) * 2010-12-30 2011-07-20 东莞市金振电子有限公司 高精密控温晶体振荡器

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102866717A (zh) * 2011-07-08 2013-01-09 日本电波工业株式会社 恒温槽控制晶体振荡器的温度控制电路
CN102866717B (zh) * 2011-07-08 2016-04-13 日本电波工业株式会社 恒温槽控制晶体振荡器的温度控制电路
CN102801386A (zh) * 2012-08-22 2012-11-28 东莞市金振电子有限公司 一种加强恒温晶体振荡器的热稳定性的系统
CN102820883A (zh) * 2012-08-22 2012-12-12 东莞市金振电子有限公司 一种恒温晶体振荡器控温系统
CN102820883B (zh) * 2012-08-22 2014-12-24 东莞市金振电子有限公司 一种恒温晶体振荡器控温系统
CN102801386B (zh) * 2012-08-22 2015-09-09 东莞市金振电子有限公司 一种加强恒温晶体振荡器的热稳定性的系统
CN102931913A (zh) * 2012-10-31 2013-02-13 珠海市杰理科技有限公司 高精度振荡器
CN102931913B (zh) * 2012-10-31 2015-02-18 珠海市杰理科技有限公司 高精度振荡器
CN103162685A (zh) * 2013-03-13 2013-06-19 西安工业大学 姿态传感器
CN109586710A (zh) * 2018-11-30 2019-04-05 四川九洲电器集团有限责任公司 一种温补晶振频率调谐电路
CN114545998A (zh) * 2022-04-27 2022-05-27 成都世源频控技术股份有限公司 一种恒温晶体振荡器自适应保护温度控制电路及实现方法
CN114545998B (zh) * 2022-04-27 2022-07-19 成都世源频控技术股份有限公司 一种恒温晶体振荡器自适应保护温度控制电路及实现方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102075142A (zh) 高精密控温晶体振荡器
CN202795090U (zh) 附恒温槽的晶体振荡器及温度控制电路
CN204718704U (zh) 一种航天相机用分布式测温装置
CN106125813A (zh) 一种便携式宽量限的高稳定度恒流源
CN103995024A (zh) 一种用于电阻式水分测量传感器的电路的测量方法
CN105137169A (zh) 一种射频功率检测电路
CN201904759U (zh) 高精密控温晶体振荡器
CN109813455A (zh) 一种cmos温度传感器
CN203705992U (zh) 温度控制装置
CN107425815B (zh) 一种功率控制电路及功率放大电路
CN103399597B (zh) 一种智能型电烙铁恒温控制电路及控制方法
CN205102937U (zh) 具有冷端补偿的温度变送器
CN203193573U (zh) 精密交流电流放大器
CN205581683U (zh) 一种用于光学微球腔的高精度温控系统
CN206369977U (zh) 人工智能仪表的交流电压输入模块
CN104410374A (zh) 一种精密交流电压放大器
CN205049652U (zh) 一种射频功率检测电路
CN103412194A (zh) 一种电容值测算电路
CN204988567U (zh) 一种单晶硅式压力变送器
CN207964135U (zh) 压力传感器温度补偿电路
CN204631128U (zh) 一种谐振频率的测试电路
CN209387172U (zh) 一种压力传感器温度补偿系统
CN205066958U (zh) 一种温度采集电路
CN108879612B (zh) 冲压机器人的电机散热设备用功率调节电路
CN106571809A (zh) 一种原子频标设备温度系数补偿装置和方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20110525