CN102062817B - 用于电子产品的晶体振荡器的频偏检测方法和装置 - Google Patents
用于电子产品的晶体振荡器的频偏检测方法和装置 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了一种用于电子产品的晶体振荡器的频偏检测方法包括：对晶体振荡器在一定时间内的振荡周期进行计数；根据计数结果计算晶体振荡器的测试频偏和门限频偏；根据测试频偏和门限频偏评估晶体振荡器的质量。本发明还公开了一种用于电子产品的晶体振荡器的频偏检测装置。本发明提供了一种经济简易的方法和装置检测电子产品上晶振的频偏，避免了以往电子产品出厂抽检造成的漏检问题，解决了影响电子产品质量关键因素的晶振故障泄露，对于提升电子产品质量，增加客户满意度，降低返修成本有积极的作用。
Description
技术领域
本发明涉及通信领域，具体而言，涉及一种用于电子产品的晶体振荡器的频偏检测方法和装置。
背景技术
电子产品的功能越来越强大，复杂度越来越高，用户对产品质量的要求也越来越高，这就对电子产品的生产厂家提供了更高的要求。要保证产品质量，电子产品上每个器件的可靠性是一个重要因素，根据业界统计，晶振(晶体振荡器)故障在电子产品中的故障占了很大的比重。因此，如果能够有效地解决晶振故障，对提高电子产品的质量有很大的帮助。而减少晶振故障，产品的出厂检验是很重要的环节，如果我们能够对出厂的电子产品上的晶振的频偏进行有效测试，就可以在一定程度上避免晶振故障，从而提高产品的质量。
现有技术至少存在以下问题：现有的测试频偏的专用仪器(如频率记)有着昂贵的价格，而且需要复杂的测试环境和专门的测试人员，如果对每台出厂的电子设备都进行晶振检测，需要庞大的资金设备和人力投入，在实际的生产中是不现实的。目前大部分厂家都采取抽样检测，抽样检测不可避免地会存在故障泄露，这个也是目前电子产品生产厂家比较头痛的问题之一。
发明内容
针对现有技术中存在的上述问题而提出本发明，为此，本发明的主要目的在于提供一种用于电子产品的晶体振荡器的频偏检测方法和装置，以解决耗资过大以及抽样检测存在故障泄露的问题。
为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种用于电子产品的晶体振荡器的频偏检测方法。
根据本发明的用于电子产品的晶体振荡器的频偏检测方法包括：对晶体振荡器在一定时间内的振荡周期进行计数；根据计数结果计算晶体振荡器的测试频偏和门限频偏；根据测试频偏和门限频偏评估晶体振荡器的质量。
其中，晶体振荡器为电子产品中的多个晶体振荡器中的每个晶体振荡器。
优选地，根据计数结果计算晶体振荡器的测试频偏和门限频偏包括：获取每个晶体振荡器对应的计数值；计算每个晶体振荡器的测试频偏和门限频偏，包括：选择多个晶体振荡器中的另一个晶体振荡器j作为晶体振荡器i的参考晶体振荡器；根据参考晶体振荡器对应的计数值以及晶体振荡器i对应的计数值计算晶体振荡器i的测试频偏和门限频偏；其中，i≠j，变量i＝1，2，...，N，N为晶体振荡器的总数量。
优选地，晶体振荡器i的测试频偏为：
其中Δfi 测试为晶体振荡器i的测试频偏，fi为晶体振荡器i的标称频率，Ci为晶体振荡器i对应的计数器的计数值，fj为参考晶体振荡器的标称频率，Cj为参考晶体振荡器对应的计数器的计数值，i≠j，变量i＝1，2，...，N，N为晶体振荡器的总数量。
优选地，晶体振荡器i的门限频偏为：
其中Δfi 门限为晶体振荡器i的门限频偏，fi为晶体振荡器i的标称频率，±Δfi为晶体振荡器i的标称频偏，fj为参考晶体振荡器的标称频率，±Δfj为参考晶体振荡器的标称频偏，i≠j，变量i＝1，2，..，N，N为晶体振荡器的总数量；
或者其中Δfi 门限为晶体振荡器i的门限频偏，fi为晶体振荡器i的标称频率，±Δfi为晶体振荡器i的标称频偏，fj为参考晶体振荡器的标称频率，±Δfj为参考晶体振荡器的标称频偏，i≠j，变量i＝1，2，...，N，N为晶体振荡器的总数量。
优选地，根据计数结果计算晶体振荡器的测试频偏和门限频偏还包括：根据实验数据计算晶体振荡器的门限频偏为：
Δf门限＝-Δfmax*95％～+Δfmin*105％，其中Δf门限为晶体振荡器的门限频偏，-Δfmax为合格的电子产品中晶体振荡器的最大负频偏，+Δfmin为合格的电子产品中晶体振荡器的最大正频偏；
以计算得到的门限频偏Δf门限作为每个晶体振荡器的门限频偏。
优选地，当多个晶体振荡器为三个或三个以上的晶体振荡器时，选择稳定度最高的晶体振荡器作为参考晶体振荡器计算其他晶体振荡器的测试频偏和门限频偏；选择稳定度仅次于稳定度最高的晶体振荡器的晶体振荡器作为参考晶体振荡器计算稳定度最高的晶体振荡器的测试频偏和门限频偏；
当电子产品中仅包括一个晶体振荡器时，增加一个检测用的晶体振荡器。
优选地，根据测试频偏和门限频偏评估晶体振荡器的质量包括：比较每个晶体振荡器的测试频偏和门限频偏；若每个晶体振荡器的测试频偏均在门限频偏的范围内，则电子产品中的多个晶体振荡器的频偏指标符合要求；否则，电子产品中的多个晶体振荡器中至少有一个晶体振荡器的频偏指标不符合要求。
为了实现上述目的，根据本发明的另一方面，提供了一种用于电子产品的晶体振荡器的频偏检测装置。
根据本发明的用于电子产品的晶体振荡器的频偏检测装置，包括：多个计数器，用于对晶体振荡器在一定时间内的振荡周期进行计数；计算模块，用于根据计数结果计算晶体振荡器的测试频偏和门限频偏；评估模块，用于根据晶体振荡器的测试频偏和门限频偏评估晶体振荡器的质量。
优选地，计算模块还用于选择电子产品中的多个晶体振荡器中的另一个晶体振荡器j作为晶体振荡器i的参考晶体振荡器；还用于根据参考晶体振荡器对应的计数值以及晶体振荡器i对应的计数值计算晶体振荡器i的测试频偏和门限频偏；
其中，晶体振荡器i的测试频偏为：
其中Δfi 测试为晶体振荡器i的测试频偏，fi为晶体振荡器i的标称频率，Ci为晶体振荡器i对应的计数器的计数值，fi为参考晶体振荡器的标称频率，Cj为参考晶体振荡器对应的计数器的计数值，i≠j，变量i＝1，2，...，N，N为晶体振荡器的总数量；
晶体振荡器i的门限频偏为：
其中Δfi 门限为晶体振荡器i的门限频偏，fi为晶体振荡器i的标称频率，±Δfi为晶体振荡器i的标称频偏，fj为参考晶体振荡器的标称频率，±Δfj为参考晶体振荡器的标称频偏，i≠j，变量i＝1，2，...，N，N为晶体振荡器的总数量；
或者其中Δfi 门限为晶体振荡器i的门限频偏，fi为晶体振荡器i的标称频率，±Δfi为晶体振荡器i的标称频偏，fj为参考晶体振荡器的标称频率，±Δfj为参考晶体振荡器的标称频偏，i≠j，变量i＝1，2，...，N，N为晶体振荡器的总数量。
优选地，计算模块还用于根据实验数据计算晶体振荡器的门限频偏；还用于以计算得到的门限频偏Δf门限作为每个晶体振荡器的门限频偏；
其中，晶体振荡器的门限频偏为：
Δf门限＝-Δfmax*95％～+Δfmin*105％，其中Δf门限为晶体振荡器的门限频偏，-Δfmax为合格的电子产品中晶体振荡器的最大负频偏，+Δfmin为合格的电子产品中晶体振荡器的最大正频偏。
通过本发明，采用简单计数的方法计算晶体振荡器的测试频偏和门限频偏，从而评估晶体振荡器合格与否，解决了现有的抽样检测方法存在故障泄露以及耗资过大的问题。使用该实施例能够提供一种在电子产品生产中筛选晶振频偏不符合要求产品的方法，该方法简单易行，采用该方法为出厂产品的晶振频偏遍历性检测提供了可能，可以有效地降低电子产品的故障泄露，是节约投资以及提高电子产品质量的有效手段。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1是根据本发明实施例的用于电子产品的晶体振荡器的频偏检测方法的流程图；
图2是根据本发明实施例的用于电子产品的晶体振荡器的频偏检测装置的示意图；
图3是根据本发明优选实施例的用于电子产品的晶体振荡器的频偏检测装置的示意图。
具体实施方式
下文中将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
图1是根据本发明实施例的用于电子产品的晶体振荡器的频偏检测方法的流程图，包括以下步骤：
步骤S10，对晶体振荡器在一定时间内的振荡周期进行计数；
步骤S20，根据计数结果计算晶体振荡器的测试频偏和门限频偏；
步骤S30，根据测试频偏和门限频偏评估晶体振荡器的质量。
其中，晶体振荡器为电子产品中的多个晶体振荡器中的每个晶体振荡器。
该实施例由于通过简单计数的方法计算晶体振荡器的测试频偏和门限频偏，从而评估晶体振荡器合格与否，解决了现有的抽样检测方法存在故障泄露的问题。使用该实施例能够提供一种在电子产品生产中筛选晶振频偏不符合要求产品的方法，该方法简单易行，采用该方法为出厂产品的晶振频偏遍历性检测提供了可能，可以有效地降低电子产品的故障泄露，是提高电子产品质量的有效手段。
优选地，步骤S20包括：获取每个晶体振荡器对应的计数值；计算每个晶体振荡器的测试频偏和门限频偏，包括：选择多个晶体振荡器中的另一个晶体振荡器j作为晶体振荡器i的参考晶体振荡器；根据参考晶体振荡器对应的计数值以及晶体振荡器i对应的计数值计算晶体振荡器i的测试频偏和门限频偏；其中，i≠j，变量i＝1，2，...，N，N为晶体振荡器的总数量。
优选地，晶体振荡器i的测试频偏为：
其中Δfi 测试为晶体振荡器i的测试频偏，fi为晶体振荡器i的标称频率，Ci为晶体振荡器i对应的计数器的计数值，fj为参考晶体振荡器的标称频率，Cj为参考晶体振荡器对应的计数器的计数值，i≠j，变量i＝1，2，...，N，N为晶体振荡器的总数量。
优选地，晶体振荡器i的门限频偏为：
其中Δfi 门限为晶体振荡器i的门限频偏，fi为晶体振荡器i的标称频率，±Δfi为晶体振荡器i的标称频偏，fj为参考晶体振荡器的标称频率，±Δfj为参考晶体振荡器的标称频偏，i≠j，变量i＝1，2，...，N，N为晶体振荡器的总数量；
或者其中Δfi 门限为晶体振荡器i的门限频偏，fi为晶体振荡器i的标称频率，±Δfi为晶体振荡器i的标称频偏，fj为参考晶体振荡器的标称频率，±Δfj为参考晶体振荡器的标称频偏，i≠j，变量i＝1，2，...，N，N为晶体振荡器的总数量。
上述优选实施例提供了根据多个晶体振荡器的计数值计算每个晶体振荡器的测试频偏和门限频偏的具体实施方案。值得注意的是，在计算每个晶体振荡器的测试频偏和门限频偏时，只需选择除当前晶体振荡器外的另一个晶体振荡器作为其参考晶体振荡器即可。
优选地，步骤S20还包括：根据实验数据计算晶体振荡器的门限频偏为：
Δf门限＝-Δfmax*95％～+Δfmin*105％，其中Δf门限为晶体振荡器的门限频偏，-Δfmax为合格的电子产品中晶体振荡器的最大负频偏，+Δfmin为合格的电子产品中晶体振荡器的最大正频偏；
以计算得到的门限频偏Δf门限作为每个晶体振荡器的门限频偏。
该优选实施例提供了计算晶体振荡器的门限频偏的另一种具体实施方案。
优选地，当多个晶体振荡器为三个或三个以上的晶体振荡器时，选择稳定度最高的晶体振荡器作为参考晶体振荡器计算其他晶体振荡器的测试频偏和门限频偏；选择稳定度仅次于稳定度最高的晶体振荡器的晶体振荡器作为参考晶体振荡器计算稳定度最高的晶体振荡器的测试频偏和门限频偏。
该优选实施例提供了选择参考晶体振荡器的一种原则，参考晶体振荡器尽量采用稳定度高、精度高的晶振。
优选地，当电子产品中仅包括一个晶体振荡器时，增加一个检测用的晶体振荡器。这样才能根据上述优选实施例的方法进行测试。
优选地，步骤S30包括：比较每个晶体振荡器的测试频偏和门限频偏；若每个晶体振荡器的测试频偏均在门限频偏的范围内，则电子产品中的多个晶体振荡器的频偏指标符合要求；否则，电子产品中的多个晶体振荡器中至少有一个晶体振荡器的频偏指标不符合要求。
该优选实施例提供了对电子产品中的晶振进行评估的具体实施方案。
图2是根据本发明实施例的用于电子产品的晶体振荡器的频偏检测装置的示意图，包括：多个计数器10，用于对晶体振荡器在一定时间内的振荡周期进行计数；计算模块20，用于根据计数结果计算晶体振荡器的测试频偏和门限频偏；评估模块30，用于根据晶体振荡器的测试频偏和门限频偏评估晶体振荡器的质量。
其中，晶体振荡器为电子产品中的多个晶体振荡器中的每个晶体振荡器。
优选地，计算模块20还用于选择电子产品中的多个晶体振荡器中的另一个晶体振荡器j作为晶体振荡器i的参考晶体振荡器；还用于根据参考晶体振荡器对应的计数值以及晶体振荡器i对应的计数值计算晶体振荡器i的测试频偏和门限频偏；
其中，晶体振荡器i的测试频偏为：
其中Δfi 测试为晶体振荡器i的测试频偏，fi为晶体振荡器i的标称频率，Ci为晶体振荡器i对应的计数器的计数值，fj为参考晶体振荡器的标称频率，Cj为参考晶体振荡器对应的计数器的计数值，i≠j，变量i＝1，2，...，N，N为晶体振荡器的总数量。
晶体振荡器i的门限频偏为：
其中Δfi 门限为晶体振荡器i的门限频偏，fi为晶体振荡器i的标称频率，±Δfi为晶体振荡器i的标称频偏，fj为参考晶体振荡器的标称频率，±Δfj为参考晶体振荡器的标称频偏，i≠j，变量i＝1，2，...，N，N为晶体振荡器的总数量；
或者其中Δfi 门限为晶体振荡器i的门限频偏，fi为晶体振荡器i的标称频率，±Δfi为晶体振荡器i的标称频偏，fj为参考晶体振荡器的标称频率，±Δfj为参考晶体振荡器的标称频偏，i≠j，变量i＝1，2，...，N，N为晶体振荡器的总数量。
优选地，计算模块20还用于根据实验数据计算晶体振荡器的门限频偏；还用于以计算得到的门限频偏Δf门限作为每个晶体振荡器的门限频偏；
其中，晶体振荡器的门限频偏为：
Δf门限＝-Δfmax*95％～+Δfmin*105％，其中Δf门限为晶体振荡器的门限频偏，-Δfmax为合格的电子产品中晶体振荡器的最大负频偏，+Δfmin为合格的电子产品中晶体振荡器的最大正频偏。
本发明目的是在于提供一种简单经济的方法和装置检测晶振的频偏，实现出厂时的电子产品晶振频偏的遍历检测，从而提升电子产品的质量。
一般来说，复杂电子产品上可能需要两个或两个以上的晶振(对于只有一个晶振，为了测试需要可以增加一个检测用的晶振)，如果为每个晶振设计一个计数器，每个计数器单独计数，一段时间的计数后(一般电子产品出厂是都需要进行高温老化测试，系统产品一般是48小时，可以利用这段时间进行计数)，根据两个计数器之间的差值计算出每个晶振的频偏，如果频偏超出了设定的范围，就将该产品筛选出来进行维修，从而避免故障泄露。同样，如果电子产品有三个或三个以上的晶振，可以对每个晶振单独设置计数器，测试结束后，选择对每个晶振的计数结果和其他任意一个晶振的计数值进行比较，为了简化测试，不需要进行两两比较，只要对任何一个晶振相对于另一个晶振进行了比较就可以了，参考晶振尽量采用精度高的晶振。
针对目前业界的普遍的生产流程，电子产品出厂前都要进行高温老化，是电子产品快速进行生命曲线的稳定区间，一般情况高温老化时间设置为24小时或48小时，生产上可以充分利用这段时间进行晶振的频偏筛选。
图3是根据本发明优选实施例的用于电子产品的晶体振荡器的频偏检测装置的示意图，该优选实施例以被测电子产品中具有两个晶体振荡器为例进行说明。
如图3所示，分别为两个晶体振荡器：晶振1和晶振2单独设置一个计数器：计数器1和计数器2，计数器的大小(位宽)根据晶振(晶体)频率和测试时长确定。01表示计数器的清零控制端，02表示计数器的计数使能端，每次测试前必须先对计数器清零，然后才能启动计数(即计数使能)。图中07/08分别为计数器1和计数器2输出的计数值。09用于比较两个计数器的结果，可以由硬件电路直接比较或通过软件读出计数器的值进行比较。
1、测试步骤：
(1)复位计数器，使计数器清零。
(2)使计数器的计数使能有效，计数器1和计数器2同时开始计数。
(3)使计数使能无效，计数器1和计数器2同时停止计数。
(4)比较两个计数器的值，根据计数结果得出晶振偏差。
(5)测试频偏如果超过门限频偏则判断该电子产品上晶振存在问题，需要维修更换。
2、测试频偏的计算：
假定晶振1的标称频率为J Hz，标称频偏为±M Hz，晶振2的标称频率为K Hz，标称频偏为±N Hz，计数结束时两个计数器的值分别为G和H。则实测频偏如下：
其中，晶振1的测试频偏为Δf1 测试、晶振2的测试频偏为Δf2 测试。
3、门限频偏的确定：
对于门限频偏可以根据两个晶振的标称频偏进行折算，也可以根据批量测试数据进行设定。
A)门限频偏的理论计算：
上面的晶振1和晶振2的标称频偏分别为±M Hz和±N Hz，理论计算需要将参考晶振的标称频偏折算到被测晶振上：
其中，晶振1的门限频偏为Δf1 门限、晶振2的门限频偏为Δf2 门限。
考虑到在高温下的晶振晶体的标称频偏可能有一定的漂移，可以在上述理论计算的基础上再扩大20％的余量，这样最终的门限频偏可以设定为：
B)门限频偏的实验设定
取样500个电子产品，按照实际出厂产品的高温环境和高温时长根据上述“测试步骤”启动测试，停止测试后，根据“测试频偏的计算”得到500个样本值，取合格产品中的最大的频偏值放大5％的余量作为门限频偏：
Δf门限＝合格产品中最大负频偏*95％～合格产品中最大正频偏*105％(7)
4、频偏比较的实现：
频偏比较有多种实现方式，下面列举两种常用的方式(其他实现方式不再列举)：
①通过硬件电路(或逻辑比较)，比较两个晶振的计数结果，根据公式(1)和公式(2)计算出测试频偏，与公式(3)和公式(4)(或公式(5)和公式(6)或公式(7))的门限频偏进行比较，测试频偏范围超出理论频偏的电子产品就判断为不合格产品，判断结果可以通过指示灯显示/后台显示等多种方式实现。
②软件实现，检测软件读出两个计数器的值，根据公式(1)和公式(2)计算出测试频偏，与公式(3)和公式(4)(或公式(5)和公式(6)或公式(7))的门限频偏进行比较，测试频偏范围超出门限频偏的电子产品就判断为不合格产品，判断结果可以通过指示灯显示/后台显示等多种方式实现。
5、电子产品还有两个以上晶振时的判断原则：
单板上有两个以上晶振时，要求对每个晶振都要设置计数器，比较是选择其中一个稳定度高的晶振(频率高，频偏小)作为其他晶振的参考晶振，根据上面的公式计数出相应的值进行判断，稳定度最高的晶振要选择稳定度次高的晶振作为参考晶振。
6、测试结论：
电子产品上晶振的实测频偏如果超出门限频偏，则判断这两个晶振中至少有一个晶振频偏超标，需要维修更换。如果在门限频偏范围内，则可以认为这两个晶振频偏指标符合要求。
说明：本说明仅仅图示了两个晶振，对于三个或三个以上的晶振，可以两两进行比较判断。
从以上的描述中，可以看出，本发明实现了如下技术效果：通过一种经济简易的方法检测电子产品上晶振的频偏，避免了以往电子产品出厂抽检造成的漏检问题，解决了影响电子产品质量关键因素的晶振故障泄露，对于提升电子产品质量，增加客户满意度，降低返修成本有积极的作用。
显然，本领域的技术人员应该明白，上述的本发明的各模块或各步骤可以用通用的计算装置来实现，它们可以集中在单个的计算装置上，或者分布在多个计算装置所组成的网络上，可选地，它们可以用计算装置可执行的程序代码来实现，从而，可以将它们存储在存储装置中由计算装置来执行，或者将它们分别制作成各个集成电路模块，或者将它们中的多个模块或步骤制作成单个集成电路模块来实现。这样，本发明不限制于任何特定的硬件和软件结合。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种用于电子产品的晶体振荡器的频偏检测方法，其特征在于，包括：
对晶体振荡器在一定时间内的振荡周期进行计数；
根据计数结果计算所述晶体振荡器的测试频偏和门限频偏；
根据所述测试频偏和门限频偏评估所述晶体振荡器的质量；
根据计数结果计算所述晶体振荡器的测试频偏和门限频偏包括：
获取每个所述晶体振荡器对应的计数值；
计算每个所述晶体振荡器的测试频偏和门限频偏，包括：
选择多个晶体振荡器中的另一个晶体振荡器j作为晶体振荡器i的参考晶体振荡器；
根据所述参考晶体振荡器对应的计数值以及所述晶体振荡器i对应的计数值计算晶体振荡器i的测试频偏和门限频偏；
其中，i≠j，变量i＝1,2,...,N，N为晶体振荡器的总数量；
所述晶体振荡器i的测试频偏为：
△fi 测试＝(fi-(1/fj*Cj)/Ci)/fi，其中△fi 测试为晶体振荡器i的测试频偏，fi为晶体振荡器i的标称频率，Ci为晶体振荡器i对应的计数器的计数值，fj为参考晶体振荡器的标称频率，Cj为参考晶体振荡器对应的计数器的计数值，i≠j，变量i＝1,2,...,N，N为晶体振荡器的总数量。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶体振荡器为电子产品中的多个晶体振荡器中的每个晶体振荡器。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶体振荡器i的门限频偏为：
△fi 门限＝±((1/(fi-△fi)-1/fi)+(1/(fj-△fj)-1/fj))/(1/fi)，其中△fi 门限为晶体振荡器i的门限频偏，fi为晶体振荡器i的标称频率，±△fi为晶体振荡器i的标称频偏，fj为参考晶体振荡器的标称频率，±△fj为参考晶体振荡器的标称频偏，i≠j，变量i＝1,2,...,N，N为晶体振荡器的总数量；
或者△fi 门限＝±[((1/(fi-△fi)-1/fi)+(1/(fj-△fj)-1/fj))/(1/fi)]*120％，其中△fi 门限为晶体振荡器i的门限频偏，fi为晶体振荡器i的标称频率，±△fi为晶体振荡器i的标称频偏，fj为参考晶体振荡器的标称频率，±△fj为参考晶体振荡器的标称频偏，i≠j，变量i＝1,2,...,N，N为晶体振荡器的总数量。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，根据计数结果计算所述晶体振荡器的门限频偏还包括：
根据实验数据计算晶体振荡器的门限频偏为：
△f门限＝-△fmax*95％～+△fmin*105％，其中△f门限为晶体振荡器的门限频偏，-△fmax为合格的电子产品中晶体振荡器的最大负频偏，+△fmin为合格的电子产品中晶体振荡器的最大正频偏；
以计算得到的门限频偏△f门限作为每个所述晶体振荡器的门限频偏。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
当所述多个晶体振荡器为三个或三个以上的晶体振荡器时，选择稳定度最高的晶体振荡器作为参考晶体振荡器计算其他晶体振荡器的测试频偏和门限频偏；选择稳定度仅次于所述稳定度最高的晶体振荡器的晶体振荡器作为参考晶体振荡器计算所述稳定度最高的晶体振荡器的测试频偏和门限频偏；
当电子产品中仅包括一个晶体振荡器时，增加一个检测用的晶体振荡器。
6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，根据所述测试频偏和门限频偏评估所述晶体振荡器的质量包括：
比较每个所述晶体振荡器的测试频偏和门限频偏；
若每个所述晶体振荡器的测试频偏均在门限频偏的范围内，则所述电子产品中的多个晶体振荡器的频偏指标符合要求；
否则，所述电子产品中的多个晶体振荡器中至少有一个晶体振荡器的频偏指标不符合要求。
7.一种用于电子产品的晶体振荡器的频偏检测装置，其特征在于，包括：
多个计数器，用于对晶体振荡器在一定时间内的振荡周期进行计数；
计算模块，用于根据计数结果计算所述晶体振荡器的测试频偏和门限频偏；
评估模块，用于根据所述晶体振荡器的测试频偏和门限频偏评估所述晶体振荡器的质量；
所述计算模块还用于选择电子产品中的多个晶体振荡器中的另一个晶体振荡器j作为晶体振荡器i的参考晶体振荡器；还用于根据所述参考晶体振荡器对应的计数值以及所述晶体振荡器i对应的计数值计算晶体振荡器i的测试频偏和门限频偏；
其中，
所述晶体振荡器i的测试频偏为：
△fi 测试＝(fi-(1/fj*Cj)/Ci)/fi，其中△fi 测试为晶体振荡器i的测试频偏，fi为晶体振荡器i的标称频率，Ci为晶体振荡器i对应的计数器的计数值，fj为参考晶体振荡器的标称频率，Cj为参考晶体振荡器对应的计数器的计数值，i≠j，变量i＝1,2,...,N，N为晶体振荡器的总数量；
所述晶体振荡器i的门限频偏为：
△fi 门限＝±((1/(fi-△fi)-1/fi)+(1/(fj-△fj)-1/fj))/(1/fi)，其中△fi 门限为晶体振荡器i的门限频偏，fi为晶体振荡器i的标称频率，±△fi为晶体振荡器i的标称频偏，fj为参考晶体振荡器的标称频率，±△fj为参考晶体振荡器的标称频偏，i≠j，变量i＝1,2,...,N，N为晶体振荡器的总数量；
或者△fi 门限＝±[((1/(fi-△fi)-1/fi)+(1/(fj-△fj)-1/fj))/(1/fi)]*120％，其中△fi 门限为晶体振荡器i的门限频偏，fi为晶体振荡器i的标称频率，±△fi为晶体振荡器i的标称频偏，fj为参考晶体振荡器的标称频率，±△fj为参考晶体振荡器的标称频偏，i≠j，变量i＝1,2,...,N，N为晶体振荡器的总数量。
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述计算模块还用于根据实验数据计算晶体振荡器的门限频偏；还用于以计算得到的门限频偏△f门限作为每个所述晶体振荡器的门限频偏；
其中，所述晶体振荡器的门限频偏为：
△f门限＝-△fmax*95％～+△fmin*105％，其中△f门限为晶体振荡器的门限频偏，-△fmax为合格的电子产品中晶体振荡器的最大负频偏，+△fmin为合格的电子产品中晶体振荡器的最大正频偏。
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