CN102055427A - 微波毫米波超宽带低相移六位数字衰减器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种微波毫米波超宽带低相移六位数字衰减器。它由0.5dB、1dB、2dB、4dB、8dB、16dB衰减单元级联组成，0.5dB/1dB衰减单元采用T型拓扑结构，2dB/4dB衰减单元采用∏型拓扑结构，8dB衰减单元采用两个∏型拓扑结构级联，16dB衰减单元采用开关式拓扑结构，衰减单元级联顺序依次为2dB、0.5dB、16dB、1dB、8dB、4dB，该衰减器的工作频率范围为2-18GHz，以0.5dB为步进值在0.5-31.5dB的衰减范围内可以实现64种衰减状态。本电路拓扑结构简单，设计简便，工艺难度小，各衰减态插入损耗小，相移小，衰减精度高，输入和输出端电压驻波比小，工作频带宽，电路尺寸小，控制简单，使用方便，便于采用微波单片集成电路工艺技术大批量生产。

Description

微波毫米波超宽带低相移六位数字衰减器

技术领域

本发明涉及一种用于雷达、通信、制导的电子部件，特别是一种微波毫米波超宽带低相移六位数字衰减器。

背景技术

微波毫米波超宽带低相移六位数字衰减器是一种主要用于数字微波通信、移动通信、雷达、电子对抗、制导和仪器等电子系统设备中的电子部件。在超宽带微波毫米波频段的控制电路中，微波毫米波数字衰减器是主要控制电路之一，描述这种产品性能的主要技术指标有：1)工作频率带宽；2)衰减位数；3)总衰减量；4)衰减步进；5)衰减精度；6)各衰减态插入损耗；7)各衰减态相移；8)各衰减态输入和输出端电压驻波比；9)电路尺寸等。微波毫米波超宽带低相移六位数字衰减器的同类产品，由于设计采用的电路拓扑和工艺实现途径的缺陷，通常电性能指标难以满足要求。主要缺点有：1)电路拓扑结构复杂；2)设计难度大；3)工艺难度大；4)各衰减态插入损耗大；5)各衰减态相移大；6)衰减精度低；7)各衰减态输入和输出端电压驻波比大；8)工作频带窄；9)电路尺寸较大；10)控制复杂，使用不方便。尤其各衰减态相移较大是诸多同类产品中的共同缺点，这限制了该类产品在相控阵雷达系统和许多先进的通信系统及武器系统中的广泛应用。

发明内容

本发明的目的在于提供一种微波毫米波超宽带低相移六位数字衰减器。

实现本发明目的的技术解决方案是：一种微波毫米波超宽带低相移六位数字衰减器，它由0.5dB、1dB、2dB、4dB、8dB、16dB衰减单元级联组成，0.5dB/1dB衰减单元采用T型拓扑结构，2dB/4dB衰减单元采用∏型拓扑结构，8dB衰减单元采用两个∏型拓扑结构级联，16dB衰减单元采用开关式拓扑结构，衰减单元级联顺序依次为2dB、0.5dB、16dB、1dB、8dB、4dB，该衰减器的工作频率范围为2-18GHz，以0.5dB为步进值在0.5-31.5dB的衰减范围内可以实现64种衰减状态。

本发明与现有技术相比，其显著优点是：1、电路拓扑简单，不同衰减值的多位衰减单元级联便构成电控微波毫米波多位步进式数字衰减器；2、设计简单，由于电路拓扑简单，因而不仅设计比同类产品简单的多，而且产品的综合电性能指标比同类产品更优；3、由于电路拓扑简单使得电路结构简单、紧凑，制造中工艺难度远比同类产品要求低；4、电性能改善大，该衰减器各衰减态插入损耗小，相移小，衰减精度高，输入和输出端电压驻波比小，工作频带宽；5、电路尺寸小；6、控制简单，使用方便；7、可采用集成电路工艺大批量生产。

附图说明

图1是本发明微波毫米波超宽带低相移六位数字衰减器的结构框图。

图2是本发明微波毫米波超宽带低相移六位数字衰减器的0.5dB衰减单元的电路拓扑结构图。

图3是本发明微波毫米波超宽带低相移六位数字衰减器的1dB衰减单元的电路拓扑结构图。

图4是本发明微波毫米波超宽带低相移六位数字衰减器的2dB衰减单元的电路拓扑结构图。

图5是本发明微波毫米波超宽带低相移六位数字衰减器的4dB衰减单元的电路拓扑结构图。

图6是本发明微波毫米波超宽带低相移六位数字衰减器的8dB衰减单元的电路拓扑结构图。

图7是本发明微波毫米波超宽带低相移六位数字衰减器的16dB衰减单元的电路拓扑结构图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步详细描述。

本发明微波毫米波超宽带低相移六位数字衰减器，该衰减器由0.5dB、1dB、2dB、4dB、8dB、16dB衰减单元级联组成，0.5dB/1dB衰减单元采用T型拓扑结构，2dB/4dB衰减单元采用∏型拓扑结构，8dB衰减单元采用两个∏型拓扑结构级联，16dB衰减单元采用开关式拓扑结构，衰减单元级联顺序依次为2dB、0.5dB、16dB、1dB、8dB、4dB，该衰减器的工作频率范围为2-18GHz，以0.5dB为步进值在0.5-31.5dB的衰减范围内可以实现64种衰减状态。

本发明微波毫米波超宽带低相移六位数字衰减器，0.5dB衰减单元由一个微波毫米波输入端口Pa1，一个微波毫米波输出端口Pa2，一只赝配结构高电子迁移率晶体管Fa1，三段微带线Ma1、Ma2、Ma3和两只电阻Ra1、Ra2构成，微波毫米波输入端口Pa1连接微带线Ma1的一端，微带线Ma1的另一端接微带线Ma2的一端，微带线Ma2的另一端接微波毫米波输出端口Pa2，微带线Ma1接微带线Ma2的一端再连接微带线Ma3的一端，微带线Ma3的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Fa1的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Fa1的栅极接电阻Ra1的一端，电阻Ra1的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fa1的漏极接电阻Ra2的一端，电阻Ra2的另一端接地。

本发明微波毫米波超宽带低相移六位数字衰减器，1dB衰减单元由一个微波毫米波输入端口Pb1，一个微波毫米波输出端口Pb2，一只赝配结构高电子迁移率晶体管Fb1，三段微带线Mb1、Mb2、Mb3和两只电阻Rb1、Rb2构成，微波毫米波输入端口Pb1连接微带线Mb1的一端，微带线Mb1的另一端接微带线Mb2的一端，微带线Mb2的另一端接微波毫米波输出端口Pb2，微带线Mb1接微带线Mb2的一端再连接微带线Mb3的一端，微带线Mb3的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Fb1的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Fb1的栅极接电阻Rb1的一端，电阻Rb1的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fb1的漏极接电阻Rb2的一端，电阻Rb2的另一端接地。

本发明微波毫米波超宽带低相移六位数字衰减器，2dB衰减单元由一个微波毫米波输入端口Pc1，一个微波毫米波输出端口Pc2，三只赝配结构高电子迁移率晶体管Fc1、Fc2、Fc3，六段微带线Mc1、Mc2、Mc3、Mc4、Mc5、Mc6和六只电阻Rc1、Rc2、Rc3、Rc4、Rc5、Rc6构成，微波毫米波输入端口Pc1连接微带线Mc1的一端，微带线Mc1的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Fc3的源极，微带线Mc1接赝配结构高电子迁移率晶体管Fc3的源极的一端再连接微带线Mc3的一端，微带线Mc3的另一端接微带线Mc5的一端，微带线Mc5的另一端接电阻Rc6的一端，电阻Rc6的另一端接微带线Mc6的一端，微带线Mc6的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Fc2的源极，微带线Mc3的接微带线Mc5的一端再连接赝配结构高电子迁移率晶体管Fc1的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Fc1的栅极接电阻Rc1的一端，电阻Rc1的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fc1的漏极接电阻Rc2的一端，电阻Rc2的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fc2的栅极接电阻Rc4的一端，电阻Rc4的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fc2的漏极接电阻Rc3的一端，电阻Rc3的另一端接地，微带线Mc6接赝配结构高电子迁移率晶体管Fc2的源极的一端再连接微带线Mc4的一端，微带线Mc4的另一端接微带线Mc2的一端，微带线Mc2的另一端接微波毫米波输出端口Pc2，微带线Mc4接微带线Mc2的一端再连接赝配结构高电子迁移率晶体管Fc3的漏极，Fc3的栅极接电阻Rc5的一端，电阻Rc5的另一端接地。

本发明微波毫米波超宽带低相移六位数字衰减器，4dB衰减单元由一个微波毫米波输入端口Pd1，一个微波毫米波输出端口Pd2，三只赝配结构高电子迁移率晶体管Fd1、Fd2、Fd3，六段微带线Md1、Md2、Md3、Md4、Md5、Md6和六只电阻Rd1、Rd2、Rd3、Rd4、Rd5、Rd6构成，微波毫米波输入端口Pd1连接微带线Md1的一端，微带线Md1的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Fd3的源极，微带线Md1接赝配结构高电子迁移率晶体管Fd3的源极的一端再连接微带线Md3的一端，微带线Md3的另一端接微带线Md5的一端，微带线Md5的另一端接电阻Rd6的一端，电阻Rd6的另一端接微带线Md6的一端，微带线Md6的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Fd2的源极，微带线Md3的接微带线Md5的一端再连接赝配结构高电子迁移率晶体管Fd1的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Fd1的栅极接电阻Rd1的一端，电阻Rd1的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fd1的漏极接电阻Rd2的一端，电阻Rd2的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fd2的栅极接电阻Rd4的一端，电阻Rd4的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fd2的漏极接电阻Rd3的一端，电阻Rd3的另一端接地，微带线Md6接赝配结构高电子迁移率晶体管Fd2的源极的一端再连接微带线Md4的一端，微带线Md4的另一端接微带线Md2的一端，微带线Md2的另一端接微波毫米波输出端口Pd2，微带线Md4接微带线Md2的一端再连接赝配结构高电子迁移率晶体管Fd3的漏极，赝配结构高电子迁移率晶体管Fd3的栅极接电阻Rd5的一端，电阻Rd5的另一端接地。

本发明微波毫米波超宽带低相移数字衰减器，8dB衰减单元由一个微波毫米波输入端口Pe1，一个微波毫米波输出端口Pe2，六只赝配结构高电子迁移率晶体管Fe1、Fe2、Fe3、Fe4、Fe5、Fe6，十二段微带线Me1、Me2、Me3、Me4、Me5、Me6、Me7、Me8、Me9、Me10、Me11、Me12和十二只电阻Re1、Re2、Re3、Re4、Re5、Re6、Re7、Re8、Re9、Re10、Re11、Re12构成，微波毫米波输入端口Pe1连接微带线Me1的一端，微带线Me1的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Fe3的源极，微带线Me1接赝配结构高电子迁移率晶体管Fe3的源极的一端再连接微带线Me3的一端，微带线Me3的另一端接微带线Me5的一端，微带线Me5的另一端接电阻Re6的一端，电阻Re6的另一端接微带线Me6的一端，微带线Me6的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Fe2的源极，微带线Me3的接微带线Me5的一端再连接赝配结构高电子迁移率晶体管Fe1的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Fe1的栅极接电阻Re1的一端，电阻Re1的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fe1的漏极接电阻Re2的一端，电阻Re2的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fe2的栅极接电阻Re4的一端，电阻Re4的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fe2的漏极接电阻Re3的一端，电阻Re3的另一端接地，微带线Me6接赝配结构高电子迁移率晶体管Fe2的源极的一端再连接微带线Me4的一端，微带线Me4的另一端接微带线Me2的一端，微带线Me2的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Fe6的源极，微带线Me4接微带线Me2的一端再连接赝配结构高电子迁移率晶体管Fe3的漏极，赝配结构高电子迁移率晶体管Fe3的栅极接电阻Re5的一端，电阻Re5的另一端接地，微带线Me2接赝配结构高电子迁移率晶体管Fe6的源极的一端再连接微带线Me8的一端，微带线Me8的另一端接微带线Me10的一端，微带线Me10的另一端接电阻Re12的一端，电阻Re12的另一端接微带线Me11的一端，微带线Me11的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Fe5的源极，微带线Me8的接微带线Me10的一端再连接赝配结构高电子迁移率晶体管Fe4的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Fe4的栅极接电阻Re7的一端，电阻Re7的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fe4的漏极接电阻Re8的一端，电阻Re8的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fe5的栅极接电阻Re10的一端，电阻Re10的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fe5的漏极接电阻Re9的一端，电阻Re9的另一端接地，微带线Me11接赝配结构高电子迁移率晶体管Fe5的源极的一端再连接微带线Me9的一端，微带线Me9的另一端接微带线Me7的一端，微带线Me7的另一端接微波毫米波输出端口Pe2，微带线Me9接微带线Me7的一端再连接赝配结构高电子迁移率晶体管Fe6的漏极，赝配结构高电子迁移率晶体管Fe6的栅极接电阻Re11的一端，电阻Re11的另一端接地。

本发明微波毫米波超宽带低相移六位数字衰减器，16dB衰减单元由一个微波毫米波输入端口Pf1，一个微波毫米波输出端口Pf2，八只赝配结构高电子迁移率晶体管Ff1、Ff2、Ff3、Ff4、Ff5、Ff6、Ff7、Ff8，九段微带线Mf1、Mf2、Mf3、Mf4、Mf5、Mf6、Mf7、Mf8、Mf9和十一只电阻Rf1、Rf2、Rf3、Rf4、Rf5、Rf6、Rf7、Rf8、Rf9、Rf10、Rf11构成，微波毫米波输入端口Pf1连接微带线Mf8的一端，微带线Mf8的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff2的源极，微带线Mf8接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff2的源极的一端再连接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff3的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff2的栅极接电阻Rf2的一端，电阻Rf2的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff2的漏极接微带线Mf1的一端，微带线Mf1的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff1的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff1的栅极接电阻Rf1的一端，电阻Rf1的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff1的漏极接地，微带线Mf1接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff1的源极的一端再连接微带线Mf2的一端，微带线Mf2的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff5的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff5的栅极接电阻Rf8的一端，电阻Rf8的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff5的漏极接地，微带线Mf2接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff5的源极的一端再连接微带线Mf3的一端，微带线Mf3的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff6的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff6的栅极接电阻Rf9的一端，电阻Rf9的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff6的漏极微带线Mf9的一端，微带线Mf9的另一端接微波毫米波输出端口Pf2，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff3的栅极接电阻Rf3的一端，电阻Rf3的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff3的漏极接微带线Mf4的一端，微带线Mf4的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff4的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff4的栅极接电阻Rf4的一端，电阻Rf4的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff4的漏极接地，微带线Mf4接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff4的源极的一端再连接微带线Mf5的一端，微带线Mf5的一端接电阻Rf6的一端，电阻Rf6的另一端接地，微带线Mf5接电阻Rf6的一端再连接电阻Rf5的一端，电阻Rf5的另一端接电阻Rf7的一端，电阻Rf7的另一端接地，电阻Rf5接电阻Rf7的一端再连接微带线Mf6的一端，微带线Mf6的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff8的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff8的栅极接电阻Rf11的一端，电阻Rf11的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff8的漏极接地，微带线Mf6接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff8的源极的一端再连接微带线Mf7的一端，微带线Mf7的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff7的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff7的栅极接电阻Rf10的一端，电阻Rf10的另一端接地，微带线Mf9接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff6的漏极的一端再连接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff7的漏极。

下面结合实施例对本发明作进一步详细说明。

实施例1。结合图1、图2，本发明的微波毫米波超宽带低相移六位数字衰减器，0.5dB衰减单元采用赝配结构高电子迁移率晶体管作为超宽带开关控制器件，采用T型拓扑结构。

图2方案由一个微波毫米波输入端口(Pa1)，一个微波毫米波输出端口(Pa2)，一只赝配结构高电子迁移率晶体管(Fa1)，三段微带线(Ma1、Ma2、Ma3)和两只电阻(Ra1、Ra2)构成，微波毫米波输入端口Pa1连接微带线Ma1的一端，微带线Ma1的另一端接微带线Ma2的一端，微带线Ma2的另一端接微波毫米波输出端口Pa2，微带线Ma1接微带线Ma2的一端再连接微带线Ma3的一端，微带线Ma3的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Fa1的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Fa1的栅极接电阻Ra1的一端，电阻Ra1的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fa1的漏极接电阻Ra2的一端，电阻Ra2的另一端接地。赝配结构高电子迁移率晶体管开关采用的是栅极加电的模式，当赝配结构高电子迁移率晶体管开关Fa1处于导通状态，衰减网络导通，对所加的微波型号进行衰减；当赝配结构高电子迁移率晶体管开关Fa1处于关断状态，微波信号直接从串联通路的微带线中通过，衰减网络处于参考态。在这两种状态下，微波毫米波的输出信号幅度相差0.5dB的固定值，输出信号相位几乎不变。

实施例2。结合图1、图3，本发明的微波毫米波超宽带低相移六位数字衰减器，1dB衰减单元采用赝配结构高电子迁移率晶体管作为超宽带开关控制器件，采用T型拓扑结构。

图3方案由一个微波毫米波输入端口(Pb1)，一个微波毫米波输出端口(Pb2)，一只赝配结构高电子迁移率晶体管(Fb1)，三段微带线(Mb1、Mb2、Mb3)和两只电阻(Rb1、Rb2)构成，微波毫米波输入端口Pb1连接微带线Mb1的一端，微带线Mb1的另一端接微带线Mb2的一端，微带线Mb2的另一端接微波毫米波输出端口Pb2，微带线Mb1接微带线Mb2的一端再连接微带线Mb3的一端，微带线Mb3的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Fb1的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Fb1的栅极接电阻Rb1的一端，电阻Rb1的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fb1的漏极接电阻Rb2的一端，电阻Rb2的另一端接地。赝配结构高电子迁移率晶体管开关采用的是栅极加电的模式，当赝配结构高电子迁移率晶体管开关Fb1处于导通状态，衰减网络导通，对所加的微波型号进行衰减；当赝配结构高电子迁移率晶体管开关Fb1处于关断状态，微波信号直接从串联通路的微带线中通过，衰减网络处于参考态。在这两种状态下，微波毫米波的输出信号幅度相差1dB的固定值，输出信号相位几乎不变。

实施例3。结合图1、图4，本发明的微波毫米波超宽带低相移六位数字衰减器，2dB衰减单元采用赝配结构高电子迁移率晶体管作为超宽带开关控制器件，采用∏型拓扑结构。

图4方案由一个微波毫米波输入端口(Pc1)，一个微波毫米波输出端口(Pc2)，三只赝配结构高电子迁移率晶体管(Fc1、Fc2、Fc3)，六段微带线(Mc1、Mc2、Mc3、Mc4、Mc5、Mc6)和六只电阻(Rc1、Rc2、Rc3、Rc4、Rc5、Rc6)构成，微波毫米波输入端口Pc1连接微带线Mc1的一端，微带线Mc1的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Fc3的源极，微带线Mc1接赝配结构高电子迁移率晶体管Fc3的源极的一端再连接微带线Mc3的一端，微带线Mc3的另一端接微带线Mc5的一端，微带线Mc5的另一端接电阻Rc6的一端，电阻Rc6的另一端接微带线Mc6的一端，微带线Mc6的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Fc2的源极，微带线Mc3的接微带线Mc5的一端再连接赝配结构高电子迁移率晶体管Fc1的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Fc1的栅极接电阻Rc1的一端，电阻Rc1的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fc1的漏极接电阻Rc2的一端，电阻Rc2的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fc2的栅极接电阻Rc4的一端，电阻Rc4的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fc2的漏极接电阻Rc3的一端，电阻Rc3的另一端接地，微带线Mc6接赝配结构高电子迁移率晶体管Fc2的源极的一端再连接微带线Mc4的一端，微带线Mc4的另一端接微带线Mc2的一端，微带线Mc2的另一端接微波毫米波输出端口Pc2，微带线Mc4接微带线Mc2的一端再连接赝配结构高电子迁移率晶体管Fc3的漏极，Fc3的栅极接电阻Rc5的一端，电阻Rc5的另一端接地。赝配结构高电子迁移率晶体管开关采用的是栅极加电的模式，当赝配结构高电子迁移率晶体管Fc1、Fc2处于导通状态且Fc3处于关断状态，衰减网络导通，对所加的微波型号进行衰减；当赝配结构高电子迁移率晶体管开关Fc1、Fc2处于关断状态且Fc3处于导通状态，衰减网络处于参考态。在这两种状态下，微波毫米波的输出信号幅度相差固定值，输出信号相位几乎不变。

实施例4。结合图1、图5，本发明的微波毫米波超宽带低相移六位数字衰减器，4dB衰减单元采用赝配结构高电子迁移率晶体管作为超宽带开关控制器件，采用∏型拓扑结构。

图5方案由一个微波毫米波输入端口(Pd1)，一个微波毫米波输出端口(Pd2)，三只赝配结构高电子迁移率晶体管(Fd1、Fd2、Fd3)，六段微带线(Md1、Md2、Md3、Md4、Md5、Md6)和六只电阻(Rd1、Rd2、Rd3、Rd4、Rd5、Rd6)构成，微波毫米波输入端口Pd1连接微带线Md1的一端，微带线Md1的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Fd3的源极，微带线Md1接赝配结构高电子迁移率晶体管Fd3的源极的一端再连接微带线Md3的一端，微带线Md3的另一端接微带线Md5的一端，微带线Md5的另一端接电阻Rd6的一端，电阻Rd6的另一端接微带线Md6的一端，微带线Md6的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Fd2的源极，微带线Md3的接微带线Md5的一端再连接赝配结构高电子迁移率晶体管Fd1的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Fd1的栅极接电阻Rd1的一端，电阻Rd1的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fd1的漏极接电阻Rd2的一端，电阻Rd2的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fd2的栅极接电阻Rd4的一端，电阻Rd4的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fd2的漏极接电阻Rd3的一端，电阻Rd3的另一端接地，微带线Md6接赝配结构高电子迁移率晶体管Fd2的源极的一端再连接微带线Md4的一端，微带线Md4的另一端接微带线Md2的一端，微带线Md2的另一端接微波毫米波输出端口Pd2，微带线Md4接微带线Md2的一端再连接赝配结构高电子迁移率晶体管Fd3的漏极，赝配结构高电子迁移率晶体管Fd3的栅极接电阻Rd5的一端，电阻Rd5的另一端接地。赝配结构高电子迁移率晶体管开关采用的是栅极加电的模式，当赝配结构高电子迁移率晶体管Fd1、Fd2处于导通状态且Fd3处于关断状态，衰减网络导通，对所加的微波型号进行衰减；当赝配结构高电子迁移率晶体管开关Fd1、Fd2处于关断状态且Fd3处于导通状态，衰减网络处于参考态。在这两种状态下，微波毫米波的输出信号幅度相差固定值，输出信号相位几乎不变。

实施例5。结合图1、图6，本发明的微波毫米波超宽带低相移六位数字衰减器，8dB衰减单元采用赝配结构高电子迁移率晶体管作为超宽带开关控制器件，采用两个∏型拓扑结构级联。

图6方案由一个微波毫米波输入端口(Pe1)，一个微波毫米波输出端口(Pe2)，六只赝配结构高电子迁移率晶体管(Fe1、Fe2、Fe3、Fe4、Fe5、Fe6)，十二段微带线(Me1、Me2、Me3、Me4、Me5、Me6、Me7、Me8、Me9、Me10、Me11、Me12)和十二只电阻(Re1、Re2、Re3、Re4、Re5、Re6、Re7、Re8、Re9、Re10、Re11、Re12)构成，微波毫米波输入端口Pe1连接微带线Me1的一端，微带线Me1的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Fe3的源极，微带线Me1接赝配结构高电子迁移率晶体管Fe3的源极的一端再连接微带线Me3的一端，微带线Me3的另一端接微带线Me5的一端，微带线Me5的另一端接电阻Re6的一端，电阻Re6的另一端接微带线Me6的一端，微带线Me6的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Fe2的源极，微带线Me3的接微带线Me5的一端再连接赝配结构高电子迁移率晶体管Fe1的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Fe1的栅极接电阻Re1的一端，电阻Re1的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fe1的漏极接电阻Re2的一端，电阻Re2的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fe2的栅极接电阻Re4的一端，电阻Re4的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fe2的漏极接电阻Re3的一端，电阻Re3的另一端接地，微带线Me6接赝配结构高电子迁移率晶体管Fe2的源极的一端再连接微带线Me4的一端，微带线Me4的另一端接微带线Me2的一端，微带线Me2的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Fe6的源极，微带线Me4接微带线Me2的一端再连接赝配结构高电子迁移率晶体管Fe3的漏极，赝配结构高电子迁移率晶体管Fe3的栅极接电阻Re5的一端，电阻Re5的另一端接地，微带线Me2接赝配结构高电子迁移率晶体管Fe6的源极的一端再连接微带线Me8的一端，微带线Me8的另一端接微带线Me10的一端，微带线Me10的另一端接电阻Re12的一端，电阻Re12的另一端接微带线Me11的一端，微带线Me11的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Fe5的源极，微带线Me8的接微带线Me10的一端再连接赝配结构高电子迁移率晶体管Fe4的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Fe4的栅极接电阻Re7的一端，电阻Re7的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fe4的漏极接电阻Re8的一端，电阻Re8的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fe5的栅极接电阻Re10的一端，电阻Re10的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fe5的漏极接电阻Re9的一端，电阻Re9的另一端接地，微带线Me11接赝配结构高电子迁移率晶体管Fe5的源极的一端再连接微带线Me9的一端，微带线Me9的另一端接微带线Me7的一端，微带线Me7的另一端接微波毫米波输出端口Pe2，微带线Me9接微带线Me7的一端再连接赝配结构高电子迁移率晶体管Fe6的漏极，赝配结构高电子迁移率晶体管Fe6的栅极接电阻Re11的一端，电阻Re11的另一端接地。赝配结构高电子迁移率晶体管开关采用的是栅极加电的模式，当赝配结构高电子迁移率晶体管开关Fe1、Fe2、Fe4、Fe5处于导通状态且Fe3、Fe6处于关断状态，衰减网络导通，对所加的微波型号进行衰减；当赝配结构高电子迁移率晶体管开关Fe1、Fe2、Fe4、Fe5处于关断状态且Fe3、Fe6处于导通状态，衰减网络处于参考态。在这两种状态下，微波毫米波的输出信号幅度相差固定值，输出信号相位几乎不变。

实施例6。结合图1、图7，本发明的微波毫米波超宽带低相移六位数字衰减器，16dB衰减单元采用赝配结构高电子迁移率晶体管作为超宽带开关控制器件，采用开关式拓扑结构。

图7方案由一个微波毫米波输入端口(Pf1)，一个微波毫米波输出端口(Pf2)，八只赝配结构高电子迁移率晶体管(Ff1、Ff2、Ff3、Ff4、Ff5、Ff6、Ff7、Ff8)，九段微带线(Mf1、Mf2、Mf3、Mf4、Mf5、Mf6、Mf7、Mf8、Mf9)和十一只电阻(Rf1、Rf2、Rf3、Rf4、Rf5、Rf6、Rf7、Rf8、Rf9、Rf10、Rf11)构成，微波毫米波输入端口Pf1连接微带线Mf8的一端，微带线Mf8的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff2的源极，微带线Mf8接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff2的源极的一端再连接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff3的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff2的栅极接电阻Rf2的一端，电阻Rf2的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff2的漏极接微带线Mf1的一端，微带线Mf1的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff1的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff1的栅极接电阻Rf1的一端，电阻Rf1的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff1的漏极接地，微带线Mf1接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff1的源极的一端再连接微带线Mf2的一端，微带线Mf2的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff5的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff5的栅极接电阻Rf8的一端，电阻Rf8的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff5的漏极接地，微带线Mf2接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff5的源极的一端再连接微带线Mf3的一端，微带线Mf3的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff6的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff6的栅极接电阻Rf9的一端，电阻Rf9的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff6的漏极微带线Mf9的一端，微带线Mf9的另一端接微波毫米波输出端口Pf2，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff3的栅极接电阻Rf3的一端，电阻Rf3的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff3的漏极接微带线Mf4的一端，微带线Mf4的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff4的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff4的栅极接电阻Rf4的一端，电阻Rf4的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff4的漏极接地，微带线Mf4接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff4的源极的一端再连接微带线Mf5的一端，微带线Mf5的一端接电阻Rf6的一端，电阻Rf6的另一端接地，微带线Mf5接电阻Rf6的一端再连接电阻Rf5的一端，电阻Rf5的另一端接电阻Rf7的一端，电阻Rf7的另一端接地，电阻Rf5接电阻Rf7的一端再连接微带线Mf6的一端，微带线Mf6的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff8的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff8的栅极接电阻Rf11的一端，电阻Rf11的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff8的漏极接地，微带线Mf6接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff8的源极的一端再连接微带线Mf7的一端，微带线Mf7的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff7的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff7的栅极接电阻Rf10的一端，电阻Rf10的另一端接地，微带线Mf9接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff6的漏极的一端再连接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff7的漏极。PHEMT场效应晶体管开关采用的是栅极加电的模式，当赝配结构高电子迁移率晶体管开关Ff3、Ff4、Ff7、Ff8处于导通状态且Ff1、Ff2、Ff5、Ff6处于关断状态，衰减网络导通，对所加的微波型号进行衰减；当赝配结构高电子迁移率晶体管开关Ff3、Ff4、Ff7、Ff8处于关断状态且Ff1、Ff2、Ff5、Ff6处于导通状态，微波信号直接从串联通路的微带线中通过，衰减网络处于参考态。在这两种状态下，微波毫米波的输出信号幅度相差固定值，输出信号相位几乎不变。

衰减单元级联顺序依次为2dB、0.5dB、16dB、1dB、8dB、4dB，

本发明微波毫米波超宽带低相移六位数字衰减器的主要性能测试结果参见图8。测试结果表明，在2-18GHz频率范围内，各个衰减态的衰减精度与插损均较为理想，附加相移最大仅为+6.28°/-1.53°，为该数字衰减器的使用带来了方便。

Claims (7)

1.一种微波毫米波超宽带低相移六位数字衰减器，其特征在于：该衰减器由0.5dB、1dB、2dB、4dB、8dB、16dB衰减单元级联组成，0.5dB/1dB衰减单元采用T型拓扑结构，2dB/4dB衰减单元采用∏型拓扑结构，8dB衰减单元采用两个∏型拓扑结构级联，16dB衰减单元采用开关式拓扑结构，衰减单元级联顺序依次为2dB、0.5dB、16dB、1dB、8dB、4dB，该衰减器的工作频率范围为2-18GHz，以0.5dB为步进值在0.5-31.5dB的衰减范围内可以实现64种衰减状态。

2.根据权利要求1所述的微波毫米波超宽带低相移六位数字衰减器，其特征在于：0.5dB衰减单元由一个微波毫米波输入端口(Pa1)，一个微波毫米波输出端口(Pa2)，一只赝配结构高电子迁移率晶体管(Fa1)，三段微带线(Ma1、Ma2、Ma3)和两只电阻(Ra1、Ra2)构成，微波毫米波输入端口(Pa1)连接微带线(Ma1)的一端，微带线(Ma1)的另一端接微带线(Ma2)的一端，微带线(Ma2)的另一端接微波毫米波输出端口(Pa2)，微带线(Ma1)接微带线(Ma2)的一端再连接微带线(Ma3)的一端，微带线(Ma3)的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管(Fa1)的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管(Fa1)的栅极接电阻(Ra1)的一端，电阻(Ra1)的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管(Fa1)的漏极接电阻(Ra2)的一端，电阻(Ra2)的另一端接地。

3.根据权利要求1所述的微波毫米波超宽带低相移六位数字衰减器，其特征在于：1dB衰减单元由一个微波毫米波输入端口(Pb1)，一个微波毫米波输出端口(Pb2)，一只赝配结构高电子迁移率晶体管(Fb1)，三段微带线(Mb1、Mb2、Mb3)和两只电阻(Rb1、Rb2)构成，微波毫米波输入端口(Pb1)连接微带线(Mb1)的一端，微带线(Mb1)的另一端接微带线(Mb2)的一端，微带线(Mb2)的另一端接微波毫米波输出端口(Pb2)，微带线(Mb1)接微带线(Mb2)的一端再连接微带线(Mb3)的一端，微带线(Mb3)的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管(Fb1)的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管(Fb1)的栅极接电阻(Rb1)的一端，电阻(Rb1)的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管(Fb1)的漏极接电阻(Rb2)的一端，电阻(Rb2)的另一端接地。

4.根据权利要求1所述的微波毫米波超宽带低相移六位数字衰减器，其特征在于：2dB衰减单元由一个微波毫米波输入端口(Pc1)，一个微波毫米波输出端口(Pc2)，三只赝配结构高电子迁移率晶体管(Fc1、Fc2、Fc3)，六段微带线(Mc1、Mc2、Mc3、Mc4、Mc5、Mc6)和六只电阻(Rc1、Rc2、Rc3、Rc4、Rc5、Rc6)构成，微波毫米波输入端口Pc1连接微带线Mc1的一端，微带线Mc1的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Fc3的源极，微带线Mc1接赝配结构高电子迁移率晶体管Fc3的源极的一端再连接微带线Mc3的一端，微带线Mc3的另一端接微带线Mc5的一端，微带线Mc5的另一端接电阻Rc6的一端，电阻Rc6的另一端接微带线Mc6的一端，微带线Mc6的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Fc2的源极，微带线Mc3的接微带线Mc5的一端再连接赝配结构高电子迁移率晶体管Fc1的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Fc1的栅极接电阻Rc1的一端，电阻Rc1的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fc1的漏极接电阻Rc2的一端，电阻Rc2的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fc2的栅极接电阻Rc4的一端，电阻Rc4的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fc2的漏极接电阻Rc3的一端，电阻Rc3的另一端接地，微带线Mc6接赝配结构高电子迁移率晶体管Fc2的源极的一端再连接微带线Mc4的一端，微带线Mc4的另一端接微带线Mc2的一端，微带线Mc2的另一端接微波毫米波输出端口Pc2，微带线Mc4接微带线Mc2的一端再连接赝配结构高电子迁移率晶体管Fc3的漏极，Fc3的栅极接电阻Rc5的一端，电阻Rc5的另一端接地。

5.根据权利要求1所述的微波毫米波超宽带低相移六位数字衰减器，其特征在于：4dB衰减单元由一个微波毫米波输入端口(Pd1)，一个微波毫米波输出端口(Pd2)，三只赝配结构高电子迁移率晶体管(Fd1、Fd2、Fd3)，六段微带线(Md1、Md2、Md3、Md4、Md5、Md6)和六只电阻(Rd1、Rd2、Rd3、Rd4、Rd5、Rd6)构成，微波毫米波输入端口Pd1连接微带线Md1的一端，微带线Md1的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Fd3的源极，微带线Md1接赝配结构高电子迁移率晶体管Fd3的源极的一端再连接微带线Md3的一端，微带线Md3的另一端接微带线Md5的一端，微带线Md5的另一端接电阻Rd6的一端，电阻Rd6的另一端接微带线Md6的一端，微带线Md6的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Fd2的源极，微带线Md3的接微带线Md5的一端再连接赝配结构高电子迁移率晶体管Fd1的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Fd1的栅极接电阻Rd1的一端，电阻Rd1的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fd1的漏极接电阻Rd2的一端，电阻Rd2的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fd2的栅极接电阻Rd4的一端，电阻Rd4的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fd2的漏极接电阻Rd3的一端，电阻Rd3的另一端接地，微带线Md6接赝配结构高电子迁移率晶体管Fd2的源极的一端再连接微带线Md4的一端，微带线Md4的另一端接微带线Md2的一端，微带线Md2的另一端接微波毫米波输出端口Pd2，微带线Md4接微带线Md2的一端再连接赝配结构高电子迁移率晶体管Fd3的漏极，赝配结构高电子迁移率晶体管Fd3的栅极接电阻Rd5的一端，电阻Rd5的另一端接地。

6.根据权利要求1所述的微波毫米波超宽带低相移数字衰减器，其特征在于：8dB衰减单元由一个微波毫米波输入端口(Pe1)，一个微波毫米波输出端口(Pe2)，六只赝配结构高电子迁移率晶体管(Fe1、Fe2、Fe3、Fe4、Fe5、Fe6)，十二段微带线(Me1、Me2、Me3、Me4、Me5、Me6、Me7、Me8、Me9、Me10、Me11、Me12)和十二只电阻(Re1、Re2、Re3、Re4、Re5、Re6、Re7、Re8、Re9、Re10、Re11、Re12)构成，微波毫米波输入端口(Pe1)连接微带线(Me1)的一端，微带线(Me1)的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Fe3的源极，微带线Me1接赝配结构高电子迁移率晶体管Fe3的源极的一端再连接微带线Me3的一端，微带线Me3的另一端接微带线Me5的一端，微带线Me5的另一端接电阻Re6的一端，电阻Re6的另一端接微带线Me6的一端，微带线Me6的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Fe2的源极，微带线Me3的接微带线Me5的一端再连接赝配结构高电子迁移率晶体管Fe1的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Fe1的栅极接电阻Re1的一端，电阻Re1的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fe1的漏极接电阻Re2的一端，电阻Re2的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fe2的栅极接电阻Re4的一端，电阻Re4的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fe2的漏极接电阻Re3的一端，电阻Re3的另一端接地，微带线Me6接赝配结构高电子迁移率晶体管Fe2的源极的一端再连接微带线Me4的一端，微带线Me4的另一端接微带线Me2的一端，微带线Me2的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Fe6的源极，微带线Me4接微带线Me2的一端再连接赝配结构高电子迁移率晶体管Fe3的漏极，赝配结构高电子迁移率晶体管Fe3的栅极接电阻Re5的一端，电阻Re5的另一端接地，微带线Me2接赝配结构高电子迁移率晶体管Fe6的源极的一端再连接微带线Me8的一端，微带线Me8的另一端接微带线Me10的一端，微带线Me10的另一端接电阻Re12的一端，电阻Re12的另一端接微带线Me11的一端，微带线Me11的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Fe5的源极，微带线Me8的接微带线Me10的一端再连接赝配结构高电子迁移率晶体管Fe4的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Fe4的栅极接电阻Re7的一端，电阻Re7的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fe4的漏极接电阻Re8的一端，电阻Re8的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fe5的栅极接电阻Re10的一端，电阻Re10的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Fe5的漏极接电阻Re9的一端，电阻Re9的另一端接地，微带线Me11接赝配结构高电子迁移率晶体管Fe5的源极的一端再连接微带线Me9的一端，微带线Me9的另一端接微带线Me7的一端，微带线Me7的另一端接微波毫米波输出端口Pe2，微带线Me9接微带线Me7的一端再连接赝配结构高电子迁移率晶体管Fe6的漏极，赝配结构高电子迁移率晶体管Fe6的栅极接电阻Re11的一端，电阻Re11的另一端接地。

7.根据权利要求1所述的微波毫米波超宽带低相移六位数字衰减器，其特征在于：16dB衰减单元由一个微波毫米波输入端口(Pf1)，一个微波毫米波输出端口(Pf2)，八只赝配结构高电子迁移率晶体管(Ff1、Ff2、Ff3、Ff4、Ff5、Ff6、Ff7、Ff8)，九段微带线(Mf1、Mf2、Mf3、Mf4、Mf5、Mf6、Mf7、Mf8、Mf9)和十一只电阻(Rf1、Rf2、Rf3、Rf4、Rf5、Rf6、Rf7、Rf8、Rf9、Rf10、Rf11)构成，微波毫米波输入端口Pf1连接微带线Mf8的一端，微带线Mf8的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff2的源极，微带线Mf8接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff2的源极的一端再连接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff3的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff2的栅极接电阻Rf2的一端，电阻Rf2的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff2的漏极接微带线Mf1的一端，微带线Mf1的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff1的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff1的栅极接电阻Rf1的一端，电阻Rf1的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff1的漏极接地，微带线Mf1接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff1的源极的一端再连接微带线Mf2的一端，微带线Mf2的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff5的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff5的栅极接电阻Rf8的一端，电阻Rf8的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff5的漏极接地，微带线Mf2接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff5的源极的一端再连接微带线Mf3的一端，微带线Mf3的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff6的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff6的栅极接电阻Rf9的一端，电阻Rf9的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff6的漏极微带线Mf9的一端，微带线Mf9的另一端接微波毫米波输出端口Pf2，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff3的栅极接电阻Rf3的一端，电阻Rf3的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff3的漏极接微带线Mf4的一端，微带线Mf4的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff4的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff4的栅极接电阻Rf4的一端，电阻Rf4的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff4的漏极接地，微带线Mf4接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff4的源极的一端再连接微带线Mf5的一端，微带线Mf5的一端接电阻Rf6的一端，电阻Rf6的另一端接地，微带线Mf5接电阻Rf6的一端再连接电阻Rf5的一端，电阻Rf5的另一端接电阻Rf7的一端，电阻Rf7的另一端接地，电阻Rf5接电阻Rf7的一端再连接微带线Mf6的一端，微带线Mf6的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff8的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff8的栅极接电阻Rf11的一端，电阻Rf11的另一端接地，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff8的漏极接地，微带线Mf6接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff8的源极的一端再连接微带线Mf7的一端，微带线Mf7的另一端接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff7的源极，赝配结构高电子迁移率晶体管Ff7的栅极接电阻Rf10的一端，电阻Rf10的另一端接地，微带线Mf9接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff6的漏极的一端再连接赝配结构高电子迁移率晶体管Ff7的漏极。

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