CN102021580A - 太阳能电池晶硅硅片改良清水水洗工艺 - Google Patents

太阳能电池晶硅硅片改良清水水洗工艺 Download PDF

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瞿辉
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Abstract

本发明涉及一种太阳能电池晶硅硅片改良清水水洗工艺，所述的太阳能电池晶硅硅片改良清水水洗工艺主要为用含有少量清洗剂的低浓度水溶液先进行清洗晶硅硅片，去除硅片表面大部分在切片过程中残留的砂浆，再将硅片放入HF溶液中浸泡，去除硅片表面一定量的金属杂质，最后再用清水冲洗，进一步的洗净硅片，使硅片本面无残留，提高绒面质量。本发明工艺简单，操作方便，大大地节约了生产工艺成本，提高了清洗质量、清洗产量和清洗的灵活性。

Description

太阳能电池晶硅硅片改良清水水洗工艺
技术领域
本发明涉及太阳能电池领域，尤其是一种太阳能电池晶硅硅片清洗类型和稳定制绒的清洗工艺。
背景技术
随着经济的快速发展，传统能源的日益枯竭和石油价格的不断上升，以及人们对自身生存环境要求的不断提高，作为无污染的清洁能源，太阳能电池必将会得到更加迅猛的发展。2002-2008年间，中国光伏产业迅猛发展，已经成为世界光伏产业和市场发展最快的国家之一。2007年，我国光伏电池产量首次超过德国和日本，居世界第一位。2008年的太阳能电池产量将超过2000MW，中国正形成了一个高水平、国际化的光伏产业群体。太阳能电池片以清洗硅晶为基体，通过清洗去除硅晶表面掺杂的有机物，从而制成均匀的绒面，使太阳能电池片转换更高的效率。
目前市场上清洗类型的工艺虽然设计原理和结构都符合标准规定，但是作为清洗太阳能硅晶硅片的专用清洗工艺具有以下缺点：(1)传统洗片是用清洗剂来洗硅片，虽然能去除硅片表面的砂浆，但对工艺要求很高，极易导致硅片洗不净或在硅片表面残留清洗剂等问题，影响后期电池生产过程中的表面清洗质量，增加了清洗难度，隐性提高了规模生产时的运行时间及运行成本；(2)市场上清洗剂质量良璓不齐，清洗力度不确定；(3)清洗剂购买成本高，增加生产工艺成本。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：提出一种清洗操作简单，制绒质量受控及运行成本低，并且不易损伤硅片的太阳能电池晶硅硅片改良清水水洗工艺。
本发明所采用的技术方案为：一种太阳能电池晶硅硅片改良清水水洗工艺，包括以下步骤：
1)在浓度为3％～8％的清洗剂水溶液中，将晶硅硅片放入所述的水溶液中去除硅片表面在切片过程中残留的砂浆；
2)完成步骤1)的清洗后将晶硅硅片放入浓度为3％～8％的HF溶液中浸泡2～5分钟，以去除硅片表面的金属杂质；
3)最后利用清水进行硅片的进一步清洗，使得硅片表面无残留。
本发明的有益效果是：利用含有少量清洗剂的低浓度水溶液先进行清洗晶硅硅片，既能够有效去除硅片表面大部分在切片过程中残留的砂浆，并且不会在硅片表面残留过量的清洗剂；再将硅片放入HF溶液中浸泡，去除硅片表面一定量的金属杂质，最后在用清水冲洗，进一步的洗净硅片，使硅片表面无残留，提高后期电池生产过程中的表面清洗质量，降低生产工艺控制难度，并减少了化学品用量，隐性减少了生产的运行成本。
具体实施方式
现在结合实施例对本发明作进一步详细的说明。
实施例1
在浓度为3％的清洗剂水溶液中，将晶硅硅片放入所述的水溶液中去除硅片表面在切片过程中残留的砂浆；2)完成步骤1)的清洗后将晶硅硅片放入浓度为3％的HF溶液中浸泡2分钟，以去除硅片表面的金属杂质；3)最后利用清水进行硅片的进一步清洗，使得硅片表面无残留。
实施例2
在浓度为5％的清洗剂水溶液中，将晶硅硅片放入所述的水溶液中去除硅片表面在切片过程中残留的砂浆；2)完成步骤1)的清洗后将晶硅硅片放入浓度为5％的HF溶液中浸泡3分钟，以去除硅片表面的金属杂质；3)最后利用清水进行硅片的进一步清洗，使得硅片表面无残留。
实施例3
在浓度为7％的清洗剂水溶液中，将晶硅硅片放入所述的水溶液中去除硅片表面在切片过程中残留的砂浆；2)完成步骤1)的清洗后将晶硅硅片放入浓度为5％的HF溶液中浸泡4分钟，以去除硅片表面的金属杂质；3)最后利用清水进行硅片的进一步清洗，使得硅片表面无残留。
实施例4
在浓度为8％的清洗剂水溶液中，将晶硅硅片放入所述的水溶液中去除硅片表面在切片过程中残留的砂浆；2)完成步骤1)的清洗后将晶硅硅片放入浓度为8％的HF溶液中浸泡5分钟，以去除硅片表面的金属杂质；3)最后利用清水进行硅片的进一步清洗，使得硅片表面无残留。
以上说明书中描述的只是本发明的具体实施方式，各种举例说明不对本发明的实质内容构成限制，所属技术领域的普通技术人员在阅读了说明书后可以对以前所述的具体实施方式做修改或变形，而不背离发明的实质和范围。

Claims (1)

1.一种太阳能电池晶硅硅片改良清水水洗工艺，其特征在于包括以下步骤：
1)在水溶液中加入浓度为3％～8％的清洗剂3～8ml，将晶硅硅片放入所述的水溶液中去除硅片表面在切片过程中残留的砂浆；
2)完成步骤1)的清洗后将晶硅硅片放入浓度为3％～8％的HF溶液中浸泡2～5分钟，以去除硅片表面的金属杂质；
3)最后利用清水进行硅片的进一步清洗，使得硅片表面无残留。
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