CN102033345A - 液晶显示器及阵列基板的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种液晶显示器及阵列基板的制造方法，其中，液晶显示器包括对盒设置的阵列基板和彩膜基板，所述彩膜基板包括设置在基板上的黑矩阵、红色像素、绿色像素和蓝色像素，所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素对应的所述液晶显示器的盒厚不同。本发明还提供了一种阵列基板的制造方法。本发明实现了多重盒厚的液晶显示器，使得R/G/B不同像素对应基本相同的Gamma值，减少了液晶显示器产品对于不同像素的Gamma值的差异，提高了液晶显示器产品的显示品质。

Description

液晶显示器及阵列基板的制造方法

技术领域

本发明涉及液晶显示技术，尤其涉及一种液晶显示器及阵列基板的制造方法。

背景技术

随着液晶显示技术的迅速发展，由于液晶显示器具有功耗低、轻薄等优势，已逐步取代传统的阴极射线管(Cathode Ray Tube；以下简称：CRT)显示器，快速进入了人们的日常生活中。液晶显示器的主体结构包括对盒设置的阵列基板和彩膜基板，在阵列基板和彩膜基板之间填充有液晶。其中，阵列基板的主体结构包括形成在基板上的栅线、数据线、像素电极等，并由相互垂直的栅线和数据线定义了像素区域；彩膜基板的主体结构包括形成在基板上的黑矩阵、红色像素、绿色像素和蓝色像素；彩膜基板上像素图形形成的位置与阵列基板上的各像素区域完全对应。

现有技术中的液晶显示器均为单一盒厚，即阵列基板和彩膜基板之间的盒厚是均匀的，彩膜基板上红色像素、绿色像素和蓝色像素对应的栅绝缘层或钝化层的厚度是相等的，如图1所示为现有技术中液晶显示器的内部结构示意图，dR、dG和dB分别为红色像素、绿色像素和蓝色像素对应的盒厚，三者是相等的。然而，液晶分子对红光(R)、绿光(G)和蓝光(B)等各波段的光的敏感性不同，在各波段下得到的光电曲线是不同的，如图2和图3所示分别为现有技术中液晶分子在各波段下的V-T模拟曲线示意图和Gamma模拟曲线示意图，从图中可以看出，R/G/B像素分别对应不同的Gamma值。而且当R/G/B像素对应的Gamma值相差较大的时候，会引起产品的gamma异常，导致产品的显示品质下降。

发明内容

本发明的目的在于提供一种液晶显示器及阵列基板的制造方法，实现多重盒厚的液晶显示器，使得R/G/B不同像素对应相同的Gamma值，减少液晶显示器产品的Gamma异常，提高液晶显示器产品的显示品质。

为了实现上述目的，本发明提供了一种液晶显示器，包括对盒设置的阵列基板和彩膜基板，所述彩膜基板包括设置在基板上的黑矩阵、红色像素、绿色像素和蓝色像素，所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素对应的所述液晶显示器的盒厚不同。

所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素对应的所述阵列基板中栅绝缘层的厚度不同。

所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素对应的所述阵列基板中钝化层的厚度不同。

具体地，所述红色像素和所述绿色像素对应的所述阵列基板中栅绝缘层的厚度差值范围为0-1微米，所述绿色像素和所述蓝色像素对应的所述阵列基板中栅绝缘层的厚度差值范围为0-1微米。

所述红色像素和所述绿色像素对应的所述阵列基板中钝化层的厚度差值范围为0-1微米，所述绿色像素和所述蓝色像素对应的所述阵列基板中钝化层的厚度差值范围为0-1微米。

本发明还提供了一种阵列基板的制造方法，包括：

在基板上通过构图工艺形成包括栅线和栅电极的图形；

在完成上述步骤的所述基板上沉积栅绝缘薄膜，在所述栅绝缘薄膜上涂覆一层光刻胶，形成栅绝缘层；

采用包括全色调区域、第一半色调或灰阶色调区域和第二半色调或灰阶色调区域的掩膜板对所述栅绝缘层进行刻蚀，使得所述栅绝缘层在彩膜基板中的红色像素、绿色像素和蓝色像素所分别对应的厚度不同；

在完成上述步骤的所述基板上通过构图工艺形成包括数据线、漏电极、源电极和像素电极的图形。

进一步地，所述采用包括全色调区域、第一半色调或灰阶色调区域和第二半色调或灰阶色调区域的掩膜板对所述栅绝缘层进行刻蚀，使得所述栅绝缘层在彩膜基板中的红色像素、绿色像素和蓝色像素所分别对应的厚度不同包括：

采用包括全色调区域、第一半色调或灰阶色调区域和第二半色调或灰阶色调区域的掩膜板对所述栅绝缘层进行曝光，使所述栅绝缘层形成光刻胶完全去除区域、第一光刻胶半保留区域和第二光刻胶半保留区域，所述光刻胶完全去除区域对应于彩膜基板中红色像素所对应的区域，所述第一光刻胶半保留区域对应于所述彩膜基板中绿色像素所对应的区域，所述第二光刻胶半保留区域对应于所述彩膜基板中蓝色像素所对应的区域；

通过多步刻蚀工艺对所述栅绝缘层进行处理，使得所述第二光刻胶半保留区域的栅绝缘层的厚度大于所述第一光刻胶半保留区域的栅绝缘层的厚度，所述第一光刻胶半保留区域的栅绝缘层的厚度大于所述光刻胶完全去除区域的栅绝缘层的厚度。

所述掩膜板中所述第一半色调或灰阶色调区域的透光率大于所述第二半色调或灰阶色调区域的透光率。

进一步地，本发明提供的阵列基板的制造方法还包括：

在形成栅绝缘层的所述基板上沉积钝化层薄膜，在所述钝化层薄膜上涂覆一层光刻胶，形成钝化层；

采用包括全色调区域、第一半色调或灰阶色调区域的掩膜板对所述钝化层进行刻蚀，使得所述阵列基板在彩膜基板中红色像素、绿色像素和蓝色像素所分别对应的厚度不同。

进一步地，所述采用包括全色调区域、第一半色调或灰阶色调区域的掩膜板对所述钝化层进行刻蚀，使得所述阵列基板在彩膜基板中红色像素、绿色像素和蓝色像素所分别对应的厚度不同包括：

采用包括全色调区域、第一半色调或灰阶色调区域的掩膜板对所述钝化层进行曝光，使所述钝化层形成光刻胶完全去除区域和第一光刻胶半保留区域，所述光刻胶完全去除区域对应于彩膜基板中红色像素和绿色像素所对应的区域，所述第一光刻胶半保留区域对应于所述彩膜基板中蓝色像素所对应的区域；

通过多步刻蚀工艺对所述钝化层进行处理。

本实施例还提供了一种阵列基板的制造方法，包括：

在基板上通过构图工艺形成包括栅线、栅电极、数据线、漏电极和源电极的图形；

在完成上述步骤的所述基板上沉积钝化层薄膜，在所述栅绝缘薄膜上涂覆一层光刻胶，形成钝化层；

采用包括全色调区域、第一半色调或灰阶色调区域和第二半色调或灰阶色调区域的掩膜板对所述钝化层进行刻蚀，使得所述钝化层在彩膜基板中的红色像素、绿色像素和蓝色像素所分别对应的厚度不同；

在完成上述步骤的所述基板上通过构图工艺形成像素电极的图形。

进一步地，所述采用包括全色调区域、第一半色调或灰阶色调区域和第二半色调或灰阶色调区域的掩膜板对所述钝化层进行刻蚀，使得所述钝化层在彩膜基板中的红色像素、绿色像素和蓝色像素所分别对应的厚度不同包括：

采用包括全色调区域、第一半色调或灰阶色调区域和第二半色调或灰阶色调区域的掩膜板对所述钝化层进行曝光，使所述钝化层形成光刻胶完全去除区域、第一光刻胶半保留区域和第二光刻胶半保留区域，所述光刻胶完全去除区域对应于彩膜基板中红色像素所对应的区域，所述第一光刻胶半保留区域对应于所述彩膜基板中绿色像素所对应的区域，所述第二光刻胶半保留区域对应于所述彩膜基板中蓝色像素所对应的区域；

通过多步刻蚀工艺对所述钝化层进行处理，使得所述第二光刻胶半保留区域的钝化层的厚度大于所述第一光刻胶半保留区域的钝化层的厚度，所述第一光刻胶半保留区域的钝化层的厚度大于所述光刻胶完全去除区域的钝化层的厚度。

更进一步地，所述掩膜板中所述第一半色调或灰阶色调区域的透光率大于所述第二半色调或灰阶色调区域的透光率。

本发明提供的一种液晶显示器及阵列基板的制造方法，通过将彩膜基板中红色像素、绿色像素和蓝色像素对应的液晶显示器的盒厚设置为不同，以实现多重盒厚的液晶显示器，使得R/G/B不同像素可以对应基本相同的Gamma值，克服了当R/G/B像素对应的Gamma值相差较大的时候，所引起的液晶显示器产品的gamma异常，可以明显提高液晶显示器的显示品质。

附图说明

图1为现有技术中液晶显示器的内部结构示意图；

图2为现有技术中液晶分子在各波段下的V-T模拟曲线示意图；

图3为现有技术中液晶分子在各波段下的Gamma模拟曲线示意图；

图4为本发明液晶显示器实施例的内部结构示意图；

图5为本发明液晶显示器实施例中液晶分子在各波段下的V-T模拟曲线示意图；

图6为本发明液晶显示器实施例中液晶分子在各波段下的Gamma模拟曲线示意图；

图7为本发明阵列基板的制造方法实施例一的流程图；

图8为本发明阵列基板的制造方法实施例一中采用半色调掩膜板的光刻胶曝光示意图；

图9为本发明阵列基板的制造方法实施例一中采用灰阶色调掩膜板的光刻胶曝光示意图；

图10为本发明阵列基板的制造方法实施例二的流程图；

图11为本发明阵列基板的制造方法实施例三的流程图。

具体实施方式

下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。

图4为本发明液晶显示器实施例的内部结构示意图，如图4所示，本实施例提供了一种液晶显示器，包括对盒设置的阵列基板1和彩膜基板2，彩膜基板2包括设置在基板上的黑矩阵22、红色像素23、绿色像素24和蓝色像素25，其中，红色像素23、绿色像素24和蓝色像素25对应的液晶显示器的盒厚(cell gap)不同。图中d_R、d_G和d_B分别代表红色像素23、绿色像素24和蓝色像素25对应的盒厚，三者是不相等的，由于红光的波长最长，蓝光的波长最短，红色像素23对应的盒厚d_R最大，绿色像素24对应的液晶显示器的盒厚d_G次之，蓝色像素25对应的液晶显示器的盒厚d_B最小。本实施例通过将R/G/B不同像素对应的盒厚设置为不相等，并根据各波段的波长来设置盒厚的大小，可以弥补现有技术中液晶分子对R/G/B不同像素所对应波段的光的敏感性不同的缺陷，从而使得R/G/B不同像素对应的Gamma值是近似相等的。图5为本发明液晶显示器实施例中液晶分子在各波段下的V-T模拟曲线示意图，图6为本发明液晶显示器实施例中液晶分子在各波段下的Gamma模拟曲线示意图，如图5和图6所示，本实施例提供的液晶显示器中液晶分子在各波段下的V-T模拟曲线和Gamma模拟曲线都是近似相同的。与上述图2和图3进行对比，在现有技术中单一盒厚的情况下，不同波段对应的Gamma值相差较大，容易引起液晶显示器产品的Gamma异常，导致液晶显示器产品的显示品质下降，而本实施例提供的多重盒厚的液晶显示器则可以克服上述技术缺陷。

进一步地，本实施例中液晶显示器的不同盒厚可以具体通过设置阵列基板1中的栅绝缘层的厚度来实现，具体地，彩膜基板2中的红色像素23、绿色像素24和蓝色像素25对应的阵列基板1中栅绝缘层的厚度不同。具体可以通过灰阶掩膜技术调整阵列基板1中的栅绝缘层的掩膜板，调整图形区掩膜板的透过率，来控制不同像素上显示区的栅绝缘层的厚度，进而使得R/G/B不同像素对应的液晶显示器的盒厚不同。在本实施例中，R/G/B不同像素对应的栅绝缘层的厚度差异范围为0-1um，即红色像素和绿色像素对应的阵列基板中栅绝缘层的厚度差值范围为0-1um，绿色像素和蓝色像素对应的阵列基板中栅绝缘层的厚度差值范围为0-1um。

或者，本实施例中液晶显示器的不同盒厚可以具体通过设置阵列基板1中的钝化层的厚度来实现，具体地，彩膜基板2中的红色像素23、绿色像素24和蓝色像素25对应的阵列基板1中钝化层的厚度不同。具体可以通过灰阶掩膜技术调整阵列基板1中的钝化层的掩膜板，调整图形区掩膜板的透过率，来控制不同像素上显示区的钝化层的厚度，进而使得R/G/B不同像素对应的液晶显示器的盒厚不同。在本实施例中，R/G/B不同像素对应的钝化层的厚度差异范围为0-1um，即红色像素和绿色像素对应的阵列基板中钝化层的厚度差值范围为0-1um，绿色像素和蓝色像素对应的阵列基板中钝化层的厚度差值范围为0-1um。

需要指出的是，本实施例提供的液晶显示器中阵列基板的栅绝缘层或钝化层的厚度不均匀，但由于存在段差的部分均集中在黑矩阵对应的覆盖区域，因此厚度不均匀对摩擦工艺产生的影响较小，不会对液晶显示器的品质产生影响。

本实施例提供了一种液晶显示器，通过将彩膜基板中红色像素、绿色像素和蓝色像素对应的液晶显示器的盒厚设置为不同，以实现多重盒厚的液晶显示器，使得R/G/B不同像素可以对应相同的Gamma值，克服了当R/G/B像素对应的Gamma值相差较大的时候，所引起的液晶显示器产品的gamma异常，可以明显提高液晶显示器的显示品质。

图7为本发明阵列基板的制造方法实施例一的流程图，如图7所示，本实施例提供了一种阵列基板的制造方法，本实施例为上述液晶显示面板中阵列基板的制造方法，具体可以包括如下步骤：

步骤701，在基板上通过构图工艺形成包括栅线和栅电极的图形，本步骤可以采用现有技术中的工艺步骤，此处不再赘述。

步骤702，在完成上述步骤701的基板上沉积栅绝缘薄膜，在本实施例中假设沉积的栅绝缘薄膜的厚度为

在栅绝缘薄膜上涂覆一层光刻胶，形成栅绝缘层，本步骤可以采用现有技术中的工艺步骤，此处不再赘述。

步骤703，采用包括全色调区域、第一半色调或灰阶色调区域和第二半色调或灰阶色调区域的掩膜板对栅绝缘层进行刻蚀，使得栅绝缘层在彩膜基板中的红色像素、绿色像素和蓝色像素所分别对应的厚度不同。在本实施例中，刻蚀所使用的掩膜板包括三个区域，分别为全色调区域、第一半色调或灰阶色调区域和第二半色调或灰阶色调区域，其中，第一半色调或灰阶色调区域对应的掩膜板可以为半色调掩膜板，也可以为灰阶色调掩膜板；第二半色调或灰阶色调区域对应的掩膜板可以为半色调掩膜板，也可以为灰阶色调掩膜板，只是掩膜板中第一半色调或灰阶色调区域与第二半色调或灰阶色调区域的透光率不同，其中，第一半色调或灰阶色调区域的透光率大于第二半色调或灰阶色调区域的透光率。

步骤704，在完成上述步骤703的基板上通过构图工艺形成包括数据线、漏电极、源电极和像素电极的图形，本步骤可以采用现有技术中的工艺步骤，此处不再赘述。

进一步地，如图8所示为本发明阵列基板的制造方法实施例一中采用半色调掩膜板的光刻胶曝光示意图，参考图8，采用半色调掩膜(Half Tone Mask；以下简称：HTM)技术对栅绝缘层的光刻胶进行刻蚀处理，则上述步骤703可以具体包括如下步骤：首先，采用包括全色调区域801、第一半色调区域802和第二半色调区域803的掩膜板800对栅绝缘层上的光刻胶进行曝光，使栅绝缘层形成光刻胶完全去除区域804、第一光刻胶半保留区域805和第二光刻胶半保留区域806，其中，第一光刻胶半保留区域805的光刻胶的厚度小于第二光刻胶半保留区域806的光刻胶的厚度。光刻胶完全去除区域804对应于彩膜基板中红色像素所对应的区域，第一光刻胶半保留区域805对应于彩膜基板中绿色像素所对应的区域，第二光刻胶半保留区域806对应于彩膜基板中蓝色像素所对应的区域。其次，通过多步刻蚀工艺对栅绝缘层进行处理，具体地，在进行曝光、显影工艺之后，栅绝缘层中光刻胶完全去除区域804的光刻胶被全部去除掉，暴露出该区域的栅绝缘薄膜，通过第一次刻蚀工艺刻蚀掉光刻胶完全去除区域804中厚度为

的栅绝缘薄膜，形成红色像素对应的阵列基板的栅绝缘层。通过灰化工艺，去除第一光刻胶半保留区域805的光刻胶，暴露出该区域的栅绝缘薄膜，通过第二次刻蚀工艺刻蚀掉第一光刻胶半保留区域805中厚度为的栅绝缘薄膜，形成绿色像素对应的阵列基板的栅绝缘层。去掉光刻胶再次通过灰化工艺，去除第二光刻胶半保留区域806的光刻胶，曝露出该区域的栅绝缘薄膜，通过第三次刻蚀工艺刻蚀掉第二光刻胶半保留区域806中厚度为

的栅绝缘薄膜，形成蓝色像素对应的阵列基板的栅绝缘层。其中，由于掩膜板800中第一半色调区域802的透光率大于第二半色调区域803的透光率，第一次刻蚀工艺刻蚀掉的栅绝缘薄膜的厚度大于第二次刻蚀工艺刻蚀掉的栅绝缘薄膜的厚度。因此，通过刻蚀、灰化等工艺对栅绝缘层进行处理后，第二光刻胶半保留区域806的栅绝缘层的厚度大于第一光刻胶半保留区域805的栅绝缘层的厚度，第一光刻胶半保留区域805的栅绝缘层的厚度大于光刻胶完全去除区域804的栅绝缘层的厚度。

需要指出的是，在上述本实施例的阵列基板的制造方法中，通过多步刻蚀工艺对栅绝缘层进行刻蚀，以形成红、绿和蓝像素分别对应不同厚度的栅绝缘层时，可以采用如上述的三次刻蚀工艺对栅绝缘层进行刻蚀而形成不同厚度的栅绝缘层，且通过第一次刻蚀工艺将光刻胶完全去除区域804中的栅绝缘薄膜进行全部刻蚀，通过第二次刻蚀工艺刻蚀第一光刻胶半保留区域805中的部分栅绝缘薄膜，并通过第三次刻蚀工艺刻蚀第二光刻胶半保留区域806中的部分栅绝缘薄膜。本领域技术人员可以理解，前述刻蚀过程为其中一种可选的刻蚀方式，并不是唯一的刻蚀方式，当栅绝缘层的厚度发生变化之后，还可以通过两次刻蚀工艺来实现本发明的目的，得到不同像素对应不同厚度的栅绝缘层，即省去第三次刻蚀工艺，第一次刻蚀工艺和第二次刻蚀工艺与上述实施例中所述相同，在完成第二次刻蚀工艺之后，直接去除第二光刻胶半保留区域806中的光刻胶，得到的栅绝缘层在红、绿和蓝像素对应的区域的厚度也是不同的。还可以在进行第一次刻蚀工艺时，只刻蚀掉光刻胶完全去除区域804中的部分栅绝缘薄膜，在进行第二次刻蚀工艺时，再对第一光刻胶半保留区域805中的栅绝缘薄膜进行部分刻蚀的同时，继续刻蚀掉光刻胶完全去除区域804中的部分栅绝缘薄膜，以通过两次刻蚀工艺刻蚀掉所需的栅绝缘薄膜的厚度。后续实施例中的刻蚀过程可以与此类似，因此后续不再赘述。

或者，如图9所示为本发明阵列基板的制造方法实施例一中采用灰阶色调掩膜板的光刻胶曝光示意图，参考图9，采用灰阶色调掩膜(Gray Tone Mask；以下简称：GTM)技术对栅绝缘层的光刻胶进行刻蚀处理，则上述步骤703可以具体包括如下步骤：首先，采用包括全色调区域901、第一灰阶色调区域902和第二灰阶色调区域903的掩膜板900对栅绝缘层进行曝光，显影处理后，使栅绝缘层形成光刻胶完全去除区域904、第一光刻胶半保留区域905和第二光刻胶半保留区域906。光刻胶完全去除区域904对应于彩膜基板中红色像素所对应的区域，第一光刻胶半保留区域905对应于彩膜基板中绿色像素所对应的区域，第二光刻胶半保留区域906对应于彩膜基板中蓝色像素所对应的区域。其次，同上述刻蚀工艺类似由于掩膜板900中第一灰阶色调区域902的透光率大于第二灰阶色调区域903的透光率，因此，通过刻蚀、灰化等工艺对栅绝缘层进行处理后，第二光刻胶半保留区域906的栅绝缘层的厚度大于第一光刻胶半保留区域905的栅绝缘层的厚度，第一光刻胶半保留区域905的栅绝缘层的厚度大于光刻胶完全去除区域904的栅绝缘层的厚度。

本实施例提供了一种阵列基板的制造方法，通过将彩膜基板中红色像素、绿色像素和蓝色像素对应的阵列基板中栅绝缘层的厚度设置为不同，已以实现多重盒厚的液晶显示器，使得R/G/B不同像素可以对应相同的Gamma值，克服了当R/G/B像素对应的Gamma值相差较大的时候，所引起的液晶显示器产品的gamma异常，可以明显提高液晶显示器的显示品质。

图10为本发明阵列基板的制造方法实施例二的流程图，如图10所示，本实施例提供了一种阵列基板的制造方法，本实施例为上述液晶显示面板中阵列基板的制造方法，本实施例在上述图9所示的方法的基础之上，还可以包括如下步骤：

步骤713，在完成上述步骤703的基板上沉积钝化层薄膜，本实施例中假设沉积的钝化层薄膜的厚度为

在钝化层薄膜上涂覆一层光刻胶，形成钝化层，本步骤可以采用现有技术中的工艺步骤，此处不再赘述。

步骤723，采用包括全色调区域、第一半色调或灰阶色调区域的掩膜板对钝化层进行刻蚀，使得阵列基板在彩膜基板中的红色像素、绿色像素和蓝色像素所分别对应的厚度不同。在本实施例中，刻蚀所使用的掩膜板包括两个区域，分别为全色调区域、第一半色调或灰阶色调区域，其中，第一半色调或灰阶色调区域对应的掩膜板可以为半色调掩膜板，也可以为灰阶色调掩膜板。

具体地，上述步骤723可以具体包括如下步骤：首先，采用包括全色调区域、第一半色调或灰阶色调区域的掩膜板对所述钝化层进行曝光，使钝化层形成光刻胶完全去除区域和第一光刻胶半保留区域，光刻胶完全去除区域对应于彩膜基板中红色像素和绿色像素所对应的区域，第一光刻胶半保留区域对应于彩膜基板中蓝色像素所对应的区域。其次，通过多步刻蚀工艺对钝化层进行处理，具体地，在进行曝光、显影工艺之后，钝化层中光刻胶完全去除区域的光刻胶被全部去除掉，暴露出该区域的栅绝缘薄膜，通过第一次刻蚀工艺刻蚀掉光刻胶完全去除区域中厚度为

的钝化层薄膜，形成红色像素和绿色像素对应的阵列基板的钝化层。通过灰化工艺，去除第一光刻胶半保留区域的光刻胶，暴露出该区域的钝化层薄膜，通过第二次刻蚀工艺刻蚀掉部分第一光刻胶半保留区域中厚度为

的钝化层薄膜，形成蓝色像素对应的阵列基板的钝化层。在本实施例中，由于之前步骤703已对阵列基板中栅绝缘层进行刻蚀，形成红色像素、绿色像素和蓝色像素分别对应的不同厚度的栅绝缘层，本实施例在此基础上，继续对钝化层进行刻蚀，使得红色像素和绿色像素对应的钝化层的厚度相同，蓝色像素对应的钝化层的厚度与红色像素和绿色像素对应的钝化层的厚度不同，使得蓝色像素对应的阵列基板的厚度与绿色像素对应的阵列基板的厚度之差，大于绿色像素对应的阵列基板的厚度与红色像素对应的阵列基板的厚度之差。

本实施例提供了一种阵列基板的制造方法，通过将彩膜基板中红色像素、绿色像素和蓝色像素对应的阵列基板中钝化层的厚度设置为不同，已以实现多重盒厚的液晶显示器，使得R/G/B不同像素可以对应相同的Gamma值，克服了当R/G/B像素对应的Gamma值相差较大的时候，所引起的液晶显示器产品的gamma异常，可以明显提高液晶显示器的显示品质。

图11为本发明阵列基板的制造方法实施例三的流程图，如图11所示，本实施例提供了一种阵列基板的制造方法，本实施例为上述液晶显示面板中阵列基板的制造方法，具体可以包括如下步骤：

步骤1101，在基板上通过构图工艺形成包括栅线、栅电极、数据线、漏电极和源电极的图形，本步骤可以采用现有技术中的工艺步骤，此处不再赘述。

步骤1102，在完成上述步骤1101的基板上沉积钝化层薄膜，在钝化层薄膜上涂覆一层光刻胶，形成钝化层，本步骤可以采用现有技术中的工艺步骤，此处不再赘述。

步骤1103，采用包括全色调区域、第一半色调或灰阶色调区域和第二半色调或灰阶色调区域的掩膜板对栅绝缘层进行刻蚀，使得钝化层在彩膜基板中的红色像素、绿色像素和蓝色像素所分别对应的厚度不同。在本实施例中，刻蚀所使用的掩膜板包括三个区域，分别为全色调区域、第一半色调或灰阶色调区域和第二半色调或灰阶色调区域，其中，第一半色调或灰阶色调区域对应的掩膜板可以为半色调掩膜板，也可以为灰阶色调掩膜板；第二半色调或灰阶色调区域对应的掩膜板可以为半色调掩膜板，也可以为灰阶色调掩膜板，只是掩膜板中第一半色调或灰阶色调区域与第二半色调或灰阶色调区域的透光率不同，其中，第一半色调或灰阶色调区域的透光率大于第二半色调或灰阶色调区域的透光率。

步骤1104，在完成上述步骤1103的基板上通过构图工艺形成包括像素电极的图形，本步骤可以采用现有技术中的工艺步骤，此处不再赘述。

进一步地，则上述步骤1103可以具体包括如下步骤：首先，采用包括全色调区域、第一半色调区域和第二半色调区域的掩膜板对钝化层上的光刻胶进行曝光，使栅绝缘层形成光刻胶完全去除区域、第一光刻胶半保留区域和第二光刻胶半保留区域，其中，第一光刻胶半保留区域的光刻胶的厚度小于第二光刻胶半保留区域的光刻胶的厚度。光刻胶完全去除区域对应于彩膜基板中红色像素所对应的区域，第一光刻胶半保留区域对应于彩膜基板中绿色像素所对应的区域，第二光刻胶半保留区域对应于彩膜基板中蓝色像素所对应的区域。其次，通过多步刻蚀工艺对钝化层进行处理，具体地，在进行曝光、显影工艺之后，钝化层中光刻胶完全去除区域的光刻胶被全部去除掉，暴露出该区域的钝化层薄膜，通过第一次刻蚀工艺刻蚀掉光刻胶完全去除区域中的钝化层薄膜，形成红色像素对应的阵列基板的栅绝缘层。通过灰化工艺，去除第一光刻胶半保留区域的光刻胶，暴露出该区域的钝化层薄膜，通过第二次刻蚀工艺刻蚀掉部分第一光刻胶半保留区域中的部分钝化层薄膜，形成绿色像素对应的阵列基板的栅绝缘层。去掉光刻胶再次通过灰化工艺，去除第二光刻胶半保留区域的光刻胶，曝露出该区域的钝化层薄膜，通过第三次刻蚀工艺刻蚀掉第二光刻胶半保留区域中的部分钝化层薄膜，形成蓝色像素对应的阵列基板的钝化层。其中，由于掩膜板中第一半色调区域的透光率大于第二半色调区域的透光率，第一次刻蚀工艺刻蚀掉的钝化层薄膜的厚度大于第二次刻蚀工艺刻蚀掉的钝化层薄膜的厚度。因此，通过刻蚀、灰化等工艺对栅绝缘层进行处理后，第二光刻胶半保留区域的钝化层的厚度大于第一光刻胶半保留区域的钝化层的厚度，第一光刻胶半保留区域的钝化层的厚度大于光刻胶完全去除区域的钝化层的厚度。

需要指出的是，在上述本实施例的阵列基板的制造方法中，通过多步刻蚀工艺对钝化层进行刻蚀，以形成红、绿和蓝像素分别对应不同厚度的钝化层时，可以采用如上述的三次刻蚀工艺对钝化层进行刻蚀而形成不同厚度的钝化层，且通过第一次刻蚀工艺将光刻胶完全去除区域中的钝化层薄膜进行全部刻蚀，通过第二次刻蚀工艺刻蚀第一光刻胶半保留区域中的部分钝化层薄膜，并通过第三次刻蚀工艺刻蚀第二光刻胶半保留区域中的部分钝化层薄膜。本领域技术人员可以理解，还可以通过两次刻蚀工艺来实现本发明的目的，得到不同像素对应不同厚度的钝化层，即省去第三次刻蚀工艺，第一次刻蚀工艺和第二次刻蚀工艺与上述实施例中所述相同，在完成第二次刻蚀工艺之后，直接去除第二光刻胶半保留区域中的光刻胶，得到的钝化层在红、绿和蓝像素对应的区域的厚度也是不同的。还可以在进行第一次刻蚀工艺时，只刻蚀掉光刻胶完全去除区域中的部分钝化层，在进行第二次刻蚀工艺时，再对第一光刻胶半保留区域中的钝化层薄膜进行部分刻蚀的同时，继续刻蚀掉光刻胶完全去除区域中的部分钝化层薄膜，以通过两次刻蚀工艺刻蚀掉所需的钝化层薄膜的厚度。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明实施例技术方案的精神和范围。

Claims (13)

1.一种液晶显示器，其特征在于，包括对盒设置的阵列基板和彩膜基板，所述彩膜基板包括设置在基板上的黑矩阵、红色像素、绿色像素和蓝色像素，所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素对应的所述液晶显示器的盒厚不同。

2.根据权利要求1所述的液晶显示器，其特征在于，所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素对应的所述阵列基板中栅绝缘层的厚度不同。

3.根据权利要求1所述的液晶显示器，其特征在于，所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素对应的所述阵列基板中钝化层的厚度不同。

4.根据权利要求2所述的液晶显示器，其特征在于，所述红色像素和所述绿色像素对应的所述阵列基板中栅绝缘层的厚度差值范围为0-1微米，所述绿色像素和所述蓝色像素对应的所述阵列基板中栅绝缘层的厚度差值范围为0-1微米。

5.根据权利要求3所述的液晶显示器，其特征在于，所述红色像素和所述绿色像素对应的所述阵列基板中钝化层的厚度差值范围为0-1微米，所述绿色像素和所述蓝色像素对应的所述阵列基板中钝化层的厚度差值范围为0-1微米。

6.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上通过构图工艺形成包括栅线和栅电极的图形；

在完成上述步骤的所述基板上沉积栅绝缘薄膜，在所述栅绝缘薄膜上涂覆一层光刻胶，形成栅绝缘层；

采用包括全色调区域、第一半色调或灰阶色调区域和第二半色调或灰阶色调区域的掩膜板对所述栅绝缘层进行刻蚀，使得所述栅绝缘层在彩膜基板中的红色像素、绿色像素和蓝色像素所分别对应的厚度不同；

在完成上述步骤的所述基板上通过构图工艺形成包括数据线、漏电极、源电极和像素电极的图形。

7.根据权利要求6所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述采用包括全色调区域、第一半色调或灰阶色调区域和第二半色调或灰阶色调区域的掩膜板对所述栅绝缘层进行刻蚀，使得所述栅绝缘层在彩膜基板中的红色像素、绿色像素和蓝色像素所分别对应的厚度不同包括：

采用包括全色调区域、第一半色调或灰阶色调区域和第二半色调或灰阶色调区域的掩膜板对所述栅绝缘层进行曝光，使所述栅绝缘层形成光刻胶完全去除区域、第一光刻胶半保留区域和第二光刻胶半保留区域，所述光刻胶完全去除区域对应于彩膜基板中红色像素所对应的区域，所述第一光刻胶半保留区域对应于所述彩膜基板中绿色像素所对应的区域，所述第二光刻胶半保留区域对应于所述彩膜基板中蓝色像素所对应的区域；

通过多步刻蚀工艺对所述栅绝缘层进行处理，使得所述第二光刻胶半保留区域的栅绝缘层的厚度大于所述第一光刻胶半保留区域的栅绝缘层的厚度，所述第一光刻胶半保留区域的栅绝缘层的厚度大于所述光刻胶完全去除区域的栅绝缘层的厚度。

8.根据权利要求6所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述掩膜板中所述第一半色调或灰阶色调区域的透光率大于所述第二半色调或灰阶色调区域的透光率。

9.根据权利要求6所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，还包括：

在形成栅绝缘层的所述基板上沉积钝化层薄膜，在所述钝化层薄膜上涂覆一层光刻胶，形成钝化层；

采用包括全色调区域、第一半色调或灰阶色调区域的掩膜板对所述钝化层进行刻蚀，使得所述阵列基板在彩膜基板中红色像素、绿色像素和蓝色像素所分别对应的厚度不同。

10.根据权利要求9所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述采用包括全色调区域、第一半色调或灰阶色调区域的掩膜板对所述钝化层进行刻蚀，使得所述阵列基板在彩膜基板中红色像素、绿色像素和蓝色像素所分别对应的厚度不同包括：

采用包括全色调区域、第一半色调或灰阶色调区域的掩膜板对所述钝化层进行曝光，使所述钝化层形成光刻胶完全去除区域和第一光刻胶半保留区域，所述光刻胶完全去除区域对应于彩膜基板中红色像素和绿色像素所对应的区域，所述第一光刻胶半保留区域对应于所述彩膜基板中蓝色像素所对应的区域；

通过多步刻蚀工艺对所述钝化层进行处理。

11.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上通过构图工艺形成包括栅线、栅电极、数据线、漏电极和源电极的图形；

在完成上述步骤的所述基板上沉积钝化层薄膜，在所述钝化层薄膜上涂覆一层光刻胶，形成钝化层；

采用包括全色调区域、第一半色调或灰阶色调区域和第二半色调或灰阶色调区域的掩膜板对所述钝化层进行刻蚀，使得所述钝化层在彩膜基板中的红色像素、绿色像素和蓝色像素所分别对应的厚度不同；

在完成上述步骤的所述基板上通过构图工艺形成像素电极的图形。

12.根据权利要求11所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述采用包括全色调区域、第一半色调或灰阶色调区域和第二半色调或灰阶色调区域的掩膜板对所述钝化层进行刻蚀，使得所述钝化层在彩膜基板中的红色像素、绿色像素和蓝色像素所分别对应的厚度不同包括：

采用包括全色调区域、第一半色调或灰阶色调区域和第二半色调或灰阶色调区域的掩膜板对所述钝化层进行曝光，使所述钝化层形成光刻胶完全去除区域、第一光刻胶半保留区域和第二光刻胶半保留区域，所述光刻胶完全去除区域对应于彩膜基板中红色像素所对应的区域，所述第一光刻胶半保留区域对应于所述彩膜基板中绿色像素所对应的区域，所述第二光刻胶半保留区域对应于所述彩膜基板中蓝色像素所对应的区域；

通过多步刻蚀工艺对所述钝化层进行处理，使得所述第二光刻胶半保留区域的钝化层的厚度大于所述第一光刻胶半保留区域的钝化层的厚度，所述第一光刻胶半保留区域的钝化层的厚度大于所述光刻胶完全去除区域的钝化层的厚度。

13.根据权利要求11所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述掩膜板中所述第一半色调或灰阶色调区域的透光率大于所述第二半色调或灰阶色调区域的透光率。

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