CN101978818A - 寒富苹果矮干高冠栽植法 - Google Patents

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Abstract

寒富苹果矮干高冠栽植法，包括以下工艺步骤：1、建园时选择园址。2、整地。3、挖栽植沟：沟深0.8米，宽0.6-0.7米；挖穴深0.8米，1米直径圆形或方形均可，表土与心土分别堆放，不让土层混乱。4、整地时间最好在秋季或上冬前进行。5、栽植沟(穴)挖完之后，应往沟铺一层秸秆或杂草等枯枝乱叶，然后回填心土沉实，再回填表层土起畦，畦高于地面0.5-0.6米处栽植苹果苗木。本项发明的优点：这种栽植苹果树方法能提高苗木栽植后受光面积，提高阳光的利用率，增加地温，使苗木根系很快恢复愈合组织进行吸收营养。

Description

寒富苹果矮干高冠栽植法
技术领域：
本发明是一种果树栽培技术，特别是涉及一种采用高位嫁接苗进行抬高苗木地径的寒富苹果矮干高冠栽植法。
技术背景：
目前在生产上采用栽培方法是：栽培苗木的地径都与园地持平或下沉埋干的栽培法。苗木埋干后生长缓慢，即是成活，长势也不好，果树埋干后影响根系的透气性，也影响果树根系吸收营养，更为严重的是树的主干受冻严重，果树的行间容量减少，影响通风透光，不利果实着色，增加果园病虫害的发生，用工、用药增加，加大了果园管理成本，减少收入。
发明内容：
本项发明的目的在于提供一种寒富苹果矮干高冠栽植法，该方法可使寒富苹果早产、早丰，有利于提高果实品质。
本发明采用的技术方案：
寒富苹果矮干高冠栽植法，包括以下工艺步骤：
1、建园时选择园址：园址是一定要选择在水位较低，背风向阳，又便于灌溉的沙壤土为好。
2、整地：如每亩栽植株数在50株以上要进行挖栽植沟，每亩栽植不足50株的要挖栽植穴。
3、挖栽植沟(穴)的规格是：沟深0.8米，宽0.6-0.7米；挖穴深0.8米，1米直径圆形或方形均可，表土与心土分别堆放，不让土层混乱。
4、整地时间最好在秋季或上冬前进行。
5、栽植沟(穴)挖完之后，应往沟铺一层秸秆或杂草等枯枝乱叶，然后回填心土沉实，再回填表层土起畦，畦高于地面0.5-0.6米处栽植苹果苗木。
6、苗木的定干高度应在苗木0.65-0.75米饱满芽处定干，这个高度再加畦(垄)高，树冠高度可达到1.1或1.3米的高度。
本项发明的优点：
1、这种栽植苹果树方法能提高苗木栽植后受光面积，提高阳光的利用率，增加地温，使苗木根系很快恢复愈合组织进行吸收营养。
2、畦(垄)高，土壤通透性好，有利微生物繁殖和土壤熟化，增加土壤团粒结构，提高土壤的肥力，达到果园保肥、保水目的。
3、这种栽植苹果方法，提高主干离园地面高度，避免冬季寒冷造成的冻害程度(因冻害是离地面20公分高处最严重)。
4、增加树体行间容量，有利通风透光，提高果实着色率和果品品质，有利于果实糖份积累。
5、由于树冠矮，便于套袋脱袋和果实采收，省力、省人工，降低生产成本，增加效益。
具体实施方式
1、建园时选择园址：园址是一定要选择在水位较低，背风向阳，又便于灌溉的沙壤土为好。
2、整地：每亩栽植株数为55株，须进行挖栽植沟。
3、挖栽植沟的规格是：沟深0.8米，宽0.65米；表土与心土分别堆放，不让土层混乱。
4、整地时间在秋季进行。
5、栽植沟(穴)挖完之后，应往沟铺一层秸秆或杂草等枯枝乱叶，然后回填心土沉实，再回填表层土起畦，畦高于地面0.6米处栽植苹果苗木。
6、苗木的定干高度在苗木0.7米饱满芽处定干，这个高度再加畦(垄)高，树冠高度达到1.2米的高度。

Claims (1)

1.寒富苹果矮干高冠栽植法，其特征包括以下工艺步骤：
建园时选择园址：园址是一定要选择在水位较低，背风向阳，又便于灌溉的沙壤土为好；
整地：如每亩栽植株数在50株要进行挖栽植沟，每亩栽植50株的要挖栽植穴；
挖栽植沟的规格是：沟深0.8米，宽0.6-0.7米；挖穴深0.8米，1米直径园形或方形均可，表土与心土分别堆放，不让土层混乱；
整地时间最好在秋季或上冬前进行；
栽植沟挖完之后，应往沟铺一层秸秆或杂草等枯枝乱叶，然后回填心土沉实，再回填表层土起畦，畦高于地面0.5-0.6米处栽植苹果苗木；
苗木的定干高度应在苗木0.65-0.75米饱满芽处定干，这个高度再加畦高，树冠高度可达到1.1或1.3米的高度。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102577900A (zh) * 2012-01-18 2012-07-18 西北农林科技大学 一种苹果矮化自根多分枝苗木的培育方法
CN106613206A (zh) * 2016-12-15 2017-05-10 张玉 一种苹果防病增甜管理方法

Non-Patent Citations (3)

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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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